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      電光調(diào)制器的制造方法

      文檔序號:2700164閱讀:299來源:國知局
      電光調(diào)制器的制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電光調(diào)制器,其包括基底、Y型光波導(dǎo)、第一電極組及第二電極組。該基底包括一頂面。該Y型光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成,并包括相互平行的主分支及調(diào)制分支。該第一電極組與該第二電極組的結(jié)構(gòu)相同。該第一電極組包括相互平行的第一電極及第二電極。該第一電極位于該調(diào)制分支上。該第二電極位于該調(diào)制分支遠(yuǎn)離該主分支的一側(cè)。該第二電極組包括相互平行的第三電極及第四電極。該第三電極位于該主分支上。該第四電極位于該主分支遠(yuǎn)離該調(diào)制分支的一側(cè)。該第一電極及該第四電極與一調(diào)制電源電連接,該第二電極及該第三電極接地。本發(fā)明還涉及一種電光調(diào)制器的制造方法。
      【專利說明】電光調(diào)制器

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及高速光通訊系統(tǒng),特別涉及一種電光調(diào)制器。

      【背景技術(shù)】
      [0002] 目前的一種電光調(diào)制器利用電光效應(yīng)通過調(diào)制電場改變Y型光波導(dǎo)的兩個(gè)分支 之一的折射率,從而改變在其中傳輸?shù)墓馐南辔?,使之與Y型光波導(dǎo)另外一個(gè)分支中傳 輸?shù)墓馐嬖谙辔徊?。如此,Y型光波導(dǎo)兩個(gè)分支中傳輸?shù)墓馐匦聟R聚后將發(fā)生干涉,輸 出功率取決于相位差,也即是由調(diào)制電場決定,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)制。由于現(xiàn)在僅針對其中一個(gè)分 支進(jìn)行調(diào)制,因此所需的調(diào)制電壓比較大,且調(diào)制效率低。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003] 有鑒于此,有必要提供一種可減小調(diào)制電壓且提高調(diào)制效率的電光調(diào)制器。
      [0004] 一種電光調(diào)制器,其包括一個(gè)基底、一個(gè)Y型光波導(dǎo)、一個(gè)第一電極組及一個(gè)第二 電極組。該基底包括一個(gè)頂面。該Y型光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成,并包括相 互平行的一個(gè)主分支及一個(gè)調(diào)制分支。該第一電極組與該第二電極組的結(jié)構(gòu)相同。該第一 電極組包括相互平行的第一電極及第二電極。該第一電極位于該調(diào)制分支上,且該第一電 極的長度方向與該調(diào)制分支的長度方向相同。該第二電極位于該調(diào)制分支遠(yuǎn)離該主分支的 一側(cè)。該第二電極組包括相互平行的第三電極及第四電極。該第三電極位于該主分支上, 且該第三電極的長度方向與該主分支的長度方向相同。該第四電極位于該主分支遠(yuǎn)離該調(diào) 制分支的一側(cè)。該第一電極及該第四電極與一調(diào)制電源電連接,該第二電極及該第三電極 接地。
      [0005] -種電光調(diào)制器的制造方法,其包括如下步驟: 提供一個(gè)基底,該基底包括一個(gè)頂面; 在該頂面上向該基底內(nèi)部擴(kuò)散形成一個(gè)Y型光波導(dǎo),該Y型光波導(dǎo)包括該一個(gè)主分支 及一個(gè)調(diào)制分支;及 在該頂面上分別形成結(jié)構(gòu)相同的該第一電極組及該第二電極組,其中該第一電極組包 括相互平行的第一電極及第二電極;該第一電極位于該調(diào)制分支上,且該第一電極的長度 方向與該調(diào)制分支的長度方向相同;該第二電極位于該調(diào)制分支遠(yuǎn)離該主分支的一側(cè);該 第二電極組包括相互平行的第三電極及第四電極,該第三電極位于該主分支上,且該第三 電極的長度方向與該主分支的長度方向相同,該第四電極位于該主分支遠(yuǎn)離該調(diào)制分支的 一側(cè);該第一電極及該第四電極與一調(diào)制電源電連接,該第二電極及該第三電極接地。
      [0006] 與現(xiàn)有技術(shù)相比較,本發(fā)明的電光調(diào)制器及其制造方法,由于該第一電極組與該 第二電極組結(jié)構(gòu)相同,使得該主分支及該調(diào)制分支內(nèi)的光波的相位差能夠同時(shí)進(jìn)行調(diào)制, 且調(diào)制的幅度相同,因此所需的調(diào)制電壓可減少50%,調(diào)制效率被提高。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0007] 圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施方式的電光調(diào)制器的立體示意圖。
      [0008] 圖2是圖1的電光調(diào)制器沿線II-II的剖面示意圖。
      [0009] 圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施方式的電光調(diào)制器的制造方法的流程圖。
      [0010] 主要元件符號說明

      【權(quán)利要求】
      1. 一種電光調(diào)制器,其包括一個(gè)基底及一個(gè)Y型光波導(dǎo);該基底包括一個(gè)頂面;該Y型 光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成,并包括相互平行的一個(gè)主分支及一個(gè)調(diào)制分支; 其特征在于,該電光調(diào)制器還包括結(jié)構(gòu)相同的第一電極組及第二電極組,該第一電極組包 括相互平行的第一電極及第二電極;該第一電極位于該調(diào)制分支上,且該第一電極的長度 方向與該調(diào)制分支的長度方向相同;該第二電極相對于該調(diào)制分支遠(yuǎn)離該主分支;該第二 電極組包括相互平行的第三電極及第四電極,該第三電極位于該主分支上,且該第三電極 的長度方向與該主分支的長度方向相同,該第四電極相對于該主分支遠(yuǎn)離該調(diào)制分支;該 第一電極及該第四電極與一調(diào)制電源電連接,該第二電極及該第三電極接地。
      2. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器,其特征在于,該第一電極與該第二電極的間距等 于該第三電極與該第四電極的間距,該第一電極、該第二電極、該第三電極及該第四電極的 結(jié)構(gòu)相同。
      3. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器,其特征在于,該第一電極的寬度大于該調(diào)制分支 的寬度,該第三電極的寬度大于該主分支的寬度。
      4. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器,其特征在于,該電光調(diào)制器還包括一個(gè)隔離層,該 隔離層直接形成于該頂面上,該第一電極及該第三電極均形成在該隔離層上并與該Υ型光 波導(dǎo)相隔離。
      5. 如權(quán)利要求4所述的電光調(diào)制器,其特征在于,該第二電極及該第四電極均形成在 該隔離層上。
      6. 如權(quán)利要求4所述的電光調(diào)制器,其特征在于,該基底的材料為鈮酸鋰晶體,該隔離 層的材料為二氧化硅。
      7. 如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器,其特征在于,該Υ型光波導(dǎo)包括一個(gè)入射段及一個(gè) 出射段;該主分支及該調(diào)制分支從該入射段分出,并重新匯聚入該出射段;該主分支與該 入射段及該出射段形成直線的傳輸通道;該調(diào)制分支與該主分支平行;該Υ型光波導(dǎo)還包 括一個(gè)入射分叉及一個(gè)出射分叉;該入射分叉的一端與該主分支及該入射段連接,另一端 與該調(diào)制分支連接;該出射分叉的一端與該主分支及該出射段連接,另一端與該調(diào)制分支 連結(jié);該出射分叉與該主分支之間的夾角與該入射分叉與該主分支之間的夾角相同。
      8. -種電光調(diào)制器的制造方法,其包括如下步驟: 提供一個(gè)基底,該基底包括一個(gè)頂面; 在該頂面上向該基底內(nèi)部擴(kuò)散形成一個(gè)Υ型光波導(dǎo),該Υ型光波導(dǎo)包括一個(gè)主分支及 一個(gè)調(diào)制分支;及 在該頂面上分別形成結(jié)構(gòu)相同的第一電極組及第二電極組,其中該第一電極組包括相 互平行的第一電極及第二電極;該第一電極位于該調(diào)制分支上,且該第一電極的長度方向 與該調(diào)制分支的長度方向相同;該第二電極相對于該調(diào)制分支遠(yuǎn)離該主分支;該第二電極 組包括相互平行的第三電極及第四電極,該第三電極位于該主分支上,且該第三電極的長 度方向與該主分支的長度方向相同,該第四電極相對于該主分支遠(yuǎn)離該調(diào)制分支;該第一 電極及該第四電極與一調(diào)制電源電連接,該第二電極及該第三電極接地。
      9. 如權(quán)利要求8所述的電光調(diào)制器的制造方法,其特征在于,該電光調(diào)制器的制造方 法還包括步驟:在該頂面上直接形成一個(gè)隔離層,且該第一電極及該第三電極均形成在該 隔離層上并與該Υ型光波導(dǎo)隔離。
      10.如權(quán)利要求8所述的電光調(diào)制器的制造方法,其特征在于,該Y型光波導(dǎo)通過以下 步驟形成: 將厚度為700納米的Υ型鈦金屬膜鍍于該頂面;及 利用1020攝氏度的高溫將該Υ型鈦金屬膜自該頂面擴(kuò)散入該基底。
      【文檔編號】G02F1/035GK104122680SQ201310155042
      【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月29日
      【發(fā)明者】黃新舜 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司
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