降低偏振靈敏度的光學(xué)設(shè)備的制作方法
【專利摘要】粗略的描述，構(gòu)造光學(xué)裝置的第一波導(dǎo)段和第二波導(dǎo)段，使得輻射改變每個(gè)段的平均折射率和雙折射。雙折射的改變時(shí)平均折射率改變的函數(shù)，在兩段中，該函數(shù)是不同的。輻射每個(gè)段的預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。在MZI中，一種技術(shù)可用于同時(shí)調(diào)整一個(gè)或多個(gè)光路長(zhǎng)度差相位延遲、耦合器引起的相位誤差和頻率誤差。
【專利說(shuō)明】降低偏振靈敏度的光學(xué)設(shè)備
[0001]根據(jù)35U.S.C.119(e)， 申請(qǐng)人:特此要求2011年3月28日提交的，申請(qǐng)?zhí)枮?1/468,499的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的權(quán)益。本發(fā)明引入該臨時(shí)申請(qǐng)的全部作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明大致涉及光學(xué)設(shè)備，特別是涉及減少或控制此類設(shè)備的偏振靈敏度度的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0003]電腦和通信系統(tǒng)對(duì)通信鏈路帶寬的需求不斷增長(zhǎng)。眾所周知，相對(duì)傳統(tǒng)的同軸電纜連接，光纖能提供更高的帶寬。在傳統(tǒng)的光通信系統(tǒng)中，光源發(fā)出的光被強(qiáng)度調(diào)制(intensity modulated, IM),以產(chǎn)生通過(guò)光纖傳輸?shù)臄?shù)字信號(hào)。
[0004]相位調(diào)制(phase modulated, PM)系統(tǒng)比IM系統(tǒng)能夠提供更高的數(shù)據(jù)率和更長(zhǎng)的傳輸距離。在PM光通信系統(tǒng)中,通過(guò)改變光的相位來(lái)產(chǎn)生數(shù)字信號(hào)。例如，光差分相移鍵控(differential phase-shift keying, DPSK)是一種光信號(hào)格式,其中，數(shù)字信息以相鄰比特的相位差來(lái)編碼。在差分正交相移鍵控(differential quadrature phase-shiftkeying, DQPSK)中，數(shù)字信息使用均勻分布在圓圈上的四點(diǎn)星座圖來(lái)進(jìn)行編碼。通過(guò)四個(gè)相位，DQPSK的每個(gè)符號(hào)能夠編碼兩個(gè)比特。雖然DPSK和DQPSK能夠達(dá)到更高的數(shù)據(jù)率和更長(zhǎng)的傳輸距離，但是這些信號(hào)格式需要一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的接收器。國(guó)際公開專利W02009/038662描述了單片DPSK或DQPSK接收器，該專利被引入本專利作為參考。
[0005]在DPSK接收芯片里，通過(guò)結(jié)合兩個(gè)光電檢測(cè)器使用馬赫-曾德延遲干涉儀(Mach-Zehnder Delay Interferometer, MZDI)能檢測(cè)相鄰比特的相位差。典型的MZDI包括不等長(zhǎng)的延遲線，該延遲線具有不同的光路長(zhǎng)度，該光路長(zhǎng)度設(shè)計(jì)為大約數(shù)據(jù)信號(hào)的一個(gè)信號(hào)長(zhǎng)度。(MZDI是馬赫-曾德干涉儀(Mach-Zehnder Interferometer, MZI)的一種特殊例子，MZDI能有相同或不同長(zhǎng)度的延遲線。)然而，MZDI的延遲通常是與偏振相關(guān)的。這種相關(guān)關(guān)系降低了接收器重建的比特的精度。MZDI延遲的相位差的偏振相關(guān)的精度的工業(yè)要求通常為3度。對(duì)于大約40Gb/s的DPSK數(shù)據(jù)信號(hào)，其轉(zhuǎn)化為偏振相關(guān)的0.3GHz的頻移，由于現(xiàn)有制造設(shè)施當(dāng)前狀態(tài)的方法變化，該頻移在傳統(tǒng)的MZDI中是極具挑戰(zhàn)的。目前，在制造的MZDI中，偏振相關(guān)的頻移的標(biāo)準(zhǔn)差約為2GHz。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)減少或控制如MZI等光學(xué)設(shè)備的偏振相關(guān)的頻移，有機(jī)會(huì)創(chuàng)建一個(gè)有力的解決方案。
[0007]粗略的描述，本發(fā)明涉及MZI或其它光學(xué)設(shè)備，其波導(dǎo)至少具有兩段，其中，第一段被構(gòu)造使得第一段的輻射不僅改變第一段的不尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變第一段的雙折射，該雙折射的改變是平均折射率改變的第一函數(shù)，其中，第二段被構(gòu)造使得第二段的輻射不僅改變第二段非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變第二段的雙折射，該雙折射的改變是平均折射率改變的第二函數(shù)，其中，第一函數(shù)和第二函數(shù)是不同的。不同輻射波導(dǎo)段的方法被描述，以同時(shí)調(diào)整或校正不同光路雙折射引起的偏振相關(guān)的相移，以及耦合器雙折射所引起的偏振相關(guān)的相移，和頻率誤差。
[0008]上述
【發(fā)明內(nèi)容】
提供了對(duì)本發(fā)明一些方面的基本理解。
【發(fā)明內(nèi)容】
并不用于確定發(fā)明的關(guān)鍵和重要元素或界定發(fā)明的范圍。其唯一的目的是以簡(jiǎn)單的形式介紹發(fā)明的一些概念，作為以后提出的更詳細(xì)描述的前奏。本發(fā)明的特定方面在權(quán)利要求書、說(shuō)明書和附圖中描述。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]下面結(jié)合具體實(shí)施例和參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，其中:
[0010]圖1是典型的三級(jí)交錯(cuò)器的透射譜圖。
[0011]圖2是典型裝置的偏振相關(guān)損耗和插入損耗圖。
[0012]圖3是典型的基于PLC (planar lightwave circuit)的MZDI裝置的布局圖。
[0013]圖4是典型MZDI裝置的偏振相關(guān)的延遲圖。
[0014]圖5-7是一些不同幾何形狀的波導(dǎo)中的雙折射圖。
[0015]圖 8 是 F1DFS (Polarization Dependent Frequency Shift)作為 Y 的函數(shù)的不意圖。
[0016]圖9是應(yīng)用本專利描述的技術(shù)的紫外激光修整裝置的布局示意圖。
[0017]圖10和11是兩個(gè)幾何形狀的波導(dǎo)的雙折射的紫外修整效果圖。
[0018]圖12_20、23和24示出了結(jié)合本發(fā)明的特征的光學(xué)裝置的布局圖，該圖顯示了不同的UV寫入實(shí)施例。
[0019]圖21和22 (包括圖22Α-22Ε)結(jié)合本發(fā)明的特征，顯示了偏振分束器的布局，該圖顯示不同的UV寫入實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0021]本發(fā)明所描述的基于紫外(UV)照明的修整(trimming)技術(shù)允許對(duì)具有很大的偏振相關(guān)的頻率誤差的制造的芯片進(jìn)行修整，從而增加產(chǎn)量和減少成本。偏振相關(guān)的分束的控制不只是與DPSK和DQPSK接收器芯片相關(guān)。這也是與其它應(yīng)用馬赫-曾德干涉儀的設(shè)備相關(guān)。應(yīng)用本發(fā)明描述的技術(shù)的示例性的裝置包括基于馬赫-曾德干涉儀的可變光衰減器、交錯(cuò)器、開關(guān)、偏振分束器和90度混合混頻器芯片等。其也應(yīng)用于其它裝置，在該裝置中，一個(gè)光路的光與其它一個(gè)或多個(gè)光路的光相干干涉，例如陣列波導(dǎo)光柵(ArrayedWaveguide Grating, AWG)設(shè)備。實(shí)際應(yīng)用中，MZI的波長(zhǎng)被調(diào)諧以匹配信號(hào)的波長(zhǎng)，整個(gè)芯片的溫度可以予以調(diào)整，或優(yōu)選的熱光相移器可以在MZI的一個(gè)臂中被定位。本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，熱效應(yīng)具有非常低的偏振相關(guān)性，因此該效應(yīng)能很好的調(diào)整波長(zhǎng)并不影響偏振相關(guān)性。有源元件因需要在芯片上進(jìn)行金屬化而不被使用，使用如下面描述的不同MZI段的第二 UV修整來(lái)替代的或另外的調(diào)諧波長(zhǎng)。
[0022]基于平面光波導(dǎo)線路(PLC)的MZI通常在透射譜里顯示偏振相關(guān)的頻移(PDFS)。
[0023]圖1顯示了由三個(gè)級(jí)聯(lián)的MZDI構(gòu)成的三級(jí)交錯(cuò)器的透射譜的典型例子。圖1顯示了最小和最大的透射譜所有可能的偏振狀態(tài)。又如圖1所示，在_23dB以上的任何透射，兩個(gè)譜相對(duì)于彼此錯(cuò)開3GHz。
[0024]通常的，TOFS對(duì)設(shè)備的光學(xué)性能有負(fù)面影響。例如對(duì)用在光纖傳輸系統(tǒng)接收端處的基于MZI的解調(diào)方案有影響，例如DPSK、QPSK和PM-QPSK。具體細(xì)節(jié)能在Cotruta，D.等的“Polarization dependent frequency shift induced BER penalty in DPSKdemodulators，，，LEOS Annual Meeting Conference Proceedings, 4_80ct.2009，pages483- 484，本發(fā)明引用該文教導(dǎo)作為參考。
[0025]PDFS如何不利的影響光學(xué)性能的另一個(gè)例子在圖2中顯示。圖2顯示了最大損耗210和最小損耗220。如圖2所不,偏振相關(guān)損耗(Polarization Dependent Loss, PDL)200在濾波曲線陡峭的側(cè)面迅速增加。最小化TOFS能極大減少這種影響，從而提高性能。
[0026]圖3示出了基于PLC的MZDI裝置300的典型布局。裝置300包括分光器310、下延遲線320、上延遲線330和光組合器340。上延遲線330比下延遲線320的長(zhǎng)度長(zhǎng)光路長(zhǎng)度差A(yù)L。本實(shí)施例中的光路長(zhǎng)度差A(yù)L為上延遲線330的段340、341、342和343的總的長(zhǎng)度。上延遲線330的其它段(未標(biāo)注)具有與下延遲線320相同的光路長(zhǎng)度。下延遲線320的光路長(zhǎng)度在本專利中被稱為共同光路長(zhǎng)度L。本專利中，延遲線有時(shí)也替換的稱為臂、分支或光路。分光器310和組合器340都是圖3中的3dB定向耦合器，但是其它任何種類的組件能夠?qū)⑷肷涔馐质材軌蛴米鞣止馄?10，其它任何種類的組件能夠組合入射光束，使其呈現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)輸出的 ，也能用作組合器。例如，在AWG的實(shí)施例中，分光器和組合器每個(gè)組成星形耦合器。
[0027]本專利所描述和展示的裝置優(yōu)選的設(shè)置在單個(gè)基板上，優(yōu)選的為剛性的，優(yōu)選的形成平面光波導(dǎo)線路(PLC)。并且，術(shù)語(yǔ)“上”和“下”并不是指實(shí)際裝置上的分支的物理位置。在實(shí)際裝置上，哪一分支被視為“上”分支，哪一分支被視為“下”分支，并不重要。相反，該術(shù)語(yǔ)應(yīng)被視為僅僅是提供的兩個(gè)光路的名稱，這樣它們能一致的命名。因此，舉例來(lái)說(shuō)，本專利的“共同光路長(zhǎng)度”是指較短的分支的長(zhǎng)度，“光路長(zhǎng)度差”是指較長(zhǎng)分支的和較短分支的長(zhǎng)度差。
[0028]圖4示出了典型的MZDI的頻率響應(yīng)。透射的功率作為上延遲線330和下延遲線320之間的相對(duì)相位差Φ的函數(shù)被繪制。
[0029]通常的，相對(duì)相位差Φ的數(shù)學(xué)表達(dá)式為:
,2πυ.τ
[0030]φ =--η-AL (方程 I)
c
[0031]其中，u為頻率，η為波導(dǎo)的平均有效折射率，c為光在真空中的速度。在本專利中，當(dāng)“上”光路長(zhǎng)的時(shí)候，光路長(zhǎng)度差的符號(hào)被認(rèn)為是正的，當(dāng)“下”光路長(zhǎng)的時(shí)候，該符號(hào)被認(rèn)為是負(fù)的。更一般的，如本專利的其它部分描述的，不同的波導(dǎo)或一個(gè)波導(dǎo)的不同部
分，折射率不同。對(duì)于上或下波導(dǎo)的所有部分Φ = ^\J^nmJupper -XnImJhwer]。如本發(fā)明所用的，相對(duì)相位定義為MZI上支的相位延遲減去下支的相位延遲。
[0032]如上所描述的，MZDI的延遲是典型的偏振相關(guān)的。這種偏正相關(guān)性能在圖4的譜中可見，其中兩條曲線分別代表相對(duì)于基板平面的尋常偏振光和非尋常偏振光的透射功率。兩條曲線相對(duì)于彼此的水平的轉(zhuǎn)換量是roFS。
[0033]PDFS定義為TOFS = Φ ΤΜ_ Φ TE，其中TM偏振相對(duì)相位差是具有主要電場(chǎng)分量沿非尋常軸的TM偏振光的，其主要電場(chǎng)分量垂直于基板平面，和具有主要電場(chǎng)分量沿尋常周的TE偏振光的，其電場(chǎng)分量在基板的平面內(nèi)。這個(gè)頻移是偏振相關(guān)的頻移。在圖4所示的例子中，PDFS=0.8弧度。在后面的討論中，PDFS和后面定義的頻率誤差FE的單位除非另有所述都為弧度。為了將弧度轉(zhuǎn)換為頻率，將I3DFS或其它弧度形式的頻率誤差乘以自由空間光譜范圍(FSR)除以2JI。
[0034]通常的，玻璃技術(shù)制造的PLC波導(dǎo)在一定程度上是雙折射的。這是由于纖芯和包層是在高溫下沉積的。纖芯和包層不同的參雜水平形成每種材料的不同的熱膨脹性質(zhì)。因此，冷卻時(shí)，形成波導(dǎo)的不同材料中形成應(yīng)力。
[0035]雙折射大小B數(shù)學(xué)表達(dá)式為
[0036]B = ne_n。 (方程 2)
[0037]其中下標(biāo)e和O分別代表非尋常光軸和尋常光軸的折射率。這兩個(gè)光軸在與波導(dǎo)內(nèi)的光傳播方向垂直的平面內(nèi)相互垂直。典型的，如本發(fā)明所用的術(shù)語(yǔ)，尋常光軸定義為平行于晶片的平面。這對(duì)圖5所示的窄的隔離的波導(dǎo)和圖6所示的寬(或平板)的隔離的波導(dǎo)，都是成立的。這對(duì)圖7所示的被對(duì)稱放置在每邊的其它波導(dǎo)結(jié)構(gòu)環(huán)繞的波導(dǎo)也是成立的。
[0038]在圖5中，波導(dǎo)芯是510，包層由區(qū)域512和“包層下”區(qū)域514構(gòu)成。該芯在本發(fā)明中被認(rèn)為是“窄的”，因?yàn)樗母叨缺葘挾却?。尋常和非尋常光軸516和518也在圖5中不出。光束的傳播方向(光軸)垂直于頁(yè)面，折射率分布的形狀大致為橢圓520。在圍繞中心點(diǎn)的每個(gè)角度位置，在該角度的橢圓520的半徑?jīng)Q定偏振光在該角度的折射率?？梢钥闯?，橢圓520是橫向拉伸的，這導(dǎo)致了負(fù)的雙折射(ne〈n。)。
[0039]在圖6中，波導(dǎo)芯是610，包層由區(qū)域612和“包層下”區(qū)域614構(gòu)成。該芯在本發(fā)明中被認(rèn)為是“寬的”，因?yàn)樗膶挾缺雀叨却?，符合“寬”的定義。尋常和非尋常光軸616和618也在圖5中示出，折射率分布的形狀為橢圓620?？梢钥闯?，橢圓520是垂直拉伸的，這導(dǎo)致了正的雙折射(n/rO。
[0040]在圖7中，波導(dǎo)芯為710，包層由區(qū)域712和包層下區(qū)域714構(gòu)成。附加的波導(dǎo)芯711對(duì)稱的設(shè)置在芯710—側(cè)的附近，影響波導(dǎo)710中的橫向的應(yīng)力。橢圓720代表波導(dǎo)芯710的折射率分布。從圖7中可以看出，盡管芯710具有窄的形狀，折射率分布720被垂直拉伸，導(dǎo)致正的雙折射(n0<ne)。
[0041]材料應(yīng)力產(chǎn)生的雙折射近似為
[0042]B = ne-n0 = C ( σ χ- σ y) (方程 3)
[0043]其中σχ為尋常維度的應(yīng)力，OyS非尋常維度的應(yīng)力，C是比例常數(shù)。在某些實(shí)施例中，C大約為-3.6X KT6MPa'對(duì)于硅晶板上的波導(dǎo)，下包層例如514、614和714通常的壓縮應(yīng)力可達(dá)到_200MPa。芯區(qū)域510、610和710以及包層區(qū)域512、612和712具有更高的參雜，這將降低壓縮應(yīng)力到更低的水平。對(duì)于平面應(yīng)變情況，0 1接近0，壓縮應(yīng)力0；￡小于或等于O，這將導(dǎo)致正的雙折射。為了達(dá)到負(fù)的雙折射，通常需將波導(dǎo)隔離，以使y方向出現(xiàn)新增的壓縮應(yīng)力。
[0044]再參考圖3所示的裝置300，下延遲線320和上延遲線330為隔離的波導(dǎo)。波導(dǎo)320和330的雙折射B是在共同光路長(zhǎng)度L和在光路長(zhǎng)度差Λ L上的。
[0045]在光路長(zhǎng)度差Λ L上的雙折射引入TE和TM偏振量之間小的相位延遲Y。TE (橫電場(chǎng))偏振光的主電場(chǎng)分量沿X軸。TM (橫磁場(chǎng))偏振光的主電場(chǎng)分量沿y軸。因此,在波導(dǎo)中傳輸?shù)腡E光遇到的是尋常折射率，而TM光遇到的是非尋常折射率。
[0046]TE光和TM光之間的相位延遲Y或光路長(zhǎng)度差是兩個(gè)弧度表示的偏振態(tài)之間的光路長(zhǎng)度差。在沒有偏振旋轉(zhuǎn)(如下所述)，并假設(shè)各處的雙折射B為常數(shù)，數(shù)學(xué)上可得到:

?π
[0047]PDFSd = V =--B-AL (方程4)

A
[0048]更普遍的，如本發(fā)明其它地方所述不同波導(dǎo)或同一波導(dǎo)的不同部分的折射率不一樣。對(duì)于上或下波導(dǎo)的各部分
[0049]PDFSd = Φ ΤΜ_ Φ ΤΕ，
[0050]其中^g= —[^ nTEJipperIlipper ^TEMverhower ]
[0051 ] ΦΤΜ - — [ Σ ?H/ ,upperh.pper —Σ ,?TM Jonc L'、u ]。
[0052](方程4)的TOFS的下標(biāo)“d”表示這是在光路長(zhǎng)度“差”上形成的相位延遲，而不是在共同光路長(zhǎng)度L上形成的雙折射。共同光路長(zhǎng)度L上的雙折射并不形成任何TOFS，這種雙折射對(duì)于下延遲線320和上延遲線330是常見的。然而，在定向耦合器310和340中出現(xiàn)偏振旋轉(zhuǎn)時(shí)，這種情況發(fā)生改變。在這種情況下，光進(jìn)入延遲線，其偏振軸與雙折射軸成一定的角度。發(fā)生偏振。此外，在光進(jìn)入組合器340和離開分光器310時(shí)，其偏振態(tài)是不同的。這導(dǎo)致roFS的不同分量的產(chǎn)生，我們將其稱為roFSc，以表示它是“耦合器引起的”roFS。在沒有PDFSd時(shí)，對(duì)于小角度的旋轉(zhuǎn)P，耦合器引起的PDFSc近似等于

? (δλ
[0053]PDFSc = 8/7 -sin —(方程 5)
[0054]其中
2疋
[0055]δ =--B.L (方程 6 )。
Λ
[0056]當(dāng)δ等于2 π的整數(shù)倍，PDFSc變?yōu)?，此時(shí)，光進(jìn)入組合器340和其離開分光器310時(shí)具有相同的偏振態(tài)。
[0057]偏振旋轉(zhuǎn)是由雙折射軸的輕微傾斜引起的。參見G.Heise等人的“Simple Modelfor Polarization Sensitivity of Silica Waveguide Mach-Zehnder Interferometer，，，IEEE Photonics Technology Letters, Vol.17, N0.10，0ctober2005，pp.2116-2118，其教導(dǎo)引入本文作為參考。
[0058]這種傾斜造成出射光偏轉(zhuǎn)一個(gè)小角度P。測(cè)量結(jié)果顯示旋轉(zhuǎn)角度大約為1-3度。在分光器和組合器具體為定向耦合器的實(shí)施例中，發(fā)明人推測(cè)可能是耦合器的不對(duì)稱的幾何形狀(只有一個(gè)相鄰波導(dǎo))以及材料應(yīng)力引起雙折射軸的傾斜。參見G.Heise等人的“Simple Model for Polarization Sensitivity of Silica Waveguide Mach-ZehnderInterferometer，” 和 Y.Nasu 等人的“Asymmetric Half-Wave Plate Configurationof PLC Mach-Zehnder Interferometer for Polarization Insensitive DQPSKDemodulator, ” Journal of Lightwave Technology,Vol.27，N0.23，Decemberlj2009，pp.5348-5355，它們的教導(dǎo)引入本專利作為參考。
[0059]在上面的討論中，PDFSd和PDFSc被分別的討論。然而，結(jié)合兩種效果得到設(shè)備總的roFS。對(duì)于下延遲線，建立瓊斯矩陣Jlmte,，對(duì)于上延遲線330建立瓊斯矩陣Juppe,。隨后使用下面的方程計(jì)算總的roFS。(參見上面引述的Y.Nasu等人的“Asymmetric Half-WavePlate Configuration of PLC Mach-Zehnder Interferometer for PolarizationInsensitive DQPSK Demodulator，，)
【權(quán)利要求】
1.一種光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 在基板上形成至少包含一個(gè)波導(dǎo)的組，所述組總體上具有第一段和第二段； 所述第一段被構(gòu)造成使得所述第一段的第一輻射不僅改變所述第一段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第一段的雙折射，由所述第一輻射所引起的雙折射的改變是由所述第一輻射引起的平均折射率改變的第一非零函數(shù)fa; 所述第二段被構(gòu)造使得所述第二段的第二輻射不僅改變所述第二段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第二段的雙折射，由所述第二輻射所引起的雙折射的改變是由所述第二輻射引起的平均折射率改變的第二非零函數(shù)fb; 第一函數(shù)和第二函數(shù)不同； 通過(guò)所述第一輻射輻射所述第一段的第一預(yù)定長(zhǎng)度；及 通過(guò)所述第二輻射輻射所述第二段的第二預(yù)定長(zhǎng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一函數(shù)為fa(Ana)=qaAna，其中Ana為由所述第一段的所述第一輻射所引起的平均折射率的改變，Qa為所述第一段的所述第一輻射的非零比例常數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二函數(shù)為fb(Anb)=qb Arv其中Anb是由所述第二段的所述第二輻射所引起的平均折射率的改變，Qb是所述第二段的所述第二輻射的非零比例常數(shù)，并且qa〈>qb。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一長(zhǎng)度與所述第二長(zhǎng)度不同。`
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一段和所述第二段都在一個(gè)波導(dǎo)上。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一段和所述第二段在所述組的兩個(gè)不同波導(dǎo)上。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，波導(dǎo)的組包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，所述第一波導(dǎo)具有所述第一段和所述第二段，所述第二波導(dǎo)具有第三段和第四段， 所述第三段被構(gòu)造使得所述第三段的第三輻射不僅改變所述第三段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第三段的雙折射，由所述第三輻射所引起的雙折射的改變是由所述第三輻射引起的平均折射率改變的第三函數(shù)，所述第三函數(shù)基本上等于所述第一函數(shù)fa， 第四段被構(gòu)造使得所述第四段的第四輻射不僅改變所述第四段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第四段的雙折射，由所述第四輻射所引起的雙折射的改變是由所述第四輻射引起的平均折射率改變的第四函數(shù)，所述第四函數(shù)基本上等于所述第二函數(shù)fb。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括使用所述第三輻射輻射所述第三段的第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述波導(dǎo)的組包括總體上具有所述第一段和所述第二段的第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，該方法進(jìn)步一步包括: 在所述基板上形成具有輸入和第一輸出及第二輸出的分光器；及 在所述基板上形成具有第一輸入、第二輸入和第一輸出的光組合器， 其中所述第一波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第一輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第一輸入，所述第二波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第二輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第二輸入。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，使用所述第一輻射輻射所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和使用所述第二輻射輻射所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的步驟總體上使得，在上述兩步輻射后，所述分光器輸入處的光將出現(xiàn)在所述光組合器的所述第一輸出處，該光的功率損耗基本上與該光的偏振無(wú)關(guān)。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，使用所述第一輻射輻射所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和使用所述第二輻射輻射所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的步驟總體上使得，在上述兩步輻射后，如果所述分光器的輸入處的特定波長(zhǎng)的光包括相互正交的第一偏振態(tài)和第二偏振態(tài)，則部分具有所述第一偏振態(tài)的光將出現(xiàn)在所述光組合器的所述第一輸出處，而部分具有所述第二偏振態(tài)的光將不會(huì)出現(xiàn)在所述光組合器的所述第一輸出處。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括根據(jù)裝置工作頻率的預(yù)期改變確定所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的步驟。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光，其中，確定所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度包括以下步驟: 確定寫入長(zhǎng)度h，其中A1，及

2πΑπ 根據(jù)h確定所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度， 其中，Λ φ是所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)之間的相對(duì)相位延遲的期望的改變，Λη是由所述第一段的所述第一輻射引起的平均折射率的改變。
14.如權(quán)利要求13所述`的方法，其特征在于，在通過(guò)所述第一輻射輻射所述第一段的所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度步驟之前，所述裝置具有頻率誤差FE，其中ΛΦ的期望變化為Δ φ=---。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光，所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度基本上為/=#，其中Λ φ為所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)之間的相對(duì)相位延遲的
2πΜ期望改變，△ η是由所述第一段的所述第一輻射引起的平均折射率的改變。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光， 其中，所述第二波導(dǎo)具有第三段，所述第三段被構(gòu)造使得所述第三段的第三輻射不僅改變所述第三段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第三段的雙折射，由所述第三輻射所引起的雙折射的改變是由第三輻射引起的平均折射率改變的第三函數(shù)，所述第三函數(shù)基本上等于所述第一函數(shù)fa， 該方法進(jìn)一步包括如下步驟: 通過(guò)所述第三輻射輻射所述第三段的所述第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度； 確定寫入長(zhǎng)度h2 ;及 通過(guò)h2確定所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和所述第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度；
δ — ?ιη λ 2τζ
中 hj —---- —，(6) = — B' L j
AB 2π A B是在輻射所述第一段的所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度之前的所述第一段的波導(dǎo)雙折射， L是所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)的共同光路長(zhǎng)度，ΛΒ是由所述第一段的所述第一輻射引起的雙折射的改變， i是使h2>=0的整數(shù)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括如下步驟: 確定寫入長(zhǎng)度h ;及 通過(guò)4確定所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度，其中
18.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光，其中，所述第二波導(dǎo)具有第三段，所述第三段被構(gòu)造使得所述第三段的第三輻射不僅改變所述第三段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第三段的雙折射，由所述第三輻射所引起的雙折射的改變是由所述第三輻射引起的平均折射率改變的第三函數(shù)，所述第三函數(shù)基本上等于所述第一函數(shù)fa ; 該方法還包括通過(guò)所述第三輻射輻射所述第三段的第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度，
19.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光， 其中，所述第二波導(dǎo)具有第三段，所述第三段被構(gòu)造使得所述第三段的第三輻射不僅改變所述第三段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第三段的雙折射，由所述第三輻射所引起的雙折射的改變是由所述第三輻射引起的平均折射率改變的第三函數(shù)，所述第三函數(shù)基本上等于所述第一函數(shù)fa， 該方法進(jìn)一步包括通過(guò)所述第三輻射輻射所述第三段的第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度， 所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和所述第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度基本上為其中
20.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光， 其中，所述第二波導(dǎo)具有第三段，所述第三段被構(gòu)造使得所述第三段的第三輻射不僅改變所述第三段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第三段的雙折射，由所述第三輻射所引起的雙折射的改變是由所述第三輻射引起的平均折射率改變的第三函數(shù)，所述第三函數(shù)基本上等于所述第一函數(shù)fa， 該方法進(jìn)一步包括通過(guò)所述第三輻射輻射所述第三段的第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度， 其中所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和所述第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度中的一個(gè)基本上等于I hi I +h2，另一個(gè)基本等于h2，其中
21.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光， 其中，所述第一函數(shù)為fa(Ana) =qa Ana,所述第二函數(shù)為fb ( Δ nb) =qb Δ nb, 其中Ana為由所述第一段的所述第一輻射引起的平均折射率的改變，Anb由所述第二段的所述第二輻射引起的平均折射率的改變， Qa和qb分別為所述第一段和所述第二段輻射的非零比例常數(shù)，并且qa〈>qb， 該方法進(jìn)一步包括如下步驟: 確定寫入長(zhǎng)度|ha|和|hb|的值，

22.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光， 其中，所述第一函數(shù)為fa(Ana) =qa Ana,所述第二函數(shù)為fb ( Δ nb) =qb Δ nb, 其中Ana為由所述第一段的所述第一輻射引起的平均折射率的改變，Anb由所述第二段的所述第二輻射引起的平均折射率的改變， Qa和qb分別為所述第一段和所述第二段輻射的非零比例常數(shù)，并且qa〈>qb， 所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度基本上等于|ha|和|hb |，
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述第二波導(dǎo)具有第三段，所述第三段被構(gòu)造使得所述第三段的第三輻射不僅改變所述第三段的非尋常和尋常光軸平均折射率，而且也改變所述第三段的雙折射，由所述第三輻射所引起的雙折射的改變是由所述第三輻射引起的平均折射率改變的第三函數(shù)，所述第三函數(shù)基本上等于所述第一函數(shù)fa，該方法進(jìn)一步包括如下步驟: 通過(guò)所述第三輻射輻射所述第三段的第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度； 確定寫入長(zhǎng)度h2 ;及 根據(jù)h2確定所述第三長(zhǎng)度， 其中確定所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度依賴于h2，
24.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光， 其中，所述第一函數(shù)為fa(Ana) =qa Ana,所述第二函數(shù)為fb ( Δ nb) =qb Δ nb, 其中，Ana為由所述第一段的所述第一輻射引起的平均折射率的改變，Anb為由所述第二段的所述第二輻射引起的平均折射率的改變，Qa和qb分別為所述第一段和所述第二段的輻射的非零比例常數(shù)，并且qa〈>qb， 所述第二波導(dǎo)具有第三段，所述第三段被構(gòu)造使得所述第三段的第三輻射不僅改變所述第三段的非尋常和尋常光軸平均折射率，而且也改變所述第三段的雙折射，由所述第三輻射所引起的雙折射的改變是由所述第三輻射引起的平均折射率改變的第三函數(shù)，所述第三函數(shù)基本上等于所述第一函數(shù)fa， 該方法進(jìn)一步包括通過(guò)所述第三輻射輻射所述第三段的第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的步驟， 其中所述第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度基本上等于寫入長(zhǎng)度h2， 所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度基本上等于h2+ I ha I和I hb I，

25.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，用于處理波長(zhǎng)為λ的光， 其中，所述第一函數(shù)為fa(Ana) =qa Ana,所述第二函數(shù)為fb ( Δ nb) =qb Δ nb, 其中Ana為由所述第一段的所述第一輻射引起的平均折射率的改變，Anb由所述第二段的第二輻射引起的平均折射率的改變，Qa和qb分別為所述第一段和所述第二段的輻射的非零比例常數(shù)，并且qa〈>qb， 所述第二波導(dǎo)具有第三段，所述第三段被構(gòu)造使得所述第三段的第三輻射不僅改變所述第三段的非尋常和尋常光軸平均折射率，而且也改變所述第三段的雙折射，由所述第三輻射所引起的雙折射的改變是由所述第三輻射引起的平均折射率改變的第三函數(shù)，所述第三函數(shù)基本上等于所述第一函數(shù)fa， 進(jìn)一步包括通過(guò)所述第三輻射輻射所述第三段的第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的步驟， 其中所述第三預(yù)設(shè)長(zhǎng)度基本上等于寫入長(zhǎng)度h2， 所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度基本上等于IhaI 和匕+lhbl，
26.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一段在多個(gè)波導(dǎo)中的一個(gè)上具有多個(gè)不連續(xù)的分段。
27.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過(guò)所述第一輻射輻射所述第一段的第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的步驟包括輻射所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的多個(gè)不連續(xù)的分長(zhǎng)度。
28.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一輻射具有第一輻射特征，所述第二輻射具有與所述第一輻射特征不同的第二輻射特征，所述第一函數(shù)與所述第二函數(shù)的區(qū)別獨(dú)立于所述第一輻射特征和所述第二輻射特征的區(qū)別。
29.一種光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 在基板上形成具有輸入和第一輸出及第二輸出的分光器； 在所述基板上形成具有第一輸入和第二輸入以及第一輸出的光組合器；及在所述基板上形成第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)總體上具有第一段和第二段，所述第一波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第一輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第一輸入，所述第二波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第二輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第二輸入; 第一段被構(gòu)造成使得所述第一段的第一輻射不僅改變所述第一段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第一段的雙折射，由所述第一輻射所引起的雙折射的改變是由所述第一輻射引起的平均折射率改變的第一非零函數(shù)fa; 第二段被構(gòu)造使得所述第二段的第二輻射不僅改變所述第二段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第二段的雙折射，由所述第二輻射所引起的雙折射的改變是由所述第二輻射引起的平均折射率改變的第二非零函數(shù)fb; 第一函數(shù)和第二函數(shù)不同； 該方法進(jìn)一步包括修整步驟，該修整步驟為通過(guò)所述第一輻射輻射所述第一段的第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和通過(guò)所述第二輻射輻射所述第二段的第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度中的一個(gè)或兩個(gè)修整；修整步驟使得，在修整后，如果特定波長(zhǎng)的光在所述分光器的所述輸入處包含相互正交的第一偏振態(tài)和第二偏振態(tài)，部分具有所述第一偏振態(tài)的光將出現(xiàn)在所述光組合器的所述第一輸出處，部分具有所述第二偏振態(tài)的光將不會(huì)在所述光組合器的所述第一輸出處出現(xiàn)。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，形成在基板上的所述光組合器進(jìn)一步包括第二輸出， 修整步驟進(jìn)一步使得修整后部分具有所述第二偏振態(tài)的光將出現(xiàn)在所述光組合器的所述第二輸出處，部分具有所述第一偏振態(tài)的光將不會(huì)在所述光組合器的所述第二輸出處出現(xiàn)。
31.一種光學(xué)裝置的制造方法，所述光學(xué)裝置用于處理波長(zhǎng)為λ的光，其特征在于，該方法包括如下步驟:` 在基板上形成具有輸入和第一輸出及第二輸出的分光器； 在所述基板上形成具有第一輸入和第二輸入以及第一輸出的光組合器；及在所述基板上形成第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)分別具有第一段和第二段，所述第一波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第一輸出通過(guò)所述第一段傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第一輸入，所述第二波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第二輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第二輸入； 所述第一段和所述第二段被構(gòu)造使得各段的第一輻射不僅分別改變各段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也分別改變各段的雙折射； 該方法進(jìn)一步包括如下步驟: 確定寫入長(zhǎng)度h2 ； 根據(jù)h2確定第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度； 輻射所述第一段的所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度；及 輻射所述第二段的所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度， 甘 r+w(5 — 2/.兀 ? 苴中A9 =----，
AB In
IJT S = -B-L,
λ B是在輻射所述第一段的第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度前，所述第一段的波導(dǎo)雙折射，L是所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)的共同光路長(zhǎng)度， ΛΒ是由所述第一段的所述第一輻射引起的雙折射的改變， i是使h2>=0的任何整數(shù)。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于，還包括進(jìn)一步根據(jù)裝置工作頻率的預(yù)期變化確定所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。
33.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括確定寫入長(zhǎng)度Ih11，其中
34.一種光學(xué)裝置的制造方法，該裝置用于處理波長(zhǎng)為λ的光，其特征在于，該方法包括如下步驟: 在基板上形成具有輸入和第一輸出及第二輸出的分光器； 在所述基板上形成具有第一輸入和第二輸入以及第一輸出的光組合器；及在所述基板上形成第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)分別具有第一段和第二段，所述第一波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第一輸出通過(guò)所述第一段傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第一輸入，所述第二波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第二輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第二輸入； 所述第一段和所述第二段被構(gòu)造使得各段的第一輻射不僅分別改變各段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也分別改變各段的雙折射； 該方法進(jìn)一步包括如下步驟: 輻射所述第一段的第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度；及 輻射所述第二段的第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度，



其中所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度都基本上
35.一種光學(xué)裝置的制造方法，該裝置用于處理波長(zhǎng)為λ的光，其特征在于，該方法包括如下步驟: 在基板上形成具有輸入和第一輸出及第二輸出的分光器； 在所述基板上形成具有第一和第二輸入以及第一輸出的光組合器；及在所述基板上形成第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)分別具有第一段和第二段，所述第一波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第一輸出通過(guò)所述第一段傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第一輸入，所述第二波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第二輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第二輸入；所述第一段和所述第二段被構(gòu)造使得各段的第一輻射不僅分別改變各段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也分別改變各段的雙折射； 該方法進(jìn)一步包括如下步驟: 輻射所述第一段的所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度；及 輻射所述第二段的所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度， 其中所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度和所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度中的一個(gè)基本上等于I hi I +h2，另一個(gè)基本等于h2，其中
36.一種光學(xué)裝置的制造方法，該裝置用于處理波長(zhǎng)為λ的光，其特征在于，該方法包括如下步驟: 在基板上形成具有輸入和第一輸出及第二輸出的分光器； 在所述基板上形成具有第一輸入和第二輸入以及第一輸出的光組合器； 在所述基板上形成第一波導(dǎo)，所述第一波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第一輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第一輸入，所述第一波導(dǎo)具有第一段，所述第一段被構(gòu)造使得所述第一段的第一輻射不僅改變所述第一段非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第一段的雙折射，由所述第一輻射所引起的雙折射改變?yōu)閝aAna，其中八^是由所述第一段的所述第一輻射引起的平均折射率的改變，Qa是所述第一段的所述第一輻射的比例常數(shù)；在所述基板上形成第二波導(dǎo)，所述第二波導(dǎo)將光從所述分光器的所述第二輸出傳輸?shù)剿龉饨M合器的所述第二輸入； 確定寫入長(zhǎng)度ha，其中弋
37.根據(jù)上述任一項(xiàng)所述的權(quán)利要求，其特征在于，所述輻射所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度的步驟包括使用紫外光照射所述第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度，輻射所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度包括使用紫外光照明所述第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。
38.一種光學(xué)裝置,其特征在于,包括: 具有輸入端口和第一輸出端口、第二輸出端口的分光器； 具有第一輸入端口、第二輸入端口和第一輸出端口的光組合器；從所述分光器的所述第一輸出端口到所述光組合器的所述第一輸入端口的第一光路，所述第一光路至少具有兩個(gè)段； 第一段被構(gòu)造使得所述第一段的輻射不僅改變所述第一段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第一段的雙折射，雙折射的改變是平均折射率改變的非零函數(shù)； 第二段被構(gòu)造使得所述第二段的輻射不僅改變所述第二段的非尋常和尋常光軸的平均折射率，而且也改變所述第二段的雙折射，雙折射的改變是平均折射率改變的第二非零函數(shù)fb; 第一函數(shù)和第二函數(shù)不同。
39.如權(quán)利要求38所述的裝置，其特征在于，所述第一段的輻射改變所述第一段的雙折射為非零因數(shù)qa乘以所述第一段的非尋常和尋常光軸的平均折射率的改變量， 所述第二段的輻射改變所述第二段的雙折射為非零因數(shù)qb乘以所述第二段的非尋常和尋常光軸的平均折射率的改變量，其中qa〈>qb。
40.如權(quán)利要求38所述的裝置，其特征在于，所述第二光路包括第三段和第四段，所述第三段和所述第四段分別具有不同的第三和第四雙折射輻射依賴性。
41.如權(quán)利要求40所述的裝置，其特征在于，第一雙折射輻射依賴性和第三雙折射輻射依賴性相等，第二雙折射輻射依賴性和第四雙折射輻射依賴性相等。
42.如權(quán)利要求41所述的裝置，其特征在于，所述第一段的輻射改變所述第一段的雙折射為非零因數(shù)qa乘以所述第一段的非尋常和尋常光軸的平均折射率的改變量， 所述第三段的輻射改變所述第三段的雙折射為非零因數(shù)q。乘以所述第三段的非尋常和尋常光軸的平均折射率的改變量， 所述第四段的輻射改變所述第三段的雙折射為因數(shù)qd乘以所述第四段的非尋常和尋常光軸的平均折射率的改變量，其中qa=q。，qb=qd，并且qa〈>qb。
43.如權(quán)利要求38所述的裝置，其特征在于，所述光組合器還包括第二輸出端口。
44.如權(quán)利要求38所述的裝置，其特征在于，第一不同雙折射輻射依賴性和第二不同雙折射輻射依賴性包括第一不同雙折射UV照射依賴性和所述第二不同雙折射UV照射依賴性。
【文檔編號(hào)】G02F1/313GK103608720SQ201280021687
【公開日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月28日
【發(fā)明者】辛德瑞克·F·布瑟爾斯, 岡特·B·比倫 申請(qǐng)人:格姆法爾公司