本發(fā)明涉及一種陣列基板以及一種具有該陣列基板的液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
：廣視角技術(shù)在顯示領(lǐng)域中得到了積極地發(fā)展。具有橫向電場(chǎng)的廣視角技術(shù)，例如平面轉(zhuǎn)換(In-PlaneSwitching，IPS)型或邊緣電場(chǎng)切換(FringeFieldSwitching，F(xiàn)FS)型液晶顯示面板在顯示領(lǐng)域中越來(lái)越普遍。通常，在具有橫向電場(chǎng)的廣視角液晶顯示面板中，在液晶顯示面板的陣列基板上形成有公共電極與像素電極，所述公共電極與像素電極共同產(chǎn)生大致平行于陣列基板表面的電場(chǎng)以旋轉(zhuǎn)液晶分子，從而顯示畫(huà)面。作為近代市場(chǎng)的趨勢(shì)，液晶顯示面板的解析度被要求越來(lái)越高。然而，隨著液晶顯示面板的解析度越來(lái)越高，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板很難滿足高解析度所要求的越來(lái)越快的響應(yīng)速度。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于此，有必要提供一種陣列基板。所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線、公共電極以及降阻層。所述降阻層與所述公共電極電性連接，且所述降阻層的位置正對(duì)所述數(shù)據(jù)線。所述降阻層的材質(zhì)為金屬。還有必要提供一種液晶顯示面板。該液晶顯示面板包括對(duì)向基板、液晶層以及所述陣列基板。所述液晶層設(shè)置在所述陣列基板與對(duì)向基板之間。與現(xiàn)有技術(shù)相對(duì)比，本發(fā)明所提供的陣列基板及液晶顯示面板能夠有效的降低陣列基板中公共電極的電阻，進(jìn)而加快液晶顯示面板的響應(yīng)速度。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式的液晶顯示面板的示意圖。圖2a是本發(fā)明第一實(shí)施方式的陣列基板的俯視圖。圖2b是圖2a中沿II-II切割線所做的剖視圖。圖3a是本發(fā)明第二實(shí)施方式的陣列基板的俯視圖。圖3b是圖3a中沿III-III切割線所做的剖視圖。圖4a是本發(fā)明第三實(shí)施方式的陣列基板的俯視圖。圖4b是圖4a中沿IV-IV切割線所做的剖視圖。圖5是制作本發(fā)明第一實(shí)施方式的陣列基板的流程圖。圖6-圖9是圖5中各步驟的分解示意圖。圖10是制作本發(fā)明第二實(shí)施方式的陣列基板的流程圖。圖11是圖10中步驟S305的示意圖。圖12是制作本發(fā)明第三實(shí)施方式的陣列基板的流程圖。圖13-圖17是圖12中各步驟的分解示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明液晶顯示面板1陣列基板10、20、30對(duì)向基板11液晶層12基板101、201、301柵極102、202、302柵極線103、203、303源極104、204、304漏極105、205、305通道106、206、306數(shù)據(jù)線107、207、307通孔161、261、361公共電極孔162、262、362柵極絕緣層171、271、371數(shù)據(jù)絕緣層172、272、372第一平坦層173、273、373第二平坦層174、274、374降阻平坦層375第一公共電極181、281、381第二公共電極182、282、382降阻層383延伸部284開(kāi)口285延伸橋286像素電極191、291、391像素區(qū)域P如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的液晶顯示面板1包括陣列基板10、對(duì)向基板11以及液晶層12。所述液晶層12設(shè)置在所述陣列基板10與對(duì)向基板11之間。在本實(shí)施方式中，所述陣列基板10為薄膜晶體管陣列基板，所述對(duì)向基板11為彩色濾光片基板。請(qǐng)參閱圖2a與圖2b，本發(fā)明第一實(shí)施方式所提供的陣列基板10包括多條柵極線103與多條數(shù)據(jù)線107，所述多條柵極線103與多條數(shù)據(jù)線107相交以定義出多個(gè)像素區(qū)域P。每一像素區(qū)域P均至少包括一柵極102、一源極104、一漏極105、一通道106以及一像素電極191。所述陣列基板10還包括基板101、柵極絕緣層171、數(shù)據(jù)絕緣層172、第一公共電極181、第一平坦層173、第二平坦層174以及第二公共電極182。所述柵極102設(shè)置在所述基板101上。所述柵極絕緣層171設(shè)置在所述基板101上并覆蓋所述柵極102。所述通道106設(shè)置在所述柵極絕緣層171上正對(duì)所述柵極102的位置。所述源極104與漏極105設(shè)置在所述柵極絕緣層171上且分別覆蓋所述通道106的兩端。所述數(shù)據(jù)線107設(shè)置在所述柵極絕緣層171上。所述數(shù)據(jù)絕緣層172覆蓋所述柵極絕緣層172、源極104、漏極105、通道106以及數(shù)據(jù)線107。所述第一公共電極181設(shè)置在所述數(shù)據(jù)絕緣層172上。所述第一平坦層173設(shè)置在所述公共電極181上。所述第一平坦層173上開(kāi)設(shè)有一通孔161。所述像素電極191通過(guò)所述通孔161與所述漏極105電性連接。所述第二平坦層174覆蓋所述第一平坦層173與像素電極191。所述第一平坦層173與第二平坦層174對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線107的位置開(kāi)設(shè)有一貫穿所述第一平坦層173與第二平坦層174的公共電極孔162。所述第二公共電極182設(shè)置在所述第二平坦層174上對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線107的位置，并通過(guò)所述公共電極孔162與所述第一公共電極181電性連接。在本實(shí)施方式中，所述基板101的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述柵極102、柵極線103、源極104、漏極105以及數(shù)據(jù)線107的材質(zhì)選自金屬，例如鋁、鈦、鉬、鉭、銅等。所述通道106的材質(zhì)選自半導(dǎo)體，例如金屬氧化物、非晶硅或多晶硅等。所述柵極絕緣層171、數(shù)據(jù)絕緣層172、第一平坦層173及第二平坦層174的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述像素電極191的材質(zhì)選自透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。在本實(shí)施方式中，所述第一公共電極181的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。在本實(shí)施方式中，所述第二公共電極182的材質(zhì)選自金屬。由此，本發(fā)明第一實(shí)施方式中的陣列基板10通過(guò)與第一公共電極181電性連接的第二公共電極182，有效的降低的第一公共電極181的電阻。同時(shí)，由于該第二公共電極182的位置對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線107設(shè)置，位于相鄰兩個(gè)像素電極191之間，能夠防止相鄰像素電極191之間的電場(chǎng)干擾。此外，該第二公共電極182還能夠增加該像素電極191與該第一公共電極181及第二公共電極182之間的儲(chǔ)存電容的總量。請(qǐng)參閱圖3a與圖3b，本發(fā)明第二實(shí)施方式所提供的陣列基板20包括多條柵極線203與多條數(shù)據(jù)線207，所述多條柵極線203與多條數(shù)據(jù)線207相交以定義出多個(gè)像素區(qū)域P。每一像素區(qū)域P均至少包括一柵極202、一源極204、一漏極205、一通道206、一像素電極291以及一延伸部284。所述陣列基板20還包括基板201、柵極絕緣層271、數(shù)據(jù)絕緣層272、第一公共電極281、第一平坦層273、第二平坦層274以及第二公共電極282。所述柵極202設(shè)置在所述基板201上。所述柵極絕緣層271設(shè)置在所述基板201上并覆蓋所述柵極202。所述通道206設(shè)置在所述柵極絕緣層271上正對(duì)所述柵極202的位置。所述源極204與漏極205設(shè)置在所述柵極絕緣層271上且分別覆蓋所述通道206的兩端。所述數(shù)據(jù)線207設(shè)置在所述柵極絕緣層271上。所述數(shù)據(jù)絕緣層272覆蓋所述柵極絕緣層272、源極204、漏極205、通道206以及數(shù)據(jù)線207。所述第一公共電極281設(shè)置在所述數(shù)據(jù)絕緣層272上。所述第一平坦層273設(shè)置在所述公共電極281上。所述第一平坦層273上開(kāi)設(shè)有一通孔261。所述像素電極291通過(guò)所述通孔261與所述漏極205電性連接。所述第二平坦層274覆蓋所述第一平坦層273與像素電極291。所述第一平坦層273與第二平坦層274對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線207的位置開(kāi)設(shè)有一貫穿所述第一平坦層273與第二平坦層274的公共電極孔262。所述第二公共電極282設(shè)置在所述第二平坦層274上對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線207的位置，并通過(guò)所述公共電極孔262與所述第一公共電極281電性連接。所述延伸部284由一第二公共電極282延伸至所述像素電極291的上方直至與所述第二公共電極282相鄰的另一第二公共電極282相連接。對(duì)應(yīng)每一像素區(qū)域P的所述延伸部284包括兩個(gè)開(kāi)口285。所述兩個(gè)開(kāi)口285之間的延伸部284定義一延伸橋286，在垂直于所述陣列基板20的方向上，所述延伸橋286的投影投射在所述像素電極291上。在本實(shí)施方式中，所述基板201的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述柵極202、柵極線203、源極204、漏極205以及數(shù)據(jù)線207的材質(zhì)選自金屬，例如鋁、鈦、鉬、鉭、銅等。所述通道206的材質(zhì)選自半導(dǎo)體，例如金屬氧化物、非晶硅或多晶硅等。所述柵極絕緣層271、數(shù)據(jù)絕緣層272、第一平坦層273及第二平坦層274的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述像素電極291的材質(zhì)選自透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。在本實(shí)施方式中，所述第一公共電極281、所述第二公共電極282、所述延伸部284以及所述延伸橋286的材質(zhì)均為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。由此，本發(fā)明第二實(shí)施方式中的陣列基板20通過(guò)與第一公共電極281電性連接的第二公共電極282，有效的降低的第一公共電極281的電阻。同時(shí)，由于該第二公共電極282的位置對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線207設(shè)置，位于相鄰兩個(gè)像素電極291之間，能夠防止相鄰像素電極291之間的電場(chǎng)干擾。此外，該第二公共電極282還能夠增加該像素電極291與該第一公共電極281及第二公共電極282之間的儲(chǔ)存電容的總量。相較于本發(fā)明第一實(shí)施方式，該延伸部284的設(shè)計(jì)能夠進(jìn)一步降低第一公共電極281的電阻，并進(jìn)一步增加儲(chǔ)存電容的總量。請(qǐng)參閱圖4a與圖4b，本發(fā)明第三實(shí)施方式所提供的陣列基板30包括多條柵極線303與多條數(shù)據(jù)線307，所述多條柵極線303與多條數(shù)據(jù)線307相交以定義出多個(gè)像素區(qū)域P。每一像素區(qū)域P均至少包括一柵極302、一源極304、一漏極305、一通道306以及一像素電極391。所述陣列基板30還包括基板301、柵極絕緣層371、數(shù)據(jù)絕緣層372、降阻層383、降阻平坦層375、第一公共電極381、第一平坦層373、第二平坦層374以及第二公共電極382。所述柵極302設(shè)置在所述基板301上。所述柵極絕緣層371設(shè)置在所述基板301上并覆蓋所述柵極302。所述通道306設(shè)置在所述柵極絕緣層371上正對(duì)所述柵極302的位置。所述源極304與漏極305設(shè)置在所述柵極絕緣層371上且分別覆蓋所述通道306的兩端。所述數(shù)據(jù)線307設(shè)置在所述柵極絕緣層371上。所述數(shù)據(jù)絕緣層372覆蓋所述柵極絕緣層372、源極304、漏極305、通道306以及數(shù)據(jù)線307。所述降阻層383設(shè)置在所述數(shù)據(jù)絕緣層372上，且所述降阻層383的位置正對(duì)所述數(shù)據(jù)線307。所述降阻平坦層375設(shè)置在相鄰的所述降阻層383之間。所述公共電極設(shè)置在所述降阻平坦層375與所述降阻層383上并與所述降阻層383電性連接。所述第一平坦層373設(shè)置在所述公共電極381上。所述第一平坦層373上開(kāi)設(shè)有一通孔361。所述像素電極391通過(guò)所述通孔361與所述漏極305電性連接。所述第二平坦層374覆蓋所述第一平坦層373與像素電極391。所述第一平坦層373與第二平坦層374對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線307的位置開(kāi)設(shè)有一貫穿所述第一平坦層373與第二平坦層374的公共電極孔362。所述第二公共電極382設(shè)置在所述第二平坦層374上對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線307的位置，并通過(guò)所述公共電極孔162與所述第一公共電極381電性連接。在垂直于所述陣列基板30的方向上，所述第二公共電極382的投影投射在所述降阻層383上。在本實(shí)施方式中，所述基板301的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述柵極302、柵極線303、源極304、漏極305以及數(shù)據(jù)線307的材質(zhì)選自金屬，例如鋁、鈦、鉬、鉭、銅等。所述通道306的材質(zhì)選自半導(dǎo)體，例如金屬氧化物、非晶硅或多晶硅等。所述柵極絕緣層371、數(shù)據(jù)絕緣層372、第一平坦層373及第二平坦層374的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述像素電極391的材質(zhì)選自透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。在本實(shí)施方式中，所述第一公共電極381的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。在本實(shí)施方式中，所述降阻層383的材質(zhì)選自金屬。在本實(shí)施方式中，所述第二公共電極382的材質(zhì)可以是透明導(dǎo)電材料，也可以是金屬。由此，本發(fā)明第三實(shí)施方式中的陣列基板30通過(guò)與第一公共電極381電性連接的降阻層383與第二公共電極382，有效的降低的第一公共電極381的電阻。同時(shí)，由于該第二公共電極382的位置對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線307設(shè)置，位于相鄰兩個(gè)像素電極391之間，能夠防止相鄰像素電極391之間的電場(chǎng)干擾，且該降阻層383與第二公共電極382對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線307設(shè)置也不會(huì)降低陣列基板30的開(kāi)口率。此外，該第二公共電極382還能夠增加該像素電極391與該第一公共電極381及第二公共電極382之間的儲(chǔ)存電容的總量。相較于本發(fā)明第一實(shí)施方式，該降阻層383的設(shè)計(jì)能夠進(jìn)一步降低第一公共電極381的電阻。請(qǐng)參閱圖5，為本發(fā)明第一實(shí)施方式所提供的陣列基板10制作方法的流程圖。所應(yīng)說(shuō)明的是，本發(fā)明第一實(shí)施方式所提供的陣列基板10制作方法并不受限于下述步驟的順序，且在其他實(shí)施方式中，本發(fā)明第一實(shí)施方式所提供的陣列基板10制作方法可以只包括以下所述步驟的其中一部分，或者其中的部分步驟可以被刪除。下面結(jié)合圖5各流程步驟的說(shuō)明對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施方式所提供的陣列基板10制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。步驟S201，請(qǐng)參閱圖6，提供基板101、柵極102、柵極線103、柵極絕緣層171、通道106、源極104、漏極105以及數(shù)據(jù)線107。其中，所述柵極102設(shè)置在所述基板101上。所述柵極絕緣層171設(shè)置在所述基板101上并覆蓋所述柵極102與柵極線103。所述通道106設(shè)置在所述柵極絕緣層171上正對(duì)所述柵極102的位置。所述源極104與漏極105設(shè)置在所述柵極絕緣層171上且分別覆蓋所述通道106的兩端。所述數(shù)據(jù)線107設(shè)置在所述柵極絕緣層171上。具體地，首先提供基板101，并在所述基板101上形成一金屬層，對(duì)該金屬層進(jìn)行圖案化，以形成所述柵極102與柵極線103。接著，在所述基板101上形成覆蓋所述柵極102與柵極線103的柵極絕緣層171。之后，在所述柵極絕緣層171上形成一半導(dǎo)體層，并對(duì)該半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，以形成所述通道106。然后，在所述柵極絕緣層171與通道106上形成一金屬層，對(duì)該金屬層進(jìn)行圖案化，以形成所述源極104、漏極105以及數(shù)據(jù)線107。在本實(shí)施方式中，所述基板101的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述柵極102、柵極線103、源極104、漏極105以及數(shù)據(jù)線107的材質(zhì)選自金屬，例如鋁、鈦、鉬、鉭、銅等。所述通道106的材質(zhì)選自半導(dǎo)體，例如金屬氧化物、非晶硅或多晶硅等。所述柵極絕緣層171的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。步驟S202，請(qǐng)參閱圖7，提供數(shù)據(jù)絕緣層172以及覆蓋所述數(shù)據(jù)絕緣層172的第一公共電極181。其中，所述數(shù)據(jù)絕緣層172覆蓋所述柵極絕緣層172、源極104、漏極105、通道106以及數(shù)據(jù)線107。所述第一公共電極181設(shè)置在所述數(shù)據(jù)絕緣層172上。在本實(shí)施方式中，所述數(shù)據(jù)絕緣層172的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述第一公共電極181的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。步驟S203，請(qǐng)參閱圖8，提供第一平坦層173以及像素電極191，所述像素電極191通過(guò)開(kāi)設(shè)在所述第一平坦層173上的通孔161與所述漏極105電性連接。具體地，首先在所述第一公共電極181上形成第一平坦層173，并在所述第一平坦層173對(duì)應(yīng)所述漏極105的位置開(kāi)設(shè)通孔161，之后在所述第一平坦層173上形成透明導(dǎo)電層，并圖案化該透明導(dǎo)電層以形成所述像素電極191。在本實(shí)施方式中，所述第一平坦層173的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述像素電極191的材質(zhì)選自透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。步驟S204，請(qǐng)參閱圖9，在所述第一平坦層173與像素電極191上形成第二平坦層174，并在所述第二平坦層174上形成第二公共電極182，所述第二公共電極182通過(guò)開(kāi)設(shè)在所述第一平坦層173與第二平坦層174上的公共電極孔162與所述第一公共電極181電性連接。具體地，首先在所述第一平坦層173與像素電極191上形成第二平坦層174，并在所述第一平坦層173與第二平坦層174對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線107的位置開(kāi)設(shè)公共電極孔162，之后在所述第二平坦層174上形成金屬層，并圖案化該金屬層以形成所述第二公共電極182。在本實(shí)施方式中，所述第二平坦層174的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述第二公共電極182的材質(zhì)選自金屬。請(qǐng)參閱圖10，為本發(fā)明第二實(shí)施方式所提供的陣列基板20制作方法的流程圖。本發(fā)明第二實(shí)施方式所提供的陣列基板20制作方法中的步驟S301至S303與本發(fā)明第一實(shí)施方式所提供的陣列基板10制作方法中的步驟S201至S203基本相同，在此不再贅述，僅對(duì)與步驟S204不同的步驟S304做相關(guān)的介紹。步驟S304，請(qǐng)參閱圖11，在所述第一平坦層273與像素電極291上形成第二平坦層274，并在所述第二平坦層274上形成第二公共電極282以及連接相鄰兩個(gè)第二公共電極282的延伸部284，所述第二公共電極282通過(guò)開(kāi)設(shè)在所述第一平坦層273與第二平坦層274上的公共電極孔262與所述第一公共電極281電性連接。對(duì)應(yīng)每一像素區(qū)域P的所述延伸部284包括兩個(gè)開(kāi)口285。所述兩個(gè)開(kāi)口285之間的延伸部284定義一延伸橋286，所述延伸橋286的位置正對(duì)所述像素電極291。具體地，首先在所述第一平坦層273與像素電極291上形成第二平坦層274，并在所述第一平坦層273與第二平坦層274對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線207的位置開(kāi)設(shè)公共電極孔262，之后在所述第二平坦層274上形成金屬層，并圖案化該金屬層以形成所述第二公共電極282、延伸部284以及延伸橋286。在本實(shí)施方式中，所述第二平坦層274的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述第二公共電極282、所述延伸部284以及所述延伸橋286的材質(zhì)均為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。請(qǐng)參閱圖12，為本發(fā)明第三實(shí)施方式所提供的陣列基板30制作方法的流程圖。所應(yīng)說(shuō)明的是，本發(fā)明第三實(shí)施方式所提供的陣列基板30制作方法并不受限于下述步驟的順序，且在其他實(shí)施方式中，本發(fā)明第三實(shí)施方式所提供的陣列基板30制作方法可以只包括以下所述步驟的其中一部分，或者其中的部分步驟可以被刪除。下面結(jié)合圖12各流程步驟的說(shuō)明對(duì)本發(fā)明第三實(shí)施方式所提供的陣列基板30制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。步驟S401，請(qǐng)參閱圖13，提供基板301、柵極302、柵極線303、柵極絕緣層371、通道306、源極304、漏極305以及數(shù)據(jù)線307。其中，所述柵極302設(shè)置在所述基板301上。所述柵極絕緣層371設(shè)置在所述基板301上并覆蓋所述柵極302與柵極線303。所述通道306設(shè)置在所述柵極絕緣層371上正對(duì)所述柵極302的位置。所述源極304與漏極305設(shè)置在所述柵極絕緣層371上且分別覆蓋所述通道306的兩端。所述數(shù)據(jù)線307設(shè)置在所述柵極絕緣層371上。具體地，首先提供基板301，并在所述基板301上形成一金屬層，對(duì)該金屬層進(jìn)行圖案化，以形成所述柵極302與柵極線303。接著，在所述基板301上形成覆蓋所述柵極302與柵極線303的柵極絕緣層371。之后，在所述柵極絕緣層371上形成一半導(dǎo)體層，并對(duì)該半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，以形成所述通道306。然后，在所述柵極絕緣層371與通道306上形成一金屬層，對(duì)該金屬層進(jìn)行圖案化，以形成所述源極304、漏極305以及數(shù)據(jù)線307。在本實(shí)施方式中，所述基板301的材質(zhì)選自透明基材，例如玻璃、石英或有機(jī)聚合物等。所述柵極302、柵極線303、源極304、漏極305以及數(shù)據(jù)線307的材質(zhì)選自金屬，例如鋁、鈦、鉬、鉭、銅等。所述通道306的材質(zhì)選自半導(dǎo)體，例如金屬氧化物、非晶硅或多晶硅等。所述柵極絕緣層371的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。步驟S402，請(qǐng)參閱圖14，提供數(shù)據(jù)絕緣層372以及形成在所述數(shù)據(jù)絕緣層172上的降阻層383與降阻平坦層375，所述降阻層383的正對(duì)所述數(shù)據(jù)線307的位置，所述降阻平坦層375位于相鄰的所述降阻層383之間。其中，所述數(shù)據(jù)絕緣層372覆蓋所述柵極絕緣層372、源極304、漏極305、通道306以及數(shù)據(jù)線307。所述降阻層383與降阻平坦層375形成在所述數(shù)據(jù)絕緣層372上。具體地，首先在所述柵極絕緣層372上形成覆蓋所述源極304、漏極305、通道306以及數(shù)據(jù)線307的數(shù)據(jù)絕緣層372。接著，在所述數(shù)據(jù)絕緣層372上形成一金屬層，并圖案化所述金屬層以在對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線307的位置形成降阻層383。之后，在所述數(shù)據(jù)絕緣層372與降阻層383上形成一絕緣層，并圖案化所述絕緣層以在對(duì)應(yīng)相鄰的所述降阻層383之間的位置形成降阻平坦層375。在本實(shí)施方式中，所述數(shù)據(jù)絕緣層372與降阻平坦層375的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述降阻層383的材質(zhì)選自金屬。步驟S403，請(qǐng)參閱圖15，提供覆蓋所述降阻層383與降阻平坦層375并與所述降阻層383電性連接的第一公共電極381。所述第一公共電極381設(shè)置在所述降阻層383與降阻平坦層375上。在本實(shí)施方式中，所述第一公共電極381的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。步驟S404，請(qǐng)參閱圖16，提供第一平坦層373以及像素電極391，所述像素電極391通過(guò)開(kāi)設(shè)在所述第一平坦層373上的通孔361與所述漏極305電性連接。具體地，首先在所述第一公共電極381上形成第一平坦層373，并在所述第一平坦層373對(duì)應(yīng)所述漏極305的位置開(kāi)設(shè)通孔361，之后在所述第一平坦層373上形成透明導(dǎo)電層，并圖案化該透明導(dǎo)電層以形成所述像素電極391。在本實(shí)施方式中，所述第一平坦層373的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述像素電極391的材質(zhì)選自透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。步驟S405，請(qǐng)參閱圖17，在所述第一平坦層373與像素電極391上形成第二平坦層374，并在所述第二平坦層374上形成第二公共電極382，所述第二公共電極382通過(guò)開(kāi)設(shè)在所述第一平坦層373與第二平坦層374上的公共電極孔362與所述第一公共電極381電性連接。具體地，首先在所述第一平坦層373與像素電極391上形成第二平坦層374，并在所述第一平坦層373與第二平坦層374對(duì)應(yīng)所述數(shù)據(jù)線307的位置開(kāi)設(shè)公共電極孔362，之后在所述第二平坦層374上形成金屬層，并圖案化該金屬層以形成所述第二公共電極382。在本實(shí)施方式中，所述第二平坦層374的材質(zhì)選自透明絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述第二公共電極382的材質(zhì)選自金屬。以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，圖示中出現(xiàn)的上、下、左及右方向僅為了方便理解，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3