用于減少除氣作用的紫外線（uv）圖案化的方法和裝置制造方法
【專利摘要】提供了一種用于紫外線(UV)和遠紫外線(EUV)光刻圖案化的方法和裝置。生成UV或EUV光束并且將它們引導(dǎo)至設(shè)置在工作臺上且涂覆有光刻膠的襯底表面。在曝光(即，光刻操作)期間引導(dǎo)層狀惰性氣體流過并且緊鄰?fù)扛灿泄饪棠z的襯底表面。將惰性氣體快速排出并且在曝光位置處具有短暫的共振時間。惰性氣體流防止通過光刻膠除氣產(chǎn)生的廢氣和其他污染物沉淀和污染光刻裝置的其他部件。
【專利說明】用于減少除氣作用的紫外線(UV)圖案化的方法和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)，更具體來說，本發(fā)明涉及使用紫外線(UV)圖案化半導(dǎo)體器件，更具體來說，涉及使用在圖案化操作期間減少除氣作用(OUtgassing)的裝置和方法的遠紫外線(EUV)輻射。
【背景技術(shù)】
[0002]EUV (“遠紫外線”)光刻系統(tǒng)應(yīng)用在半導(dǎo)體制造工業(yè)中以制造比其他光刻系統(tǒng)更小的部件尺寸和具有更優(yōu)越的分辨率的圖案。EUV光刻系統(tǒng)利用處于可見光和X射線之間的光譜中的約13.5納米附近的非常小的波長的光?？s短的波長能夠?qū)崿F(xiàn)更高的分辨率和更小部件的精確生產(chǎn)。EUV光刻系統(tǒng)中的EUV光學器件利用反光鏡和其他反射表面以將EUV光束引導(dǎo)至要進行圖案化的中間掩模和襯底。因為所有的物質(zhì)都吸收EUV輻射光，所以使用反射表面代替透鏡。石英透鏡會吸收許多EUV光子。
[0003]EUV光刻系統(tǒng)在涂覆有光刻膠的襯底上制造圖案。通常通過EUV光束引導(dǎo)至包括器件圖案的部分反射、部分吸收的中間掩模來形成圖案。EUV光束從中間掩模反射并且照射在襯底表面上，在襯底表面上光輻射化學地改變暴露的光刻膠。由于空氣也吸收EUV光子，所以通常在維持或接近真空條件(即，低壓)的室內(nèi)進行EUV光刻操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種紫外線(UV)光刻裝置，包括:工作臺，用于在其上接收要被圖案化的襯底；紫外線(UV)光源，將UV光引導(dǎo)至設(shè)置在所述工作臺上的所述襯底；氣體輸送源，使惰性氣體在設(shè)置在所述工作臺上的所述襯底的表面上方且緊鄰該表面流動；以及排氣系統(tǒng)，具有能夠排出所述惰性氣體的排氣口。
[0005]在該UV光刻裝置中，所述UV光源包括發(fā)出具有約13.5nm波長的EUV光的遠紫外線(EUV)光源。
[0006]在該UV光刻裝置中，所述EUV光源進一步包括能夠?qū)⑺鯡UV光引導(dǎo)至所述襯底的至少一個反射件以及使惰性氣體在所述至少一個反射件的表面上方且緊鄰該表面流動的另一氣體源。
[0007]在該UV光刻裝置中，所述氣體輸送源包括被設(shè)置為與所述襯底的所述表面平行的多個氣體輸送管，每一個所述氣體輸送管都具有相應(yīng)的氣體輸送端口，所述氣體輸送端口環(huán)繞并面對所述襯底。
[0008]在該UV光刻裝置中，所述氣體輸送源使所述惰性氣體以約50sccm至約2000sccm的流速在所述表面上方流動，所述惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣中的至少一種，并且所述工作臺是可移動的。
[0009]在該UV光刻裝置中，所述工作臺位于室內(nèi)，所述氣體輸送源包括環(huán)繞所述工作臺周圍的開放通道并且所述排氣口從所述室內(nèi)排出所述惰性氣體。[0010]在該UV光刻裝置中，所述工作臺設(shè)置在室內(nèi)并且所述排氣口從所述室內(nèi)排出所述惰性氣體，并且所述UV光刻裝置進一步包括將氫氣輸送到所述室的端口。
[0011]在該UV光刻裝置中，所述氣體輸送源使層狀的所述惰性氣體在與所述襯底的表面平行的方向上流動。
[0012]在該UV光刻裝置中，所述氣體輸送源包括設(shè)置在所述襯底表面上方并且與所述襯底的表面成銳角的氣體輸送導(dǎo)管。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種在半導(dǎo)體器件上形成圖案的方法，所述方法包括:提供紫外線(UV)光刻裝置，所述紫外線光刻裝置包括用于在其上接收襯底的工作臺；將紫外線(UV)光束引導(dǎo)至設(shè)置在所述工作臺上的襯底；引導(dǎo)惰性氣體在設(shè)置在所述工作臺上的所述襯底的表面上方且緊鄰該表面流動；以及從所述襯底的表面排出所述惰性氣體。
[0014]在該方法中，所述UV光束包括發(fā)出具有約13.5nm波長的光的遠紫外線(EUV)光束。
[0015]在該方法中，引導(dǎo)所述惰性氣體包括:使所述惰性氣體以約50sccm至約2000sccm的流速在所述表面上方流動，并且所述惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣中的至少一種。
[0016]在該方法中，引導(dǎo)所述紫外線(UV)光束包括:使所述EUV光束從中間掩模反射到所述襯底上，從而圖案化所述襯底，并且在圖案化所述襯底期間進行引導(dǎo)所述紫外線光束的操作。
[0017]在該方法中，引導(dǎo)所述惰性氣體包括使所述惰性氣體在與所述襯底的表面平行的方向上流動。
[0018]在該方法中，引導(dǎo)所述惰性氣體包括使層狀的所述惰性氣體在所述表面上方流過。
[0019]在該方法中，所述工作臺設(shè)置在室內(nèi)，并且排出所述惰性氣體包括從所述室內(nèi)排出，并且所述方法進一步包括將氫氣輸送到所述室。
[0020]在該方法中，引導(dǎo)所述惰性氣體包括從設(shè)置在所述襯底的表面上方的氣體輸送導(dǎo)管以銳角將所述惰性氣體引導(dǎo)至所述襯底，并且所述工作臺是可移動工作臺。
[0021]在該方法中，使所述惰性氣體流動包括:從設(shè)置為與所述襯底的表面平行的多個氣體輸送管輸送所述惰性氣體，每一個所述氣體輸送管都具有相應(yīng)的氣體輸送端口，并且所述多個氣體輸送端口環(huán)繞并面對所述襯底。
[0022]在該方法中，引導(dǎo)所述紫外線光束包括:使所述UV光束從至少一個反射件反射，并且所述方法進一步包括使所述惰性氣體在所述至少一個反射件的反射表面上方且緊鄰該反射表面流動。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于在半導(dǎo)體器件上形成圖案的方法，所述方法包括:提供遠紫外線(EUV)光刻裝置，所述遠紫外線光刻裝置包括用于在其上接收襯底的工作臺和至少一個反射件；通過所述至少一個反射件的反射將EUV光束引導(dǎo)至設(shè)置在所述工作臺上的涂覆有光刻膠的襯底；通過從至少部分地環(huán)繞所述工作臺的開放通道輸送惰性氣體來使層狀的所述惰性氣體在所述襯底的表面上方且緊鄰該表面流動；以及從所述襯底的表面排出所述惰性氣體；其中，所述惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣中的至少一種。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]當結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強調(diào)的是，根據(jù)慣例，附圖的各種部件沒有必要按比例繪制。相反，為了清楚起見，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。在整個說明書和附圖中，相同的參考標號指定相同的部件。
[0025]圖1A和圖1B分別示出根據(jù)本發(fā)明的實施例在EUV光刻裝置中用于減少除氣作用的布置的側(cè)視圖和平面圖；
[0026]圖2A和圖2B分別示出根據(jù)本發(fā)明的實施例在EUV光刻裝置中用于減少除氣作用的布置的側(cè)視圖和平面圖；
[0027]圖3A和圖3B分別是在EUV裝置的反射表面上用于減少除氣作用的布置的側(cè)視圖和俯視圖；以及
[0028]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0029]本發(fā)明提供了一種用于在EUV或UV光刻工具的光刻室內(nèi)減少除氣作用的方法和裝置。在暴露于EUV光束下(S卩，被圖案化)的涂覆有光刻膠的襯底的表面上方引導(dǎo)惰性氣體薄層。在各種實施例中，各種EUV光源用于生成EUV光。在其他實施例中，使用紫外(UV)輻射。在涂覆有光刻膠的襯底的表面上方流動的惰性氣體的存在減少了除氣作用并且防止任何除氣污染物沉積在光刻工具的部件上。因為惰性氣體不易于與來自EUV光的光子發(fā)生反應(yīng)以生成活性自由基(reactive radical),所以惰性氣體是優(yōu)選的?？焖俸谋M惰性氣體并且控制流速以在光刻系統(tǒng)中產(chǎn)生惰性氣體的短暫的共振時間(resonance time),從而避免惰性氣體大量吸收EUV光子。在一些實施例中，惰性氣體流是在襯底表面上方所生成的惰性氣體的層流層。惰性氣體流防止在EUV光刻系統(tǒng)反射表面上的累積污染物。
[0030]在一些實施例中，結(jié)合用于基本上將反射表面與通過除氣作用所釋放的污染物隔離的氫氣流或者其他合適的氣體來使用惰性氣體流。在一些實施例中，結(jié)合用于將EUV光束從光源引導(dǎo)至中間掩模和襯底表面的一個或多個反射件的反射表面上方的惰性氣體層流來使用在被圖案化的襯底的表面上方的惰性氣體流。
[0031]EUV曝光裝置包括遠紫外線光源，當該紫外線光源適當供電時，其發(fā)射光子。由于離子化通常通過電子來生成EUV光的光子。在一些實施例中，EUV光源所發(fā)出的光具有約
13.5nm波長，但是在其他實施例中使用其他合適短波長的光。在其他實施例中，使用紫外線(UV)輻射。
[0032]該裝置包括具有反射表面的一個或多個反射件，其將EUV或UV光束從光源引導(dǎo)至中間掩模。然后，將從中間掩模所反射的光引導(dǎo)至襯底，通過僅暴露襯底的多部分來形成圖案。該裝置還包括在其上設(shè)置有襯底的工作臺。因為空氣吸收EUV光子，所以覆蓋的襯底位于EUV光刻操作發(fā)生的室內(nèi)。在一些實施例中，該室沒有空氣并且包括維持真空或接近真空程度的低壓的壓力控制器。在一些實施例中，除本文所述的惰性氣體和H2或者其他合適的氣體之外，該室沒有其他氣體。
[0033]氣體輸送源包括一個或多個氣體源和氣體流構(gòu)件，即，導(dǎo)管、管道、通道和其他管線，它們將惰性氣體引導(dǎo)至襯底表面并且在曝光操作期間使得惰性氣體在襯底表面上流過。在許多實施例中，使用薄片狀惰性氣體層流。具有排氣口的排氣系統(tǒng)將惰性氣體排出，使得惰性氣體在室內(nèi)具有短暫的共振時間。共振時間足夠短以使通過惰性氣體所吸收的EUV光子最少，從而避免在曝光操作中的效率損失。
[0034]圖1A和圖1B分別是根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的UV光刻裝置的側(cè)視圖和平面圖。UV光刻裝置包括工作臺3。在示例性實施例中，具有表面7的襯底5設(shè)置在工作臺3上。在大多數(shù)實施例中，工作臺3是可移動工作臺。UV光刻裝置還包括具有氣體輸送管11的惰性氣體輸送系統(tǒng)和具有排氣管17的排氣系統(tǒng)。在各種實施例中，圖1A和圖1B所不的UV光刻裝置的工作臺和其他部件設(shè)置在壓力可控的曝光室內(nèi)。曝光室是進行UV光刻，S卩，圖案化的地方。
[0035]在一些實施例中，UV光刻裝置是EUV光刻裝置。將EUV光19引導(dǎo)至并照射在襯底5的表面7上以對表面7的多部分進行曝光。當向光源適當供電時，通過發(fā)出光子的遠紫外線光源生成EUV光19。在一些實施例中，通過EUV光源所發(fā)出的光具有約13.5nm波長，但是在其他實施例中，使用其他合適的EUV短波長光。仍在其他實施例中，使用紫外光來替換EUV光19，但是下文中將就EUV光和EUV裝置來論述本發(fā)明。一個或多個反光鏡或者其他反射件用于將EUV光19從遠紫外線光源引導(dǎo)至襯底5的表面7。在一些實施例中，通過設(shè)置在襯底5上方并與襯底5平行的中間掩模(未示出)反射將EUV光束引導(dǎo)至表面7。當實施圖案化操作時，襯底7覆蓋有光刻膠材料。在各種實施例中，使用各種合適的光刻膠。當將EUV光束19引導(dǎo)至表面7上對光刻膠進行曝光并化學改變光刻膠材料的特定位置時，發(fā)生圖案化，這導(dǎo)致化學改變的光刻膠材料在隨后使用的顯影劑中可溶或者不可溶。
[0036]本發(fā)明的一個方面是可能由EUV光19和表面7上的光刻膠材料之間的反應(yīng)產(chǎn)生的任何廢氣或者其他污染物將通過在表面7上方的惰性氣體流從處理區(qū)域中去除并且通過排氣管17去除。以這種方式，廢氣或者其他污染物沒有在諸如反射件的光刻裝置的其他構(gòu)件上形成污染膜。而且，減少了除氣的數(shù)量。
[0037]經(jīng)由惰性氣體輸送系統(tǒng)的氣體輸送通道11從惰性氣體源輸送惰性氣體并且導(dǎo)致該惰性氣體在襯底5的表面7流過。箭頭表示惰性氣體13的流動。在一些實施例中，氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或者氡氣用作惰性氣體，但是在其他實施例中使用其他惰性氣體。在各種實施例中，惰性氣體的流速在約50SCCm至約2000SCCm的范圍內(nèi)。在一些實施例中，惰性氣體流是層狀的。在各種實施例中，氣體輸送通道11和出口 15的尺寸和形狀被配置為生成層狀的氣體流，即，在襯底5的表面7上方所引導(dǎo)的惰性氣體層。結(jié)合諸如包括排氣管17的排氣系統(tǒng)的泵送能力的性能來選擇惰性氣體的流速和總流量。選擇流速，使得通過包括排氣管17的排氣系統(tǒng)從光刻區(qū)域快速去除由于除氣而導(dǎo)致的從光刻膠膜所釋放的污染物。
[0038]每一氣體輸送通道11都包括面對襯底5并且緊鄰襯底5的相關(guān)的出口 15。在一些實施例中，一個氣體輸送通道或多個氣體輸送通道11被設(shè)置在位于襯底5上方的不超過IOcm的位置處，并且在各種實施例中襯底5和氣體輸送通道11之間的間距21不大于10cm，但是在其他實施例中使用其他布置。如箭頭所示，惰性氣體13保持平行于表面7流動并且盡可能接近表面7以最小化光刻工具中存在的惰性氣體的量。在一些實施例中，許多獨立的氣體輸送通道11環(huán)繞襯底5，每一通道都終止于面對襯底5的獨立的出口 15處。在這種布置中，朝向襯底5引導(dǎo)惰性氣體13。在其他實施例中，出口 15和氣體輸送通道11是諸如開放導(dǎo)管的連續(xù)開口，其環(huán)繞襯底5的周圍延伸并且從360度向內(nèi)部將層狀惰性氣體引導(dǎo)至襯底5并且層狀惰性氣體位于表面7上方。仍在其他實施例中，氣體輸送通道11是每一個都環(huán)繞工作臺3部分延伸的一個或多個開放導(dǎo)管。在一些實施例中，排氣系統(tǒng)也在周圍環(huán)繞襯底5。在一些實施例中，排氣系統(tǒng)包括許多分離的排氣導(dǎo)管17，并且在其他實施例中，排氣系統(tǒng)包括是開放導(dǎo)管的排氣導(dǎo)管17，該排氣導(dǎo)管是在周圍環(huán)繞襯底5，并且在環(huán)繞襯底5的360度外圍的所有位置處排出惰性氣體。在各種實施例中可以使用各種排氣系統(tǒng)。
[0039]選擇氣體輸送溝道或通道11的結(jié)構(gòu)和其緊鄰襯底5的表面7的布置以及排氣系統(tǒng)的位置和泵送能力，以最小化襯底附近和包含工作臺3和襯底5的室內(nèi)的惰性氣體的滯后時間，即，共振時間。
[0040]在一些實施例中，結(jié)合先前描述的惰性氣體流使用通過箭頭23所示的其他氣體流。此外，該氣體流23抑制了與光刻膠排氣相關(guān)的問題。在一些實施例中，在EUV光刻裝置中的反射表面和襯底5之間引導(dǎo)氣體流23，從而防止從光刻膠層所釋放的任何廢氣或者其他污染物沉淀或者以其他方式沉積在反射光學器件或者其他部件上。在一些實施例中，其他氣體流23是H2，并且在其他實施例中，其他氣體流23是其他合適的氣體。
[0041]圖2A和圖2B分別示出根據(jù)本發(fā)明的另一布置的側(cè)視圖和平面圖。在圖1A、1B和圖2A、2B中，相同的參考標號指定相同的部件。在圖2A和圖2B中，氣體輸送系統(tǒng)不包括圖1A和圖1B所示的氣體輸送通道11，而是相反，包括將惰性氣體29(如通過箭頭所示)輸送到并流過襯底5的表面7的惰性氣體輸送通道27。結(jié)合圖1A和圖1B描述惰性氣體。結(jié)合包含排氣管17的排氣系統(tǒng)的泵送能力來選擇惰性氣體29的流速，使得惰性氣體29以層狀方式在表面7上方流過并且在光刻裝置內(nèi)包括短暫的共振時間。在一些實施例中，惰性氣體輸送通道27處于固定位置處，并且在其他實施例中，惰性氣體輸送通道27是可移動的。在一些實施例中，與工作臺3的移動的同時，惰性氣體輸送通道27移動。在一些實施例中，惰性氣體輸送通道27是圓形管，并且在其他實施例中，惰性氣體輸送通道27包括在表面7上方引導(dǎo)層狀惰性氣體的寬開口。在一些實施例中，寬開口是橢圓形的，其中，主軸線平行于表面7。惰性氣體輸送通道27被設(shè)置為緊鄰表面7。在一些實施例中，惰性氣體輸送通道被設(shè)置為與表面7成銳角。
[0042]在一些實施例中，使用在一個或多個反射件的表面上方的惰性氣體流以避免在反射件的表面上形成沉淀物或者其他膜。在各種實施例中，圖3A和圖3B分別是示出結(jié)合圖1A、1B或者2A、2B所示的部件所使用的本發(fā)明的另一方面的側(cè)視圖和平面圖。反射件33包括反射表面35。在各種實施例中光刻裝置包括多個反射件33，并且反射件33設(shè)置在各種位置處以將EUV光從EUV光源引導(dǎo)至中間掩模和襯底。圖3A示出引導(dǎo)至反射表面35的EUV光41。包含惰性氣體輸送導(dǎo)管37的惰性氣體輸送系統(tǒng)在反射件33的反射表面35上方引導(dǎo)惰性氣體39(如箭頭所示)。在各種實施例中使用惰性氣體輸送導(dǎo)管37的各種結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，許多單獨的輸氣口環(huán)繞反射件33，并且在其他實施例中惰性氣體輸送導(dǎo)管37包括在周圍環(huán)繞反射件33延伸的開口并且以層狀方式從反射件33的外圍以360度向內(nèi)輸送惰性氣體39。排氣系統(tǒng)(未示出)被設(shè)置為緊鄰惰性氣體導(dǎo)管37和反射表面35，以從反射件33的附近和光刻室去除惰性氣體39，以最小化滯后時間，即，光刻加工裝置內(nèi)惰性氣體39的共振時間。
[0043]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的方法的流程圖。在步驟101中，提供UV光刻裝置。UV裝置可以是EUV光刻裝置，EUV光刻裝置包括用于保持襯底的可移動工作臺、惰性氣體輸送系統(tǒng)、排氣系統(tǒng)、反射件和EUV光源。在一些實施例中，工作臺位于壓力可控的曝光室內(nèi)。在步驟103中，生成EUV光束。步驟105包括惰性氣體在設(shè)置在工作臺上的涂覆有光刻膠(PR)的襯底表面上方流動。步驟105包括排出惰性氣體，使得其在光刻室內(nèi)保持短暫的滯后時間。在步驟105期間，在一些實施例中，另外引導(dǎo)惰性氣體以在一個或多個反射件上方流動。仍在步驟105期間，在加工室內(nèi)提供H2或其他氣體以將反射件與由光刻膠除氣產(chǎn)生的任何廢氣或者其他污染物隔離。步驟107提供使用反射表面將EUV光引導(dǎo)至中間掩模和涂覆有PR的襯底，從而圖案化襯底。步驟109提供進一步加工襯底并且包括對曝光的圖案化表面進行顯影，然后執(zhí)行后續(xù)的處理操作以制造半導(dǎo)體器件。
[0044]根據(jù)一個方面，提供紫外線(UV)光刻裝置。該裝置包括:用于接收襯底(用于圖案化)的工作臺；紫外線(UV)光源，將UV光引導(dǎo)至設(shè)置在工作臺上的襯底上；氣體輸送源，使惰性氣體流過并且緊鄰設(shè)置在工作臺上的襯底的表面；以及具有排氣口的排氣系統(tǒng)，其能夠排出惰性氣體。
[0045]根據(jù)另一方面，提供一種用于在半導(dǎo)體器件上形成圖案的方法。該方法包括:提供紫外(UV)光刻裝置，其包括用于在其上接收襯底的工作臺；將紫外線(UV)光束引導(dǎo)到設(shè)置在工作臺上的襯底；使惰性氣體流過并且緊鄰設(shè)置在工作臺上的襯底的表面；以及從襯底的表面排出惰性氣體。
[0046]根據(jù)又一方面，提供一種在半導(dǎo)體器件上形成圖案的方法。該方法包括:提供遠紫外線(UV)光刻裝置，其包括用于在其上接收襯底的工作臺和至少一個反射件；通過至少一個反射件的反射將EUV光束引導(dǎo)至設(shè)置在工作臺上的襯底；通過從至少部分環(huán)繞工作臺的開放通道輸送惰性氣體來使得層狀惰性氣體流過并緊鄰襯底的表面；以及從襯底的表面排出惰性氣體，其中，惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣中的至少一種。
[0047]上文僅僅論述了本發(fā)明的原理。應(yīng)該認識到，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠設(shè)想出各種布置，盡管本文沒有明確描述或者示出各種布置，但其包含本發(fā)明的原理并且包括在本發(fā)明的構(gòu)思和范圍內(nèi)。而且，本文所引用的全部實例和條件語言主要旨在明確闡明僅為了教導(dǎo)的目的和幫助閱讀者理解發(fā)明人改進現(xiàn)有技術(shù)對本發(fā)明的原理和概念的貢獻，并且這些實例和條件語言可以用于解釋為不限于具體引用的這些實例和條件。而且，本文中引用本發(fā)明的原理、方面和實施例的所有陳述以及具體實例意圖涵蓋它們的結(jié)構(gòu)和功能的等同物。此外，這些等同物意圖包括當前公知的等同物和未來發(fā)展的等同物，即，不管結(jié)構(gòu)怎樣，只要執(zhí)行相同功能的所開發(fā)的任何元件。
[0048]旨在結(jié)合被認為是整個說明書的一部分的附圖閱讀示例性實施例的描述。在說明
書中，諸如“較低的”、“較高的”、“水平的”、“垂直的”、“在......之上”、“在......之下”、
“向上”、“向下”、“頂部”、“底部”以及它們的派生詞(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等)的空間相對位置的術(shù)語應(yīng)該被解釋為討論的附圖中所描述或所示的定向。這些相對術(shù)語是為了描述的方便，并不需要以特定方位構(gòu)造或操作裝置。除非另有說明，否則與附接、耦合等相關(guān)的術(shù)語(諸如“連接”和“互連”)指的是結(jié)構(gòu)彼此直接固定或附接或者通過中間結(jié)構(gòu)彼此間接地固定或者附接的關(guān)系，以及可移動的或剛性的附接或者關(guān)系。[0049]盡管通過示例性實施例描述本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。而且，所附的權(quán)利要求應(yīng)該被更廣泛地解釋為包括本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的等同物的適用范圍和變動范圍的條件下所作出的本發(fā)明的各種變型例和實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種紫外線(UV)光刻裝置，包括: 工作臺，用于在其上接收要被圖案化的襯底； 紫外線(UV)光源，將UV光引導(dǎo)至設(shè)置在所述工作臺上的所述襯底； 氣體輸送源，使惰性氣體在設(shè)置在所述工作臺上的所述襯底的表面上方且緊鄰該表面流動；以及 排氣系統(tǒng)，具有能夠排出所述惰性氣體的排氣口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV光刻裝置，其中，所述UV光源包括發(fā)出具有約13.5nm波長的EUV光的遠紫外線(EUV)光源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的UV光刻裝置，其中，所述EUV光源進一步包括能夠?qū)⑺鯡UV光引導(dǎo)至所述襯底的至少一個反射件以及使惰性氣體在所述至少一個反射件的表面上方且緊鄰該表面流動的另一氣體源。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的UV光刻裝置，其中，所述氣體輸送源包括被設(shè)置為與所述襯底的所述表面平行的多個氣體輸送管，每一個所述氣體輸送管都具有相應(yīng)的氣體輸送端口，所述氣體輸送端口環(huán)繞并面對所述襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV光刻裝置，其中，所述氣體輸送源使所述惰性氣體以約50sccm至約2000sccm的流速在所述表面上方流動,所述惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣中的至少一種，并且所述工作臺是可移動的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV光刻裝置，其中，所述工作臺位于室內(nèi)，所述氣體輸送源包括環(huán)繞所述工作臺周圍的開放通道并且所述排氣口從所述室內(nèi)排出所述惰性氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV光刻裝置，其中，所述工作臺設(shè)置在室內(nèi)并且所述排氣口從所述室內(nèi)排出所述惰性氣體，并且所述UV光刻裝置進一步包括將氫氣輸送到所述室的端口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV光刻裝置，其中，所述氣體輸送源使層狀的所述惰性氣體在與所述襯底的表面平行的方向上流動。
9.一種在半導(dǎo)體器件上形成圖案的方法，所述方法包括: 提供紫外線(UV)光刻裝置，所述紫外線光刻裝置包括用于在其上接收襯底的工作臺； 將紫外線(UV)光束引導(dǎo)至設(shè)置在所述工作臺上的襯底； 引導(dǎo)惰性氣體在設(shè)置在所述工作臺上的所述襯底的表面上方且緊鄰該表面流動；以及 從所述襯底的表面排出所述惰性氣體。
10.一種用于在半導(dǎo)體器件上形成圖案的方法，所述方法包括: 提供遠紫外線(EUV)光刻裝置，所述遠紫外線光刻裝置包括用于在其上接收襯底的工作臺和至少一個反射件； 通過所述至少一個反射件的反射將EUV光束引導(dǎo)至設(shè)置在所述工作臺上的涂覆有光刻月父的襯底； 通過從至少部分地環(huán)繞所述工作臺的開放通道輸送惰性氣體來使層狀的所述惰性氣體在所述襯底的表面上方且緊鄰該表面流動；以及 從所述襯底的表面排出所述惰性氣體； 其中，所述惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣中的至少一種。
【文檔編號】G03F7/20GK103777470SQ201310046337
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年2月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月18日
【發(fā)明者】張書豪, 吳小真, 許家豪, 陳家楨, 陳映予, 李慈莉, 簡上杰, 陳政宏, 嚴濤南 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司