本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示領(lǐng)域,特別涉及一種薄膜晶體管液晶顯示面板。
背景技術(shù):
傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶顯示面板一般包括彩色濾光片基板、液晶層、薄膜晶體管陣列基板、背光模組。所述彩色濾光片基板、所述薄膜晶體管陣列基板、所述背光模組疊加組合為一體,所述液晶層設(shè)置于所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間。
其中,上述傳統(tǒng)的所述薄膜晶體管陣列基板的像素電極一般都是扁平狀的。
扁平狀的所述像素電極和所述彩色濾光片基板中的共通電極層所形成的電場力無法使得液晶分子產(chǎn)生更大幅度的偏轉(zhuǎn)。
上述傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶顯示面板的顯示效果不夠理想。
故,有必要提出一種新的技術(shù)方案,以解決上述技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管液晶顯示面板,其能提高顯示效果。
為解決上述問題,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種薄膜晶體管液晶顯示面板,所述薄膜晶體管液晶顯示面板包括第一偏光板、彩色濾光片基板、液晶層、薄膜晶體管陣列基板、第二偏光板、背光模組和控制電路,所述控制電路與所述背光模組、所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板電性連接;所述第一偏光板、所述彩色濾光片基板、所述薄膜晶體管陣列基板、所述第二偏光板和所述背光模組疊加組合為一體,所述液晶層設(shè)置于所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間;所述彩色濾光片基板包括第一基板、彩膜層、黑色矩陣層、共通電極層、間隔子組合層、第一配向膜層,所述彩膜層包括紅色色阻塊、綠色色阻塊、藍(lán)色色阻塊、白色色阻塊;所述背光模組包括光源、導(dǎo)光板、反射板、散射板,所述光源設(shè)置于所述導(dǎo)光板的一側(cè)邊上,所述背光模組用于向由所述第一偏光板、所述彩色濾光片基板、所述液晶層、所述薄膜晶體管陣列基板和所述第二偏光板所組成的整體提供光源;其中,所述薄膜晶體管陣列基板包括:器件組合板,所述器件組合板包括:第二基板;第一信號線層,所述第一信號線層包括掃描線、柵極;第一絕緣層,所述第一絕緣層設(shè)置于所述第二基板和所述第一信號線層上;半導(dǎo)體層;第二絕緣層,所述第二絕緣層設(shè)置于所述第一絕緣層和所述半導(dǎo)體層上;以及第二信號線層,所述第二信號線層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極;鈍化層,所述鈍化層設(shè)置在所述器件組合板上,所述鈍化層上設(shè)置有孔洞和凹槽陣列,所述凹槽陣列包括至少一凹槽;像素電極層,所述像素電極層設(shè)置在所述鈍化層上以及所述凹槽陣列內(nèi),所述像素電極層通過所述孔洞與所述第二信號線層連接;第二配向膜層;所述共通電極層上設(shè)置有線形條紋,所述線形條紋所在的直線與所述凹槽所在的直線的夾角處于30度至60度的范圍內(nèi)。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,所述紅色色阻塊與所述綠色色阻塊交疊于所述黑色矩陣層上,并構(gòu)成第一擋光塊;所述綠色色阻塊與所述藍(lán)色色阻塊交疊于所述黑色矩陣層上,并構(gòu)成第二擋光塊;所述藍(lán)色色阻塊與所述白色色阻塊交疊于所述黑色矩陣層上,并構(gòu)成第三擋光塊;所述白色色阻塊與所述紅色色阻塊交疊于所述黑色矩陣層上,并構(gòu)成第四擋光塊。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,所述第一擋光塊用于與所述黑色矩陣層共同阻擋所述紅色色阻塊與所述綠色色阻塊射向彼此的光線;所述第二擋光塊用于與所述黑色矩陣層共同阻擋所述綠色色阻塊與所述藍(lán)色色阻塊射向彼此的光線;所述第三擋光塊用于與所述黑色矩陣層共同阻擋所述藍(lán)色色阻塊與所述白色色阻塊射向彼此的光線;所述第四擋光塊用于與所述黑色矩陣層共同阻擋所述白色色阻塊與所述紅色色阻塊射向彼此的光線。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,所述孔洞的第一橫截面的形狀與所述凹槽的第二橫截面的形狀相同;所述第一橫截面的面積與所述第二橫截面的面積相同。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,在所述薄膜晶體管液晶顯示面板所對應(yīng)的平面上,所述孔洞與所述凹槽的最短距離與相鄰兩所述凹槽之間的距離相等。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,所述孔洞具有第一深度,所述凹槽具有第二深度;所述凹槽陣列和所述孔洞均是通過相同的光罩制程和蝕刻制程來形成的。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,所述光罩制程所對應(yīng)的掩模包括:一第一區(qū)域,所述第一區(qū)域具有第一透光率,所述第一區(qū)域與所述孔洞對應(yīng),所述第一透光率與所述第一深度對應(yīng);至少一第二區(qū)域,所述第二區(qū)域具有第二透光率,所述第二區(qū)域與所述凹槽對應(yīng),所述第二透光率與所述第二深度對應(yīng)。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,所述掩模為半色調(diào)掩模。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,所述凹槽陣列和所述孔洞是通過對所述鈍化層上的光阻材料層進(jìn)行所述光罩制程,以在所述光阻材料層上的第三區(qū)域和第四區(qū)域上分別形成第一凹陷和第二凹陷,并在所述第一凹陷和所述第二凹陷處對所述鈍化層和所述光阻材料層進(jìn)行蝕刻來形成的;其中,所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域?qū)?yīng),所述第四區(qū)域與所述第二區(qū)域?qū)?yīng),所述第一凹陷具有第三深度,所述第二凹陷具有第四深度。
在上述薄膜晶體管液晶顯示面板中,所述半導(dǎo)體層包括非晶硅、多晶硅、銦鎵鋅氧化物中的任意一種。
相對現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明能提高顯示效果。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說明如下。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示面板中的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
圖2為圖1所示的薄膜晶體管陣列基板的制作過程中所使用的掩模的示意圖。
圖3為本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示面板中的散射板的示意圖。
具體實(shí)施方式
參考圖1,圖1為本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示面板中的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示面板包括第一偏光板、彩色濾光片基板、液晶層、薄膜晶體管陣列基板、第二偏光板、背光模組和控制電路,所述控制電路與所述背光模組、所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板電性連接。
所述第一偏光板、所述彩色濾光片基板、所述薄膜晶體管陣列基板、所述第二偏光板和所述背光模組疊加組合為一體,所述液晶層設(shè)置于所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間。
所述彩色濾光片基板包括第一基板、彩膜層、黑色矩陣層、共通電極層、間隔子組合層、第一配向膜層,所述彩膜層包括紅色色阻塊、綠色色阻塊、藍(lán)色色阻塊、白色色阻塊。
所述背光模組包括光源、導(dǎo)光板、反射板、散射板,所述光源設(shè)置于所述導(dǎo)光板的一側(cè)邊上,所述背光模組用于向由所述第一偏光板、所述彩色濾光片基板、所述液晶層、所述薄膜晶體管陣列基板和所述第二偏光板所組成的整體提供光源。
其中,所述薄膜晶體管陣列基板包括:器件組合板、鈍化層、像素電極層、第二配向膜層。
所述器件組合板包括:第二基板、第一信號線層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二信號線層。所述第一信號線層包括掃描線、柵極。所述第一絕緣層設(shè)置于所述第二基板和所述第一信號線層上。所述第二絕緣層設(shè)置于所述第一絕緣層和所述半導(dǎo)體層上。所述第二信號線層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極。
所述第一信號線層可以是掃描線層,所述第二信號線層可以是數(shù)據(jù)線層。所述掃描線層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層(所述半導(dǎo)體層為所述非晶硅層)的下方,所述掃描線層與所述非晶硅層之間設(shè)置有所述第一絕緣層,所述第二絕緣層設(shè)置在所述非晶硅層的上方,所述數(shù)據(jù)線層設(shè)置在所述第二絕緣層的上方,并且所述數(shù)據(jù)線層穿過所述第二絕緣層與所述非晶硅層相連;或者,所述掃描線層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層(所述半導(dǎo)體層為所述多晶硅層)的上方,所述多晶硅層與所述掃描線層之間設(shè)置有所述第一絕緣層,所述第二絕緣層設(shè)置在所述掃描線層的上方,所述數(shù)據(jù)線層設(shè)置在所述第二絕緣層的上方,并且所述數(shù)據(jù)線層穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層與所述多晶硅層相連。
所述鈍化層設(shè)置在所述器件組合板上,所述鈍化層上設(shè)置有孔洞和凹槽陣列,所述凹槽陣列包括至少一凹槽。所述像素電極層設(shè)置在所述鈍化層上以及所述凹槽陣列內(nèi),所述像素電極層通過所述孔洞與所述第二信號線層連接。
所述像素電極層設(shè)置在所述鈍化層上以及所述凹槽陣列內(nèi),所述像素電極層通過所述孔洞與所述第二信號線層連接。
所述共通電極層上設(shè)置有線形條紋,所述線形條紋所在的直線與所述凹槽所在的直線的夾角處于30度至60度的范圍內(nèi)。例如,所述夾角的角度為30度、31度、33度、34度、35度、36度、37度、38度、39度、40度、41度、42度、43度、44度、45度、46度、47度、48度、49度、50度、51度、52度、53度、54度、55度、56度、57度、58度、59度、60度。
所述紅色色阻塊與所述綠色色阻塊交疊于所述黑色矩陣層上,并構(gòu)成第一擋光塊;所述綠色色阻塊與所述藍(lán)色色阻塊交疊于所述黑色矩陣層上,并構(gòu)成第二擋光塊;所述藍(lán)色色阻塊與所述白色色阻塊交疊于所述黑色矩陣層上,并構(gòu)成第三擋光塊;所述白色色阻塊與所述紅色色阻塊交疊于所述黑色矩陣層上,并構(gòu)成第四擋光塊。
所述第一擋光塊用于與所述黑色矩陣層共同阻擋所述紅色色阻塊與所述綠色色阻塊射向彼此的光線;所述第二擋光塊用于與所述黑色矩陣層共同阻擋所述綠色色阻塊與所述藍(lán)色色阻塊射向彼此的光線;所述第三擋光塊用于與所述黑色矩陣層共同阻擋所述藍(lán)色色阻塊與所述白色色阻塊射向彼此的光線;所述第四擋光塊用于與所述黑色矩陣層共同阻擋所述白色色阻塊與所述紅色色阻塊射向彼此的光線。
所述孔洞的第一橫截面的形狀與所述凹槽的第二橫截面的形狀相同。
所述第一橫截面的面積與所述第二橫截面的面積相同。
在所述薄膜晶體管液晶顯示面板所對應(yīng)的平面上,所述孔洞與所述凹槽的最短距離與相鄰兩所述凹槽之間的距離相等。
所述孔洞具有第一深度,所述凹槽具有第二深度。所述凹槽陣列和所述孔洞均是通過相同的光罩制程和蝕刻制程來形成的。也就是說,所述凹槽陣列與所述孔洞均是在同一道光罩制程中形成的。
所述凹槽陣列和所述孔洞均是通過相同的光罩制程和蝕刻制程來形成的。
所述光罩制程所對應(yīng)的掩模包括:第一區(qū)域和第二區(qū)域。所述第一區(qū)域具有第一透光率,所述第一區(qū)域與所述孔洞對應(yīng),所述第一透光率與所述第一深度對應(yīng)。所述第二區(qū)域具有第二透光率,所述第二區(qū)域與所述凹槽對應(yīng),所述第二透光率與所述第二深度對應(yīng)。
所述掩模為半色調(diào)掩模。
所述凹槽陣列和所述孔洞是通過對所述鈍化層上的光阻材料層進(jìn)行所述光罩制程,以在所述光阻材料層上的第三區(qū)域和第四區(qū)域上分別形成第一凹陷和第二凹陷,并在所述第一凹陷和所述第二凹陷處對所述鈍化層和所述光阻材料層進(jìn)行蝕刻來形成的。
其中,所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域?qū)?yīng),所述第四區(qū)域與所述第二區(qū)域?qū)?yīng),所述第一凹陷具有第三深度,所述第二凹陷具有第四深度。
所述半導(dǎo)體層包括非晶硅、多晶硅、銦鎵鋅氧化物中的至少一種。
相比傳統(tǒng)的技術(shù)方案,上述技術(shù)方案可以節(jié)約一道光罩制程,有利于節(jié)省所述薄膜晶體管陣列基板的制作成本,以及提高所述薄膜晶體管陣列基板的制作效率。
參考圖2,圖2為圖1所示的薄膜晶體管陣列基板的制作過程中所使用的掩模的示意圖。
在本實(shí)施例中,所述光罩制程所對應(yīng)的掩模包括第一區(qū)域及第二區(qū)域。所述第一區(qū)域具有第一透光率,所述第一區(qū)域與所述孔洞對應(yīng),所述第一透光率與所述第一深度對應(yīng)。所述第二區(qū)域具有第二透光率,所述第二區(qū)域與所述凹槽對應(yīng),所述第二透光率與所述第二深度對應(yīng)。
優(yōu)選地,在本實(shí)施例中,所述掩模為半色調(diào)掩模(HTM,Half Tone Mask)。
所述孔洞的深度(所述第一深度)和所述凹槽的深度(所述第二深度)可根據(jù)HTM的透光率(0-100%的開區(qū)間)來設(shè)置。
也就是說,所述鈍化層中的所述第一深度和所述第二深度是通過這樣的方式來形成的:
利用具有所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的所述掩模,對所述鈍化層實(shí)施所述光罩制程,以同時(shí)形成所述第一深度和所述第二深度,其中,所述第一區(qū)域具有所述第一透光率,所述第二區(qū)域具有所述第二透光率。例如,所述第一透光率為100%,所述第二透光率(a%)處于0%至100%的范圍(開區(qū)間)內(nèi),例如,所述a%為0.35%、0.55%、0.85%、1.6%、2.3%、3%、3.3%、4.5%、4.7%、5%、5.9%、7%、8.1%、9%、9.3%、10.5%、11%、12.7%、13%、13.9%、14.1%、15%、15.3%、16.2%、17%、17.7%、19%、21%、23%、23.5%、23.9%、25%、26.7%、27%、29%、29.3%、29.7%、31%、33%、33.6%、34.1%、35%、35.3%、37%、38.3%、39%、41%、42.3%、43%、45%、45.7%、47%、47.9%、49%、49.5%、51%、52.1%、53%、55%、55.7%、55.8%、57%、59%、59.8%、61%、62.1%、63%、63.6%、65%、65.4%、67%、67.7%、69%、69.4%、71%、71.8%、73%、73.1%、75%、75.9%、77%、77.3%、79%、79.6%、81%、81.2%、83%、83.7%、85%、85.6%、87%、88.7%、89%、89.3%、91%、91.5%、93%、93.3%、95%、96.5%、97%、99%、99.5%。
在本實(shí)施例中,所述凹槽陣列和所述孔洞是通過對所述鈍化層上的光阻材料層進(jìn)行所述光罩制程,以在所述光阻材料層上的第三區(qū)域和第四區(qū)域上分別形成第一凹陷和第二凹陷,并在所述第一凹陷和所述第二凹陷處對所述鈍化層和所述光阻材料層進(jìn)行蝕刻來形成的。
其中,所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域?qū)?yīng),所述第四區(qū)域與所述第二區(qū)域?qū)?yīng),所述第一凹陷具有第三深度,所述第二凹陷具有第四深度。
通過上述技術(shù)方案,本發(fā)明能提高顯示效果。
參考圖3,圖3為本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示面板中的散射板的示意圖。
所述散射板的材料為透明塑料或透明金屬。
所述散射板至少包括第一光線均勻化部304和第二光線均勻化部303,所述第一光線均勻化部位于所述散射板內(nèi),所述第二光線均勻化部位于所述散射板的出光面。
所述第一光線均勻化部用于將所述光源所提供的光線進(jìn)行初步均勻化(第一次均勻化),以形成第一均勻化光線。
所述第二光線均勻化部用于將所述第一均勻化光線進(jìn)行精細(xì)均勻化(第二次均勻化),以形成第二均勻化光線。
作為一種改進(jìn),所述第二光線均勻化部設(shè)置有霧化顆粒305,所述霧化顆粒用于將所述光源所提供的光線均勻化,以形成所述第二均勻化光線。
所述霧化顆粒是通過在所述散射板的表面輸送腐蝕性霧氣,以使所述腐蝕性霧氣中的腐蝕性液體微粒附著于所述散射板的表面上,從而利用所述腐蝕性液體微粒腐蝕所述散射板的表面來形成的。所述腐蝕性霧氣是通過將水蒸氣和預(yù)定氣體(例如,氯化氫、二氧化硫)混合,以使所述預(yù)定氣體溶入所述水蒸氣中的水汽顆粒中來形成的。
其中,所述腐蝕性霧氣的溫度高于所述散射板的溫度。
作為另一種改進(jìn),所述散射板包括第一子板體301和第二子板體302,所述第一子板體具有第一彎折面和所述出光面,所述第二子板體具有入光面和第二彎折面,所述第一彎折面和所述出光面為所述第一子板體中兩個(gè)朝向(法線正方向)相反的面,所述第二彎折面和所述入光面是所述第二子板體中兩個(gè)朝向相反的面。
所述第一彎折面和所述第二彎折面均為粗糙面。所述第一彎折面上設(shè)置有第一不規(guī)則突起部,所述第二彎折面上設(shè)置有第二不規(guī)則突起部。
所述第一光線均勻化部是由所述第一子板體的所述第一彎折面和所述第二子板體的所述第二彎折面拼合而成的,其中,所述第一彎折面和所述第二彎折面相向設(shè)置。
所述第一彎折面和所述第二彎折面的耦合度小于10%,即,所述耦合度處于0至10%的范圍內(nèi)。例如,所述耦合度為0.32%、0.65%、0.98%、1.07%、1.39%、1.63%、1.89%、2.21%、2.58%、2.87%、3.16%、3.43%、3.69%、3.91%、4.52%、4.77%、4.91%、5.28%、5.64%、5.9%、6.25%、6.57%、6.79%、7.03%、7.49%、7.81%、8.21%、8.39%、8.55%、8.89%、9.11%、9.38%、9.67%、9.81%、10%。
作為另一種改進(jìn),所述第一子板體和所述第二子板體中的至少一者的邊緣部設(shè)置有彈簧扣,所述彈簧扣用于將所述第一子板體和所述第二子板體限位和扣緊。所述第二子板體和所述第一子板體中的至少一者的邊緣部設(shè)置有彈簧扣凹槽,所述彈簧扣和所述彈簧扣凹槽相適配。
所述第一光線均勻化部具有至少兩腔室,所述腔室是由所述第一彎折面和所述第二彎折面拼合而成的,所述腔室內(nèi)設(shè)置有干燥劑顆粒306。所述干燥劑顆粒具有預(yù)定透明度,所述干燥劑顆粒為圓球狀或橢球狀,所述干燥劑顆粒用于防止所述腔室內(nèi)殘留水分,以及用于透過進(jìn)入到所述腔室內(nèi)的所述光線并利用所述干燥劑顆粒的球面折射所述光線,以協(xié)助所述第一光線均勻化部將所述光線均勻化。
綜上所述,雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上,但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與潤飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。