一種饋通電壓補(bǔ)償電路及其像素電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種饋通電壓補(bǔ)償電路及其像素電路。該饋通電壓補(bǔ)償電路包括：一補(bǔ)償電容，具有一第一端和一第二端，補(bǔ)償電容的第一端電性耦接至薄膜晶體管的漏極；以及一補(bǔ)償電壓，其一端電性耦接至補(bǔ)償電容的第二端，另一端電性耦接至一共通電壓。補(bǔ)償電容與補(bǔ)償電壓的乘積等于寄生電容與一電壓閾值的乘積，該電壓閾值為薄膜晶體管的柵極線高電壓與柵極線低電壓之間的電壓差值。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的饋通電壓補(bǔ)償電路利用補(bǔ)償電容與補(bǔ)償電壓的特性，可將寄生電容所造成的饋通電壓補(bǔ)償回來(lái)，進(jìn)而降低液晶面板的畫(huà)面閃爍現(xiàn)象，提升產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。
【專利說(shuō)明】一種饋通電壓補(bǔ)償電路及其像素電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器，尤其涉及一種用于該薄膜晶體管液晶顯示器中的饋通電壓補(bǔ)償電路以及包含該饋通電壓補(bǔ)償電路的像素電路。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器通常包括上基板、下基板以及夾于該上基板與下基板之間的液晶層。而且，液晶顯示器包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括像素電極和共通電極，該像素電極與共通電極之間形成有液晶電容，像素電極與共通電極之間的電壓稱之為像素電壓。液晶分子的偏轉(zhuǎn)方向會(huì)隨著加載在像素電極和共通電極之間的電壓改變而改變，從而控制液晶層的光通過(guò)率，進(jìn)而控制液晶顯示器的每個(gè)像素單元的亮度。
[0003]具體來(lái)說(shuō)，以薄膜晶體管液晶顯示器為例，現(xiàn)有的液晶面板制作出多條柵極線和多條源極線以定義各個(gè)像素的區(qū)域，并據(jù)此在各個(gè)像素的區(qū)域中制作出像素電極。每一像素的等效電路由一薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)、一液晶電容(Clc)、一像素存儲(chǔ)電容(Cst)組成，且該像素通過(guò)薄膜晶體管的柵極并且經(jīng)由柵極線電性連接一柵極驅(qū)動(dòng)芯片(Gate Driver 1C)，以及通過(guò)薄膜晶體管的源極并且經(jīng)由源極線電性連接一源極驅(qū)動(dòng)芯片(Source Driver 1C)，薄膜晶體管的漏極電性連接一像素電極、液晶電容和像素存儲(chǔ)電容。當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)芯片通過(guò)柵極線驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極導(dǎo)通時(shí)，從源極驅(qū)動(dòng)芯片輸入的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)即可經(jīng)由源極線自薄膜晶體管的源極和漏極傳遞至液晶電容 和像素存儲(chǔ)電容，并由液晶電容和像素存儲(chǔ)電容儲(chǔ)存其所接收到的電壓信號(hào)。
[0004]然而，傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶面板中也存有若干個(gè)寄生電容，例如，柵極/漏極電容(Cgd)。該寄生電容是由于柵極線和像素電極之間有部分投影面積為上下重疊而存在，其與液晶電容、像素存儲(chǔ)電容的總和被稱為總電容值C，即C = Cgd+Clc+Cst。當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)芯片將柵極線上的電壓升到柵極線高電壓(Vgh)之際，源極驅(qū)動(dòng)芯片也將源極線上的電壓上升從而開(kāi)始對(duì)像素電極充電。當(dāng)像素電極的電壓上升到預(yù)定電壓時(shí)，柵極線上的電壓降到柵極線低電壓(Vgl)。此時(shí)，柵極線上的壓降對(duì)像素電極造成耦合效應(yīng)而使像素電極上的電壓亦產(chǎn)生一壓降Δνρ。該壓降A(chǔ)Vp也被稱為饋通電壓(Feed Through Voltage),其以柵極/漏極電容(Cgd)、液晶電容(Clc)、像素存儲(chǔ)電容(Cst)、柵極線高電壓(Vgh)與柵極線低電壓(Vgl)所表示的數(shù)學(xué)關(guān)系式如下:
[0005]
【權(quán)利要求】
1.一種饋通電壓補(bǔ)償電路，適于補(bǔ)償薄膜晶體管的柵極與漏極間的寄生電容所引起的饋通電壓，其特征在于，所述饋通電壓補(bǔ)償電路包括: 一補(bǔ)償電容，具有一第一端和一第二端，所述補(bǔ)償電容的第一端電性耦接至薄膜晶體管的漏極；以及 一補(bǔ)償電壓，其一端電性耦接至所述補(bǔ)償電容的第二端，另一端電性耦接至一共通電壓， 其中，所述補(bǔ)償電容與所述補(bǔ)償電壓的乘積等于所述寄生電容與一電壓閾值的乘積，所述電壓閾值為所述薄膜晶體管的柵極線高電壓與柵極線低電壓之間的電壓差值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述柵極線高電壓驅(qū)動(dòng)所述薄膜晶體管時(shí)，所述補(bǔ)償電壓為零；所述柵極線低電壓驅(qū)動(dòng)所述薄膜晶體管時(shí)，所述補(bǔ)償電壓開(kāi)啟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，該補(bǔ)償電容的尺寸和形狀與該寄生電容的尺寸和形狀完全相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述補(bǔ)償電容為第一金屬層與第二金屬層形成的垂直電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述補(bǔ)償電容為第一金屬層與銦錫氧化物層形成的垂直電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述補(bǔ)償電容為第二金屬層與銦錫氧化層形成的垂直電容。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述補(bǔ)償電容為第二金屬層形成的橫向電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的饋通電壓補(bǔ)償電路，其特征在于，所述補(bǔ)償電容為環(huán)狀的第二金屬層所形成的橫向電容。
9.一種薄膜晶體管液晶顯示器的像素電路，其特征在于，所述像素電路包括: 一薄膜晶體管，具有一第一端、一第二端和一控制端，所述薄膜晶體管的第一端電性耦接至一數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管的控制端電性耦接至一柵極線； 一液晶電容，其一端電性耦接至所述薄膜晶體管的第二端，另一端電性耦接至一共通電壓； 一存儲(chǔ)電容，其一端電性耦接至所述薄膜晶體管的第二端，另一端電性耦接至所述共通電壓；以及 一饋通電壓補(bǔ)償電路，包括串聯(lián)連接的一補(bǔ)償電容和一補(bǔ)償電壓，所述補(bǔ)償電路的一端電性耦接至所述薄膜晶體管的第二端，所述補(bǔ)償電壓的一端電性耦接至所述共通電壓，其中所述補(bǔ)償電容與所述補(bǔ)償電壓的乘積等于所述寄生電容與一電壓閾值的乘積，所述電壓閾值為所述薄膜晶體管的柵極線高電壓與柵極線低電壓之間的電壓差值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電路，其特征在于，所述補(bǔ)償電容為第一金屬層與第二金屬層形成的垂直電容、第一金屬層與銦錫氧化物層形成的垂直電容、第二金屬層與銦錫氧化物層形成的垂直電容、或者環(huán)狀的第二金屬層所形成的橫向電容。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK103744209SQ201410044916
【公開(kāi)日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2014年2月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月7日
【發(fā)明者】侯冠州 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司