本發(fā)明涉及光纖通信的，尤其涉及的是一種非接觸式光纖連接器及其制作方法。

背景技術(shù)：

1、非接觸式光纖連接器能夠通過控制光纖對(duì)接間隙大小(一般在um)，提高光纖之間的對(duì)接質(zhì)量，進(jìn)而減少插拔過程臟污、碎屑對(duì)光纖傳輸?shù)母蓴_。非接觸式光纖連接器的工作原理是通過特殊加工工藝來精確控制對(duì)接面插芯光纖的凹陷深度，在這個(gè)極小的空氣隙內(nèi)，光信號(hào)仍然可以通過全反射原理有效地從一根光纖耦合到另一根光纖中。為了進(jìn)一步提高連接效率和穩(wěn)定性，此類連接器通常會(huì)采用抗反射鍍膜技術(shù)來抑制空氣與光纖界面處的反射，從而確保更高的連接損耗性能和更穩(wěn)定的連接狀態(tài)。非接觸的設(shè)計(jì)還增強(qiáng)了連接器在惡劣環(huán)境下的耐用性和可靠性，比如減少灰塵、油污等對(duì)連接性能的影響，并且可以容忍一定程度的端面不平整或者輕微位移。

2、在現(xiàn)有技術(shù)中，非接觸式光纖連接器的加工制作流程是：點(diǎn)膠→穿纖→研磨→光纖凹陷研磨→鍍膜→組裝→測試，光纖凹陷的深度由光纖凹陷研磨工序控制。光纖凹陷的加工是一個(gè)精密的工藝，需要一定的技術(shù)和設(shè)備，目前光纖凹陷是通過輔助設(shè)備進(jìn)行研磨得到，而這種方式會(huì)造成光纖凹陷范圍公差大的問題，經(jīng)測試該公差約為±300nm的誤差范圍，如圖1所示，通過研磨方式制得的光纖凹陷呈v狀，底部不平整，光線的粗糙度也比較大，從而影響光信號(hào)傳輸。

3、因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種非接觸式光纖連接器及其制作方法，旨在解決現(xiàn)有的光纖連接器采用人工研磨的方式，導(dǎo)致制得的光纖凹陷范圍公差大、凹陷形狀不理想以及粗糙度較大，從而影響光信號(hào)傳輸?shù)膯栴}。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N非接觸式光纖連接器的制作方法，采用如下的技術(shù)方案：

3、一種非接觸式光纖連接器的制作方法，所述方法包括：

4、將膠水注入插芯的內(nèi)孔；

5、將光纖穿入所述插芯的內(nèi)孔中；

6、對(duì)所述插芯的端面進(jìn)行研磨，并對(duì)所述光纖以及研磨后的所述插芯通過等離子刻蝕技術(shù)進(jìn)行加工，以使得所述光纖的端面凹陷于所述插芯的端面；

7、對(duì)加工后的所述插芯和所述光纖進(jìn)行鍍膜；

8、將鍍膜后的所述插芯、所述光纖與殼體組裝，以得到所述非接觸式光纖連接器。

9、進(jìn)一步地，所述對(duì)所述插芯和所述光纖通過等離子刻蝕技術(shù)進(jìn)行加工的步驟，包括：

10、通過離子束轟擊所述插芯和所述光纖的端面；

11、根據(jù)所述光纖凹陷于所述插芯的深度對(duì)所述離子束轟擊的能量、速度以及時(shí)間進(jìn)行控制。

12、進(jìn)一步地，所述對(duì)所述插芯和所述光纖通過等離子刻蝕技術(shù)進(jìn)行加工的步驟，還包括：

13、通過等離子刻蝕技術(shù)還可以控制所述光纖凹陷于所述插芯的形狀；

14、根據(jù)所述光纖凹陷于所述插芯的形狀對(duì)所述離子束轟擊的能量、時(shí)間、速度和方向進(jìn)行控制。進(jìn)一步地，所述離子束由，空心陰極離子源通過氣體放電、電子碰撞或者激光方式將原子或分子離子化產(chǎn)生。

15、進(jìn)一步地，所述光纖凹陷于所述插芯的深度范圍是-100nm～+100nm。

16、進(jìn)一步地，所述光纖凹陷于所述插芯的形狀呈u形。

17、進(jìn)一步地，所述光纖凹陷于所述插芯的粗糙度的范圍是5～20nm。

18、進(jìn)一步地，所述將鍍膜后的所述插芯、所述光纖與殼體組裝之前，還包括以下步驟：

19、對(duì)所述插芯和所述光纖的端面進(jìn)行檢測，判斷所述光纖凹陷于所述插芯的形狀及深度是否符合預(yù)期。

20、進(jìn)一步地，所述對(duì)所述插芯和所述光纖的端面進(jìn)行檢測的步驟，包括：

21、利用放大設(shè)備對(duì)所述插芯和所述光纖的端面進(jìn)行檢查，判斷所述光纖凹陷于所述插芯的形狀是否符合預(yù)設(shè)形狀；

22、利用測量儀器對(duì)所述光纖凹陷于所述插芯的深度進(jìn)行測量，判斷是否符合預(yù)設(shè)深度值。

23、第二方面，本申請(qǐng)還提供一種非接觸式光纖連接器，采用如下的技術(shù)方案：

24、一種非接觸式光纖連接器，通過如上所述的非接觸式光纖連接器的制作方法制備獲得。

25、本發(fā)明的有益效果：

26、本發(fā)明提供一種非接觸式光纖連接器及其制作方法，所述方法包括：將膠水注入插芯的內(nèi)孔；將光纖穿入所述插芯的內(nèi)孔中；對(duì)所述插芯的端面進(jìn)行研磨，并對(duì)所述光纖以及研磨后的所述插芯通過等離子刻蝕技術(shù)進(jìn)行加工，以使得所述光纖的端面凹陷于所述插芯的端面；對(duì)加工后的所述插芯和所述光纖進(jìn)行鍍膜；將鍍膜后的所述插芯、所述光纖與殼體組裝，以得到所述非接觸式光纖連接器。本申請(qǐng)通過等離子刻蝕技術(shù)對(duì)插芯端面進(jìn)行刻蝕，代替?zhèn)鹘y(tǒng)的研磨加工方式，不僅操作簡單，且加工精度更高，在符合iec端面標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，形成的光纖凹陷一致性更好，改善了光纖耦接及傳輸穩(wěn)定性，光纖粗糙度也進(jìn)一步降低，更使得光信號(hào)的傳輸損耗減小，傳輸效果更好。

技術(shù)特征：

1.一種非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述插芯和所述光纖通過等離子刻蝕技術(shù)進(jìn)行加工的步驟，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述插芯和所述光纖通過等離子刻蝕技術(shù)進(jìn)行加工的步驟，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，所述離子束由，空心陰極離子源通過氣體放電、電子碰撞或者激光方式將原子或分子離子化產(chǎn)生。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，所述光纖凹陷于所述插芯的深度范圍是-100nm～+100nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，所述光纖凹陷于所述插芯的形狀呈u形。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，所述光纖凹陷于所述插芯的粗糙度的范圍是5～20nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，所述將鍍膜后的所述插芯、所述光纖與殼體組裝之前，還包括以下步驟：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非接觸式光纖連接器的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述插芯和所述光纖的端面進(jìn)行檢測的步驟，包括：

10.一種非接觸式光纖連接器，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的非接觸式光纖連接器的制作方法制備獲得。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種非接觸式光纖連接器及其制作方法,涉及光纖連接器的技術(shù)領(lǐng)域，其包括將膠水注入插芯的內(nèi)孔；將光纖穿入所述插芯的內(nèi)孔中；對(duì)所述插芯的端面進(jìn)行研磨,并對(duì)所述光纖以及研磨后的所述插芯通過等離子刻蝕技術(shù)進(jìn)行加工，以使得所述光纖的端面凹陷于所述插芯的端面；對(duì)加工后的插芯和光纖進(jìn)行鍍膜；將鍍膜后的插芯、光纖與殼體組裝，以得到非接觸式光纖連接器。本申請(qǐng)通過等離子刻蝕技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的研磨工藝，使得形成的光纖凹陷呈U型，不僅減小了光纖凹陷的深度的公差范圍，且在符合IEC端面標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，光纖凹陷深度一致性更好，改善了光纖穩(wěn)定性，光纖表面的粗糙度進(jìn)一步降低，光信號(hào)的傳輸損耗減少，光信號(hào)的傳輸效果得到提升。

技術(shù)研發(fā)人員：李云鋒,蔡爽,錢豐,李滔,楊兵,楊陽,王慧杰,郁建科,尚寶成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市翔通光電技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5