一種采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明一種采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，具體過(guò)程為：建立EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)和PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)；將待優(yōu)化的掩模圖形分割成若干子掩模圖形；確定每個(gè)子掩模圖形中的觀測(cè)點(diǎn)；為各觀測(cè)點(diǎn)分配子區(qū)域；在各觀測(cè)點(diǎn)周?chē)鷧^(qū)域內(nèi)進(jìn)行采樣取點(diǎn)；計(jì)算每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)與其周?chē)谀D形的平均距離；采用核回歸技術(shù)生成OPC回歸結(jié)果；將所有子掩模圖形對(duì)應(yīng)的OPC回歸結(jié)果拼接為對(duì)應(yīng)于整體掩模圖形的OPC回歸結(jié)果；對(duì)整體掩模圖形的OPC回歸結(jié)果進(jìn)行后處理，獲得最終的OPC優(yōu)化結(jié)果。本發(fā)明利用核回歸技術(shù)，有效提高了傳統(tǒng)PBOPC的運(yùn)算效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，屬于光刻分辨率增強(qiáng)【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前的大規(guī)模集成電路普遍采用光刻系統(tǒng)進(jìn)行制造。目前主流的光刻系統(tǒng)是193nm的ArF深紫外光刻系統(tǒng)，隨著光刻技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入亞波長(zhǎng)和深亞波長(zhǎng)范圍，光的干涉和衍射現(xiàn)象更加顯著，極大的影響了光刻系統(tǒng)的成像質(zhì)量。為此光刻系統(tǒng)必須采用分辨率增強(qiáng)技術(shù)，用以提高成像質(zhì)量。光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)(optical proximity correction,簡(jiǎn)稱(chēng)0PC)是一種重要的光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)。OPC技術(shù)主要分為兩大類(lèi):基于規(guī)則的OPC技術(shù)(Rule-based 0PC，簡(jiǎn)稱(chēng) RB0PC)和基于模型的 OPC 技術(shù)(Model-based 0PC，簡(jiǎn)稱(chēng) MB0PC)。RBOPC技術(shù)根據(jù)預(yù)先制定的規(guī)則對(duì)線條位置、線寬、線頭等掩模局部圖形進(jìn)行修正。RBOPC所依據(jù)的規(guī)則需根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn)制定或者根據(jù)實(shí)驗(yàn)和仿真擬合得出。雖然RBOPC運(yùn)算效率較高，但僅能對(duì)局部的光學(xué)鄰近效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償，無(wú)法得到掩模優(yōu)化問(wèn)題的全局最優(yōu)解，限制了RBOPC技術(shù)在提高光刻系統(tǒng)分辨率方面的能力，一般用于180nm或150nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
[0003]與RBOPC不同，MBOPC技術(shù)基于光刻系統(tǒng)成像過(guò)程的物理模型或數(shù)學(xué)模型，對(duì)OPC問(wèn)題進(jìn)行數(shù)學(xué)建模，將OPC問(wèn)題轉(zhuǎn)化為數(shù)學(xué)優(yōu)化問(wèn)題。MBOPC技術(shù)采用數(shù)學(xué)優(yōu)化算法解決上述優(yōu)化問(wèn)題，修正掩模圖形，從而達(dá)到提高光刻系統(tǒng)分辨率和圖形保真度的目的。根據(jù)優(yōu)化過(guò)程中掩模分割方式的不同，MBOPC又可分為基于邊緣的OPC(Edge-based 0PC，簡(jiǎn)稱(chēng)EB0PC)和基于像素的OPC (Pixel-based 0PC,簡(jiǎn)稱(chēng)PB0PC)。EBOPC將掩模邊緣分割為若干區(qū)段，循環(huán)優(yōu)化各個(gè)區(qū)段的位置。而PBOPC首先將掩模分割為若干像素，之后通過(guò)優(yōu)化每個(gè)像素點(diǎn)的透過(guò)率，對(duì)掩模整體進(jìn)行優(yōu)化。與EBOPC相比，PBOPC具有更高的優(yōu)化自由度，且能夠在掩模主體圖形周?chē)a(chǎn)生必要的輔助圖形，更有利于提高光刻系統(tǒng)的成像分辨率和圖形保真度。因此PBOPC常用于對(duì)掩模關(guān)鍵部位(Hotspot)進(jìn)行精細(xì)修正，并受到了國(guó)內(nèi)外相關(guān)學(xué)者和研究人員的廣泛研究。
[0004]隨著光刻技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷延伸，掩模尺寸不斷擴(kuò)大，掩模圖形密度也不斷提高，因此PBOPC的仿真數(shù)據(jù)量大幅上升。如何有效提高優(yōu)化效率成為了 PBOPC方法研發(fā)的重點(diǎn)問(wèn)題之一。另一方面，掩模的制造過(guò)程是整個(gè)集成電路制造流程的重要環(huán)節(jié)，因而掩模的可制造性為目前學(xué)術(shù)界及工業(yè)界所關(guān)注。本文中的掩模可制造性指掩模的制造成本。在給定OPC優(yōu)化結(jié)果的基礎(chǔ)上，掩模圖形被分割成若干互不重疊的梯形。之后，可變形狀光束(Variable Shaped Beam,簡(jiǎn)稱(chēng)VSB)掩?？虒?xiě)機(jī)利用電子束將這些梯形逐一刻錄在掩模板上。因此在掩模分割圖形中，梯形數(shù)目越少，掩模的刻錄時(shí)間越短，成本也越低。由于PBOPC對(duì)掩模圖形中的所有像素進(jìn)行優(yōu)化，并在掩模主體圖形周?chē)黾虞o助圖形，因此極大的增加了優(yōu)化后掩模圖形的復(fù)雜度和掩模分割圖形中的梯形總數(shù)，從而大幅增加了掩模的制造成本。與此相比，EBOPC只是對(duì)掩模圖形邊緣的各個(gè)區(qū)段進(jìn)行移動(dòng)，EBOPC掩模分割圖形中的梯形總數(shù)較少，掩模制造成本也較低。[0005]綜上所述，PBOPC對(duì)光學(xué)鄰近效應(yīng)具有更高的補(bǔ)償精度，但其運(yùn)算效率較低，且優(yōu)化后的掩模具有較高的復(fù)雜度。因此如何針對(duì)大面積掩模圖形有效提高PBOPC算法的運(yùn)算效率，并在確保光刻系統(tǒng)成像性能的同時(shí)有效提高優(yōu)化掩模的可制造性是目前OPC方法研究中的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。
[0006]相關(guān)文獻(xiàn)(A.Gu and A.Zakhor,.1EEE Trans.SemiconductorManufacturing21 (2)，263-271 (2008))提出了一種采用線性回歸技術(shù)提高EBOPC運(yùn)算效率的方法。但是以上方法所采用的線性回歸技術(shù)僅適用于維度較低的EBOPC優(yōu)化問(wèn)題，不適用于PBOPC優(yōu)化問(wèn)題中。同時(shí)上述方法僅考慮了如何提高EBOPC算法的速度，而沒(méi)有考慮如何進(jìn)一步提高掩模的可制造性。因此現(xiàn)有方法無(wú)法更加有效的提高PBOPC方法的運(yùn)算效率及其優(yōu)化后掩模的可制造性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是提供一種采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法。該方法能夠有效的提高PBOPC算法的運(yùn)算效率，并在確保光刻系統(tǒng)成像性能的同時(shí)有效提高優(yōu)化掩模的可制造性。
[0008]實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0009]一種采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，具體步驟為:
[0010]步驟101、建立EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)和PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)；
[0011]步驟102、將待優(yōu)化的掩模圖形分割成若干子掩模圖形，相鄰所述子掩模圖形之間
具有寬度為wOTOTlap的重疊區(qū)域；
[0012]步驟103、分別確定步驟102中的每個(gè)子掩模圖形中的觀測(cè)點(diǎn)，并將確定的觀測(cè)點(diǎn)記為0k，其中子掩模圖形中的觀測(cè)點(diǎn)包括凸角頂點(diǎn)、凹角頂點(diǎn)和掩模圖形邊緣上的觀測(cè)點(diǎn)；
[0013]步驟104、為步驟103中的每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok分配一個(gè)子區(qū)域Mapk，每一個(gè)子區(qū)域中僅包含一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)；
[0014]步驟105、對(duì)于每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)0k，在其周?chē)鷧^(qū)域內(nèi)進(jìn)行采樣取點(diǎn)，并將每個(gè)采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)像素值按順序排列為一個(gè)向量g ElTvxl，其中，歷_表示NXl的實(shí)數(shù)向量空間，N為針對(duì)每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)的采樣點(diǎn)個(gè)數(shù)；
[0015]步驟106、計(jì)算每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok與其周?chē)谀D形的平均距離式；若dk > threshold則在步驟107中采用PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行核回歸，否則在步驟107中采用EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行核回歸，threshold表示預(yù)定的閾值。threshold越大則回歸后的掩模圖形越簡(jiǎn)單,反之回歸后的掩模圖形越復(fù)雜。
[0016]步驟107、針對(duì)每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)0k，采用核回歸技術(shù)，根據(jù)所述向量焉從步驟106所選定的數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇先驗(yàn)OPC優(yōu)化結(jié)果進(jìn)行加權(quán)平均，生成對(duì)應(yīng)于觀測(cè)點(diǎn)Ok的OPC回歸結(jié)果，并將觀測(cè)點(diǎn)Ok的OPC回歸結(jié)果填充到對(duì)應(yīng)的子區(qū)域Mapk中，從而針對(duì)每一個(gè)子掩模圖形拼接成一個(gè)OPC回歸結(jié)果；
[0017]步驟108、在每一個(gè)子掩模圖形對(duì)應(yīng)的OPC回歸結(jié)果中，去掉其外圍寬度為Wtjveriap的邊緣區(qū)域，并將所有子掩模圖形對(duì)應(yīng)的OPC回歸結(jié)果拼接為對(duì)應(yīng)于整體掩模圖形的OPC回歸結(jié)果；
[0018]步驟109、對(duì)步驟108中獲得的整體掩模圖形的OPC回歸結(jié)果進(jìn)行后處理，并將最終獲得的OPC圖形作為最終的OPC優(yōu)化結(jié)果。
[0019]本發(fā)明所述步驟101中建立EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)和PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)的具體步驟為:
[0020]步驟201、從全芯片掩模中選取區(qū)域作為訓(xùn)練掩模圖形；
[0021]步驟202、對(duì)訓(xùn)練掩模圖形進(jìn)行OPC優(yōu)化，分別獲得其對(duì)應(yīng)的PBOPC優(yōu)化圖形和EBOPC優(yōu)化圖形；
[0022]步驟203、尋找該訓(xùn)練掩模圖形內(nèi)的觀測(cè)點(diǎn)，并將尋找到的觀測(cè)點(diǎn)記為Oi,其中訓(xùn)練掩模圖形內(nèi)的觀測(cè)點(diǎn)包括凸角頂點(diǎn)、凹角頂點(diǎn)和訓(xùn)練掩模圖形邊緣上的觀測(cè)點(diǎn)；
[0023]步驟204、對(duì)于每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Oi，在其周?chē)鷧^(qū)域內(nèi)進(jìn)行采樣取點(diǎn)，并將每個(gè)采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)像素值按順序排列為一個(gè)向量為e Mam，其中N為針對(duì)每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)的采樣點(diǎn)個(gè)數(shù)；
[0024]步驟205、以訓(xùn)練掩模圖形上的每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Oi為中心，在訓(xùn)練掩模圖形所對(duì)應(yīng)的EBOPC優(yōu)化圖形中截取大小為MXM的圖形，記為.1f，在訓(xùn)練掩模圖形所對(duì)應(yīng)的PBOPC優(yōu)化圖形中截取大小為MXM的圖形,記為
[0025]步驟206、針對(duì)訓(xùn)練掩模上的每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)，建立向量焉與^,?的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系(x?yfB)，存入EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)中，實(shí)現(xiàn)EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)的建立；建立向量焉與^廣的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系(χ,,ν)，存入PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)中，實(shí)現(xiàn)PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)的建立。
[0026]本發(fā)明所述步驟104中給每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok分配一個(gè)子區(qū)域Mapk的具體步驟為:
[0027]步驟301、為每個(gè)凸角頂點(diǎn)、凹角頂點(diǎn)和邊緣觀測(cè)點(diǎn)分配一個(gè)以該觀測(cè)點(diǎn)為中心，CD為邊長(zhǎng)的正方形初始子區(qū)域，其中CD為晶片處目標(biāo)電路圖形中的最小線寬；
[0028]步驟302、針對(duì)每個(gè)邊緣觀測(cè)點(diǎn)，沿所述邊緣觀測(cè)點(diǎn)所處邊緣，以相同的擴(kuò)展速度分別向兩側(cè)擴(kuò)展其對(duì)應(yīng)的正方形初始子區(qū)域的長(zhǎng)度(且兩側(cè)為沿所述邊緣方向)，直至該子區(qū)域與其他觀測(cè)點(diǎn)的子區(qū)域相遇，其中保持邊緣觀測(cè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的子區(qū)域的寬度為CD ；
[0029]步驟303、針對(duì)每個(gè)凸角頂點(diǎn)、凹角頂點(diǎn)和邊緣觀測(cè)點(diǎn)，以相同的擴(kuò)展速度向周?chē)蟹较驍U(kuò)展其對(duì)應(yīng)的子區(qū)域，直至該子區(qū)域與其它觀測(cè)點(diǎn)的子區(qū)域相遇，或擴(kuò)展的距離到達(dá)了預(yù)定的上限值。
[0030]本發(fā)明所述步驟105和步驟204中對(duì)于每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok或Oi，在其周?chē)鷧^(qū)域內(nèi)進(jìn)行采樣取點(diǎn)的具體過(guò)程為:
[0031]步驟401、以觀測(cè)點(diǎn)Ok或Oi為中心，建立以cX a jnm為半徑的多個(gè)同心圓，所述多個(gè)同心圓中最大的圓的直徑大于該光刻系統(tǒng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)距離，其中c和α為預(yù)先設(shè)定的參量，j = 1,2,3-' ；
[0032]步驟402、在觀測(cè)點(diǎn)Ok或Oi處取I個(gè)采樣點(diǎn)，在以O(shè)k或Oi為圓心的每個(gè)同心圓上取8個(gè)采樣點(diǎn)，此8個(gè)采樣點(diǎn)和Ok或Oi的連線與χ軸夾角分別為0°、45°、90°、135°、180。,225° ,270° 和 315。；
[0033]步驟403、將每一個(gè)采樣點(diǎn)的值按照從圓心向外的順序依次排列為一個(gè)向量豕或爲(wèi)，其中采樣點(diǎn)的值即為被采樣圖形在采樣點(diǎn)處的像素值。
[0034]本發(fā)明所述步驟106中計(jì)算每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok與其周?chē)谀D形的平均距離疋+的具體步驟為:
[0035]步驟501、以每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok為起點(diǎn)，分別向與χ軸夾角為0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°和315°的8個(gè)方向搜索與Ok距離最近的子掩模圖形，設(shè)此8個(gè)方向上的距離值分別為dpi = 1,2,...8;
[0036]步驟502、若某方向在Ok所在掩模圖形內(nèi)(包括邊緣重合)，則令該方向?qū)?yīng)的距離Cli = 0，若在某方向上搜索不到其它掩模圖形，則令該方向?qū)?yīng)的距離Cli等于該光刻系統(tǒng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)距離；
[0037]步驟503、計(jì)算對(duì)應(yīng)于Ok的平均距離
【權(quán)利要求】
1.一種采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其特征在于，具體步驟為: 步驟101、建立EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)和PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)； 步驟102、將待優(yōu)化的掩模圖形分割成若干子掩模圖形，相鄰所述子掩模圖形之間具有
Woverlap 的重疊區(qū)域； 步驟103、分別確定步驟102中的每個(gè)子掩模圖形中的觀測(cè)點(diǎn)，并將確定的觀測(cè)點(diǎn)記為0k，其中子掩模圖形中的觀測(cè)點(diǎn)包括凸角頂點(diǎn)、凹角頂點(diǎn)和掩模圖形邊緣上的觀測(cè)點(diǎn)； 步驟104、為步驟103中的每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok分配一個(gè)子區(qū)域Mapk,每一個(gè)子區(qū)域中僅包含一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)； 步驟105、對(duì)于每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)0k，在其周?chē)鷧^(qū)域內(nèi)進(jìn)行采樣取點(diǎn)，并將每個(gè)采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)像素值按順序排列為一個(gè)向量乓； 步驟106、計(jì)算每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok與其周?chē)谀D形的平均距離dk若 dk > thresho則在步驟107中采用PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行核回歸，否則在步驟107中采用EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行核回歸，其中符號(hào)threshold表示預(yù)定的閾值； 步驟107、針對(duì)每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)0k，采用核回歸技術(shù)，根據(jù)所述向量尤從步驟106所選定的數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇先驗(yàn)OPC優(yōu)化結(jié)果進(jìn)行加權(quán)平均，生成對(duì)應(yīng)于觀測(cè)點(diǎn)Ok的OPC回歸結(jié)果，并將觀測(cè)點(diǎn)Ok的OPC回歸結(jié)果填充到對(duì)應(yīng)的子區(qū)域Mapk中，從而針對(duì)每一個(gè)子掩模圖形拼接成一個(gè)OPC回歸結(jié)果； 步驟108、在每一個(gè)子掩模圖形對(duì)應(yīng)的OPC回歸結(jié)果中，去掉其外圍寬度為Wtjveriap的邊緣區(qū)域，并將所有子掩模圖形對(duì)應(yīng)的OPC回歸結(jié)果拼接為對(duì)應(yīng)于整體掩模圖形的OPC回歸結(jié)果; 步驟109、對(duì)步驟108中獲得的整體掩模圖形的OPC回歸結(jié)果進(jìn)行后處理，并將最終獲得的OPC圖形作為最終的OPC優(yōu)化結(jié)果。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其特征在于，所述步驟101中建立EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)和PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)的具體步驟為: 步驟201、從全芯片掩模中選取區(qū)域作為訓(xùn)練掩模圖形； 步驟202、對(duì)訓(xùn)練掩模圖形進(jìn)行OPC優(yōu)化，分別獲得其對(duì)應(yīng)的PBOPC優(yōu)化圖形和EBOPC優(yōu)化圖形； 步驟203、尋找該訓(xùn)練掩模圖形內(nèi)的觀測(cè)點(diǎn)，并將尋找到的觀測(cè)點(diǎn)記為Oi，其中訓(xùn)練掩模圖形內(nèi)的觀測(cè)點(diǎn)包括凸角頂點(diǎn)、凹角頂點(diǎn)和訓(xùn)練掩模圖形邊緣上的觀測(cè)點(diǎn)； 步驟204、對(duì)于每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Oi，在其周?chē)鷧^(qū)域內(nèi)進(jìn)行采樣取點(diǎn)，并將每個(gè)采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)像素值按順序排列為一個(gè)向量xi； 步驟205、以訓(xùn)練掩模圖形上的每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Oi為中心，在訓(xùn)練掩模圖形所對(duì)應(yīng)的EBOPC優(yōu)化圖形中截取大小為MXM的圖形，記為yieb在訓(xùn)練掩模圖形所對(duì)應(yīng)的PBOPC優(yōu)化圖形中截取大小為MXM的圖形,記為yipb; 步驟206、針對(duì)訓(xùn)練掩模上的每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)，建立向量xi與yieb的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系(xi，yieb)存入EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)中，實(shí)現(xiàn)EBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)的建立；建立向量xi與yipb的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系(xi,yipb).存入PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)中，實(shí)現(xiàn)PBOPC數(shù)據(jù)庫(kù)的建立。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其特征在于，所述步驟104中給每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok分配一個(gè)子區(qū)域Mapk的具體步驟為: 步驟301、為每個(gè)凸角頂點(diǎn)、凹角頂點(diǎn)和邊緣觀測(cè)點(diǎn)分配一個(gè)以該觀測(cè)點(diǎn)為中心，CD為邊長(zhǎng)的正方形初始子區(qū)域，其中CD為晶片處目標(biāo)電路圖形中的最小線寬； 步驟302、針對(duì)每個(gè)邊緣觀測(cè)點(diǎn)，沿所述邊緣觀測(cè)點(diǎn)所處邊緣，以相同的擴(kuò)展速度分別向兩側(cè)擴(kuò)展其對(duì)應(yīng)的正方形初始子區(qū)域的長(zhǎng)度，直至該子區(qū)域與其它觀測(cè)點(diǎn)的子區(qū)域相遇，其中保持邊緣觀測(cè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的子區(qū)域的寬度為CD ； 步驟303、針對(duì)每個(gè)凸角頂點(diǎn)、凹角頂點(diǎn)和邊緣觀測(cè)點(diǎn)，以相同的擴(kuò)展速度向周?chē)蟹较驍U(kuò)展其對(duì)應(yīng)的子區(qū)域，直至該子區(qū)域與其它觀測(cè)點(diǎn)的子區(qū)域相遇，或擴(kuò)展的距離到達(dá)了預(yù)定的上限值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其特征在于，所述步驟204中對(duì)于每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Oi，在其周?chē)鷧^(qū)域內(nèi)進(jìn)行采樣取點(diǎn)的具體過(guò)程為: S41、以觀測(cè)點(diǎn)Oi為中心,建立以cXα」ηηι為半徑的多個(gè)同心圓,所述多個(gè)同心圓中最大的圓的直徑大于該光刻系統(tǒng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)距離，其中c和α為預(yù)先設(shè)定的參量，j =1,2,3-； S42、在觀測(cè)點(diǎn)Oi處取I個(gè)采樣點(diǎn)，在以O(shè)i為圓心的每個(gè)同心圓上取8個(gè)采樣點(diǎn)，此8個(gè)采樣點(diǎn)和Oi的連線與χ軸夾角分別為0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°和315° ； S43、將每一個(gè)采樣點(diǎn)的值按照從圓心向外的順序依次排列為一個(gè)向量天，其中采樣點(diǎn)的值即為被采樣圖形在采樣點(diǎn)處的像素值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其特征在于，所述步驟105中對(duì)于每一個(gè)觀測(cè)點(diǎn)0k，在其周?chē)鷧^(qū)域內(nèi)進(jìn)行采樣取點(diǎn)的具體過(guò)程為: 步驟401、以觀測(cè)點(diǎn)Ok為中心,建立以cX a 為半徑的多個(gè)同心圓,所述多個(gè)同心圓中最大的圓的直徑大于該光刻系統(tǒng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)距離，其中c和α為預(yù)先設(shè)定的參量，j = 1,2,3-； 步驟402、在觀測(cè)點(diǎn)Ok處取I個(gè)采樣點(diǎn)，在以O(shè)k為圓心的每個(gè)同心圓上取8個(gè)采樣點(diǎn)，此8個(gè)采樣點(diǎn)和Ok的連線與χ軸夾角分別為0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°和315。； 步驟403、將每一個(gè)采樣點(diǎn)的值按照從圓心向外的順序依次排列為一個(gè)向量天，其中采樣點(diǎn)的值即為被采樣圖形在采樣點(diǎn)處的像素值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其特征在于，所述步驟106中計(jì)算每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok與其周?chē)谀D形的平均距離疋的具體步驟為: 步驟501、以每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)Ok為起點(diǎn)，分別向與χ軸夾角為0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°和315°的8個(gè)方向搜索與Ok距離最近的子掩模圖形，設(shè)此8個(gè)方向上的距離值分別為屯，i = 1,2,...8 ； 步驟502、若某方向在Ok所在掩模圖形內(nèi)，則令該方向?qū)?yīng)的距離Cli = 0，若某方向上搜索不到其它掩模圖形，則令該方向?qū)?yīng)的距離Cli等于該光刻系統(tǒng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)距離； 步驟503、計(jì)算對(duì)應(yīng)于Ok的平均距離
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其特征在于，所述步驟107中針對(duì)每個(gè)觀測(cè)點(diǎn)0k，采用核回歸技術(shù)，從OPC數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇先驗(yàn)OPC優(yōu)化結(jié)果進(jìn)行加權(quán)平均，生成對(duì)應(yīng)于觀測(cè)點(diǎn)Ok的OPC回歸結(jié)果的具體步驟為:步驟601、計(jì)算觀測(cè)點(diǎn)Ok對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)向量馬和OPC數(shù)據(jù)庫(kù)中所有先驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)向量萬(wàn)之間的歐拉距離
8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述采用核回歸技術(shù)的自適應(yīng)光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其特征在于，所述步驟109中對(duì)步驟108中獲得的整體掩模圖形的OPC回歸結(jié)果進(jìn)行后處理的具體步驟為: 步驟701、根據(jù)步驟108中獲得的整體掩模圖形的OPC回歸結(jié)果，計(jì)算其光刻膠中成像Z，將Z與目標(biāo)圖形不重疊的部分記為之,將f與步驟108中獲得的OPC回歸結(jié)果之間重疊的部分記為i.,去除OPC回歸結(jié)果中的i部分，并將處理后的OPC回歸結(jié)果記為OPC1 ； 步驟702、將目標(biāo)圖形邊緣向內(nèi)縮進(jìn)wsnm，并將縮小后的目標(biāo)圖形記為T(mén)1，將OPc1與T1重合部分中的所有孔洞內(nèi)的像素值置為I，其中ws為預(yù)先設(shè)定的縮進(jìn)距離，孔洞指中心部分像素值為0，并被閉合的具有像素值為I的區(qū)域圍繞的圖形，將處理后的OPC回歸結(jié)果記為OPC2 ； 步驟703、將目標(biāo)圖形邊緣向外擴(kuò)張wdlnm后的邊緣記為Contour1,將目標(biāo)圖形邊緣向外擴(kuò)張wd2nm后的邊緣記為Contour2,將Contour1和Contour2之間的區(qū)域記為T(mén)2,其中Wdi和wd2為預(yù)先設(shè)定的擴(kuò)張距離；去除OPC2中與T2重疊且與掩模主體圖形相連接的圖形部分，將處理后的OPC回歸結(jié)果記為OPC3 ； 步驟704、采用掩模制造規(guī)則檢測(cè)方法對(duì)OPC3進(jìn)行處理得到OPC4,使OPC4滿(mǎn)足設(shè)定的掩模可制造性條件； 步驟705、采用EBOPC算法對(duì)OPC4進(jìn)行優(yōu)化得到OPC5,使得采用OPC5作為掩模獲得的成像圖形在邊緣處與目標(biāo)圖形較為接近，滿(mǎn)足圖形邊緣處的成像要求； 步驟706、采用PBOPC算法對(duì)OPC5進(jìn)行優(yōu)化得到OPC6,使得采用OPC6作為掩模獲得的整體成像圖形與目標(biāo)圖形較為接近，滿(mǎn)足整個(gè)圖形的成像要求； 步驟707、采用掩模制造規(guī)則檢測(cè)方法對(duì)OPC6進(jìn)行處理得到OPC7,使OPC7滿(mǎn)足設(shè)定的掩?？芍圃煨詶l件。
【文檔編號(hào)】G03F1/36GK103901713SQ201410090470
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年3月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月12日
【發(fā)明者】馬旭, 吳炳良, 宋之洋, 李艷秋, 劉麗輝 申請(qǐng)人:北京理工大學(xué)