本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示器LCD(Liquid Crystal Display)已在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

液晶顯示器為非發(fā)光性顯示裝置，它需要借助背光源才能實(shí)現(xiàn)顯示的效果。背光源發(fā)出的白光經(jīng)過彩膜材料過濾。目前常用的彩膜材料的透過率較低，使得液晶顯示器的透過率較低，光線利用率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，提出了本發(fā)明實(shí)施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種顯示裝置。

為了解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種顯示裝置，包括：

第一基板、第二基板，位于所述第一基板和所述第二基板之間的由多個(gè)光子晶體組成的光子晶體陣列；

自然光通過所述第一基板射入所述光子晶體陣列，自然光中波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線被阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線經(jīng)過光子晶體射入所述第二基板。

優(yōu)選的，所述光子晶體陣列包括三種不同禁帶顏色的光子晶體，行相鄰的三個(gè)光子晶體的禁帶顏色各不相同，列相鄰的三個(gè)光子晶體的禁帶顏色各不相同。

優(yōu)選的，所述光子晶體陣列包括：禁帶顏色為藍(lán)色的光子晶體、禁帶顏色為紅色的光子晶體，以及禁帶顏色為綠色的光子晶體。

優(yōu)選的，所述顯示裝置還包括：圍繞各個(gè)光子晶體的線圈；

所述光子晶體由至少兩種不同折射率的磁性材料形成，所述至少兩種磁性材料的折射率與線圈磁場(chǎng)強(qiáng)度的具有對(duì)應(yīng)關(guān)系；當(dāng)線圈磁場(chǎng)強(qiáng)度改變時(shí)，所述至少兩種磁性材料的折射率被改變，使得光子晶體的帶隙寬度被改變。

優(yōu)選的，所述至少兩種磁性材料包括：至少兩種折射率不同的鐵氧材料。

優(yōu)選的，所述顯示裝置還包括：

與每個(gè)線圈連接的薄膜晶體管，多根柵極掃描線、多根數(shù)據(jù)掃描線；

每個(gè)薄膜晶體管分別與一柵極掃描線和一數(shù)據(jù)掃描線連接；當(dāng)對(duì)柵極掃描線輸入信號(hào)電壓時(shí)，與該柵極掃描線連接的薄膜晶體管被導(dǎo)通，數(shù)據(jù)掃描線分別通過被導(dǎo)通的薄膜晶體管向線圈輸入電流。

優(yōu)選的，所述光子晶體由所述至少兩種磁性材料，在所述第一基板或所述第二基板上交替沉積形成。

優(yōu)選的，所述顯示裝置還包括：

設(shè)置在所述第一基板表面，圍繞各個(gè)光子晶體的黑色矩陣。

優(yōu)選的，所述顯示裝置還包括：

位于所述第一基板和所述光子晶體陣列之間的第一ITO電極，以及，位于所述第二基板和所述光子晶體陣列之間的第二ITO電極。

優(yōu)選的，所述光子晶體由所述至少兩種磁性材料，在所述第一ITO電極或所述第二ITO電極上交替沉積生成。

優(yōu)選的，所述顯示裝置還包括：

設(shè)置在所述第一ITO電極表面，圍繞各個(gè)光子晶體的黑色矩陣。

優(yōu)選的，所述顯示裝置還包括：

背光源；所述背光源產(chǎn)生的自然光通過所述第一基板射入所述光子晶體陣列，自然光中波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線被阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線經(jīng)過光子晶體射入所述第二基板。

本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

在本發(fā)明實(shí)施例中，由于光子晶體只對(duì)波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線進(jìn)行阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線都可以通過光子晶體，使得較多的光線能通過光子晶體，從而增加顯示裝置的透過率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一種顯示裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是色彩混合原理的示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中一種薄膜晶體管電路的示意圖

圖4是本發(fā)明的一種顯示裝置實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)圖；

圖5是本發(fā)明的一種顯示裝置實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

實(shí)施例一

參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明的一種顯示裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)圖，具體可以包括：

第一基板11、第二基板12，位于所述第一基板11和所述第二基板12之間的由多個(gè)光子晶體組成的光子晶體陣列13；

自然光通過所述第一基板11射入所述光子晶體陣列13，自然光中波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線被阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線經(jīng)過光子晶體射入所述第二基板12。

光子晶體(Photonic Crystal)是由不同折射率的介質(zhì)周期性排列而成的人工微結(jié)構(gòu)。光子晶體即光子帶隙材料(光子禁帶材料)，從材料結(jié)構(gòu)上看，光子晶體是一類在光學(xué)尺度上具有周期性介電結(jié)構(gòu)的人工設(shè)計(jì)和制造的晶體。與半導(dǎo)體晶格對(duì)電子波函數(shù)的調(diào)制相類似，光子帶隙材料能夠調(diào)制具有相應(yīng)波長(zhǎng)的電磁波。當(dāng)電磁波在光子帶隙材料中傳播時(shí)，由于存在布拉格散射而受到調(diào)制，電磁波能量形成能帶結(jié)構(gòu)。能帶與能帶之間出現(xiàn)帶隙，即光子帶隙PBG(PhotonicBand-Gap)，也稱光子禁帶。所具能量處在光子帶隙寬度內(nèi)的光子，不能進(jìn)入該晶體，實(shí)現(xiàn)對(duì)特定波長(zhǎng)的光進(jìn)行阻擋。

具有不同光子帶隙的光子晶體能夠阻擋不同波段的光，以及使不同波段的光通過光子晶體。

光子帶隙的特性可以用禁帶顏色表示，在本發(fā)明實(shí)施例中，光子晶體陣列13可以包括三種不同禁帶顏色的光子晶體，三種不同禁帶顏色的光子晶體可以稱為第一光子晶體、第二光子晶體、第三光子晶體。在光子晶體陣列的每一行、每一列中，三種光子晶體依次交替排布，行相鄰的三個(gè)光子晶體的禁帶顏色各不相同，列相鄰的三個(gè)光子晶體的禁帶顏色各不相同。

由于光子晶體可以禁止光子帶隙寬度內(nèi)的光線通過，而使光子帶隙寬度外的光線通過，因此，本申請(qǐng)實(shí)施例中可以采用減色法實(shí)現(xiàn)顯示裝置的顏色調(diào)節(jié)。減色法是通過除去白光中的某種光線實(shí)現(xiàn)各種顏色的顯示的方法。參照?qǐng)D2所示為色彩混合原理的示意圖，當(dāng)白光被中的某種顏色的光被阻擋后，得到的是與被阻擋的光線的互補(bǔ)色的光線。

在本發(fā)明實(shí)施例中，三種不同禁帶顏色的光子晶體可以分別為禁帶顏色為藍(lán)色的光子晶體、禁帶顏色為紅色的光子晶體，以及禁帶顏色為綠色的光子晶體。

自然光(白光)通過禁帶顏色為藍(lán)色的光子晶體時(shí)，藍(lán)色光B被阻隔，出射光為黃色光Y。自然光(白光)通過禁帶顏色為紅色的光子晶體時(shí)，紅色光R被阻隔，出射光為青色光C。自然光(白光)通過禁帶顏色為綠色的光子晶體時(shí)，綠色光G被阻隔，出射光為洋紅光M。

在本發(fā)明實(shí)施例中，光子晶體可以采用至少兩種不同折射率的磁性材料形成，所述至少兩種磁性材料的折射率與線圈磁場(chǎng)強(qiáng)度的具有對(duì)應(yīng)關(guān)系；

磁性材料可以通過外加直流磁場(chǎng)(或溫度)來(lái)調(diào)節(jié)自身的光學(xué)性質(zhì)。

分析結(jié)果表明：若光子晶體由兩種不同磁性材料形成，當(dāng)兩種磁性材料的折射率趨于相等時(shí)，光子禁帶趨于消失；然而，當(dāng)兩種材料的折射率差別變大時(shí)，光子禁帶變寬，最大帶隙寬度與帶隙中心頻率的比值高達(dá)0.8。

在本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括：圍繞各個(gè)光子晶體的線圈14，當(dāng)線圈磁場(chǎng)強(qiáng)度改變時(shí)，所述至少兩種磁性材料的折射率被改變，使得光子晶體的帶隙寬度被改變。

磁性材料的固有性質(zhì)主要體現(xiàn)在磁導(dǎo)率μ，在本發(fā)明實(shí)施例中，具體可以采用至少兩種折射率不同的鐵氧材料來(lái)形成光子晶體。在外磁場(chǎng)強(qiáng)度改變時(shí)，鐵氧材料的磁導(dǎo)率μ改變，使得磁性材料的折射率改變，進(jìn)而改變光子晶體的帶隙寬度。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以理解，上述的采用至少兩種折射率不同的鐵氧材料來(lái)形成光子晶體僅僅是本發(fā)明的示例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用其他磁性形成光子晶體，只要所選用的磁性材料在外磁場(chǎng)強(qiáng)度變化時(shí)，磁性材料的磁導(dǎo)率μ改變，使得磁性材料的折射率改變即可，本發(fā)明在此不作限制。

在本發(fā)明實(shí)施例中，每一個(gè)線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度都由一個(gè)相應(yīng)的薄膜晶體管等效電路來(lái)控制。

參照?qǐng)D3所示為本發(fā)明實(shí)施例中一種薄膜晶體管電路的示意圖。在本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括：與每個(gè)線圈連接的薄膜晶體管，多根柵極掃描線、多根數(shù)據(jù)掃描線，以及多根公共連接線VSS。

線圈的一端與公共連接線VSS連接，另一端與薄膜晶體管連接；

每個(gè)薄膜晶體管分別與一柵極掃描線和一數(shù)據(jù)掃描線連接；當(dāng)對(duì)柵極掃描線輸入信號(hào)電壓時(shí)，與該柵極掃描線連接的薄膜晶體管被導(dǎo)通，數(shù)據(jù)掃描線分別通過被導(dǎo)通的薄膜晶體管向線圈輸入電流。

通過改變數(shù)據(jù)掃描線輸入線圈的電流，可以改變線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而改變光子晶體的帶隙寬度。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述光子晶體由所述至少兩種磁性材料，在所述第一基板11或所述第二基板上12交替沉積形成。

光子晶體可以采用熱蒸發(fā)、電子束、分子束外延、磁控濺射、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)等方法，在基板上形成。例如，采用熱蒸發(fā)、電子束、分子束外延、磁控濺射、PECVD等方法，依次交替在襯底基板上沉積具有一定厚度的兩種折射率不同的透光材料形成光子晶體層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述顯示裝置還可以包括：

設(shè)置在所述第一基板11表面，圍繞各個(gè)光子晶體的黑色矩陣15。每一個(gè)光子晶體都被黑色矩陣(陣Black Matrix)包圍。黑色矩陣15主要用于區(qū)分像素之間的結(jié)構(gòu)，防止像素之間的漏光，并隱藏面板中的布線。在本發(fā)明實(shí)施例中，可以認(rèn)為每一個(gè)光子晶體對(duì)應(yīng)控制一個(gè)像素單元所顯示的顏色。

本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置的工作原理如下：背光源產(chǎn)生的自然光經(jīng)過第一基板11進(jìn)入光子晶體陣列13，每一個(gè)光子晶體相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)。當(dāng)磁性材料磁導(dǎo)率為1時(shí)，三種光子晶體開關(guān)分別阻隔紅R，綠G，藍(lán)B三種顏色，中和顯示為白色，此時(shí)第二基板12顯示白色畫面，各個(gè)光子晶體開關(guān)狀態(tài)為ON，像素顯示最高灰階。

若有外界磁場(chǎng)對(duì)磁性光子晶體磁化，磁性光子晶體中的磁導(dǎo)率發(fā)生變化，使得光子晶體的帶隙寬度變寬，阻擋其他波長(zhǎng)光線通過磁性光子晶體開關(guān)，不同磁性光子晶體開關(guān)通過不同波長(zhǎng)的光線，由此產(chǎn)生不同灰階下的彩色畫面，當(dāng)帶隙寬度達(dá)到可見光波長(zhǎng)范圍，完全阻擋光線通過，此時(shí)基第二板12顯示全黑畫面，此時(shí)光子晶體開關(guān)狀態(tài)為OFF，像素顯示最低灰階。

在本發(fā)明實(shí)施例中，由于光子晶體只對(duì)波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線進(jìn)行阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線都可以通過光子晶體，使得較多的光線能通過光子晶體，從而增加顯示裝置的透過率。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述的顯示裝置還可以包括：背光源；

背光源產(chǎn)生的自然光通過所述第一基板射入所述光子晶體陣列，自然光中波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線被阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線經(jīng)過光子晶體射入所述第二基板。

在本發(fā)明實(shí)施例中，背光源產(chǎn)生的自然光射入光子晶體陣列后，由于光子晶體只對(duì)波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線進(jìn)行阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線都可以通過光子晶體，使得較多的光線能通過光子晶體，從而增加顯示裝置的透過率，降低背光源功耗。

實(shí)施例二

參照?qǐng)D4，示出了本發(fā)明的一種顯示裝置實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)圖，具體可以包括：

第一基板21、第二基板22，位于所述第一基板21和所述第二基板22之間的由多個(gè)光子晶體組成的光子晶體陣列23；

位于所述第一基板21和所述光子晶體陣列23之間的第一ITO(Indium tin oxide，氧化銦錫)電極24，以及，位于所述第二基板22和所述光子晶體陣列23之間的第二ITO電極25；

第一ITO電極24和第二ITO電極25為透明的ITO電極。

自然光依次通過所述第一基板21、第一ITO電極24射入所述光子晶體陣列23，自然光中波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線被阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線經(jīng)過光子晶體依次射入所述第二ITO電極25，所述第二基板22。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述光子晶體陣列包括三種不同禁帶顏色的光子晶體，行相鄰的三個(gè)光子晶體的禁帶顏色各不相同，列相鄰的三個(gè)光子晶體的禁帶顏色各不相同；

具體的，所述光子晶體陣列包括：禁帶顏色為藍(lán)色的光子晶體、禁帶顏色為紅色的光子晶體，以及禁帶顏色為綠色的光子晶體。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述的顯示裝置還可以包括：圍繞各個(gè)光子晶體的線圈26；

所述光子晶體由至少兩種不同折射率的磁性材料形成，所述至少兩種磁性材料的折射率與線圈磁場(chǎng)強(qiáng)度的具有對(duì)應(yīng)關(guān)系；當(dāng)線圈磁場(chǎng)強(qiáng)度改變時(shí)，所述至少兩種磁性材料的折射率被改變，使得光子晶體的帶隙寬度被改變。

具體的，所述至少兩種磁性材料包括：至少兩種折射率不同的鐵氧材料。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以理解，上述的采用至少兩種折射率不同的鐵氧材料來(lái)形成光子晶體僅僅是本發(fā)明的示例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用其他磁性形成光子晶體，只要所選用的磁性材料在外磁場(chǎng)強(qiáng)度變化時(shí)，磁性材料的磁導(dǎo)率μ改變，使得磁性材料的折射率改變即可，本發(fā)明在此不作限制。

在本發(fā)明實(shí)施例中，每一個(gè)線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度都由一個(gè)相應(yīng)的薄膜晶體管等效電路來(lái)控制。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述的顯示裝置還可以包括：與每個(gè)線圈連接的薄膜晶體管，多根柵極掃描線、多根數(shù)據(jù)掃描線；

每個(gè)薄膜晶體管分別與一柵極掃描線和一數(shù)據(jù)掃描線連接；當(dāng)對(duì)柵極掃描線輸入信號(hào)電壓時(shí)，與該柵極掃描線連接的薄膜晶體管被導(dǎo)通，數(shù)據(jù)掃描線分別通過被導(dǎo)通的薄膜晶體管向線圈輸入電流。

通過改變數(shù)據(jù)掃描線輸入線圈的電流，可以改變線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而改變光子晶體的帶隙寬度。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述光子晶體由所述至少兩種磁性材料，在所述第一ITO電極24或所述第二ITO電極25上交替沉積生成。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述的顯示裝置還可以包括：設(shè)置在所述第一ITO電極24表面，圍繞各個(gè)光子晶體的黑色矩陣27。黑色矩陣27主要用于區(qū)分像素之間的結(jié)構(gòu)，防止像素之間的漏光，并隱藏面板中的布線。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述的顯示裝置還可以包括：背光源；

背光源產(chǎn)生的自然光依次通過所述第一基板、第一ITO電極射入所述光子晶體陣列，自然光中波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線被阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線經(jīng)過光子晶體依次射入所述第二ITO電極，所述第二基板。

在本發(fā)明實(shí)施例中，背光源產(chǎn)生的自然光射入光子晶體陣列后，由于光子晶體只對(duì)波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線進(jìn)行阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線都可以通過光子晶體，使得較多的光線能通過光子晶體，從而增加顯示裝置的透過率，降低背光源功耗。

實(shí)施例三

參照?qǐng)D5，示出了本發(fā)明的一種顯示裝置實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)圖，具體可以包括：

背光源31、第一基板32、光子晶體33、第二基板34、圍繞光子晶體33的線圈35，以及以線圈35連接的電流脈沖控制電路36。

電流脈沖控制電路36向線圈35輸入電流，從而產(chǎn)生線圈磁場(chǎng)。在受到線圈磁場(chǎng)時(shí)，光子晶體的磁導(dǎo)率μ發(fā)生改變，使得磁性材料的折射率改變，進(jìn)而改變光子晶體的帶隙寬度。

背光源31產(chǎn)生的自然光經(jīng)過第一基板32射入光子晶體33，由于光子晶體33只對(duì)波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度內(nèi)的光線進(jìn)行阻擋，波長(zhǎng)位于光子晶體帶隙寬度外的光線都可以通過光子晶體33，經(jīng)過光子晶體的出射光射入第二基板34，并從第二基板34射出。

需要說明的是，顯示裝置可以是顯示面板、手機(jī)、電腦、平板電腦、電子紙、GPS導(dǎo)航儀等用于顯示的電子設(shè)備。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施例可提供為方法、裝置、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明實(shí)施例可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本發(fā)明實(shí)施例可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、CD-ROM、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

本發(fā)明實(shí)施例是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、終端設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來(lái)描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理終端設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理終端設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。

這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理終端設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。

這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理終端設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)或其他可編程終端設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或其他可編程終端設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。

盡管已描述了本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明實(shí)施例范圍的所有變更和修改。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種顯示裝置，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。