本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板、顯示裝置和像素充電方法。

背景技術(shù)：

近年來，數(shù)碼產(chǎn)品的發(fā)展在給人們帶來便利的同時，其在顯示過程中的藍(lán)光危害會對人們的視力造成不良影響。為了去除藍(lán)光，目前的液晶顯示產(chǎn)品會提供一種護(hù)眼顯示模式，在該模式中，通過調(diào)節(jié)紅、綠、藍(lán)三種顏色的子像素單元對應(yīng)的像素電極電壓來改變?nèi)N顏色的穿透率，以實現(xiàn)低藍(lán)光穿透的目的。

在實現(xiàn)本發(fā)明過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題：

目前的護(hù)眼顯示模式中，通過降低綠、藍(lán)兩種顏色的子像素單元的像素電極電壓實現(xiàn)降低藍(lán)光穿透，然而，在液晶顯示產(chǎn)品中，液晶的響應(yīng)時間與像素電極電壓負(fù)相關(guān)，因此在護(hù)眼顯示模式中，降低像素電極電壓，會延長液晶的響應(yīng)時間，較長的響應(yīng)時間會造成畫面拖影問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板、顯示裝置和像素充電方法，在護(hù)眼顯示模式中，改善由于液晶響應(yīng)時間的延長而造成的畫面拖影問題。

一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括：

呈矩陣分布的多個像素單元；

每個所述像素單元包括：第一特定子像素單元，所述第一特定子像素單元包括相互絕緣的第一像素電極和第二像素電極；

與每個所述像素單元對應(yīng)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，在每個所述像素單元中，所述第一薄膜晶體管的漏極電連接于所述第一像素電極，所述第二薄膜晶體管的漏極電連接于所述第二像素電極。

另一方面，提供一種液晶顯示面板，包括上述的陣列基板。

另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的液晶顯示面板。

另一方面，提供一種像素充電方法，用于上述的陣列基板，所述方法包括：在正常顯示模式下，為所述第一像素電極和所述第二像素電極充入相同的數(shù)據(jù)電壓；在護(hù)眼顯示模式下，為所述第一像素電極充入0V電壓，為所述第二像素電極充入數(shù)據(jù)電壓。

本實施例中的陣列基板、液晶顯示面板、顯示裝置和像素充電方法，第一特定子像素單元包括相互絕緣的第一像素電極和第二像素電極，第一像素電極由第一薄膜晶體管控制，第二像素電極由第二薄膜晶體管控制，在實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式時，通過第一薄膜晶體管傳輸0V電壓至第一像素電極，通過第二薄膜晶體管傳輸數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極，第一像素電極所對應(yīng)的液晶不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，第二像素電極所對應(yīng)的液晶按照數(shù)據(jù)電壓所對應(yīng)的角度進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，使第一特定子像素單元以較低的透過率發(fā)光。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過使第一像素電極所對應(yīng)的液晶不偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)降低透過率的目的，無需降低像素電極的數(shù)據(jù)電壓值來降低透過率，因此，在降低透過率以實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式的同時，像素電極所對應(yīng)的液晶不會由于數(shù)據(jù)電壓值的降低而延長響應(yīng)時間，從而改善了由于液晶響應(yīng)時間的延長而造成的畫面拖影問題。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中一個像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為圖8中一個像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例中一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例中一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明實施例中使用的術(shù)語是僅僅出于描述特定實施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

如圖1和圖2所示，圖1為本發(fā)明實施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中一個像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括：呈矩陣分布的多個像素單元1，每個像素單元1包括多個子像素單元，例如，在圖1中，相鄰的三個子像素單元組成一個像素單元1；每個像素單元1包括：第一特定子像素單元21，第一特定子像素單元21包括相互絕緣的第一像素電極201和第二像素電極202；與每個像素單元1對應(yīng)的第一薄膜晶體管31和第二薄膜晶體管32，在每個像素單元1中，第一薄膜晶體管31的漏極電連接于第一像素電極201，第二薄膜晶體管32的漏極電連接于第二像素電極202。

具體地，上述陣列基板可以工作于正常顯示模式和護(hù)眼顯示模式。在正常顯示模式下，每個像素單元1進(jìn)行充電時，在第一薄膜晶體管31和第二薄膜晶體管32的控制下傳輸相同的數(shù)據(jù)電壓至第一像素電極201和第二像素電極202，使第一特定子像素單元21中的第一像素電極201和第二像素電極202被充電至相同的電壓值，第一像素電極201和第二像素電極202所對應(yīng)的液晶以相同的角度進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，使第一特定子像素單元21以正常的透過率發(fā)光，實現(xiàn)正常顯示；在護(hù)眼顯示模式下，每個像素單元1進(jìn)行充電時，在第一薄膜晶體管31的控制下傳輸0V電壓至第一像素電極201，在第二薄膜晶體管32的控制下傳輸數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極202，第一像素電極201被充電至0V，第一像素電極201所對應(yīng)的液晶不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，第二像素電極202被充電至數(shù)據(jù)電壓，第二像素電極202所對應(yīng)的液晶按照數(shù)據(jù)電壓所對應(yīng)的角度進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，使第一特定子像素單元21以較低的透過率發(fā)光，以此來實現(xiàn)降低藍(lán)光的穿透，達(dá)到護(hù)眼的目的。在護(hù)眼顯示模式下，通過使第一像素電極201所對應(yīng)的液晶不偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)降低透過率的目的，因此，傳輸至第二像素電極202的數(shù)據(jù)電壓不需要降低，即第二像素電極202所對應(yīng)的液晶的響應(yīng)時間不會由于數(shù)據(jù)電壓的降低而延長。

本實施例中的陣列基板，第一特定子像素單元包括相互絕緣的第一像素電極和第二像素電極，第一像素電極由第一薄膜晶體管控制，第二像素電極由第二薄膜晶體管控制，在實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式時，通過第一薄膜晶體管傳輸0V電壓至第一像素電極，通過第二薄膜晶體管傳輸數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極，第一像素電極所對應(yīng)的液晶不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，第二像素電極所對應(yīng)的液晶按照數(shù)據(jù)電壓所對應(yīng)的角度進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，使第一特定子像素單元以較低的透過率發(fā)光。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過使第一像素電極所對應(yīng)的液晶不偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)降低透過率的目的，無需降低像素電極的數(shù)據(jù)電壓值來降低透過率，因此，在降低透過率以實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式的同時，像素電極所對應(yīng)的液晶不會由于數(shù)據(jù)電壓值的降低而延長響應(yīng)時間，從而改善了由于液晶響應(yīng)時間的延長而造成的畫面拖影問題。

可選地，如圖1和圖2所示，上述陣列基板還包括：與每一行像素單元1對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42；任意相鄰的兩行像素單元1之間設(shè)置有一條第一柵線41和一條第二柵線42；在每一行像素單元1中，第一薄膜晶體管31的柵極電連接于對應(yīng)的第一柵線41，第二薄膜晶體管32的柵極電連接于對應(yīng)的第二柵線42。通過兩條柵線來分別控制第一薄膜晶體管31和第二薄膜晶體管32，在實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式時，第一像素電極201和第二像素電極202可以通過兩條柵線的控制在不同時刻依次進(jìn)行充電，這樣，第一像素電極201就可以與相鄰的其他像素電極共用一條數(shù)據(jù)線，從而減小數(shù)據(jù)線的數(shù)量，無需為第一特定子像素單元21設(shè)置獨立的兩條數(shù)據(jù)線。

可選地，如圖3所示，圖3為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，每一行像素單元1位于對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42之間；或者，如圖1和圖2所示，每一行像素單元1位于對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42的同一側(cè)。

可選地，如圖1、圖2或圖3所示，上述陣列基板還包括：與每一列像素單元1對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51和第二數(shù)據(jù)線52，第一特定子像素單元21位于所對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51和第二數(shù)據(jù)線52之間；第一薄膜晶體管31的源極電連接于對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51，第二薄膜晶體管32的源極電連接于對應(yīng)的第二數(shù)據(jù)線52。在護(hù)眼顯示模式時，第一數(shù)據(jù)線51傳輸0V電壓至第一像素電極201，第二數(shù)據(jù)線52傳輸數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極202。

可選地，如圖1、圖2所示或圖4所示，圖4為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖，每個像素單元1還包括與第一特定子像素單元21相鄰的第一非特定子像素單元61，第一數(shù)據(jù)線51位于對應(yīng)的一列像素單元1中第一特定子像素單元21與第一非特定子像素單元61之間；陣列基板還包括與每個像素單元1對應(yīng)的第三薄膜晶體管33，第三薄膜晶體管33的源極電連接于對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51，第三薄膜晶體管33的漏極電連接于對應(yīng)的第一非特定子像素單元61中的像素電極，第三薄膜晶體管33的柵極電連接于對應(yīng)的第二柵線42。每個像素單元1還可以包括第二非特定子像素單元62，相應(yīng)的，陣列基板可以包括與每個像素單元1對應(yīng)的第四薄膜晶體管34以及第三數(shù)據(jù)線53，第四薄膜晶體管34的源極電連接于對應(yīng)的第三數(shù)據(jù)線53，第四薄膜晶體管34的漏極電連接于第二非特定子像素單元62的像素電極，第四薄膜晶體管34的柵極電連接于第二柵線42。該結(jié)構(gòu)下，第一特定子像素單元21中的第一像素電極201與第一非特定子像素單元61中的像素電極共用第一數(shù)據(jù)線51，從而節(jié)約了數(shù)據(jù)線的布線空間，并提高了透過率。以下針對圖1、圖2或圖4中所示的結(jié)構(gòu)說明陣列基板的驅(qū)動方式。例如，在正常顯示模式中，在對一行像素單元進(jìn)行充電時，該行像素單元對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42依次輸出導(dǎo)通電平，在第一柵線41輸出導(dǎo)通電平時，第一薄膜晶體管31導(dǎo)通，第一數(shù)據(jù)線51輸出數(shù)據(jù)電壓至第一像素電極201，在第二柵線42輸出導(dǎo)通電平時，第二薄膜晶體管32、第三薄膜晶體管33和第四薄膜晶體管34導(dǎo)通，第一數(shù)據(jù)線51輸出數(shù)據(jù)電壓至第一非特定子像素單元61的像素電極，第二數(shù)據(jù)線52輸出數(shù)據(jù)電壓至第一特定子像素單元21的第二像素電極202，第三數(shù)據(jù)線53輸出數(shù)據(jù)電壓至第二非特定子像素單元62的像素電極，在該行像素單元充電完成之后，按照相同的方式為下一行像素單元進(jìn)行充電。可以理解的，正常顯示模式也可以采用其他的驅(qū)動方式，例如，首先依次使每一行像素單元對應(yīng)的第一柵線41輸出導(dǎo)通電平，使第一數(shù)據(jù)線51依次輸出數(shù)據(jù)電壓至每一行的第一特定子像素單元21中的第一像素電極201，在所有的第一像素電極201充電完成之后，再依次使每一行像素單元對應(yīng)的第二柵線42輸出導(dǎo)通電平，使第一數(shù)據(jù)線51、第二數(shù)據(jù)線52和第三數(shù)據(jù)線53分別輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至第一非特定子像素單元61的像素電極、第一特定子像素單元21的第二像素電極202和第二非特定子像素單元62的像素電極，在所有的像素電極都充電完成之后，按照相同的方式進(jìn)行下一個畫面的掃描。在護(hù)眼顯示模式下，在對一行像素單元進(jìn)行充電時，該行像素單元對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42依次輸出導(dǎo)通電平，在第一柵線41輸出導(dǎo)通電平時，第一薄膜晶體管31導(dǎo)通，第一數(shù)據(jù)線51輸出0V電壓至第一像素電極201，在第二柵線42輸出導(dǎo)通電平時，第二薄膜晶體管32、第三薄膜晶體管33和第四薄膜晶體管34導(dǎo)通，第一數(shù)據(jù)線51、第二數(shù)據(jù)線52和第三數(shù)據(jù)線53分別輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至第一非特定子像素單元61的像素電極、第一特定子像素單元21的第二像素電極202和第二非特定子像素單元62的像素電極，在該行像素單元充電完成之后，按照相同的方式為下一行像素單元進(jìn)行充電?？梢岳斫獾?，護(hù)眼顯示模式也可以采用其他的驅(qū)動方式，例如，首先依次使每一行像素單元對應(yīng)的第二柵線42輸出導(dǎo)通電平，使第一數(shù)據(jù)線51、第二數(shù)據(jù)線52和第三數(shù)據(jù)線53分別輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至第一非特定子像素單元61的像素電極、第一特定子像素單元21的第二像素電極202和第二非特定子像素單元62的像素電極，以此來進(jìn)行顯示畫面的正常掃描，在顯示畫面的正常掃描過程中，在特定時間使所有的第二柵線42輸出截止電平，所有的第一柵線41同時輸出導(dǎo)通電平，使所有的第一數(shù)據(jù)線51輸出0V電壓至每一個第一特定子像素單元21的第一像素電極201，以此來防止第一薄膜晶體管31的漏電流導(dǎo)致第一像素電極201上的電壓不穩(wěn)定。

可選地，如圖5或圖6所示，圖5為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖，圖6為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖，上述陣列基板還包括：每個像素單元還包括與第一特定子像素單元21相鄰的第二特定子像素單元22，第二特定子像素單元22包括相互絕緣的第三像素電極203和第四像素電極204，第二數(shù)據(jù)線52位于對應(yīng)的一列像素單元中第一特定子像素單元21與第二特定子像素單元22之間；與每一列像素單元對應(yīng)的第三數(shù)據(jù)線53，第三數(shù)據(jù)線53位于對應(yīng)的一列像素單元中第二特定子像素單元22遠(yuǎn)離第一特定子像素單元21的一側(cè)；陣列基板還包括與每個像素單元對應(yīng)的第四薄膜晶體管34和第五薄膜晶體管35；第四薄膜晶體管34的源極電連接于對應(yīng)的第二數(shù)據(jù)線52，第四薄膜晶體管34的漏極電連接于對應(yīng)的第三像素電極203，第四薄膜晶體管35的柵極電連接于對應(yīng)的第一柵線41；第五薄膜晶體管35的源極電連接于對應(yīng)的第三數(shù)據(jù)線53，第五薄膜晶體管35的漏極電連接于對應(yīng)的第四像素電極204，第五薄膜晶體管35的柵極電連接于對應(yīng)的第二柵線42。該結(jié)構(gòu)下，第一特定子像素單元21中的第二像素電極202與第二特定子像素單元22中的第三像素電極203共用第二數(shù)據(jù)線52，從而節(jié)約了數(shù)據(jù)線的布線空間，并提高了透過率。如圖5所示，每個像素單元還包括與第一特定子像素單元21相鄰的第一非特定子像素單元61，第一數(shù)據(jù)線51位于對應(yīng)的一列像素單元中第一特定子像素單元21與第一非特定子像素單元61之間；陣列基板還包括與每個像素單元對應(yīng)的第三薄膜晶體管33，第三薄膜晶體管33的源極電連接于對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51，第三薄膜晶體管33的漏極電連接于對應(yīng)的第一非特定子像素單元61中的像素電極，第三薄膜晶體管33的柵極電連接于對應(yīng)的第二柵線42。如圖6所示，每個像素單元還包括與第一特定子像素單元21相鄰的第三特定子像素單元23，第三特定子像素單元23包括相互絕緣的第五像素電極205和第六像素電極206，第一數(shù)據(jù)線51位于對應(yīng)的一列像素單元中的第一特定子像素單元21與第三特定子像素單元23之間；陣列基板還包括與每個像素單元對應(yīng)的第三薄膜晶體管33、第六薄膜晶體管36以及第四數(shù)據(jù)線54，第三薄膜晶體管33的源極電連接于第一數(shù)據(jù)線51，第三薄膜晶體管33的漏極電連接于第六像素電極206，第三薄膜晶體管33的柵極電連接于第二柵線42，第六薄膜晶體管36的源極電連接于第四數(shù)據(jù)線54，第六薄膜晶體管36的漏極電連接于第五像素電極205，第六薄膜晶體管36的柵極電連接于第一柵線41。以下針對圖5所示的結(jié)構(gòu)說明陣列基板的驅(qū)動方式。例如，在正常顯示模式中，在對一行像素單元進(jìn)行充電時，該行像素單元對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42依次輸出導(dǎo)通電平，在第一柵線41輸出導(dǎo)通電平時，數(shù)據(jù)線輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至各特定子像素單元中的其中一個像素電極，在第二柵線42輸出導(dǎo)通電平時，數(shù)據(jù)線輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至各特定子像素單元中的另外一個像素電極，同時數(shù)據(jù)線輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至第一非特定子像素單元61中的像素電極，在該行像素單元充電完成之后，按照相同的方式為下一行像素單元進(jìn)行充電?？梢岳斫獾?，正常顯示模式也可以采用其他的驅(qū)動方式，例如，首先依次使每一行像素單元對應(yīng)的第一柵線41輸出導(dǎo)通電平，使每個特定子像素單元中的一個像素電極進(jìn)行充電，在所有行的特定子像素單元中的一個像素電極充電完成之后，再依次使每一行像素單元對應(yīng)的第二柵線42輸出導(dǎo)通電平，使每個特定子像素單元中的另一個像素電極和非特定子像素單元中的像素電極進(jìn)行充電，在所有的像素電極都完成充電之后，按照相同的方式進(jìn)行下一個畫面的掃描。在護(hù)眼顯示模式下，在對一行像素單元進(jìn)行充電時，該行像素單元對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42依次輸出導(dǎo)通電平，在第一柵線41輸出導(dǎo)通電平時，輸出0V電壓至各特定子像素單元中的一個像素電極，在第二柵線42輸出導(dǎo)通電平時，輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至各特定子像素單元中的另一個像素電極以及非特定子像素單元中的像素電極，在該行像素單元充電完成之后，按照相同的方式為下一行像素單元進(jìn)行充電?？梢岳斫獾?，護(hù)眼顯示模式也可以采用其他的驅(qū)動方式，例如，首先依次使每一行像素單元對應(yīng)的第二柵線42輸出導(dǎo)通電平，輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至各特定子像素單元中的一個像素電極以及非特定子像素單元中的像素電極，以此來進(jìn)行顯示畫面的正常掃描，在顯示畫面的正常掃描過程中，在特定時間時使所有的第二柵線42輸出截止電平，所有的第一柵線41同時輸出導(dǎo)通電平，輸出0V電壓至每個特定子像素單元中的另一個像素電極。圖6中所示的結(jié)構(gòu)中有三個特定子像素單元，沒有非特定子像素單元，對于特定子像素單元的驅(qū)動方式與上述圖2、圖4和圖5中的驅(qū)動方式相同，在此不再贅述。

可選地，如圖7所示，圖7為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板包括與每一列像素單元對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51，第一薄膜晶體管31的源極電連接于對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51，第二薄膜晶體管32的源極電連接于對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51。在圖2、圖4、圖5和圖6所示的結(jié)構(gòu)中，第一薄膜晶體管31與第二薄膜晶體管32的源極電連接于不同的數(shù)據(jù)線，而在圖7所示的結(jié)構(gòu)中，第一薄膜晶體管31與第二薄膜晶體管32的源極電連接于相同的數(shù)據(jù)線。以下針對圖7所示的結(jié)構(gòu)說明陣列基板的驅(qū)動方式。例如，在正常顯示模式中，在對一行像素單元進(jìn)行充電時，該行像素單元對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42同時輸出導(dǎo)通電平，使第一數(shù)據(jù)線51輸出同樣的數(shù)據(jù)電壓至第一像素電極201和第二像素電極202，在該行像素單元充電完成之后，按照相同的方式為下一行像素單元進(jìn)行充電?；诖耍瑘D7中所示的結(jié)構(gòu)在正常顯示模式時，為一行像素單元進(jìn)行充電時，只需要同時導(dǎo)通第一柵線41和第二柵線42即可完成該行像素單元的充電，而圖2、圖4、圖5和圖6所示的結(jié)構(gòu)在正常顯示模式時，為一行像素單元進(jìn)行充電時，需要分別兩次導(dǎo)通第一柵線41和第二柵線42才能完成該行像素單元的充電，因此，圖7中所示的結(jié)構(gòu)在正常顯示模式時的所需要的充電時間更短，可以提高顯示的刷新頻率。在護(hù)眼顯示模式中，在對一行像素單元進(jìn)行充電時，該行像素單元對應(yīng)的第一柵線41和第二柵線42依次輸出導(dǎo)通電平，在第一柵線41輸出導(dǎo)通電平時，第一數(shù)據(jù)線51輸出0V電壓至第一像素電極201，在第二柵線42輸出導(dǎo)通電平時，第一數(shù)據(jù)線51輸出對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極202，在該行像素單元充電完成之后，按照相同的方式為下一行像素單元進(jìn)行充電?？梢岳斫獾模o(hù)眼顯示模式也可以采用其他的驅(qū)動方式，例如，首先依次使每一行像素單元對應(yīng)的第二柵線42輸出導(dǎo)通電平，第一數(shù)據(jù)線51輸出相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極202，以此來進(jìn)行顯示畫面的正常掃描，在顯示畫面的正常掃描過程中，在特定時間時使所有的第二柵線42輸出截止電平，所有的第一柵線41同時輸出導(dǎo)通電平，第一數(shù)據(jù)線51輸出0V電壓至第一像素電極201。需要說明的是，圖7中僅示意了一個像素單元中包括一個特定子像素單元和兩個非特定子像素單元的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例對于一個像素單元中特定子像素單元的個數(shù)不做限定，例如一個像素單元可以包括兩個特定子像素單元和一個非特定子像素單元，或者一個像素單元包括三個特定子像素單元。對于每個像素單元中的其他特定子像素單元的驅(qū)動方式與第一特定子像素單元的驅(qū)動方式相同，在此不再贅述，對于每個像素單元中的非特定子像素單元的驅(qū)動方式，與圖2、圖4和圖5中的非特定子像素單元的驅(qū)動方式相同，在此不再贅述。

可選地，如圖8和圖9所示，圖8為本發(fā)明實施例中另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為圖8中一個像素單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板還包括與每一行像素單元1對應(yīng)的柵線4，在每一行像素單元1中，第一薄膜晶體管31的柵極和第二薄膜晶體管32的柵極電連接于對應(yīng)的柵線4。圖8和圖9中所示的結(jié)構(gòu)，每一行像素單元中，第一薄膜晶體管31和第二薄膜晶體管32共用同一條柵線4，與圖1至7中所示的結(jié)構(gòu)相比，節(jié)約了柵線的數(shù)量。

可選地，如圖8所示，任意相鄰的兩行像素單元1之間設(shè)置有一條柵線4。

可選地，如圖8和圖9所示，陣列基板還包括：與每一列像素單元1對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51和第二數(shù)據(jù)線52；在每個像素單元中，第一薄膜晶體管31的源極電連接于對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51，第二薄膜晶體管32的源極電連接于對應(yīng)的第二數(shù)據(jù)線52。由于第一薄膜晶體管31和第二薄膜晶體管32由相同的柵線4控制，因此需要為第一像素電極201和第二像素電極202分別設(shè)置相應(yīng)的第一數(shù)據(jù)線51和第二數(shù)據(jù)線52，且在同一行像素單元中，第一數(shù)據(jù)線51和第二數(shù)據(jù)線52不能被其他的像素電極共用。例如，在如圖8和圖9所示的結(jié)構(gòu)中一個像素單元還包括與第一特定子像素單元相鄰的第一非特定子像素單元61和第二非特定子像素單元62，陣列基板還包括與每個像素單元1對應(yīng)的第三薄膜晶體管33、第四薄膜晶體管34、第三數(shù)據(jù)線53和第四數(shù)據(jù)線54，第三薄膜晶體管33的源極電連接于對應(yīng)的第三數(shù)據(jù)線53，第三薄膜晶體管33的漏極電連接于對應(yīng)的第一非特定子像素單元61的像素電極，第三薄膜晶體管33的柵極電連接于對應(yīng)的柵線4，第四薄膜晶體管34的源極電連接于對應(yīng)的第四數(shù)據(jù)線54，第四薄膜晶體管34的漏極電連接于對應(yīng)的第二非特定子像素單元62的像素電極，第四薄膜晶體管34的柵極電連接于對應(yīng)的柵線4。以下針對圖8和圖9中所示的結(jié)構(gòu)說明陣列基板的驅(qū)動方式。例如，在正常顯示模式中，各條柵線4依次導(dǎo)通，使相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓通過各數(shù)據(jù)線分別輸出至各像素電極中。在護(hù)眼顯示模式中，各條柵線4依次導(dǎo)通，第一數(shù)據(jù)線51傳輸0V電壓至第一像素電極201，其他各數(shù)據(jù)線分別傳輸相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓至各像素電極。圖8和圖9中所示的結(jié)構(gòu)中，在每行像素單元1中，每個像素電極分別對應(yīng)一條數(shù)據(jù)線，由于沒有將數(shù)據(jù)線進(jìn)行復(fù)用，因此可以兼容現(xiàn)有的驅(qū)動方式。另外，需要說明的是，圖8和圖9中僅示意了一個像素單元包括一個特定子像素單元和兩個非特定子像素單元的結(jié)構(gòu)，能夠理解的，也可以設(shè)置為一個像素單元包括兩個特定子像素單元和一個非特定子像素單元，或者一個像素單元包括三個特定子像素單元，不包括非特定子像素單元，在本發(fā)明實施例中，對于一個像素單元中非特定子像素單元的數(shù)量不做限定，對于一個像素單元中的特定子像素單元，均可以按照第一特定子像素單元的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)置，其驅(qū)動方式也與第一特定子像素單元的驅(qū)動方式相同，因此在此不再贅述。

可選地，如圖1至9所示，上述第一特定子像素單元21為藍(lán)色子像素單元，即在護(hù)眼顯示模式中，使每個像素單元中的藍(lán)色子像素單元中的一個像素電極保持0V電壓，通過調(diào)節(jié)藍(lán)色子像素的透過率實現(xiàn)降低藍(lán)光穿透的目的。

可選地，如圖5或圖6所示，第二特定子像素單元22為綠色子像素單元，即在護(hù)眼顯示模式中，每個像素單元中的藍(lán)色子像素單元以及綠色子像素單元中的一個像素電極保持0V電壓，通過調(diào)節(jié)藍(lán)色和綠色子像素的透過率實現(xiàn)降低藍(lán)光穿透的目的。需要說明的是，紅色子像素單元也可以為特定子像素單元，即通過調(diào)節(jié)藍(lán)色、綠色和紅色子像素單元的透過率實現(xiàn)降低藍(lán)光透過率的目的。

需要說明的是，圖1至圖9中僅示意了一個像素單元包括三個子像素單元的結(jié)構(gòu)，這三個子像素單元通常為紅綠藍(lán)三種顏色的子像素單元，另外，也可以一個像素單元包括四個子像素單元，這四個子像素單元可以為紅、綠、藍(lán)、白四種顏色的子像素單元，本發(fā)明實施例中對于一個像素單元中的子像素單元的個數(shù)以及具體顏色不做具體限定。

另外，本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，適用于具有正性液晶或負(fù)性液晶的顯示裝置中，相比于正性液晶，由于負(fù)性液晶的粘度更高，因此，現(xiàn)有技術(shù)使用較低的像素電極電壓實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式時，負(fù)性液晶的響應(yīng)時間會變得更長，因此畫面拖影問題更加嚴(yán)重，因此，本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，更加適用于具有負(fù)性液晶的顯示裝置，在護(hù)眼顯示模式中，能夠更好地改善負(fù)性液晶響應(yīng)時間的延長而造成的畫面拖影問題。另外，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案適用于觸控顯示裝置中，觸控顯示裝置的陣列基板可以包括呈矩陣分布的多個觸控電極，每個觸控電極對應(yīng)一條觸控信號線，觸控顯示裝置交替工作在顯示階段和觸控階段。在顯示階段，為各觸控電極提供公共電極電壓，使觸控電極復(fù)用為公共電極，并在顯示階段為像素電極充電，公共電極和像素電極之間的形成電場，以驅(qū)動液晶偏轉(zhuǎn)，實現(xiàn)顯示功能；在觸控階段，為各觸控電極提供脈沖信號，并通過檢測觸控電極上的感應(yīng)信號來判斷觸控位置，實現(xiàn)觸控功能。為了保證屏幕刷新頻率以及保證觸控功能，像素電極的充電時間有限，需要保證在有限的像素電極充電時間內(nèi)，使液晶旋轉(zhuǎn)至所需要的角度，而現(xiàn)有技術(shù)使用較低的像素電極電壓實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式時，液晶的響應(yīng)時間較長，更難保證其旋轉(zhuǎn)至需要的角度，從而造成畫面拖影的問題。因此，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案更加適用于上述觸控顯示裝置中，能夠更好地改善液晶響應(yīng)時間的延長而造成的畫面拖影問題。

如圖10所示，圖10為本發(fā)明實施例中一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示面板，包括上述的陣列基板300，與陣列基板300相對設(shè)置的彩膜基板400，位于陣列基板300和彩膜基板400之間的液晶層500。液晶顯示面板在顯示時，陣列基板300上的像素電極與公共電極之間形成電場，以控制液晶層500中液晶分子的旋轉(zhuǎn)，而達(dá)到顯示功能。

其中，陣列基板300的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實施例相同，在此不再贅述。

本實施例中的液晶顯示面板，第一特定子像素單元包括相互絕緣的第一像素電極和第二像素電極，第一像素電極由第一薄膜晶體管控制，第二像素電極由第二薄膜晶體管控制，在實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式時，通過第一薄膜晶體管傳輸0V電壓至第一像素電極，通過第二薄膜晶體管傳輸數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極，第一像素電極所對應(yīng)的液晶不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，第二像素電極所對應(yīng)的液晶按照數(shù)據(jù)電壓所對應(yīng)的角度進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，使第一特定子像素單元以較低的透過率發(fā)光。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過使第一像素電極所對應(yīng)的液晶不偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)降低透過率的目的，無需降低像素電極的數(shù)據(jù)電壓值來降低透過率，因此，在降低透過率以實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式的同時，像素電極所對應(yīng)的液晶不會由于數(shù)據(jù)電壓值的降低而延長響應(yīng)時間，從而改善了由于液晶響應(yīng)時間的延長而造成的畫面拖影問題。

如圖11所示，圖11為本發(fā)明實施例中一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括上述的液晶顯示面板600。

其中，液晶顯示面板600的具體結(jié)構(gòu)和原理與上述實施例相同，在此不再贅述。顯示裝置可以是例如觸摸顯示屏、手機(jī)、平板計算機(jī)、筆記本電腦、電紙書或電視機(jī)等任何具有顯示功能的電子設(shè)備。

本實施例中的顯示裝置，第一特定子像素單元包括相互絕緣的第一像素電極和第二像素電極，第一像素電極由第一薄膜晶體管控制，第二像素電極由第二薄膜晶體管控制，在實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式時，通過第一薄膜晶體管傳輸0V電壓至第一像素電極，通過第二薄膜晶體管傳輸數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極，第一像素電極所對應(yīng)的液晶不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，第二像素電極所對應(yīng)的液晶按照數(shù)據(jù)電壓所對應(yīng)的角度進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，使第一特定子像素單元以較低的透過率發(fā)光。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過使第一像素電極所對應(yīng)的液晶不偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)降低透過率的目的，無需降低像素電極的數(shù)據(jù)電壓值來降低透過率，因此，在降低透過率以實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式的同時，像素電極所對應(yīng)的液晶不會由于數(shù)據(jù)電壓值的降低而延長響應(yīng)時間，從而改善了由于液晶響應(yīng)時間的延長而造成的畫面拖影問題。

本發(fā)明實施例還提供一種像素充電方法，用于上述陣列基板，上述方法包括：如圖1至9所示，在正常顯示模式下，為第一像素電極201和第二像素電極202充入相同的數(shù)據(jù)電壓；在護(hù)眼顯示模式下，為第一像素電極201充入0V電壓，為第二像素電極202充入數(shù)據(jù)電壓。

其中，像素充電方法的具體過程和原理與上述實施例相同，在此不再贅述。

本實施例中的像素充電方法，第一特定子像素單元包括相互絕緣的第一像素電極和第二像素電極，第一像素電極由第一薄膜晶體管控制，第二像素電極由第二薄膜晶體管控制，在實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式時，通過第一薄膜晶體管傳輸0V電壓至第一像素電極，通過第二薄膜晶體管傳輸數(shù)據(jù)電壓至第二像素電極，第一像素電極所對應(yīng)的液晶不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，第二像素電極所對應(yīng)的液晶按照數(shù)據(jù)電壓所對應(yīng)的角度進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，使第一特定子像素單元以較低的透過率發(fā)光。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過使第一像素電極所對應(yīng)的液晶不偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)降低透過率的目的，無需降低像素電極的數(shù)據(jù)電壓值來降低透過率，因此，在降低透過率以實現(xiàn)護(hù)眼顯示模式的同時，像素電極所對應(yīng)的液晶不會由于數(shù)據(jù)電壓值的降低而延長響應(yīng)時間，從而改善了由于液晶響應(yīng)時間的延長而造成的畫面拖影問題。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。