本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示器的迅速發(fā)展，人們對液晶顯示器的性能要求越來越高。其中，響應時間為衡量液晶顯示器性能的一個重要指標。

響應時間是指液晶顯示器各像素點對輸入信號反應的速度，此值越小，液晶顯示器的性能越優(yōu)。如果響應時間過長，液晶顯示器在顯示動態(tài)圖像時，就會有尾影拖曳的現(xiàn)象，從而造成畫面質(zhì)量較差。

故，有必要提供一種像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置，以解決現(xiàn)有的液晶顯示面器由于響應時間較長，從而影響液晶顯示面器的顯示質(zhì)量的技術(shù)問題。

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包括：

多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及所述掃描線與數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個所述像素單元包括主區(qū)以及子區(qū)；

所述主區(qū)包括第一薄膜晶體管、第一存儲電容以及第一液晶電容，所述第一薄膜晶體管的柵極與相應的所述掃描線連接，所述第一薄膜晶體管的源極與相應的所述數(shù)據(jù)線連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一存儲電容以及所述第一液晶電容連接；

所述子區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二存儲電容以及第二液晶電容，所述第二薄膜晶體管的柵極與相應的所述掃描線連接，所述第二薄膜晶體管的源極與相應的所述數(shù)據(jù)線連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲電容以及所述第二液晶電容連接；其中，

所述第一存儲電容與所述第一液晶電容的比值以及所述第二存儲電容與所述第一液晶電容的比值均介于1.0-1.5之間。

在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共線，所述子區(qū)還包括第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的柵極與相應的所述掃描線連接，所述第三薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接，所述第三薄膜晶體管的漏極與所述公共線連接，其中，所述第三薄膜晶體管的導電溝道的長寬比值介于3.0-4.0之間。

在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極，所述主區(qū)包括主區(qū)像素電極，所述主區(qū)像素電極與所述公共電極相互正對以形成所述第一液晶電容，所述主區(qū)像素電極與所述公共線相互正對以形成所述第一存儲電容。

在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，所述子區(qū)包括子區(qū)像素電極，所述子區(qū)像素電極與所述公共電極相互正對以形成所述第二液晶電容，所述子區(qū)像素電極與所述公共線相互正對以形成所述第二存儲電容。

在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，所述像素單元為紅色像素單元、綠色像素單元或藍色像素單元。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置，包括像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括：

多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及所述掃描線與數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個所述像素單元包括主區(qū)以及子區(qū)；

所述主區(qū)包括第一薄膜晶體管、第一存儲電容以及第一液晶電容，所述第一薄膜晶體管的柵極與相應的所述掃描線連接，所述第一薄膜晶體管的源極與相應的所述數(shù)據(jù)線連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一存儲電容以及所述第一液晶電容連接；

所述子區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二存儲電容以及第二液晶電容，所述第二薄膜晶體管的柵極與相應的所述掃描線連接，所述第二薄膜晶體管的源極與相應的所述數(shù)據(jù)線連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲電容以及所述第二液晶電容連接；其中，

所述第一存儲電容與所述第一液晶電容的比值以及所述第二存儲電容與所述第一液晶電容的比值均介于1.0-1.5之間。

在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共線，所述子區(qū)還包括第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的柵極與相應的所述掃描線連接，所述第三薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接，所述第三薄膜晶體管的漏極與所述公共線連接，其中，所述第三薄膜晶體管的導電溝道的長寬比值介于3.0-4.0之間。

在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極，所述主區(qū)包括主區(qū)像素電極，所述主區(qū)像素電極與所述公共電極相互正對以形成所述第一液晶電容，所述主區(qū)像素電極與所述公共線相互正對以形成所述第一存儲電容。

在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，所述子區(qū)包括子區(qū)像素電極，所述子區(qū)像素電極與所述公共電極相互正對以形成所述第二液晶電容，所述子區(qū)像素電極與所述公共線相互正對以形成所述第二存儲電容。

在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，所述像素單元為紅色像素單元、綠色像素單元或藍色像素單元。

本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置將位于主區(qū)的第一存儲電容與第一液晶電容的比值以及位于子區(qū)的第二存儲電容與第二液晶電容的比值設(shè)定在1.0-1.5之間，從而減小液晶顯示裝置的響應時間，進而提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明圖1所示實施例中的像素結(jié)構(gòu)的像素單元的電路結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

參閱圖1、圖2，圖1為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明圖1所示實施例中的像素結(jié)構(gòu)的像素單元的電路結(jié)構(gòu)圖。

在本實施例中，該像素結(jié)構(gòu)包括多條掃描線G1、G2、G3、G4、……G(n-1)、G(n)、多條數(shù)據(jù)線D1、D2、D3、D4、……D(n-1)、D(n)以及掃描線G1、G2、G3、G4、……G(n-1)、G(n)與數(shù)據(jù)線D1、D2、D3、D4、……D(n-1)、D(n)限定的多個像素單元101。該像素單元101可以是紅色像素單元、綠色像素單元或藍色像素單元，在該像素結(jié)構(gòu)中，一個紅色像素單元、一個綠色像素單元以及一個藍色像素單元為一個像素。

每一個像素單元101包括主區(qū)1011以及子區(qū)1012，其中，主區(qū)1011包括第一薄膜晶體管T1、第一存儲電容C12以及第一液晶電容C11，該第一薄膜晶體管T1的柵極與相應的掃描線G(n)連接，該第一薄膜晶體管T1的源極與相應的數(shù)據(jù)線D(n)連接，該第一薄膜晶體管T1的漏極與第一存儲電容C12以及第一液晶電容連接C11；子區(qū)1012包括第二薄膜晶體管T2、第二存儲電容C22以及第二液晶電容C21，該第二薄膜晶體管T2的柵極與相應的掃描線G(n)連接，該二薄膜晶體管T2的源極與相應的數(shù)據(jù)線D(n)連接，該第二薄膜晶體管T2的漏極與第二存儲電容C22以及第二液晶電容C21連接。

該像素結(jié)構(gòu)還包括位于陣列基板上的公共線AR_COM以及位于彩膜基板上的公共電極CF_COM。該主區(qū)包括主區(qū)像素電極201，該子區(qū)包括子區(qū)像素電極202。

其中，該第一液晶電容C11的一端與該主區(qū)像素電極201連接，該第一液晶電容C11的另一端與公共電極CF_COM連接，該第一液晶電容C11為主區(qū)像素電極201與公共電極CF_COM相互正對形成；該第一存儲電容C12的一端與該主區(qū)像素電極201連接，該第一存儲電容C12的另一端與公共線AR_COM連接，該第一存儲電容C12為主區(qū)像素電極201與公共線AR_COM相互正對形成。

該第二液晶電容C21的一端與該子區(qū)像素電極202連接，該第二液晶電容C21的另一端與公共電極CF_COM連接，該第二液晶電容C21為子區(qū)像素電極202與公共電極CF_COM相互正對形成；該第二存儲電容C22的一端與該子區(qū)像素電極202連接，該第二存儲電容C22的另一端與公共線AR_COM連接，該第二存儲電容C22為子區(qū)像素電極202與公共線AR_COM相互正對形成。

在本優(yōu)選實施例中，通過改變第一存儲電容C12與第一液晶電容C11的比值以及第二存儲電容C22與第二液晶電容C21的比值，從而達到降低液晶顯示裝置響應時間的效果，提高了液晶的反應速度，從而提升液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。

當該第一存儲電容C12與第一液晶電容C11的比值介于1.0-1.5之間以及該第二存儲電容C22與第二液晶電容C21的比值介于1.0-1.5之間時，液晶顯示裝置的響應時間較小。

進一步的，該子區(qū)1012還包括第三薄膜晶體管T3，該第三薄膜晶體管T3的柵極與相應的掃描線G(n)連接，該第三薄膜晶體管T3的源極與該第二薄膜晶體管T2的漏極連接，該第三薄膜晶體管T3的漏極與公共線AR_COM連接。本優(yōu)選實施例通過將施加到子區(qū)1012上的電壓經(jīng)第三薄膜晶體管T3輸出至公共線AR_COM，從而使得主區(qū)1011與子區(qū)1012上的電壓不同，起到改善視角的作用。

在本優(yōu)選實施例中，通過改變該第三薄膜晶體管T3的長寬比值，從而可以進一步達到降低液晶顯示裝置響應時間的效果，提高了液晶的反應速度，從而提升液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。

優(yōu)選地，該第三薄膜晶體管T3的導電溝道的長寬比值介于3.0-4.0之間。

本優(yōu)選實施例的像素結(jié)構(gòu)將位于主區(qū)的第一存儲電容與第一液晶電容的比值以及位于子區(qū)的第二存儲電容與第二液晶電容的比值設(shè)定在1.0-1.5之間，從而減小液晶顯示裝置的響應時間，進而提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。

本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，包括像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包括：多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及掃描線與數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個像素單元包括主區(qū)以及子區(qū)；

主區(qū)包括第一薄膜晶體管、第一存儲電容以及第一液晶電容，第一薄膜晶體管的柵極與相應的掃描線連接，第一薄膜晶體管的源極與相應的數(shù)據(jù)線連接，第一薄膜晶體管的漏極與第一存儲電容以及第一液晶電容連接；

子區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二存儲電容以及第二液晶電容，第二薄膜晶體管的柵極與相應的掃描線連接，第二薄膜晶體管的源極與相應的數(shù)據(jù)線連接，第二薄膜晶體管的漏極與第二存儲電容以及第二液晶電容連接；其中，

第一存儲電容與第一液晶電容的比值以及第二存儲電容與第一液晶電容的比值均介于1.0-1.5之間。

該像素結(jié)構(gòu)還包括公共線，子區(qū)還包括第三薄膜晶體管，第三薄膜晶體管的柵極與相應的掃描線連接，第三薄膜晶體管的源極與第二薄膜晶體管的漏極連接，第三薄膜晶體管的漏極與公共線連接，其中，第三薄膜晶體管的導電溝道的長寬比值介于3.0-4.0之間。

該像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極，主區(qū)包括主區(qū)像素電極，主區(qū)像素電極與公共電極相互正對以形成第一液晶電容，主區(qū)像素電極與公共線相互正對以形成第一存儲電容。

子區(qū)包括子區(qū)像素電極，子區(qū)像素電極與公共電極相互正對以形成第二液晶電容，子區(qū)像素電極與公共線相互正對以形成第二存儲電容。

該像素單元為紅色像素單元、綠色像素單元或藍色像素單元。

本優(yōu)選實施例的液晶顯示裝置的原理及其他相關(guān)結(jié)構(gòu)均與上述像素結(jié)構(gòu)類似，具體可參照上述像素結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實施例的相關(guān)描述，在此不做贅述。

本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置將位于主區(qū)的第一存儲電容與第一液晶電容的比值以及位于子區(qū)的第二存儲電容與第二液晶電容的比值設(shè)定在1.0-1.5之間，從而減小液晶顯示裝置的響應時間，進而提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準。