本發(fā)明實施例涉及顯示面板技術，尤其涉及一種顯示面板和觸控顯示裝置。

背景技術：

目前主流的顯示裝置通常集成有觸控功能和顯示功能，觸控面板可采用“On-cell”方法集成在顯示面板上，也可采用“In-cell”方法將觸控功能集成在顯示面板中，其中，On-cell是指將觸摸面板嵌入到顯示面板的彩膜基板和偏光片之間即在顯示面板上設置觸摸面板，In-cell是指將觸摸面板功能嵌入到顯示面板的像素內部。顯然，采用“In-cell”方法集成觸控功能的顯示裝置具有薄型化的優(yōu)勢。

現有In-cell顯示面板中，可以將公共電極層分割為多個公共電極塊，公共電極塊與至少一條觸控走線電連接，在觸控階段，公共電極塊復用為觸控電極，實現自容式In-cell觸控功能。該類自容式In-cell觸控顯示面板具有組件少、成本低和薄型化的優(yōu)勢。

然而，自容式In-cell觸控顯示面板分時復用公共電極塊實現顯示功能和觸控功能時，觸控走線和公共電極塊的交疊區(qū)域形成電容，會導致公共電極塊的耦合電容增加。

技術實現要素：

本發(fā)明實施例提供一種顯示面板和觸控顯示裝置，以降低公共電極塊的耦合電容。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，該顯示面板包括：

公共電極層，所述公共電極層包括陣列式排布的多個公共電極塊；

多條觸控走線，所述多條觸控走線與所述多個公共電極塊分別對應設置并電連接；

多個子像素，每個所述公共電極塊在垂直于所述顯示面板方向上的投影覆蓋多個所述子像素，所述子像素包括薄膜晶體管；

對于與至少一條所述觸控走線電連接且與多條所述觸控走線絕緣交疊的任一所述公共電極塊，所述公共電極塊包括多個第一刻縫，所述第一刻縫的延伸方向與所述觸控走線的延伸方向交叉，任一所述第一刻縫在垂直于所述顯示面板方向上的投影覆蓋所述觸控走線兩側的兩個所述子像素的所述薄膜晶體管的漏極。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種觸控顯示裝置，該觸控顯示裝置包括如上所述的顯示面板。

本發(fā)明實施例提供的顯示面板和觸控顯示裝置，對于與至少一條觸控走線電連接且與多條觸控走線絕緣交疊的任一公共電極塊，該公共電極塊包括多個第一刻縫，第一刻縫的延伸方向與觸控走線的延伸方向交叉，任一第一刻縫在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線兩側的兩個子像素的薄膜晶體管的漏極。本發(fā)明實施例中，公共電極塊復用為觸控電極，公共電極塊在第一刻縫覆蓋區(qū)域不與觸控走線產生交疊，則在顯示階段和觸控階段，向公共電極塊施加電壓信號時，公共電極塊在第一刻縫覆蓋區(qū)域不會和觸控走線形成電容，可降低公共電極塊的耦合電容；另一方面，第一刻縫還能夠作為公共電極塊的對應像素電極的開口以避免像素電極與公共電極塊電連接，顯然，與現有技術相比，第一刻縫的制程與公共電極塊的對應像素電極的開口制程類似，無需增加新的工序。與現有技術相比，本發(fā)明實施例提供的顯示面板在不增加工藝復雜度的基礎上，達到了降低公共電極塊耦合電容的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術提供的一種顯示面板的示意圖；

圖2A是本發(fā)明一個實施例提供的一種顯示面板的示意圖；

圖2B是圖2A沿A-A'的剖視圖；

圖3A～圖3B是本發(fā)明一個實施例提供的兩種顯示面板的示意圖；

圖4A是本發(fā)明另一個實施例提供的一種顯示面板的示意圖；

圖4B是圖4A沿B-B'的剖視圖；

圖5A是本發(fā)明另一個實施例提供的另一種顯示面板的示意圖；

圖5B是圖5A沿C-C'的剖視圖；

圖6A是本發(fā)明另一個實施例提供的又一種顯示面板的示意圖；

圖6B是圖6A沿D-D'的剖視圖；

圖7～圖8是本發(fā)明另一個實施例提供的兩種顯示面板的示意圖；

圖9A是本發(fā)明又一個實施例提供的一種顯示面板的示意圖；

圖9B是圖9A沿E-E'的剖視圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，以下將參照本發(fā)明實施例中的附圖，通過實施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術方案，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖1所示，為現有技術提供的一種顯示面板的示意圖。該顯示面板包括多個公共電極塊10和多條觸控走線20，每個公共電極塊10與至少一個觸控走線20橋接；顯示面板還包括驅動芯片30，公共電極塊10通過觸控走線20電連接至驅動芯片30。該顯示面板中，公共電極塊10可復用為觸控電極，顯示面板通過分時復用公共電極塊10實現顯示功能和觸控功能。

顯示階段，驅動芯片30給公共電極塊10施加公共電壓信號，同時給像素電極(未示出)施加像素電壓信號，則公共電極塊10和像素電極之間產生電場以控制液晶分子的偏轉，實現顯示。觸控階段，驅動芯片30通過觸控走線20給公共電極塊10施加觸控驅動信號并獲取公共電極塊10的觸控感測信號，比較觸控驅動信號和觸控感測信號以確定觸控位置。由此，觸控走線20與公共電極塊10橋接實現自容式In-cell觸控功能。

該顯示面板中公共電極塊10呈陣列式排布，每個公共電極塊10與至少一條觸控走線20橋接，多個公共電極塊10還與至少一條觸控走線20絕緣交疊設置。在顯示階段，驅動芯片30給公共電極塊10施加公共電壓信號，則公共電極塊10會和與其絕緣交疊設置的觸控走線20形成電容，增加公共電極塊10的耦合電容。在觸控階段，驅動芯片30通過觸控走線20給公共電極塊10施加觸控驅動信號，則公共電極塊10會和與其絕緣交疊設置的觸控走線20形成電容，增加公共電極塊10的耦合電容。

為了解決現有技術的問題，本發(fā)明實施例提供一種顯示面板，如圖2A所示該顯示面板包括：公共電極層，公共電極層包括陣列式排布的多個公共電極塊111；多條觸控走線120，多條觸控走線120與多個公共電極塊111分別對應設置并電連接；多個子像素130，每個公共電極塊111在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋多個子像素130，子像素130包括薄膜晶體管131；對于與至少一條觸控走線120電連接且與多條觸控走線120絕緣交疊的任一公共電極塊111，公共電極塊111包括多個第一刻縫112，第一刻縫112的延伸方向與觸控走線120的延伸方向交叉，任一第一刻縫112在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線120兩側的兩個子像素130的薄膜晶體管131的漏極。具體的，本實施例中顯示面板包括陣列基板，陣列基板上設置有公共電極層、多條觸控走線120、以及多個子像素130，因此本實施例具體圖示了顯示面板中陣列基板的結構。

圖2B是圖2A沿A-A'的剖視圖，本實施例中可選子像素130還包括像素電極132，公共電極層位于像素電極132所在膜層和薄膜晶體管131所在膜層之間。如圖2B所示顯示面板包括多個薄膜晶體管131，薄膜晶體管131包括漏極131D，觸控走線120位于薄膜晶體管131上方，公共電極塊111可以位于觸控走線120所在膜層上方且與至少一條觸控走線120絕緣交疊，子像素130中的像素電極132通過第一過孔133與薄膜晶體管131的漏極131D電連接。其中，第一刻縫112如圖2B所示，圖2B示出了一條觸控走線120兩側的兩個薄膜晶體管131及與該兩個薄膜晶體管131對應連接的兩個像素電極132，像素電極132通過薄膜晶體管131的漏極131D與薄膜晶體管131電連接，還示出了覆蓋該兩個薄膜晶體管131的公共電極塊111及公共電極塊111的第一刻縫112，顯然，公共電極塊111的第一刻縫112在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線120兩側的兩個薄膜晶體管131的漏極131D。

本領域技術人員可以理解，圖2A和圖2B所示結構僅為顯示面板的局部結構，并未示出顯示面板的全部膜層結構；顯示面板的膜層結構有多種，圖2B所示剖視圖僅為圖2A所示顯示面板的一種剖視結構圖，在其他可選實施例中顯示面板具有不同于圖2B所示的膜層結構，例如可選觸控走線通過導電連接部與公共電極塊電連接，或者，在其他可選實施例中公共電極層還可以位于像素電極所在膜層的上方。因此在本發(fā)明不具體限定顯示面板的膜層結構，顯示面板的膜層結構包括但上述結構，在本發(fā)明中不進行具體限制。

本實施例中一公共電極塊111與一條觸控走線120電連接，則公共電極塊111可在觸控階段復用為觸控電極。公共電極層的公共電極塊111呈陣列式排布，則公共電極塊111和與其對應的至少一條觸控走線120電連接的同時，還可能與至少一條觸控走線120絕緣交疊設置，例如第一行公共電極塊111僅和與其對應的至少一條觸控走線120電連接，第二行公共電極塊111和與其對應的至少一條觸控走線120電連接的同時還與至少一條觸控走線120絕緣交疊設置。本實施例中顯示面板還包括驅動芯片(未示出)，每條觸控走線120的一端電連接驅動芯片，每條觸控走線120還與公共電極塊111電連接。

在其他可選實施例中，如圖3A所示可選公共電極塊111與至少兩條觸控走線120電連接，具體的，如圖3A中的中間一個公共電極塊111與至少兩條觸控走線120電連接，下方一個公共電極塊111與至少三條觸控走線120絕緣設置。為了降低公共電極塊111的耦合電容，如圖3A所示，以下方一個公共電極塊為例，下方一個公共電極塊111上設置有三組刻縫，分別對應與其絕緣交疊設置的三條觸控走線120，每條觸控走線120對應的一組刻縫中的任一第一刻縫112在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋該觸控走線120兩側的兩個子像素130的薄膜晶體管131的漏極。

在其他可選實施例中，如圖3B所示也可選每條觸控走線120的一端電連接驅動芯片，每條觸控走線120還與公共電極塊111電連接，以及每條觸控走線120的另一端延伸至公共電極層的背離驅動芯片的一側。具體的，如圖3B所示每條觸控走線120的另一端均延伸至公共電極層的背離驅動芯片的一側，則顯示面板中任一公共電極塊111均與至少一條觸控走線120絕緣交疊設置。為了降低公共電極塊111的耦合電容，如圖3B所示，以上方一個公共電極塊為例，上方一個公共電極塊111與兩條觸控走線120絕緣交疊設置，則該公共電極塊111上設置有兩組刻縫，分別對應與其絕緣交疊設置的兩條觸控走線120，每條觸控走線120對應的一組刻縫中的任一第一刻縫112在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋該觸控走線120兩側的兩個子像素130的薄膜晶體管131的漏極。

如上所述，對于與一公共電極塊111絕緣交疊設置的任一條觸控走線120，該公共電極塊111上設置有對應該觸控走線120的多個第一刻縫112，該多個第一刻縫112的延伸方向與該觸控走線120的延伸方向交叉，該第一刻縫112在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋該觸控走線120兩側的兩個子像素130的薄膜晶體管131的漏極。

本實施例中公共電極塊111在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋多個子像素130，子像素130包括薄膜晶體管131，薄膜晶體管131包括漏極131D。在顯示階段，驅動芯片給公共電極層施加公共電壓信號，同時給子像素130的像素電極132施加像素電壓信號，實現顯示；在觸控階段，驅動芯片通過觸控走線120給公共電極塊111施加觸控驅動信號并獲取公共電極塊111的觸控感測信號，實現觸控檢測和觸控位置確定。

已知公共電極塊111在觸控階段和顯示階段會和與其絕緣交疊設置的觸控走線120形成電容，增加公共電極塊的耦合電容。為了改善該問題，本實施例中對于與至少一條觸控走線120電連接且與多條觸控走線120絕緣交疊的任一公共電極塊111，該公共電極塊111包括多個第一刻縫112，第一刻縫112的延伸方向與觸控走線120的延伸方向交叉，任一第一刻縫112在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線120兩側的兩個子像素130的薄膜晶體管131的漏極131D。

如上所述，公共電極塊111具有多個第一刻縫112，第一刻縫112在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線120兩側的兩個子像素130的薄膜晶體管131的漏極131D，則公共電極塊111在第一刻縫112覆蓋區(qū)域不與觸控走線120產生交疊?；诖?，在顯示階段和觸控階段，驅動芯片給公共電極塊111施加電壓信號時，公共電極塊111在第一刻縫112覆蓋區(qū)域不會和觸控走線120形成電容，與現有技術相比，可降低公共電極塊111的耦合電容。

與現有技術相比，本實施例提供的顯示面板能夠降低公共電極塊111的耦合電容，并且不會增加工藝復雜度。本領域技術人員可以理解，像素電極132通常通過第一過孔133與薄膜晶體管131的漏極131D電連接，為了避免形成在第一過孔133中的像素電極132和公共電極塊111產生電連接，在公共電極塊111的對應每個第一過孔133的位置需要形成尺寸大于第一過孔133尺寸的第一開口115，避免像素電極132和公共電極塊111電連接。本實施例中，在公共電極塊111中形成對應每個第一過孔133的第一開口115時，直接將觸控走線120相鄰兩側的兩個薄膜晶體管131的漏極131D上方所對應的相鄰兩個第一開口115挖空以形成第一刻縫112，與現有技術相比不增加工藝復雜度。具體的，可以采用形成第一開口115的制程直接在公共電極塊111上形成第一過孔115和第一刻縫112，該第一刻縫112不僅在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線120兩側的兩個子像素130的薄膜晶體管131的漏極131D，還能夠作為公共電極塊111的第一開口避免像素電極132與公共電極塊111電連接。

本領域技術人員可以理解，本發(fā)明實施例提供的公共電極塊111可選設置在像素電極132所在膜層和薄膜晶體管131的漏極131D所在膜層之間，基于此并結合附圖需要強調兩個內容：一、圖2A及其他俯視圖示出的公共電極塊111覆蓋像素電極132等結構僅是為了表現出公共電極塊111上的刻縫和薄膜晶體管131的漏極131D的相對位置關系，并不是限定公共電極塊111必須覆蓋像素電極132等結構，在本發(fā)明中不對顯示面板的膜層結構進行具體限制；二、圖2A及其他俯視圖示出的公共電極塊111上均具有對應每個第一過孔133的第一開口115，但為了突出本發(fā)明實施例中公共電極塊111上的刻縫，在本發(fā)明實施例示出的除圖2A之外的其他俯視圖中一致省略示出第一開口115，借以突出刻縫，僅在圖2A中示出第一開口115。

本實施例提供的顯示面板，對于與至少一條觸控走線電連接且與至少一條觸控走線絕緣交疊的任一公共電極塊，該公共電極塊包括多個第一刻縫，第一刻縫的延伸方向與觸控走線的延伸方向交叉，任一第一刻縫在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線兩側的兩個子像素的薄膜晶體管的漏極。本實施例中公共電極塊復用為觸控電極，公共電極塊在第一刻縫區(qū)域不與觸控走線產生交疊，則在顯示階段和觸控階段，向公共電極塊施加電壓信號時，公共電極塊在第一刻縫區(qū)域不會和觸控走線形成電容，可降低公共電極塊的耦合電容；另一方面，第一刻縫還能夠作為公共電極塊的對應像素電極的第一開口以避免像素電極與公共電極塊電連接，顯然，與現有技術相比，第一刻縫的制程與公共電極塊的對應像素電極的開口制程類似，無需增加新的工序。與現有技術相比，本實施例提供的顯示面板在不增加工藝復雜度的基礎上，達到了降低公共電極塊耦合電容的效果。

示例性的，在上述技術方案的基礎上，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，如圖4A和圖4B所示，該顯示面板的子像素130還包括像素電極132；公共電極塊111還包括多個第二刻縫113，第二刻縫113的延伸方向與觸控走線120的延伸方向相同，任一第二刻縫113在垂直于顯示面板方向上的投影位于觸控走線120兩側的兩個子像素130的像素電極132之間。本實施例沿用上述實施例的附圖標記，圖4B是圖4A沿B-B'的剖視圖。本領域技術人員可以理解，圖4A所示顯示面板的膜層結構不僅限于圖4B所示結構，還包括其他結構，在此不再贅述。

如圖4A及圖4B所示可選第二刻縫113與觸控走線120在垂直于顯示面板方向上的投影至少部分重疊。本實施例中公共電極塊113上具有多個第二刻縫113，第二刻縫113在垂直于顯示面板方向上的投影位于觸控走線120兩側的兩個子像素130的像素電極132之間且第二刻縫113與觸控走線120在垂直于顯示面板方向上的投影至少部分重疊，則公共電極塊111在第二刻縫113和觸控走線120的重疊區(qū)域不與觸控走線120產生交疊?；诖耍陲@示階段和觸控階段，驅動芯片給公共電極塊111施加電壓信號時，公共電極塊111在第二刻縫113和觸控走線120的重疊區(qū)域不會和觸控走線120形成電容，與現有技術相比，可降低公共電極塊111的耦合電容。

本實施例中，公共電極塊111具有多個第一刻縫112和多個第二刻縫113，公共電極塊111在第一刻縫112區(qū)域不會和觸控走線120形成電容，公共電極塊111在第二刻縫113和觸控走線120的重疊區(qū)域不會和觸控走線120形成電容，因此與現有技術相比，公共電極塊111上設置的刻縫可進一步降低公共電極塊111和觸控走線120的耦合電容。

本發(fā)明實施例還提供了另一種顯示面板，該顯示面板與圖4A～圖4B所示顯示面板的區(qū)別在于，如圖5A及圖5B所示，該顯示面板的第二刻縫113在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線120在垂直于顯示面板方向上的投影?？蛇x第二刻縫113在垂直于顯示面板方向上的投影的邊緣與觸控走線120在垂直于顯示面板方向上的投影的邊緣平齊。圖5B是圖5A沿C-C'的剖視圖。如圖5A所示該顯示面板的公共電極塊113上具有多個第二刻縫113，第二刻縫113在垂直于顯示面板方向上的投影位于觸控走線120兩側的兩個子像素130的像素電極132之間且第二刻縫113在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線120在垂直于顯示面板方向上的部分投影，則公共電極塊111在第二刻縫113區(qū)域不與觸控走線120產生交疊。基于此，在顯示階段和觸控階段，驅動芯片給公共電極塊111施加電壓信號時，公共電極塊111在第二刻縫113區(qū)域不會和觸控走線120形成電容，與現有技術相比，可降低公共電極塊111的耦合電容。本實施例中，公共電極塊111具有多個第一刻縫112和多個第二刻縫113，與現有技術相比，公共電極塊111上設置的刻縫可進一步降低公共電極塊111和觸控走線120的耦合電容。

本發(fā)明實施例還提供了又一種顯示面板，該顯示面板與上述任一顯示面板的區(qū)別在于，如圖6A所示該顯示面板的第二刻縫113在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋觸控走線120在垂直于顯示面板方向上的投影。可選第二刻縫113在垂直于顯示面板方向上的投影的邊緣超出觸控走線120在垂直于顯示面板方向上的投影的邊緣。如圖6A所示該顯示面板的公共電極塊111具有多個第一刻縫112和多個第二刻縫113，與現有技術相比，公共電極塊111上設置的刻縫可進一步降低公共電極塊111和觸控走線120的耦合電容。圖6B是圖6A沿D-D'的剖視圖。

需要說明的是，本實施例提供的任一顯示面板，可選如圖4A～圖6所示在觸控走線120的延伸方向上，第一刻縫112與第二刻縫113相互間隔設置，相鄰的第一刻縫112和第二刻縫113并未貫通，則一公共電極塊111上的多個第一刻縫112和多個第三刻縫113不會分割公共電極塊111。

在其他可選實施例中，也可選如圖7所示，對于與至少一條觸控走線120絕緣交疊設置的任一公共電極塊111，該公共電極塊111具有多個第一刻縫112和多個第二刻縫113，在觸控走線120的延伸方向上第一刻縫112和第二刻縫113相互間隔設置且貫通。具體的以圖7所示中間一個公共電極塊111為例，該公共電極塊111包括多個第一刻縫112和多個第二刻縫113，在一條觸控走線120延伸方向上第一刻縫112和第二刻縫113相互間隔設置且貫通，以及該公共電極塊111中位于頂端的第二刻縫113并未延伸至公共電極塊111的頂部，或位于末端的第一刻縫112并未延伸至公共電極塊111的頂部，則該公共電極塊111未被刻縫分割為多塊，還是作為一個整體公共電極塊111應用，與相應的至少一條觸控走線120電連接，能夠進一步降低公共電極塊111與觸控走線120的耦合電容。

在其他可選實施例中，也可選如圖8所示對于與至少一條觸控走線120電連接的任一公共電極塊111，該公共電極塊111還包括第三刻縫114，第三刻縫114和觸控走線120的延伸方向相同且和與公共電極塊111電連接的觸控走線120的延伸路徑相同。具體的，例如圖8所示的中間一公共電極塊111，該公共電極塊111與至少一條觸控走線120電連接，在該公共電極塊111和與其電連接的觸控走線120的交疊區(qū)域設置有第三刻縫114，第三刻縫114從公共電極塊111和觸控電極120電連接的位置起始并可延伸貫通公共電極塊111，其中，第三刻縫114的延伸路徑和與公共電極塊111電連接的觸控走線120的延伸路徑相同。

本實施例中，可選采用刻蝕制程在公共電極塊111上同時形成第一刻縫112和第二刻縫113，與現有技術相比，并未增加工序，也不會增加工藝復雜度。

在上述任意實施例的基礎上，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，該顯示面板為液晶顯示面板，具體的，如圖9A和圖9B所示該顯示面板還包括彩膜基板200，陣列基板100和彩膜基板200之間設置有液晶層，其中陣列基板100的結構如圖2A～圖8所示，圖9B是圖9A沿E-E'的剖視圖。

如圖9A所示，本實施例中顯示面板包括多條掃描線141和多條數據線142，多條掃描線141和多條數據線142交叉限定出多個像素單元。像素單元中包括至少一個像素電極132和與像素電極132電連接的薄膜晶體管131，其中像素電極132通過第一過孔133與薄膜晶體管131的漏極電連接，數據線142和薄膜晶體管131的源極電連接，掃描線141和薄膜晶體管131的柵極電連接。

顯示面板包括多個公共電極塊111，公共電極塊111在垂直于顯示面板方向上的投影覆蓋多個像素單元，公共電極塊111和至少一條觸控走線120電連接，可選該公共電極塊111包括第一刻縫112、第二刻縫113和第三刻縫114。

彩膜基板200上設置有黑矩陣201，黑矩陣201限定出像素電極132所在區(qū)域，黑矩陣201還遮擋陣列基板上的掃描線141、數據線142、觸控走線120和薄膜晶體管131等。

本領域技術人員可以理解，上述實施例僅示出了顯示面板的部分膜層及其結構，顯示面板中陣列基板和彩膜基板的結構包括但不限于上述示例，在本發(fā)明中并不對顯示面板的結構進行具體限制，現有任意一種自容式In-cell觸控模式的顯示面板均落入本發(fā)明的保護范圍。

本實施例提供的顯示面板，公共電極塊上設置有刻縫，刻縫在垂直于顯示面板方向上的投影與觸控走線產生交疊，則在顯示階段和觸控階段，觸控走線與公共電極塊在刻縫所在區(qū)域不會形成電容，可降低公共電極塊的耦合電容。

本發(fā)明實施例還提供一種觸控顯示裝置，該觸控顯示裝置包括如上任意實施例所述的顯示面板，該觸控顯示裝置可應用在穿戴式智能手環(huán)中，也可應用在智能手機、平板電腦等顯示器領域。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權利要求范圍決定。