本發(fā)明屬于液晶顯示控制技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，尤其涉及一種LTPS顯示面板及外圍電路和測(cè)試方法。

背景技術(shù)：

為了防止面板內(nèi)部積累過(guò)多的靜電導(dǎo)致線路損壞，傳統(tǒng)的LTPS(Low temperature poly-silicon，低溫多晶硅)顯示面板往往都設(shè)置有靜電ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)。

LTPS顯示面板產(chǎn)生靜電的過(guò)程主要集中在陣列基板干刻蝕制程上。因此，在面板設(shè)計(jì)時(shí)，都會(huì)在每一根數(shù)據(jù)線尾端設(shè)計(jì)有ESD結(jié)構(gòu)，以防護(hù)陣列基板制程中產(chǎn)生的靜電。陣列基板制程完成后，外圍ESD結(jié)構(gòu)依然存于面板的尾端，會(huì)占據(jù)邊框內(nèi)部空間，不利于顯示面板窄邊框設(shè)計(jì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種LTPS顯示面板及外圍電路和測(cè)試方法，用于節(jié)省面板外圍空間，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品窄邊框設(shè)計(jì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種LTPS顯示面板外圍電路，包括：

在每條數(shù)據(jù)線的尾端設(shè)置一N型晶體管和一P型晶體管，所述N型晶體管和所述P型晶體管的源漏極對(duì)應(yīng)連接，

其中，所述N型晶體管和所述P型晶體管的源漏極對(duì)應(yīng)連接的一端連接數(shù)據(jù)線，另一端連接信號(hào)傳輸線，所述N型晶體管的柵極和所述P型晶體管的柵極分別連接對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)線，所述信號(hào)傳輸線和所述控制信號(hào)線短接地線。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述信號(hào)傳輸線和所述控制信號(hào)線與地線之間設(shè)置有切割線，用以按照所述切割線切斷所述信號(hào)傳輸線和所述控制信號(hào)線與地線之間的連接。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，

所述信號(hào)傳輸線包括三條，其中，第一條與驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，第二條與驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，第三條與驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，

所述控制信號(hào)線包括兩條，其中，第一條與所述電路中所有的P型晶體管的柵極連接，第二條與所述電路中所有的N型晶體管的柵極連接。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，

所述信號(hào)傳輸線包括兩條，其中，第一條分別與一個(gè)像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅綠藍(lán)三色像素的三條數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，第二條分別與相鄰一個(gè)像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅綠藍(lán)三色像素的三條數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，

所述控制信號(hào)線包括六條，其中，第一條與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第二條與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接，第三條與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第四條與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接，第五條與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第六條與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述N型晶體管和所述P型晶體管為薄膜晶體管。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種采用以上所述電路的LTPS顯示面板，其特征在于，所述面板中相同顏色像素縱向同列排布，橫向間隔兩列其他顏色像素排布。

根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，還提供了一種用于以上所述顯示面板的測(cè)試方法，包括：

切斷信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線與地線之間的連接；

通過(guò)控制信號(hào)線輸出控制信號(hào)，以控制所有的P型晶體管和所有的N型晶體管開(kāi)啟；

通過(guò)信號(hào)傳輸線輸出測(cè)試信號(hào)來(lái)對(duì)面板進(jìn)行測(cè)試。

根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種用于以上所述顯示面板的測(cè)試方法，包括：

切斷信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線與地線之間的連接；

通過(guò)控制信號(hào)線輸出控制信號(hào)，以控制所有的P型晶體管和所有的N型晶體管關(guān)閉；

通過(guò)數(shù)據(jù)線輸出測(cè)試信號(hào)來(lái)對(duì)面板進(jìn)行測(cè)試。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明將Cell測(cè)試結(jié)構(gòu)與ESD結(jié)構(gòu)合并在一起，在陣列基板制程階段，該合并的結(jié)構(gòu)作為ESD靜電防護(hù)裝置，起到保護(hù)線路的作用；在面板Cell點(diǎn)燈階段，該合并的結(jié)構(gòu)又能起到正常的測(cè)試功能，并且不影響面板后期模組正常顯示。這樣合并的結(jié)構(gòu)能有效節(jié)省面板外圍空間，實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種LTPS面板電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1在Cell點(diǎn)燈階段的DE-Mux時(shí)序示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的LTPS面板電路設(shè)計(jì)電路圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的LTPS面板電路設(shè)計(jì)電路圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種傳統(tǒng)LTPS面板電路結(jié)構(gòu)示意圖，其外圍電路包括ESD結(jié)構(gòu)及測(cè)試電路。如圖1所示，ESD結(jié)構(gòu)通常設(shè)計(jì)在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)多路復(fù)用電路DE-mux的對(duì)側(cè)。在陣列基板制程階段，當(dāng)數(shù)據(jù)線上電位過(guò)高時(shí)，ESD結(jié)構(gòu)中上部分的P型晶體管P-TFT開(kāi)啟，將積累的正電荷導(dǎo)出；如果數(shù)據(jù)線上電位過(guò)低時(shí)，ESD結(jié)構(gòu)中下部分的N型晶體管N-TFT開(kāi)啟，將積累的負(fù)電荷導(dǎo)出。

在Cell點(diǎn)燈階段，不再有靜電積累，ESD結(jié)構(gòu)不再發(fā)揮作用，而DE-Mux開(kāi)始正常工作。DE-Mux通過(guò)奇數(shù)列數(shù)據(jù)線ODD、偶數(shù)列數(shù)據(jù)線EVEN輸出信號(hào)，來(lái)實(shí)現(xiàn)面板的正常顯示。如圖2所示為傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中Cell點(diǎn)燈階段DE-Mux的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。在面板正常顯示時(shí)，CK01處于高電平期間，ckx01，ckx02，ckx03依次開(kāi)啟，控制RGB數(shù)據(jù)線輸出信號(hào)。在整個(gè)面板的外圍電路結(jié)構(gòu)中，用于Cell點(diǎn)燈測(cè)試的測(cè)試線路占據(jù)面板大部分空間，不利于面板的窄邊框設(shè)計(jì)。

為解決以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種新型的LTPS顯示面板外圍電路，將Cell測(cè)試結(jié)構(gòu)與ESD結(jié)構(gòu)合并在一起。在陣列基板制程階段，該合并的結(jié)構(gòu)作為ESD靜電防護(hù)裝置，起到保護(hù)線路的作用；在面板Cell點(diǎn)燈階段，該合并的結(jié)構(gòu)又能起到正常的測(cè)試功能，并且不影響面板后期模組正常顯示。這樣合并的結(jié)構(gòu)能有效節(jié)省面板外圍空間，實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)。

該LTPS顯示面板外圍電路包括在每條數(shù)據(jù)線的尾端設(shè)置一N型晶體管和一P型晶體管，N型晶體管和P型晶體管的源漏極對(duì)應(yīng)連接，如圖3和圖4所示的N型晶體管和P型晶體管連接結(jié)構(gòu)。其中，N型晶體管和P型晶體管的源漏極對(duì)應(yīng)連接的一端連接數(shù)據(jù)線，另一端連接信號(hào)傳輸線，N型晶體管的柵極和P型晶體管的柵極分別連接對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)線，信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線短接地線。

在陣列基板制程階段，當(dāng)數(shù)據(jù)線上的電位過(guò)高時(shí)，P型晶體管打開(kāi)，將數(shù)據(jù)線上積累的正電荷導(dǎo)入地線；當(dāng)數(shù)據(jù)線上的電位過(guò)低時(shí)，N型晶體管打開(kāi)，將數(shù)據(jù)線上積累的負(fù)電荷導(dǎo)入地線。在Cell點(diǎn)燈階段，斷開(kāi)信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線與地線之間的連接，通過(guò)控制信號(hào)線控制N型晶體管和P型晶體管的開(kāi)啟和關(guān)閉，通過(guò)信號(hào)傳輸線或DE-Mux輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，來(lái)對(duì)面板進(jìn)行測(cè)試。這樣，將Cell測(cè)試結(jié)構(gòu)與ESD結(jié)構(gòu)合并在一起，有效地節(jié)省了面板外圍空間，能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品的窄邊框設(shè)計(jì)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線與地線之間設(shè)置有切割線，用以按照該切割線切斷信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線與地線之間的連接。具體的，如圖3和圖4中的虛線Cut line。在Cell制程階段，通過(guò)切割或者磨邊制程，沿著切割線將信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線短接于地線之間的連接線去掉，從而斷開(kāi)各信號(hào)傳輸線和各控制信號(hào)線之間的連接。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該信號(hào)傳輸線包括三條，其中，第一條與驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，第二條與驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，第三條與驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接。具體的，如圖3所示，信號(hào)傳輸線CT-R與驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，信號(hào)傳輸線CT-G與驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，信號(hào)傳輸線CT-B與驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接。并且，通過(guò)設(shè)置3條信號(hào)傳輸線來(lái)分別向不同顏色的像素傳輸信號(hào)，可以對(duì)不同顏色的像素對(duì)應(yīng)線路連接分別進(jìn)行測(cè)試。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，控制信號(hào)線包括兩條，其中，第一條與電路中所有的P型晶體管的柵極連接，第二條與電路中所有的N型晶體管的柵極連接。具體的，如圖3所示，控制信號(hào)線xck-1與電路中所有的N型晶體管的柵極連接，用于控制所有N型晶體管的開(kāi)啟和關(guān)閉，控制信號(hào)線xck-2與電路中所有的P型晶體管的柵極連接，用于控制所有P型晶體管的開(kāi)啟和關(guān)閉。

在陣列基板制程中，如采用如圖3所示的外圍電路結(jié)構(gòu)，如果數(shù)據(jù)線電位過(guò)高時(shí)，右部分的P型晶體管開(kāi)啟，將正電荷導(dǎo)出。如果數(shù)據(jù)線電位過(guò)低時(shí)，左部分的N型晶體管開(kāi)啟，將負(fù)電荷導(dǎo)出。這樣就能起到ESD防護(hù)的效果。

在Cell制程階段，如采用如圖3所示的外圍電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)切割或者磨邊制程，沿Cut line將短接用的線直接去掉，使得信號(hào)傳輸線CT-R、CT-G、CT-B，和控制信號(hào)線xck-1、xck-2相互之間以及地線之間斷開(kāi)連接。在Cell點(diǎn)燈時(shí)，控制信號(hào)線xck-1、xck-2控制晶體管開(kāi)啟，通過(guò)CT-R、CT-G、CT-B向面板傳輸信號(hào)。在模組Module點(diǎn)燈時(shí)，控制信號(hào)線xck-1、xck-2控制晶體管關(guān)閉，通過(guò)Fanout線路與DE-Mux線路驅(qū)動(dòng)面板正常顯示。這樣，無(wú)需在面板外圍額外設(shè)計(jì)Cell測(cè)試結(jié)構(gòu)，將Cell測(cè)試結(jié)構(gòu)與尾端的ESD結(jié)構(gòu)結(jié)合，大大節(jié)省了面板的設(shè)計(jì)空間，有利于窄邊框設(shè)計(jì)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，信號(hào)傳輸線包括兩條，其中，第一條分別與一個(gè)像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅綠藍(lán)三色像素的三條數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，第二條分別與相鄰一個(gè)像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅綠藍(lán)三色像素的三條數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接。具體的，如圖4所示，第一條信號(hào)傳輸線CT-DO分別與左側(cè)像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅綠藍(lán)三色像素的三條數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接，第二條信號(hào)傳輸線CT-DE分別與右側(cè)像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅綠藍(lán)三色像素的三條數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管連接。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，控制信號(hào)線包括六條，其中，第一條與所有像素單元內(nèi)驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第二條與所有像素單元內(nèi)驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接，第三條與所有像素單元內(nèi)驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第四條與所有像素單元內(nèi)驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接，第五條與所有像素單元內(nèi)驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第六條與所有像素單元內(nèi)驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接。

具體的，如圖4所示，第一條控制信號(hào)線xck-1與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第二條控制信號(hào)線xck-2與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)紅像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接，第三條控制信號(hào)線xck-3與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第四條控制信號(hào)線xck-4與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)綠像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接，第五條控制信號(hào)線xck-5與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管的柵極連接，第六條控制信號(hào)線xck-6與所有像素單元內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)藍(lán)像素的數(shù)據(jù)線尾端的P型晶體管的柵極連接。這樣，通過(guò)設(shè)置六條信號(hào)控制線，并兩兩分為一組，共形成3組控制信號(hào)線。這3組控制信號(hào)線分別控制用于驅(qū)動(dòng)不同顏色像素的數(shù)據(jù)線尾端的N型晶體管和P型晶體管，可以控制實(shí)現(xiàn)不同顏色像素對(duì)應(yīng)線路的連接情況測(cè)試。

在陣列基板制程中，如采用如圖4所示的外圍電路結(jié)構(gòu)，如果數(shù)據(jù)線電位過(guò)高時(shí)，右部分的P型晶體管開(kāi)啟，將正電荷導(dǎo)出。如果數(shù)據(jù)線電位過(guò)低時(shí)，左部分的N型晶體管開(kāi)啟，將負(fù)電荷導(dǎo)出。這樣就能起到ESD防護(hù)的效果。

在Cell制程階段，如采用如圖4所示的外圍電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)切割或者磨邊制程，沿Cut line將短接用的線直接去掉，使得信號(hào)傳輸線CT-DO、CT-DE，和控制信號(hào)線xck-1、xck-2、xck-3，xck-4，xck-5，xck-6信號(hào)線相互之間以及地線之間斷開(kāi)連接。在Cell點(diǎn)燈時(shí)，控制信號(hào)線xck-1、xck-2、xck-3，xck-4，xck-5，xck-6控制晶體管開(kāi)啟，通過(guò)信號(hào)傳輸線CT-DO、CT-DE向面板傳輸信號(hào)。在Module點(diǎn)燈時(shí)，控制信號(hào)線xck-1、xck-2、xck-3，xck-4，xck-5，xck-6控制晶體管關(guān)閉，通過(guò)Fanout線路與DE-Mux線路驅(qū)動(dòng)面板正常顯示。這樣，無(wú)需在面板外圍額外設(shè)計(jì)Cell測(cè)試結(jié)構(gòu)，將Cell測(cè)試結(jié)構(gòu)與尾端的ESD結(jié)構(gòu)結(jié)合，大大節(jié)省了面板的設(shè)計(jì)空間，有利于窄邊框設(shè)計(jì)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，N型晶體管和P型晶體管為薄膜晶體管TFT。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種采用以上LTPS顯示面板外圍電路的LTPS顯示面板，該面板中相同顏色像素縱向同列排布，橫向間隔兩列其他顏色像素排布。像素排布如圖3和圖4所示。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種用于以上LTPS顯示面板的測(cè)試方法，包括：切斷信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線與地線之間的連接；通過(guò)控制信號(hào)線輸出控制信號(hào)，以控制所有的P型晶體管和所有的N型晶體管開(kāi)啟；通過(guò)信號(hào)傳輸線輸出測(cè)試信號(hào)來(lái)對(duì)面板進(jìn)行測(cè)試。

根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，還提供了另一種用于以上LTPS顯示面板的測(cè)試方法，包括：切斷信號(hào)傳輸線和控制信號(hào)線與地線之間的連接；通過(guò)控制信號(hào)線輸出控制信號(hào)，以控制所有的P型晶體管和所有的N型晶體管關(guān)閉；通過(guò)數(shù)據(jù)線輸出測(cè)試信號(hào)來(lái)對(duì)面板進(jìn)行測(cè)試。

雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。