液晶顯示裝置及其制作方法
【專利摘要】液晶顯示裝置包括第一基板、液晶顯示層及第二基板。第一基板包括第一透明基底、依次形成于第一透明基底上的第一絕緣層、第一電極、第二絕緣層及第二電極。第一電極覆蓋部分第一絕緣層，第二絕緣層設(shè)置于第一電極和第一絕緣層上，第二絕緣層具有多個向第一絕緣層的方向凹進的第二凹陷部，第二凹陷部對應(yīng)于第二絕緣表面未被第一電極覆蓋的部分，第二電極部分的設(shè)置于第二絕緣表面并位于第二凹陷部中。本發(fā)明所述液晶顯示裝置具有較高的穿透率和較短的響應(yīng)時間。
【專利說明】液晶顯示裝置及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種液晶顯示裝置及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)因具有低輻射性、厚度薄和耗電低等特點而被廣泛應(yīng)用于平板顯示領(lǐng)域中。最初，絕大多數(shù)TFT-LCD都是采用扭轉(zhuǎn)向列(Twisted Nematic, TN)模式，然而，TN型液晶顯示器的第一電極和第二電極是分別形成在上下兩個基板上，其液晶分子是在與基板正交的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，由于液晶分子的光學(xué)各向異性，導(dǎo)致光從不同角度經(jīng)過液晶分子后進入人眼的光程不同，因此其顯示效果不同，導(dǎo)致視角范圍比較小。
[0003]為了解決視角范圍比較小的問題,邊緣電場開關(guān)(Fringe Field Switching, FFS)模式、面內(nèi)切換(In-Plane Switch, IPS)模式等廣視角技術(shù)被應(yīng)用到相關(guān)產(chǎn)品中。圖1為現(xiàn)有的一種FFS型液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖，如圖1所示，F(xiàn)FS型液晶顯示裝置700的第一電極71和第二電極72均是形成在下基板701上,第一電極71和第二電極72分別位于不同層上，并且，在像素區(qū)域中，第一電極71為整面設(shè)置，而第二電極72呈條形設(shè)置。圖2為現(xiàn)有的一種IPS型液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)圖，如圖2所示，IPS型液晶顯示裝置800的第一電極81和第二電極82也均是形成在下基板801上，第一電極81和第二電極82位于同一層上，并且，在像素區(qū)域中，第一電極81和第二電極82均呈條形設(shè)置并且交替排布。由于FFS型液晶顯示器700與IPS型液晶顯示器800的第一電極71、81和第二電極72、82均形成于同一基板上，其液晶分子是在與基板平行的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，因而其視角特性得以改善，能夠?qū)崿F(xiàn)廣視角顯示。
[0004]此外，近年來，一種不同于現(xiàn)有的FFS模式與IPS模式的液晶顯示裝置得以發(fā)展，并且相對于現(xiàn)有的FFS模式與IPS顯示模式來說，此種液晶顯示裝置實現(xiàn)了集FFS模式與IPS模式的優(yōu)點于一身，具有較廣的視角范圍，較高的穿透率，較短的響應(yīng)時間。中國專利申請CN201210186741.4揭示了一種液晶顯示裝置，如圖3所示，液晶顯示裝置900的第一電極91和第二電極92也均是形成在下基板901上，第一電極91和第二電極92分別位于不同層上，并且第一電極91和第二電極92之間夾設(shè)有絕緣層93。在像素區(qū)域中，第一電極91呈縱橫交錯的條形設(shè)置從而大致形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，第二電極92呈條形設(shè)置并和與其平行的第一電極91交替排列。
[0005]但是，由于液晶顯示裝置900的第一電極91和第二電極92分別位于不同層上，夾設(shè)于第一電極91和第二電極92之間的絕緣層93導(dǎo)致第二電極92的上表面與第一電極91的上表面之間存在垂直高度差h，垂直高度差h正好等于絕緣層93的厚度。垂直高度差h使得第一電極91和第二電極92之間存在垂直電場，此垂直電場會對液晶分子在平面內(nèi)轉(zhuǎn)動具有一定的抑制作用，使得液晶顯示裝置的穿透率降低、響應(yīng)時間拉長。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的在于，提供了一種液晶顯示裝置，有效減弱了垂直電場對液晶顯示層的液晶分子在平面內(nèi)轉(zhuǎn)動的抑制作用，具有較高的穿透率和較短的響應(yīng)時間。
[0007]本發(fā)明的目的在于，提供了一種液晶顯示裝置制造方法，有效減弱了垂直電場對液晶顯示層的液晶分子在平面內(nèi)轉(zhuǎn)動的抑制作用，使得所制作的液晶顯示裝置具有較高的穿透率和較短的響應(yīng)時間。
[0008]本發(fā)明解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。
[0009]一種液晶顯示裝置，包括第一基板、與第一基板相對設(shè)置的第二基板、以及夾設(shè)于第一基板與第二基板之間的液晶顯示層，其特征在于，
[0010]第一基板包括第一透明基底、依次形成于第一透明基底表面上的第一絕緣層、第一電極、第二絕緣層以及第二電極，
[0011]第一絕緣層具有遠離第一透明基底的第一絕緣表面，第一電極設(shè)置于第一絕緣表面并覆蓋部分第一絕緣表面，第二絕緣層設(shè)置于第一電極和第一絕緣層上，第二絕緣層的遠離第一絕緣層的第二絕緣表面具有多個向第一絕緣層的方向凹進的第二凹陷部，第二凹陷部對應(yīng)于第二絕緣表面未被第一電極覆蓋的部分，
[0012]第二電極包括多個第三條狀電極，第三條狀電極包括第一部分與第二部分，第一部分設(shè)置于第二絕緣表面并位于第二凹陷部中。
[0013]在本發(fā)明較佳的實施例中，第一絕緣層的第一絕緣表面向第一透明基底凹進形成第一凹陷部，第一電極設(shè)置于第一絕緣表面并露出第一凹陷部，第二絕緣層的第二絕緣表面在對應(yīng)第一凹陷部處向第一絕緣層的方向凹進形成第二凹陷部。
[0014]在本發(fā)明較佳的實施例中，第一電極為像素電極，第二電極為公共電極。
[0015]在本發(fā)明較佳的實施例中，第一電極的上表面與第二電極的第三條狀電極的第一部分的上表面具有小于第二絕緣層的厚度的垂直高度差。
[0016]在本發(fā)明較佳的實施例中，第一電極為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并包括多個第一條狀電極和多個第二條狀電極，多個第一條狀電極相互平行且電性連接，多個第二條狀電極相互平行且電性連接并與多個第一條狀電極部彼此相交以限定出多個子像素區(qū)域，第二凹陷部位于多個子像素區(qū)域，各第三條狀電極設(shè)置在每兩個相鄰的第二條狀電極之間。
[0017]在本發(fā)明較佳的實施例中，各第一條狀電極與各第二條狀電極相互垂直。
[0018]在本發(fā)明較佳的實施例中，各第三條狀電極與各第二條狀電極相互平行，且各第三條狀電極居中的位于每兩個相鄰的第二條狀電極之間。
[0019]本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置制造方法，包括形成第一基板，在第一基板上形成液晶顯示層，以及在液晶顯示層上形成與第一基板相對設(shè)置的第二基板，以使液晶顯示層夾設(shè)于第一基板與第二基板之間，其特征在于，形成第一基板包括:
[0020]提供第一透明基底；
[0021]在第一透明基底形成第一絕緣層；
[0022]在第一絕緣層上形成第一電極；
[0023]在第一絕緣層上形成第二絕緣層并覆蓋第一電極，在第二絕緣層的遠離第一絕緣層的第二絕緣表面形成第二凹陷部；以及
[0024]形成第二電極于第二絕緣層的第二絕緣表面并部分地位于第二凹陷部中。
[0025]在本發(fā)明較佳的實施例中，液晶顯示裝置制造方法還包括，[0026]在第一絕緣層上形成第一電極之后，及在第一絕緣層上形成第二絕緣層之前，蝕刻移除從第一電極露出的部分第一絕緣層，以在第一絕緣層的遠離第一透明基底的第一絕緣表面形成向第一透明基底凹進的第一凹陷部，以使第二絕緣層的遠離第一絕緣層的第二絕緣表面填入第一凹陷部中形成第二凹陷部。
[0027]在本發(fā)明較佳的實施例中，在第一絕緣層上形成第一電極，包括:形成相互平行且電性連接的多個第一條狀電極以及形成相互平行且電性連接的并與多個第一條狀電極彼此相交的多個第二條狀電極，以限定出多個子像素區(qū)域，并以第一電極為光罩進行蝕刻形成位于多個子像素區(qū)域的第一凹陷部；形成第二電極包括:形成多個第三條狀電極，并使各第二條狀電極設(shè)置在每兩個相鄰的第二條狀電極之間。
[0028]本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的液晶顯示裝置設(shè)置于第一基板的第一電極的上表面與同設(shè)置于第一基板的第二電極的上表面具有小于第二絕緣層的厚度的垂直高度差，從而有效減小了第一電極和第二電極之間的垂直電場，進而有效減弱了垂直電場對液晶顯示層的液晶分子在平面內(nèi)轉(zhuǎn)動的抑制作用，具有較高的穿透率和較短的響應(yīng)時間。
[0029]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述液晶顯示裝置及其制作方法和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是現(xiàn)有的一種FFS型液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖2是現(xiàn)有的一種IPS型液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖3是現(xiàn)有的一種液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖4是本發(fā)明一實施例中的液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖5是本發(fā)明一實施例中的第一基板的平面示意圖。
[0035]圖6是沿圖5中V1-VI線的剖視圖。
[0036]圖7是圖5中VII部分的局部放大圖。
[0037]圖8是沿圖5中VII1-VIII線的剖視圖。
[0038]圖9a至圖9f是本發(fā)明一實施例中的液晶顯示裝置的制作流程剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]圖10是圖8所示液晶顯示裝置中第一凹陷部1122的深度d分別為0A，2000A和3000A時，同一個像素在相同條件下的穿透率對比圖。
【具體實施方式】
[0040]為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的液晶顯示裝置及其制作方法的【具體實施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如下:
[0041 ] 有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過【具體實施方式】的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0042]圖4為本發(fā)明一實施例中的液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。為了圖示簡潔，圖4中僅繪示出液晶顯示裝置的一個像素區(qū)域的局部剖面示意圖。請參照圖4，本實施例中，液晶顯示裝置100包括相對設(shè)置的第一基板110和第二基板120、以及夾設(shè)于第一基板110與第二基板120之間的液晶顯示層130。
[0043]第一基板110包括第一透明基底111，第一透明基底111具有面向第二基板120設(shè)置的上表面1111。第一基板110與每個像素區(qū)域?qū)?yīng)的部分還分別包括:依次形成于第一透明基底111的上表面1111的第一絕緣層112、第一電極113、第二絕緣層114以及第二電極 115。
[0044]此外，第一基板110上還設(shè)置有定義像素區(qū)域和驅(qū)動像素顯示的其他元件例如掃描線、數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管等，如圖5所示。圖5是本發(fā)明一實施例中的第一基板110的平面示意圖。為了圖示簡潔，圖5中僅繪示出第一基板110的一個像素區(qū)域P。請同時參照圖4與圖5，本實施例中，液晶顯示裝置100的第一基板110具體包括第一透明基底111以及形成在第一透明基底111上的多條掃描線116、多條數(shù)據(jù)線117及形成在掃描線116和數(shù)據(jù)線117交叉位置處的薄膜晶體管118、第一電極113及第二電極115。多條掃描線116和多條數(shù)據(jù)線117相互交叉以限定出多個像素區(qū)域P，即每相鄰兩條掃描線116和每相鄰兩條數(shù)據(jù)線117之間相互交叉從而限定出一個像素區(qū)域P，第一電極113與第二電極115位于多個像素區(qū)域P內(nèi)。
[0045]在本實施例中，掃描線116和數(shù)據(jù)線117彼此相互垂直，在其他實施方式中，掃描線116和數(shù)據(jù)線117也可以彼此不垂直，在此并不做特別限定。圖6是沿圖5中V1-VI線的剖視圖，請同時參照圖5與圖6所示，薄膜晶體管118包括與掃描線116電性連接的柵極1181、半導(dǎo)體層1182、與數(shù)據(jù)線117電性連接的源極1183、與第一電極113電性連接的漏極1184。柵極1181與半導(dǎo)體層1182之間還形成有柵極絕緣層119a。值得一提的是，第一透明基底111的上表面1111設(shè)置的厚度均一的第一絕緣層112可與柵極絕緣層119a在同一制程中同時形成，也就是說柵極絕緣層119a和第一絕緣層112可以是同一層絕緣層結(jié)構(gòu)。
[0046]圖7是沿圖5中的子像素區(qū)域VII部分的局部放大圖，圖8是圖5中VII1-VIII線的剖視圖。請同時參照圖5、圖7與圖8所示，本實施例中，第一電極113例如是像素電極，優(yōu)選的，第一電極113可以例如是由ITO等透明導(dǎo)電材料形成。本實施例中，第一電極113例如為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其包括多個第一條狀電極1131和多個第二條狀電極1132。第一條狀電極1131和第二條狀電極1132位于同一層中，且彼此相互交叉以限定出多個子像素區(qū)域Ρ1。也就是說，多個第一條狀電極1131呈彼此大致平行排列的條形，且其彼此電性連接在一起，而多個第二條狀電極1132也呈彼此大致平行排列的條形，且其彼此電性連接在一起。此夕卜，多個第一條狀電極1131和多個第二條狀電極1132也彼此電性連接在一起，從而組成了在像素區(qū)域P內(nèi)呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的第一電極113，并電性連接至薄膜晶體管118的漏極1184。
[0047]在本實施例中，每個像素區(qū)域P分別包括至少兩個以上的子像素區(qū)域Ρ1，圖5與圖7所示的子像素區(qū)域Pl的數(shù)目僅僅是為了方便說明而設(shè)，其不作為對本發(fā)明的限制，本發(fā)明的子像素區(qū)域Pl的數(shù)目可以根據(jù)實際液晶顯示裝置的尺寸和實際制程條件合理選擇。
[0048]在本實施例中，第一條狀電極1131和第二條狀電極1132相互垂直，第一條狀電極1131大致沿平行于掃描線116的方向進行排列，而第二條狀電極1132大致沿平行于數(shù)據(jù)線117的方向進行排列，從而能夠使得液晶顯示裝置具有更加規(guī)整的像素結(jié)構(gòu)。在其他實施方式中，第一電極113的具體結(jié)構(gòu)并不限定于上述結(jié)構(gòu)，也可以采用其他的設(shè)計方式。[0049]本實施例中，如圖8所示，第一電極113設(shè)置于第一絕緣層112遠離第一透明基板111的第一絕緣層112的第一絕緣表面1121。第一電極113在像素區(qū)域P內(nèi)大致呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，因此，第一絕緣層112的部分第一絕緣表面1121未被第一電極113覆蓋,通過蝕刻移除未被第一電極113覆蓋的部分第一絕緣層112在第一絕緣表面1121形成有第一凹陷部1122。也即，第一凹陷部1122從第一電極113露出來。優(yōu)選地，第一凹陷部1122的深度d小于第一絕緣層112的厚度Tl。厚度均一的第二絕緣層114設(shè)置于第一電極113和第一絕緣層112上并填入第一凹陷部1122中，第二絕緣層114具有遠離第一絕緣層112的第二絕緣表面1141，第二絕緣表面1141在對應(yīng)第一凹陷部1122處向第一絕緣層112的方向凹進形成第二凹陷部1142。第二絕緣層114的厚度例如標(biāo)記為厚度T2。
[0050]承上述，第二電極115例如是公共電極，優(yōu)選的，第二電極115可以例如是由ITO等透明導(dǎo)電材料形成。第二電極115設(shè)置于第二絕緣層114的第二絕緣表面1141上。本實施例中，第二電極115包括多個第三條狀電極1151，多個第三條狀電極1151也呈彼此大致平行排列的條形。在本發(fā)明實施例中，每個像素區(qū)域P中，每兩個相鄰的第二條狀電極1132之間可設(shè)置一個對應(yīng)的第三條狀電極1151，其沿大致平行于第二條狀電極1132的方向進行排列。每個第三電極1151可居中地設(shè)置在每兩個相鄰的第二條狀電極1132之間。
[0051]在本實施例中，第三條狀電極1151可設(shè)置為垂直于第一電極113中的第一條狀電極1131，平行于第二條狀電極1132。多個第三條狀電極1151彼此電性連接在一起，并電性連接至公共電極總線(圖未示)。在其他實施方式中，第二電極115的具體結(jié)構(gòu)并不限定于上述結(jié)構(gòu)，也可以采用其他的設(shè)計方式。
[0052]在本實施例中，第三條狀電極1151包括第一部分1152與第二部分1153，其中，第一部分1152位于兩個相鄰的第一條狀電極1131之間即位于子像素Pl之內(nèi)，第二部分1153與第一條狀電極1131相重疊，且中間間隔有第二絕緣層114，即每一個第三條狀電極1151由多個相互間隔排列的第一部分1152與第二部分1153組成。由于每個第三條狀電極1151與第二絕緣層114的第二絕緣表面1141直接接觸，且第二絕緣表面1141上的第二凹陷部1142設(shè)置在對應(yīng)于第一凹陷部1122的位置即對應(yīng)于第一絕緣層112的未被第一電極113覆蓋的位置，因此，每個第三條狀電極1151的第一部分1152對應(yīng)的位于第二凹陷部1142中，從而使得位于第一絕緣表面1121上的第一電極113的上表面113a與第三條狀電極1151的第一部分1152的上表面115a的具有小于第二絕緣層114的厚度T2的垂直高度差H。本實施例中，垂直高度差H等于第二絕緣層114的厚度T2與第一凹陷部1122的深度d的差值。
[0053]每個第三條狀電極1151未填入第二凹陷1142的第二部分1153，位于對應(yīng)的第一電極113的第一條狀電極1131的上方,并與對應(yīng)的第一電極113的第一條狀電極部分1131間隔第二絕緣層114，第一電極113的上表面113a與第二電極115的第二部分1153的上表面115c的間隔距離仍然為第二絕緣層114的厚度T2。
[0054]因此，相較于未設(shè)置凹陷部(1122、1142)的情況，由于位于第二凹陷部1142中的第一電極113的上表面113a與第二電極115的第一部分1152的上表面115a的垂直高度差H等于第二絕緣層114的厚度T2與第一凹陷部1122的深度d的差值，從而縮小第一電極113的上表面113a與第二電極115的第一部分1152的上表面115a之間的垂直距離，以減弱第一電極113與第二電極115的第一部分1152之間的垂直電場,進而減弱垂直電場對液晶顯示層130的液晶分子在平面內(nèi)轉(zhuǎn)動的抑制作用，以提高液晶顯示裝置100的穿透率，縮短響應(yīng)時間。
[0055]在本實施例中，以第一電極113為光罩，通過蝕刻移除未被第一電極113覆蓋的部分第一絕緣層112在第一絕緣層112的第一絕緣表面1121形成有第一凹陷部1122，在沉積第二絕緣層時，第二絕緣層114遠離第一絕緣層112的第二絕緣表面1141在對應(yīng)第一凹陷部1122處向第一絕緣層112的方向凹進形成第二凹陷部1142 ;在其他實施方式中，也可以不設(shè)置第一凹陷部1122，而是通過使用外部光罩，直接蝕刻移除第二絕緣層114遠離第一絕緣層112的部分第二絕緣表面1141形成第二凹陷部1142，第二凹陷部1142對應(yīng)第一絕緣層112未被第一電極113覆蓋的部分，每個第二電極115的第一部分1152對應(yīng)的位于第二凹陷部1142中。同樣使得位于第一絕緣表面1121上的第一電極113的上表面113a與第二電極115的第一部分1152的上表面115a的具有小于第二絕緣層114的厚度T2的垂直高度差H。在此不再贅述。
[0056]進一步的，第一基板110還可包括配向?qū)?、偏光片等熟知的液晶顯示裝置層結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。
[0057]請再參考圖4，第二基板120與第一基板110呈相對設(shè)置，且液晶顯示層130夾設(shè)于第一基板110和第二基板120之間。進一步的，第二基板120還可包括例如彩色濾光層、配向?qū)印⑵馄仁熘囊壕э@示裝置層結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。
[0058]以下將對液晶顯示裝置100的制作方法進行進一步的說明。圖9a至圖9e是本發(fā)明一實施例中的液晶顯示裝置的制作流程剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0059]首先，請同時參考圖4與圖9a，提供第一透明基底111，先在第一透明基底111的上表面1111上形成第一絕緣層112。如前所述，第一基板110上還設(shè)置有定義像素區(qū)域和驅(qū)動像素顯示的其他元件例如掃描線、數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管等。因此，在第一透明基底111的上表面1111上形成第一絕緣層112之前，還包括形成掃描線以及薄膜晶體管118的柵極1181等步驟。本實施例中，第一絕緣層112與薄膜晶體管118的柵極絕緣層119a是同一層絕緣層結(jié)構(gòu)，因此，在第一透明基底111上制作薄膜晶體管118的柵極1181之后，形成第一絕緣層112的步驟與形成薄膜晶體管118的柵極絕緣層119a的步驟在同一制程中同時進行。
[0060]然后，請參閱圖％，在第一絕緣層112上形成第一電極113。第一電極113例如是利用膜層沉積蝕刻等工藝制作，在此不在贅述。值得一提的是，在薄膜晶體管118的柵極絕緣層119a制作之后制作第一電極113之前，需要進行制作薄膜晶體管118的半導(dǎo)體層1182的步驟。在本實施例中，半導(dǎo)體層1182例如是包括非晶硅層(a-Si)1182a和位于非晶硅層1182a上的η型非晶硅層(n+a-Si)l 182b，在其他實施方式中，對此并不做特別限定。此外，在制作第一電極113之后，還需要進行源極1183和漏極1184的制作步驟，并露出源極1183和漏極1184之間的η型非晶硅層1182b。
[0061]接著，請參閱圖9c,以第一電極113為光罩,蝕刻移除未被第一電極113覆蓋的部分第一絕緣層112 (也即蝕刻移除從第一電極113露出的部分第一絕緣層112)，以在第一絕緣層112中形成第一凹陷部1122。本實施例中，如圖5和圖6所不,第一電極113為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其包括多個第一條狀電極1131和多個第二條狀電極1132。以第一電極113為光罩，第一條狀電極1131和第二條狀電極1132彼此相互交叉以限定出的子像素區(qū)域Pl的未被第一電極113覆蓋的第一絕緣層112部分被蝕刻移除，從而在第一絕緣層112的第一絕緣表面1121形成位于子像素區(qū)域Pl的第一凹陷部1122。第一凹陷部1122的深度d小于第一絕緣層112的厚度Tl。值得一提的是，第一電極113在形成之后先會經(jīng)過退火步驟，退火后的第一電極113在蝕刻第一絕緣層112時也不會被移除。
[0062]優(yōu)選地，蝕刻移除未被第一電極113覆蓋的部分第一絕緣層112可以與形成薄膜晶體管118的背溝道蝕刻步驟在同一制程中同時進行。背溝道蝕刻步驟是指利用干蝕刻的方式蝕刻移除薄膜晶體管118的半導(dǎo)體層1182的非晶硅層(n+a-Si)1182b。也就是說，所移除的第一絕緣層112的厚度，也即第一凹陷部1122的深度d大致等于非晶硅層(n+a-Si)1182b的厚度。
[0063]之后，請參閱圖9d，在第一電極113和第一絕緣層112上順應(yīng)性的形成第二絕緣層114并填入第一凹陷部1122中。第二絕緣層114的厚度均一，例如標(biāo)記為厚度T2。當(dāng)在第一電極113和第一絕緣層112上順應(yīng)性的形成第二絕緣層114時，對應(yīng)第一凹陷部1122的第二絕緣層114的遠離第一絕緣層112的第二絕緣表面1141會向第一絕緣層112凹進，從而形成第二凹陷部1142。本實施例中，第二絕緣層114與薄膜晶體管118的絕緣保護層11%是同一層絕緣層結(jié)構(gòu)，因此，在第一透明基底111上形成第二絕緣層114的步驟與形成薄膜晶體管118的絕緣保護層11%的步驟可在同一制程中同時進行。
[0064]在本實施中，先是以第一電極113為光罩,蝕刻移除未被第一電極113覆蓋的部分第一絕緣層112在第一絕緣層112上形成第一凹陷部1122，然后，在第一電極113和第一絕緣層112上形成第二絕緣層114并填入第一凹陷部1122中，從而在第二絕緣層114的對應(yīng)第一凹陷部1122的位置形成第二凹陷部1142。在其他實施方式中，也可以是通過蝕刻移除的方法直接在第二絕緣層114的遠離該第一絕緣層112的第二絕緣表面1142形成第二凹陷部1142，即無需再在第一絕緣層112上形成第一凹陷部1122，而是在第一絕緣層112上形成第一電極113之后，接著沉積第二絕緣層114，然后再通過蝕刻移除的方法移除部分第二絕緣層114以在第二絕緣層114的第二絕緣表面1142上形成第二凹陷部1142。
[0065]接著，請參閱圖9e，形成第二電極層115。第二電極115例如是利用膜層沉積蝕刻等工藝制作，在此不再贅述。第二電極115形成于第二絕緣層114的第二絕緣表面1141并與第二絕緣表面1141直接接觸。每個第三條狀電極1151對應(yīng)子像素區(qū)域Pl的第一部分1152對應(yīng)的位于第二凹陷部1142中，從而使得位于凹陷1142中的第一電極113的上表面113a與位于第二凹陷部1142中的第三條狀電極1151的第一部分1152的上表面115a的垂直高度差H小于第二絕緣層114的厚度T2。本實施例中，垂直高度差H等于第二絕緣層114的厚度T2與第一凹陷部1122的深度d的差值。而每個第三條狀電極1151未填入第二凹陷部1142的第二部分1153，位于對應(yīng)的第一電極113的第一條狀電極1131的上方，并與對應(yīng)的第一電極113的第一條狀電極1131之間間隔有第二絕緣層114,第一電極113的上表面113a與第二電極115的第二部分1153的上表面115c的間隔距離為第二絕緣層114的厚度T2。位于第二凹陷部1142中的第一電極113的上表面113a與第二電極115的第一部分1152的上表面115a的具有小于第二絕緣層114的厚度T2的垂直高度差H，縮小了第一電極113與第二電極115之間的垂直距離，從而有效減弱第一電極113與第二電極115之間的垂直電場，進而減弱垂直電場對液晶顯示層130的液晶分子在平面內(nèi)轉(zhuǎn)動的抑制作用，以提高液晶顯示裝置100的穿透率，縮短響應(yīng)時間。[0066]形成第一基板110之后，請參閱圖9f，再在第一基板110上形成液晶顯示層130，并在液晶顯示層130上形成與第一基板110相對設(shè)置的第二基板120，以使得液晶顯示層130夾設(shè)于第一基板110與第二基板120之間，從而形成液晶顯示裝置100。
[0067]當(dāng)?shù)谝换?10和第二基板120包括配向?qū)?、偏光片等熟知的液晶顯示裝置層結(jié)構(gòu)時，應(yīng)當(dāng)進行對應(yīng)的制作步驟，在此不再贅述。
[0068]圖10是第一凹陷部1122的深度d分別為0A，2000A和3000A時，同一個像素在相同條件下的穿透率對比圖。其中，圖10中的曲線①為第一凹陷部1122的深度d為OA(也即未進行第一絕緣層112蝕刻步驟)的穿透率與電壓的關(guān)系曲線，曲線②是第一凹陷部1122的深度d為2000A的穿透率與電壓的關(guān)系曲線，曲線③是第一凹陷部1122的深度d為3000A的穿透率與電壓的關(guān)系曲線。由圖10來看，增加第一凹陷部1122的深度d，也即縮小第一電極113與第二電極115之間的垂直距離，可以減弱第一電極113與第二電極115之間的垂直電場，從而減弱垂直電場對液晶顯示層130的液晶分子在平面內(nèi)轉(zhuǎn)動的抑制作用，進而提高液晶顯示裝置100的穿透率，縮短響應(yīng)時間。
[0069]以上對本發(fā)明所提供的液晶顯示裝置及其制作方法進行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，包括第一基板、與該第一基板相對設(shè)置的第二基板、以及夾設(shè)于該第一基板與該第二基板之間的液晶顯示層，其特征在于， 該第一基板包括第一透明基底、依次形成于該第一透明基底表面上的第一絕緣層、第一電極、第二絕緣層以及第二電極， 該第一絕緣層具有遠離該第一透明基底的第一絕緣表面，該第一電極設(shè)置于該第一絕緣表面并覆蓋部分該第一絕緣表面，該第二絕緣層設(shè)置于該第一電極和該第一絕緣層上，該第二絕緣層的遠離該第一絕緣層的第二絕緣表面具有多個向該第一絕緣層的方向凹進的第二凹陷部，該第二凹陷部對應(yīng)于該第二絕緣表面未被該第一電極覆蓋的部分， 該第二電極包括多個第三條狀電極，該第三條狀電極包括第一部分與第二部分，該第一部分設(shè)置于該第二絕緣表面并位于該第二凹陷部中。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該第一絕緣層的該第一絕緣表面向該第一透明基底凹進形成第一凹陷部，該第一電極設(shè)置于該第一絕緣表面并露出該第一凹陷部，該第二絕緣層的該第二絕緣表面在對應(yīng)該第一凹陷部處向該第一絕緣層的方向凹進形成第二凹陷部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該第一電極為像素電極，該第二電極為公共電極。
4.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該第一電極的上表面與該第二電極的該第三條狀電極的第一部分的上表面具有小于該第二絕緣層的厚度的垂直高度差。
5.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該第一電極為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并包括多個第一條狀電極和多個第二條狀電極，該多個第一條狀電極相互平行且電性連接，該多個第二條狀電極相互平行且電性連接并與該多個第一條狀電極部彼此相交以限定出多個子像素區(qū)域，該第二凹陷部位于該多個子像素區(qū)域，各該第三條狀電極設(shè)置在每兩個相鄰的該第二條 狀電極之間。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各該第一條狀電極與各該第二條狀電極相互垂直。
7.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各該第三條狀電極與各該第二條狀電極相互平行，且各該第三條狀電極居中的位于每兩個相鄰的該第二條狀電極之間。
8.一種液晶顯示裝置制造方法，包括形成第一基板，在該第一基板上形成液晶顯示層，以及在該液晶顯示層上形成與該第一基板相對設(shè)置的第二基板，以使該液晶顯示層夾設(shè)于該第一基板與該第二基板之間，其特征在于，形成該第一基板包括: 提供第一透明基底； 在該第一透明基底上形成第一絕緣層； 在該第一絕緣層上形成第一電極； 在該第一絕緣層上形成第二絕緣層并覆蓋該第一電極，在該第二絕緣層的遠離該第一絕緣層的第二絕緣表面形成第二凹陷部；以及 形成第二電極于該第二絕緣層的該第二絕緣表面并部分地位于該第二凹陷部中。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置制造方法，其特征在于，該液晶顯示裝置制造方法還包括， 在該第一絕緣層上形成第一電極之后，及在該第一絕緣層上形成第二絕緣層之前，蝕刻移除從該第一電極露出的部分該第一絕緣層，以在該第一絕緣層的遠離該第一透明基底的第一絕緣表面形成向該第一透明基底凹進的第一凹陷部，以使該第二絕緣層的遠離該第一絕緣層的第二絕緣表面填入該第一凹陷部中形成該第二凹陷部。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置制造方法，其特征在于，在該第一絕緣層上形成該第一電極，包括:形成相互平行且電性連接的多個第一條狀電極以及形成相互平行且電性連接的并與該多個第一條狀電極彼此相交的多個第二條狀電極，以限定出多個子像素區(qū)域，并以該第一電極為光罩進行蝕刻形成位于該多個子像素區(qū)域的該第一凹陷部；形成該第二電極包括:形成多個第三條狀電極，并使各該第二條狀電極設(shè)置在每兩個相鄰的該第二條狀電 之間。
【文檔編號】G02F1/1333GK103869558SQ201410127273
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】鐘德鎮(zhèn), 戴文君, 潘新葉 申請人:昆山龍騰光電有限公司