專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用薄膜晶體管(TFT)的有源陣列驅(qū)動型液晶顯示裝置及其制造方法。
在有源陣列型液晶顯示裝置內(nèi)，所設(shè)置的開關(guān)元件與陣列中配置的多個(gè)像素電極分別相對應(yīng)。在有源陣列液晶顯示裝置中，理論上往往按單個(gè)像素方式驅(qū)動液晶，且對比度比采用時(shí)分驅(qū)動制的單陣列型顯示裝置的高。所以，有源陣列型工藝技術(shù)對彩色顯示裝置尤其是必不可缺少的。
根據(jù)有源陣列型液晶顯示裝置的現(xiàn)有技術(shù)，薄膜晶體管(TFT)是由依次在所提供的絕緣透明基板上制作柵電極(柵極線)、柵絕緣膜、半導(dǎo)體層、漏電極(數(shù)據(jù)線)以及源電極而組成。使透明電極與源電極相連接。首先在基板上形成柵電極的這種TFT結(jié)構(gòu)，通常叫做倒交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。JP—A—61—161764(1986)已公開了此種TFT。
采用TFT的液晶顯示裝置由于能用有源驅(qū)動，其優(yōu)點(diǎn)在于具有高對比度。但是，在基板上形成TFT的工藝復(fù)雜，一般需要六次以上的光刻工藝(此后稱之為光刻)步驟。制造TFT基板的光刻步驟次數(shù)多時(shí)，就有使制造TFT基板成本增加的問題，還有，考慮到外來的或制造過程中產(chǎn)生的灰塵污染，有降低制造成品率的問題。
現(xiàn)有技術(shù)已公開了一種用于簡化工藝的方法，該工藝中，連續(xù)地形成一層?xùn)沤^緣膜和半導(dǎo)體層，以及待形成漏電極和源電極的金屬膜，用金屬膜作為繩模制造該半導(dǎo)體層，而后形成透明電極。
然而，會產(chǎn)生這樣的一個(gè)問題，當(dāng)進(jìn)行半導(dǎo)體層的蝕刻工藝時(shí)，如果構(gòu)成源電極的金屬膜的蝕刻速度低于半導(dǎo)體層的蝕刻速度，由于所留下的屋檐狀的源電極邊緣部形成了臺階，而使透明電極容易斷裂。這意味著，沒有充分考慮TFT基板的成品率。
為了獲得明亮的顯示圖像，透明像素電極(以下稱為孔徑比)的透光部的面積應(yīng)盡可能做大。但是，根據(jù)上述的已有技術(shù)，為獲得明亮的顯示圖像，也沒有充分考慮孔徑比的增加。
另外，由于半導(dǎo)體圖形的邊緣部分蝕刻速度比平整部分快，在半導(dǎo)體圖形內(nèi)會在跨越TFT半導(dǎo)體圖形中的柵電極部位造成斷裂，從而增大半導(dǎo)體層與柵電極之間的漏電流。因此，容易在形成于半導(dǎo)體圖形之上的各源電極、漏電極以及柵電極之間發(fā)生短路(G/D短路)問題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種以較少的制造工藝步驟和較高的成品率來制造有源陣列型液晶顯示裝置的方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能獲得明亮圖像的有源陣列型液晶顯示裝置。
本發(fā)明的還有一個(gè)目的是提供一種具有能解決上述短路問題的電極結(jié)構(gòu)的TFT基板并使用該基板的液晶顯示裝置。
解決上述問題的方法包括下列步驟步驟1一個(gè)液晶顯示裝置包括在一個(gè)基板上形成的多條柵極線、跨過多條柵極線所形成的多條數(shù)據(jù)線、在多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線的各個(gè)交點(diǎn)附近形成的薄膜晶體管和與上述薄膜晶體管相連的像素電極，該液晶顯示裝置具有通過像素電極驅(qū)動液晶的功能，其中使像素電極的中心部分直接與基板進(jìn)行接觸，且使像素的周邊部分直接與絕緣膜相接觸，該絕緣膜就是與構(gòu)成薄膜晶體管的柵絕緣膜的同一薄膜層。
步驟2在上述步驟1中，構(gòu)成像素電極的導(dǎo)電膜延伸到薄膜晶體管的源電極，并把構(gòu)成源電極的導(dǎo)電膜的平面圖形外形做成橫跨與基板接觸的像素電極中心部分的一個(gè)區(qū)域處的平面圖形的外形。
步驟3在上述步驟1中，一層光屏蔽膜設(shè)置在數(shù)據(jù)線和與像素電極中心部分處與基板接觸的區(qū)域之間，此光屏蔽膜與數(shù)據(jù)線平行且由與構(gòu)成薄膜晶體管的柵絕緣膜同一個(gè)膜層的絕緣膜和數(shù)據(jù)線絕緣隔開。
步驟4在上述步驟1中，提供各自與多條柵極線對應(yīng)并且平行于該柵極線的電導(dǎo)線，再通過在電導(dǎo)線和像素電極之間保留一層絕緣膜而形成電容元件。
步驟5一種液晶顯示裝置包括在一個(gè)基板上形成的多條柵極線、跨過多條柵極線所形成的多條數(shù)據(jù)線、在多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線各個(gè)交點(diǎn)附近形成的薄膜晶體管、與薄膜晶體管連接的像素電極和與像素電極連接的存儲電容器，且該液晶顯示裝置具有通過電極驅(qū)動液晶的功能，其中此薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)為在由柵極線的一部分構(gòu)成的柵電極上形成柵絕緣膜，在柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體層，以及在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極，使構(gòu)成像素電極的電導(dǎo)膜延伸到源極，而且存儲電容器的結(jié)構(gòu)為在靠近其上形成了薄膜晶體管的柵極線的該柵極線上形成一層絕緣膜(該絕緣膜和柵絕緣膜是同一層膜)，并在該絕緣膜上形成從像素電極延伸出的電導(dǎo)膜。
步驟6在上述步驟5中，在半導(dǎo)體層的邊緣部分，使由構(gòu)成薄膜晶體管的柵絕緣膜與基板形成的傾斜角大于由構(gòu)成薄膜晶體管的柵絕緣膜與基板在構(gòu)成存儲電容器的絕緣膜邊緣部分形成的傾斜角。
步驟7在上述步驟5中，使源電極與半導(dǎo)體層，柵絕緣膜和基板相接觸。
步驟8在上述步驟5中，把多條包含半導(dǎo)體的數(shù)據(jù)線、構(gòu)成源電極和漏電極的電導(dǎo)膜，以及上述構(gòu)件都配置在同一平面圖形內(nèi)。
步驟9在上述步驟5中，各柵極線都覆以構(gòu)成柵極線的電導(dǎo)膜的陽極氧化膜。
步驟10一種用于液晶顯示裝置的制造方法，上述液晶顯示裝置具有在基板上形成的多條柵極線、跨過多條柵極線所形成的多條數(shù)據(jù)線、在多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線的各交點(diǎn)附近形成的薄膜晶體管以及與該薄膜晶體管連接的像素電極，并具有通過像素電極對液晶進(jìn)行驅(qū)動的功能，該方法包括步驟按同樣的工藝過程以近似相同的平面圖形蝕刻柵絕緣膜和在該柵絕緣膜上形成的半導(dǎo)體膜層兩者，而后，選擇性地蝕刻半導(dǎo)體層。
步驟11在上述步驟10中，在用同一工藝對柵絕緣膜和半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻后，再在半導(dǎo)體層上形成一具有預(yù)定圖形的金屬膜，隨后用此金屬膜作為掩模蝕刻半導(dǎo)體層。
步驟12在上述步驟10中，還具有一種陽極氧化柵極線表面的工藝。
步驟13在上述步驟10中，在按同一工藝腐蝕柵絕緣膜和半導(dǎo)體層的工藝中用六氟化硫作為腐蝕氣體。
步驟14在上述步驟10中，在用金屬膜作為繩模對半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻的工藝中用六氟化硫和氯的混合氣體作為蝕刻氣體。
步驟15在上述步驟10中，對半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻之后再形成像素電極。
另外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的特征如下(1)一種半導(dǎo)體器件包括一個(gè)絕緣基板，其上制有由柵電極、絕緣層和半導(dǎo)體層組成的半導(dǎo)體圖形，以及跨過上述半導(dǎo)體圖形區(qū)域的柵電極所形成的源電極和漏電極，其中所形成的柵電極的邊緣部分是逐漸變薄的，且在柵電極上所形成的半導(dǎo)體圖形的邊緣部分也是逐漸變薄的，以使柵電極的傾斜角θg等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部分傾斜角θs(此處θg＜90°)的3倍。
(2)一種如上所述的半導(dǎo)體器件，其中，柵電極由從Ta、氧化錫銦(此后稱為ITO)、MoSi2、TaSi2、CrSi2、WSi2、TiN、TaN組中選出的一種材料構(gòu)成，且柵電極的傾斜角θg等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部分傾斜角θs的2倍(此時(shí)θg＜90°)。
(3)一種如(1)中所述的半導(dǎo)體器件，其中，柵電極由從Cr、Mo、W、Al、Cu、Au和Ni構(gòu)成的組中選出的一種材料構(gòu)成，且柵電極的傾斜角θg等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部分的傾斜角θs的3倍(此時(shí)θg＜90°)。
(4)一種如(1)中所述的半導(dǎo)體器件，其中，柵電極的傾斜角θg是在半導(dǎo)體圖形邊緣部分傾斜角θs的0.5—3倍的范圍內(nèi)(此時(shí)θg＜90°)。
(5)一種如(1)中所述的半導(dǎo)體器件，其中，柵電極的傾斜角θg在10°—40°范圍內(nèi)。
(6)一種如(1)中所述的半導(dǎo)體器件，其中，所形成的柵電極其邊緣部分是逐漸變薄的，且在該柵電極上形成的半導(dǎo)體圖形的其邊緣部分是逐漸變薄的，而且這樣來構(gòu)成柵電極和半導(dǎo)體圖形，使從柵電極的下平面的邊緣到其上平面邊緣的退后距離(A)與膜厚(B)的比(斜度比B/A)等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部分處的斜度比(B′/A′)的3倍。
(7)一種如(1)中所述的半導(dǎo)體器件，其中，柵電極的斜度比(B/A)在0.2—0.8范圍內(nèi)。
(8)一種液晶顯示裝置包括配置在多條掃描信號線與在成對的基板之一上形成的圖像信號線的各個(gè)交點(diǎn)附近的薄膜晶體管，以及其柵電極、漏電極和源電極分別連接到掃描信號線、圖像信號線和像素電極，其中，柵電極的邊緣部分是傾斜的，且在柵電極上形成的半導(dǎo)體圖形的邊緣部分也是傾斜的，以使柵電極的傾斜角θg等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部分的傾斜角θs的3倍(此處θg＜90°)，而且液晶層保持在通過液晶對位膜夾持在基板和與之成對的另一個(gè)透明基板間。
(9)一種如(8)所述的半導(dǎo)體器件，其中形成其邊緣部分逐漸變薄的柵電極以及形成在該柵電極上的、其邊緣部分逐漸變薄的半導(dǎo)體圖形，該柵電極及該半導(dǎo)體圖形是這樣構(gòu)成的，使從柵電極的下平面邊緣到上平面邊緣的退后距離(A)與膜厚(B)之比(斜度比B/A)等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部分的斜度比(B′/A′)的3倍，通過液晶對位膜將液晶層夾在基板和與之成對的另一透明基板之間。
根據(jù)上述特征，可以把半導(dǎo)體圖形的傾斜邊緣處產(chǎn)生的斷裂長度限制到小于絕緣層斜坡長度的1/2。因此，可抑制G/D短路的出現(xiàn)率。
另外，上述的半導(dǎo)體圖形可以提供一種陣列型液晶顯示裝置，它包括作為有源元件而被配置在液晶顯示元件的多條掃描信號線和圖像信號線各交點(diǎn)附近區(qū)域的薄膜晶體管，且其柵電極、漏電極和源極在同一層內(nèi)分別連接到掃描信號線、圖像信號線和像素電極。
本發(fā)明對具有反交錯(cuò)排列結(jié)構(gòu)、其柵電極制作在半導(dǎo)體圖形之下的TFT是有效的，同樣，對具有正常交錯(cuò)排列結(jié)構(gòu)(頂柵結(jié)構(gòu))、其源電極和漏電極制作在半導(dǎo)體圖形之下的TFT也是有效的。
只用絕緣層或半導(dǎo)體層即可形成涉及本發(fā)明的半導(dǎo)體圖形，該半導(dǎo)體圖形是這樣構(gòu)成的使該半導(dǎo)體圖形與布線交叉。另外，可以按同樣的方式把該半導(dǎo)體圖形形成在普通的電子器件的布線板上。
根據(jù)本發(fā)明，能夠使制造工藝簡單并能提高成品率。由于在形成用作源電極的金屬膜之前制造柵絕緣膜中的開口部分，再在開口部分形成源電極，即使利用源電極的金屬膜作為掩模對半導(dǎo)體層進(jìn)行腐蝕，金屬膜的邊緣部也不會形成一種對著半導(dǎo)體層的屋檐形結(jié)構(gòu)，所以可以避免透明電極的斷裂。
另外，由于像素電極下的柵絕緣膜設(shè)有開口部分，故能改善透射率。而且，因?yàn)楣馄帘坞姌O形成在數(shù)據(jù)線附近，而上述的光屏蔽電極上方并沒有數(shù)據(jù)絕緣膜的開口部分，從而能夠獲得高成品率、提高孔徑比，還可提高顯示圖像的亮度。
根據(jù)對TFT電極邊緣部分的傾斜角進(jìn)行調(diào)整(TFT具有一種源電極和漏電極越過具有半導(dǎo)體層和柵絕緣層的半導(dǎo)體圖形中的柵極的結(jié)構(gòu))，把該傾斜角控制在小于半導(dǎo)體圖形邊緣部分傾斜角的3倍，最好控制在0.5—3倍的范圍內(nèi)，可以縮小電極邊緣部分產(chǎn)生斷裂的尺寸，還可防止G/D短路。所以，能夠獲得高可靠性的半導(dǎo)體器件。
當(dāng)通過各向同性的干法腐蝕形成半導(dǎo)體圖形時(shí)，一般會得到其邊緣部分有些傾斜角的半導(dǎo)體圖形。然而，在該漸薄的邊緣部分會產(chǎn)生斷裂，因?yàn)樵竭^柵電極部位進(jìn)行腐蝕的速度比平坦部位的快。
若能把柵電極邊緣部分的傾斜角控制在小于半導(dǎo)體圖形端部傾斜角的3倍，就可改善上述絕緣層和半導(dǎo)體層的臺階覆蓋，簡單地說，可以遇到在半導(dǎo)體圖形邊緣部分的斜面上所產(chǎn)生的破裂的長度；可以遏制因絕緣層的絕緣失效引起的來自半導(dǎo)體層的漏電流；以及可以防止柵電極、源電極和漏電極間的短路。
要是半導(dǎo)體圖形邊緣部分的傾斜角大于30°，就不必使柵電極邊緣部分的傾斜角那么小。當(dāng)上述的半導(dǎo)體圖形邊緣部分的傾斜角約為20°時(shí)，就很少發(fā)生因腐蝕破裂，因?yàn)闈u薄部位的絕緣層變厚，而且柵電極處的傾斜角可以小于60°。
要是半導(dǎo)體圖形邊緣部分的傾斜角小于10°，簡言之，使柵電極邊緣部分的傾斜角小于上述角度的3倍，即＜30°，就能遏制在半導(dǎo)體圖形的絕緣層斜坡上產(chǎn)生破裂的長度，因而能夠防止G/D短路。
若柵電極的傾斜角較小，半導(dǎo)體圖形的絕緣層在斜坡處產(chǎn)生破裂的長度可能較短，就能提高降低漏電流的作用和防止短路的作用。但是，要是上述所要求的傾斜角太小，作為電極的截面積會減小，而作為掃描信號線的電阻就增大。所以，上述的傾斜角最好約為半導(dǎo)體圖形端部斜角的3倍。
不需要完完全全地防止圖形加工中因腐蝕而在半導(dǎo)體圖形的絕緣層的斜坡處所產(chǎn)生的破裂，只要破裂的長度小于斜邊長度的1/2，在各柵極之間發(fā)生上述漏電流和短路的可能性就很小，就可以獲得電特性穩(wěn)定的晶體管。如果破裂長度小于斜邊長度的1/3，可進(jìn)一步提高穩(wěn)定性。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種孔徑比大且圖像顯示明亮的液晶顯示裝置。另外，還可提供一種低成本的液晶顯示裝置及其制造方法，因?yàn)闃?gòu)成顯示面板的TFT基板可通過僅包括5次光刻膠步驟的簡單工藝過程制成。而且，還能提供一種有較好成品率的液晶顯示裝置及其制造方法，因?yàn)槟苡行У胤乐褂蒊TO制作的透明導(dǎo)電膜臺階部位的線斷裂。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例1中的液晶顯示面板的剖面圖(沿圖2的線1—1所得的圖)。
圖2是在實(shí)施例1中的TFT基板上的一個(gè)像素和其附近各層的圖形的平面圖。
圖3是在本發(fā)明實(shí)施例1中的TFT基板上的薄膜晶體管、像素和存儲電容器附近區(qū)域的剖面圖(沿圖2的線3—3所得的圖)。
圖4是表示柵極端子GTM和柵極線GL的連接部分附近的平面圖。
圖5是表示柵極端子GTM和柵極線GL的連接部分附近的剖面圖。
圖6是表示漏極端子DTM和數(shù)據(jù)線DL的連接部分附近的平面圖。
圖7是表示漏極端子DTM和數(shù)據(jù)線DL的連接部分附近的剖面圖。
圖8是為說明顯示面板陣列周邊的結(jié)構(gòu)平面圖。
圖9是指出實(shí)施例1中用于制造液晶顯示裝置的TFT基板TFTSUB的工藝。
圖10是與圖9的步驟A對應(yīng)的剖面圖。
圖11是與圖9的步驟B對應(yīng)的剖面圖。
圖12是與圖9的步驟C對應(yīng)的剖面圖。
圖13是與圖9的步驟D對應(yīng)的剖面圖。
圖14是與圖9的步驟E對應(yīng)的剖面圖。
圖15是與圖9的步驟F對應(yīng)的剖面圖。
圖16是與圖9的步驟G對應(yīng)的剖面圖。
圖17是當(dāng)數(shù)據(jù)線的Cr電極用本發(fā)明的制造方法制造時(shí)，薄膜晶體管和存儲電容器的剖面圖。
圖18是當(dāng)透明像素電極用本發(fā)明的制造方法形成時(shí)，薄膜晶體管和存儲電容器的剖面圖。
圖19是在實(shí)施例2的TFT基板上的像素和其附近各層的圖形的平面圖。
圖20是沿圖19的線20—20得到的剖面圖。
圖21是在實(shí)施例3的TFT基板上的像素和其附近各層的圖形的平面圖。
圖22是沿圖21的線22—22得到的剖面圖。
圖23是沿圖24的線1—1得到的剖面圖。
圖24是在實(shí)施例4的TFT基板上的像素和其附近各層的圖形平面圖。
圖25是本發(fā)明薄膜晶體管的示意透視圖。
圖26(a)、26(b)和26(c)是本發(fā)明薄膜晶體管的平面圖。
圖27是現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的示意透視圖。
圖28是指出腐蝕劑中的硝酸和硝酸高鈰銨的濃度與柵電極的傾斜角θg的關(guān)系曲線圖。
圖29(a)、29(b)和29(c)是表示布線圖形邊緣部分的斜坡形狀的示意透視圖。
圖30是表示柵電極傾斜角θg與柵/漏電極間耐壓的關(guān)系曲線圖。
圖31(a)、31(b)和31(c)是柵電極凸起部分的平面圖。
圖32是本發(fā)明的液晶顯示裝置的示意剖面圖。
下面將參照各具體實(shí)施例，說明本發(fā)明的液晶顯示裝置及其制造方法。(實(shí)施例1)圖1是表示在按照本實(shí)施例的有源陣列型液晶顯示裝置中顯示面板的陣列部分(顯示部分)的結(jié)構(gòu)剖面圖。該顯示面板包括一個(gè)TFT基板TFTSUB、一個(gè)對置的基板OPSUB和液晶層LC，TFT基板TFTSUB是由透明玻璃基板SUB1制作的，該SUB1具有在一側(cè)表面上形成的薄膜晶體管、像素電極和各種布線等；對置的基板OPSUB是由另一個(gè)透明玻璃基板SUB2制作的，它具有在一側(cè)表面上形成的公用的電極ITO2、彩色濾光器FIL和光屏蔽膜BM等；液晶層LC則充填在彼此相對的兩基板之間的間隔內(nèi)。
通過給像素電極和公用電極ITO2之間施加圖像信號電壓，控制上述基板間的液晶層LC的電—光狀態(tài)，以改變顯示面板部分的透光狀態(tài)且顯示一幀給定的圖像。
背射光位于對置基板OPSUB一側(cè)或在液晶面板外的TFT基板TFTSUB一側(cè)，以便觀察從反面透過液晶面板的像素部分到背射光的透射光。
下面待說明的各附圖，具有同樣功能的部件用相同的標(biāo)號表示。<TFT基板>
圖2是表示像素及其附近形成TFT基板TFTSUB各層的圖形的平面圖，圖1是沿圖2的線1—1得到的剖面圖，圖3則是沿圖2的線3—3得到的剖面圖。
下面參照圖1—3，詳細(xì)地說明TFT基板TFTSUB的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，在該TFT基板表面制備多條互相平行的柵極線(掃描信號線或水平信號線)GL和與柵極線交叉的多條互相平行的數(shù)據(jù)線(圖像信號線或垂直信號線)DL。由相鄰的兩條柵極線GL和相鄰的兩條數(shù)據(jù)線DL所包圍的區(qū)域就成為一個(gè)像素，而所形成像素電極幾乎完全蓋住這個(gè)區(qū)域。一個(gè)作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(圖2中虛線所圍的區(qū)域)制作在與每個(gè)象素電極相對應(yīng)的柵極線的凸部(圖2中朝上的凸部)，而其源電極SD1與像素電極連接。加到柵極線GL上的掃描電壓被傳輸?shù)接蓶艠O線的一部分構(gòu)成的TFT柵電極，使TFT轉(zhuǎn)變成導(dǎo)通狀(on態(tài))。此時(shí)，供給數(shù)據(jù)線DL的圖像信號就通過源電極SD1輸入到該像素電極。<薄膜晶體管TFT>
如圖3所示，在透明玻璃基板SUB1上形成柵極線GL，薄膜晶體管借助于形成一絕緣層、一半導(dǎo)體層和后述的在柵極線上的其它構(gòu)件組成。薄膜晶體管如此工作當(dāng)給柵級線GL加上偏置電壓時(shí)，源和漏(數(shù)據(jù)線DL)之間的溝道電阻變小，而當(dāng)偏壓變?yōu)榱銜r(shí)，溝道電阻變大。
在由柵極線GL的一部分構(gòu)成的柵電極上形成由氮化硅制成的柵絕緣膜，在柵絕緣膜上形成由非有意摻入雜質(zhì)的非晶硅構(gòu)成的i型半導(dǎo)體層AS和由摻入雜質(zhì)d0的非晶硅構(gòu)成的N型半導(dǎo)體層。i型半導(dǎo)體層AS構(gòu)成薄膜晶體管的有源層。通過在i型半導(dǎo)體層上進(jìn)一步形成源電極SD1和漏電極(在本實(shí)施例中，一部分?jǐn)?shù)據(jù)線DL構(gòu)成漏電極，若無特別說明，將漏電極稱為數(shù)據(jù)線DL)構(gòu)成薄膜晶體管。
至于源電極GI，采用例如通過等離子CVD形成厚達(dá)2000—5000(在本實(shí)施例中，大約3500)的氮化硅膜。
形成i型半導(dǎo)體層，使厚度達(dá)到500—2500范圍。設(shè)置N型半導(dǎo)體層d0，以形成i型半導(dǎo)體層AS與源電極及與漏電極的歐姆接觸，N型層由摻磷(P)的非晶硅半導(dǎo)體制成。
源電極和漏電極的名稱由上述電極間所加的偏置電壓極性自然確定。在與本發(fā)明相關(guān)的液晶顯示裝置中，源電極和漏電極是可互相調(diào)換的，因?yàn)樵诠ぷ鬟^程中極性是變換的。然而，在以下說明中，為簡便起見，始終稱一個(gè)為源電極，而稱另一個(gè)為漏電極。<源電極>
如圖3所示，在玻璃基板SUB1上從薄膜晶體管TFT的N型半導(dǎo)體層d0到像素電極附近的一個(gè)區(qū)域上形成源電極SD1，它是由第一導(dǎo)電層d1和第二導(dǎo)電層d2構(gòu)成的疊層膜構(gòu)成的。第一導(dǎo)電層d1由鉻(Cr)形成，厚度為600—1500(在本實(shí)施例中，近似1200)，而第二導(dǎo)電膜d2由透明導(dǎo)電膜ITO1(如氧化錫銦(下文簡寫作ITO))形成。第一導(dǎo)電膜d1可由除Cr之外的高熔點(diǎn)金屬(Ti、Ta、W、Mo)及上述金屬的合金形成。
上述源電極SD1這樣形成，使其延伸到柵絕緣膜GI(在圖3表示為像素電極)的開口部位內(nèi)側(cè)，而柵絕緣膜形成在像素區(qū)域內(nèi)側(cè)，如圖2和圖3所示。即，如圖3所示，形成源電極SD1的第一導(dǎo)電膜d1和其上的第二導(dǎo)電膜d2這樣形成在像素區(qū)域內(nèi).，使兩膜的至少一部分與玻璃基板SUB1接觸。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，最好使透明電極d2能越過在下層第一導(dǎo)電膜d1的臺階，而不致引起任何斷線。后面將結(jié)合制造方法詳細(xì)說明上述結(jié)構(gòu)。特別是，如本實(shí)施例，當(dāng)透明導(dǎo)電膜d2由ITO制成時(shí)，上述效果是顯著的。因?yàn)镮TO的晶粒尺寸大，晶業(yè)的晶界部分的腐蝕速度不同于晶粒本身的腐蝕速度，即比晶粒本身的腐蝕速度快。所以，若不將在透明導(dǎo)電膜d2下的臺階部位制成適當(dāng)?shù)男逼滦危瑒tITO容易引起斷線。
鑒于上述情況、如JP—A—61—161764(1986)所公開的，若用金屬膜作為在半導(dǎo)體膜上的掩模來腐蝕半導(dǎo)體，使金屬膜形成剖面結(jié)構(gòu)為屋檐狀，則透明導(dǎo)電膜容易引起斷線。相反，如上所述，在臺階部位幾乎不出現(xiàn)斷線。
如后文結(jié)合制造方法所述，在本實(shí)施例中在形成第一導(dǎo)電膜d1之前形成使柵絕緣膜GI的開口，將第一導(dǎo)電膜d1形成在由前面形成開口的工藝所露出的玻璃基板SUB1上。當(dāng)用含氟的氣體(通常的干法腐蝕半導(dǎo)體的氣體)進(jìn)行干法腐蝕時(shí)，對玻璃的干法腐蝕速度要低于對半導(dǎo)體的干法腐蝕速度。所以本實(shí)施例的特點(diǎn)在于，即使用第一導(dǎo)電膜作掩模，相對于柵絕緣膜選擇性地腐蝕i型半導(dǎo)體AS，也不會使第一導(dǎo)電膜d1的邊緣部分形成屋檐狀，構(gòu)成源電極SD1的第二導(dǎo)電膜不致引起任何斷線，并可獲得良好的成品率。
另外，由于在柵絕緣膜GI上形成開口，減少了像素電極部位的光吸收，透射率比不形成開口的情況要大，可獲圖像顯示較明亮的液晶顯示裝置。<像素電極>
像素電極由透明導(dǎo)電膜ITO1制成，與薄膜晶體管的源電極SD1相連接，并與構(gòu)成源電極的透明導(dǎo)電膜d2一體地形成。透明導(dǎo)電膜ITO1由原300—3000的ITO濺射膜制成(在本實(shí)施例中，約1400A)。<柵極線GL>
柵極線GL由單層導(dǎo)電膜g1形成，如圖1所示。至于導(dǎo)電膜g1，使用濺射形成的厚600—1500(在本實(shí)施例為約1200)的鉻(Cr)膜。導(dǎo)電膜g1可由高熔點(diǎn)的、與第一導(dǎo)電膜d1相同的金屬或合金形成。<數(shù)據(jù)線>
數(shù)據(jù)線DL形成在透明玻璃基板SUB1上的柵絕緣膜GI上，如圖1所示。數(shù)據(jù)線具有疊層結(jié)構(gòu)，由i型半導(dǎo)體層AS、N型半導(dǎo)體層d0、第一導(dǎo)電膜d1及透明導(dǎo)電膜d2組成，所有各層具有近似相同的平面圖形。在上述各層和膜中，導(dǎo)電膜d1和導(dǎo)電膜d2主要有助于電導(dǎo)率，起傳輸信號的作用。<存貯電容器Cadd>
存貯電容器Cadd起著防止液晶層LC電容衰減和防止關(guān)斷TFT時(shí)電壓下降的作用，為每個(gè)像素均設(shè)置存貯電容器Cadd。如圖3所示，每個(gè)像素的存貯電容器Cadd形成在該像素與前級的柵極線GL交叉區(qū)，該柵極線鄰近其上形成同一像素的TFT的柵極線GL，其方式是，將柵絕緣膜GI保持在柵極線GL和像素之間。<屏蔽電極SKI和長方形存貯電容器TCadd>
如圖1所示，屏蔽電極SKD由TFT基板TFTSUB的透明玻璃基板SUB1的表面上構(gòu)成柵極線GL的同一導(dǎo)電膜g1形成。另一方面，將長方形存貯電容器TCadd形成在像素與柵極線GL的凸起部位的交叉區(qū)，其方式是將該柵絕緣膜保持在該像素與柵極線凸起部位之間，如圖2所示。
使屏蔽電極SKD和長方形存貯電容器TCadd形成一平面結(jié)構(gòu)，結(jié)果是沿漏線DL與像素電極重疊，如圖2所示。另一方面，在剖面結(jié)構(gòu)中，屏蔽電極SKI被柵絕緣膜GI與數(shù)據(jù)線DL分開并絕緣，如圖1所示。
屏蔽電極SKI和長方形存貯電容器TCadd起著增加像素電極面積與像素面積比(即孔徑比)的作用，以改善圖像顯示板的亮度。在如圖1所示的顯示板中，背面光或位于相對的基板OPSUB一側(cè)，或位于TFT基板TFTSUB一側(cè)。下面，為方便起見，假定背面光位于相對的基板OPSUB一側(cè)，并從TFT基板TFTSUB側(cè)進(jìn)行觀察。入射光透過玻璃基板SUB2，通過在玻璃基板SUB2的液晶LC側(cè)表面由鉻(Cr)形成的屏蔽膜BM的間隔射入液晶層。入射光受在相對的基板OPSUB上所形成的透明公用電極ITO2與TFT基板上所形成的像素電極之間的外加電壓控制。
在顯示板為常白模式的場合，若不存在屏蔽膜BM，漏光不受電壓控制(不受控制的光)漏過數(shù)據(jù)線DL和屏蔽電極SKD之間的間隙(圖1中的L1)，因此顯示時(shí)的對比度下降。再有，必須保持?jǐn)?shù)據(jù)線D1和像素電極之間的設(shè)定距離L4，以防止產(chǎn)生因上述線和電極的短路引起的點(diǎn)缺陷，因?yàn)閿?shù)據(jù)線D1和像素電極的周邊均形成在同一柵絕緣膜GI之上。當(dāng)TFT基板TFTSUB和相對的基板OP-SUB之間的間距有5μm大時(shí)，對上述屏蔽膜BM和數(shù)據(jù)線DL之間的間隔，必須將距離L2調(diào)節(jié)到具有一個(gè)相應(yīng)的規(guī)定距離。另一方面，當(dāng)屏蔽電極SKD與數(shù)據(jù)線DL被柵絕緣膜GI分開和絕緣時(shí)，短路出現(xiàn)的可能性很小，故可將它設(shè)定得比L4更小。所以，孔徑比可被增加到屏蔽電極變得比不存在屏蔽電極SKI時(shí)屏蔽膜BM和像素電極所需的調(diào)節(jié)裕度L3更接近數(shù)據(jù)線DL時(shí)那么大。
長方形存貯電容器TCadd由于其作用與屏蔽電極SKI相同而有助于孔徑比的增加。另外，長方形存貯電容器TCadd還有另一種作用，如后文所述。即，把TCadd形成在柵極線GL的凸起部位時(shí)，由于數(shù)據(jù)線DL電壓的改變，凸起部位的靜電屏蔽作用減小了對像素電容(由像素電極、在相對的基板上所形成的透明導(dǎo)電膜ITO2及在上述電極和膜之間所保持的液晶層形成的電容)的靜電作用。<鈍化膜>
如圖1和3所示，在TFT基板TFTSUB有薄膜晶體管一側(cè)的表面上涂敷有一層鈍化膜PSV1，但像素電極中部、及設(shè)置在TFT基板周圍的柵極端子部位和漏極端子部位除外，如后文所述。由于在像素電極的上部形成鈍化膜PSV1的開口，在開口部位可消除鈍化膜對光的吸收，所以可增加顯示板的透射率，即亮度。
形成鈍化膜PSV1主要是為避免薄膜晶體管TFT受潮等。鈍化膜是由例如通過等離子CVD得到的2000—8000厚的氧化硅膜或氮化硅膜形成的。<柵極端子部GTM>
圖4是表示從TFT基板上的柵極線GL邊緣部分到與外部驅(qū)動電路的連接部的柵極端子GTM的區(qū)域的平面圖，圖5是沿圖4的5—5線的剖面圖。
柵極端子GTM由形成柵極線GL的導(dǎo)電膜g1和形成數(shù)據(jù)線DL的第一導(dǎo)電膜d1和透明導(dǎo)電膜d2的疊層膜構(gòu)成。透明導(dǎo)電膜d2露在外部。由ITO形成的透明電極防止第一導(dǎo)電膜d1及其下面由Cr制成導(dǎo)電膜g1受外界環(huán)境影響。柵極端子GTM的透明導(dǎo)電膜與形成像素電極和數(shù)據(jù)線的透明導(dǎo)電膜ITO1一起形成。第一導(dǎo)電膜d1的圖形比導(dǎo)電膜g1的大，而透明導(dǎo)電膜d2的圖形比第一導(dǎo)電膜d1的大。其原因在于在形成柵絕緣膜GI之后防止失去與第一導(dǎo)電膜d1一樣由鉻形成的導(dǎo)電膜g1，并防止由鉻所形成的第一導(dǎo)電膜d1和導(dǎo)電膜g1由化學(xué)物質(zhì)或濕氣的侵入引發(fā)的銹蝕。在上述的結(jié)構(gòu)中，透明導(dǎo)電膜ITO1(d2)，除鈍化膜PSV1外，僅有一個(gè)外露部分。ITO是氧化物，對引發(fā)銹蝕的氧化反應(yīng)具有很強(qiáng)的抗拒能力。所以，上述結(jié)構(gòu)具有很高的可靠性。
如上所述，能制造出具有良好的生產(chǎn)率的用TFT的液晶顯示裝置，而且通過用ITO覆蓋構(gòu)成柵極端子GTM的金屬導(dǎo)電膜提高了可靠性。按上述觀點(diǎn)，由ITO所形成的透明導(dǎo)電膜d2之下的柵絕緣膜GI的開口必須在形成d2之前制造。再有，在ITO下面的臺階部位處的i型半導(dǎo)體AS及柵絕緣膜GI必須制成良好的斜坡，如前所述。<漏極端子DTM>
圖6是表示從TFT基板上的數(shù)據(jù)線DL的端部至與漏極端子DTM的外部驅(qū)動電路連接部分的區(qū)域的平面圖，圖7是沿圖6中7—7線的剖面圖。
由于與上述柵極端子GTM相同的原因，漏極端子DTM由構(gòu)成數(shù)據(jù)線DL的由鉻制成的第一導(dǎo)電膜d1和由透明導(dǎo)電膜制成的透明導(dǎo)電膜d2兩層材料構(gòu)成。所形成的透明導(dǎo)電膜的圖形比第一導(dǎo)電膜的寬。去掉漏極端子部位的鈍化膜PSV1，以便與外部電路連接。
圖8是表示顯示板周邊部分結(jié)構(gòu)的平面圖。在TFT基板TFTSUB(SUB1)的周圍，排列著多個(gè)與柵線一一對應(yīng)的柵極端子GTM，形成一組柵極端子Tg。同樣，排列著多個(gè)與數(shù)據(jù)線一一對應(yīng)的漏極端子DTM，形成一組漏極端子Td。圖8中的INS是其上未形成用于粘結(jié)TFT基板TFTSUB和相對的基板OPSUB的密封圖形SL的部位，在粘好上述兩塊基板后，由該部位灌入液晶。<相對的基板OPSUB>
如圖1所示，在透明玻璃基板SUB2的一側(cè)表面上依次層疊屏蔽膜BM、具有紅、綠、藍(lán)三色的濾色片F(xiàn)IL、鈍化膜PSV2、公用透明像素電極ITO2及對位膜OPRI2。將偏光板POL2粘接到透明基板SUB2的另一側(cè)表面。透射光被上述偏光板POL2偏轉(zhuǎn)，而偏光板POL1粘接在TFT基板TFTSUB不形成TFT的一側(cè)表面。
上述屏蔽膜BM是由鉻濺射膜制成的，以使該屏蔽膜起到兩種作用，一是屏蔽來自顯示板非控區(qū)的光的屏蔽作用，二是改善環(huán)繞作為亮邊(picture frame)的每個(gè)像素的周圍的對比度的黑底(blackmatrix)作用。<TFT基板TFTSUB的制造方法>
下面參照圖9—圖16說明上述TFF基板TFTSUB的制造方法。圖9是以各步名稱概括制造工藝中各制造步驟流程的流程圖。將一組相互關(guān)聯(lián)的步驟匯總成為子工藝，每步子工藝由標(biāo)記(A)、(B)、(C)等代表。圖10—16對應(yīng)于由(A)—(G)所代表的上述各步子工藝得到的最終結(jié)構(gòu)的剖面圖。這些圖是在TFT基板上帶有像素電極及存貯電容器的薄膜晶體管連接部位附近的剖面圖(參照圖3的剖面圖)。圖3對應(yīng)于在圖9中的完成子工藝(H)之后的剖面結(jié)構(gòu)圖。每一項(xiàng)子工藝(A)、(B)、(C)、(D)、(F)和(H)都包括光刻處理工藝。光刻處理是指本發(fā)明說明的從應(yīng)用光刻膠經(jīng)過用光掩模選擇曝光至顯影的一系列工作。如圖9所示，本實(shí)施例的TFT基板是通過五次光刻處理工藝制造的。
圖17是在圖9中完成子工藝(D)的第三光刻工藝后，剛好在a—Si腐蝕工藝之前接近各薄膜真實(shí)形狀繪出的剖面圖。圖18是在圖9中的子工藝(F)濺射ITO之后，接近各薄膜真實(shí)形狀的剖面結(jié)構(gòu)圖。下面，陸續(xù)說明每步工藝。
通過制備一透明玻璃基板SUB1，由濺射工藝在基板SUB1的一個(gè)表面上全面形成鉻膜。通過光刻處理(第一次光刻處理)在鉻膜上形成具有預(yù)定圖形的掩模后，有選擇地腐蝕鉻膜，形成具有給定圖形的導(dǎo)電膜g1(工藝(A)，圖10)。
隨后，借助一等離子CVD設(shè)備，在透明玻璃基板SUB1的一個(gè)表面上所形成的導(dǎo)電膜g1上，依次層疊氮化硅膜GI、i型非晶硅膜AS及N型非晶膜d0(工藝(B)，圖11)。
在通過光刻處理(第二次光刻處理)形成掩模后，通過使用SF6氣體腐蝕去掉N型半導(dǎo)體層d0(N型非晶硅)、i型半導(dǎo)體層AS(i型非晶硅)及柵絕緣膜GI(氮化硅)三層中用于形成像素的相應(yīng)的部位(工藝(C)，圖12)。
接著，通過濺射，在上述加工過的基板上形成鉻膜。在通過光刻處理(第三次光刻處理)于鉻膜上形成具有一給定圖形的掩模之后，選擇腐蝕鉻膜，形成導(dǎo)電膜d1。在此次處理中，在經(jīng)上步處理形成在透明玻璃基板SUB1上的開口處形成從薄膜晶體管TFT延伸出的第一導(dǎo)電膜d1的端部(工藝(D)，圖13)。
然后，使用由前步工藝所形成的用于第一導(dǎo)電膜d1的掩模，用SF6和BCl3進(jìn)行腐蝕選擇性地去掉N型半導(dǎo)體層d0和i型半導(dǎo)體層AS(工藝(E)，圖14)。
接著，通過濺射形成由ITO膜制成的透明導(dǎo)電膜d2。在用光刻處理(第四次光刻處理)形成掩模后，使用HBr溶液選擇性地腐蝕透明導(dǎo)電膜，在透明導(dǎo)電膜ITO1上形成ITO圖形(工藝(F)，圖15)。
接著，再用已形成圖形的透明導(dǎo)電膜d2選擇腐蝕第一導(dǎo)電膜d1，并通過腐蝕N型非晶硅將源電極SD1和數(shù)據(jù)線DL分開(工藝(G)，圖16)。
然后，借助等離子CVD設(shè)備形成氮化硅膜。通過光刻處理(第五次光刻處理)形成掩模后，腐蝕氮化硅膜，從而除在像素電極中部等之外的區(qū)域形成鈍化膜PSV1(工藝(H)，圖3)。
參照圖17和圖18進(jìn)一步詳細(xì)地說明本發(fā)明的特點(diǎn)。根據(jù)本實(shí)施例的制造方法，即使采用容易被存在于其下的臺階導(dǎo)致斷線的ITO，也可獲得不引起斷線的臺階部分。
圖17是表示在圖9所指的緊隨第三次光刻處理中腐蝕鉻之后的結(jié)構(gòu)的剖面圖。用作掩模的光刻膠PRES仍保留在第一導(dǎo)電膜d1上。
N型半導(dǎo)體層d0、i型半導(dǎo)體層AS及柵絕緣膜GI的邊緣部分在第一導(dǎo)電膜d1下面全是臺階，它們最好分別形成斜坡。通過用主要成分為氟(F)的SF6氣體進(jìn)行連續(xù)腐蝕，可獲得這三層的斜坡。若取對玻璃基板SUB1的速度為1，則對柵絕緣膜GI用SF6氣體的腐蝕速率比近似20，對i型半導(dǎo)體層AS為80，而對N型半導(dǎo)體層d0近似為160，即N型非晶硅＞i型非晶硅＞氮化硅膜＞玻璃。所以，完成對N型非晶硅膜的腐蝕并開始對i型非晶硅膜的腐蝕時(shí)，上部N型非晶硅被側(cè)腐蝕，所以將i型非晶硅膜的邊緣部分作成近似70—75°角的斜坡。當(dāng)完成對i型非晶硅膜的腐蝕并開始腐蝕氮化硅膜時(shí)，上部N型非晶硅和i型非晶硅膜陸續(xù)被側(cè)腐蝕，所以i型半導(dǎo)體層AS的邊緣部分被制成帶50°角的斜坡，柵絕緣膜GI的邊緣部分被制成20°的斜坡。因而，引起在其上形成的第一導(dǎo)電膜d1斷線的幾率降至比存在沒有斜坡的陡直臺階的場合要小。另外，假如斜坡部位被涂覆以第一導(dǎo)電膜d1，在斜坡上所形成的第一導(dǎo)電膜d1的上表面的傾斜角變?yōu)榻?0°。
另一方面，由于在腐蝕溶液中添加了適量的硝酸高鈰銨和硝酸，使第一導(dǎo)電膜d1本身在玻璃基板SUB1的邊緣部位變?yōu)榻?0°。
接著，考慮的情況是用圖17所示的光刻膠PRES作掩模進(jìn)行腐蝕選擇性地去掉在存貯電容器的導(dǎo)電膜g1上的N型半導(dǎo)體層d0和i型半導(dǎo)體層AS。在腐蝕中，干法腐蝕氣體按圖17所示的箭頭方向流動，具體地說，氣體流動繞到第一導(dǎo)電膜d1邊緣部分的光刻膠PRES邊緣部之下，并沿著第一導(dǎo)電膜邊緣部分的斜坡流到玻璃基板SUB1。
圖18表示最后涂覆由ITO制成的透明導(dǎo)電膜d2之后的剖面圖。當(dāng)選擇腐蝕柵絕緣膜GI或玻璃基板SUB1上的N型半導(dǎo)體層d0和i型半導(dǎo)體層AS時(shí)，使用SF6氣體和BCl3氣體的混合物作干法腐蝕氣體。由于添加了BCl3氣體，取對玻璃基板的腐蝕速度為1的腐蝕速率比對氮化硅膜為5，對i型非晶硅膜為80，對N型非晶硅膜為160。所以即使腐蝕存貯電容器的i型半導(dǎo)體層AS和N型非晶硅膜，仍可以以良好的選擇比保留氮化硅膜。在此步工藝中，因柵絕緣膜GI的腐蝕速率小到i型半導(dǎo)體層AS的腐蝕速率的1/4，當(dāng)腐蝕i型非晶硅時(shí)，會對柵絕緣膜形成側(cè)腐蝕。所以，存貯電容器的氮化硅膜的傾斜角TH3減至15°—20°，與第一導(dǎo)電膜d1下方的氮化硅膜的傾斜角TH1相同，變得對涂敷透明導(dǎo)電膜d2更有利。再有，如前所述，第一導(dǎo)電膜d1下方的玻璃基板SUB1的腐蝕速度是極小的，其傾斜角TH2是3°。另外，圖中雖然未畫出，由于最好涂覆CVD膜，所以在存貯電容器的導(dǎo)電膜g1邊緣部位的CVD膜上表面的傾斜角小到5°。即使在透明玻璃基板SUB1上形成一層其耐氟基氣體的干腐蝕速度等于玻璃基板的絕緣膜，例如氧化鉭膜，也不能喪失上述優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)本實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)具有高孔徑比和明亮圖像顯示的液晶顯示裝置。
通過僅包括五步光刻膠處理的簡單工藝即可制造構(gòu)成顯示板的TFT基板，因而優(yōu)點(diǎn)是可實(shí)現(xiàn)提供廉價(jià)液晶顯示裝置。而且可防止ITO的斷線，并可改善成品率，這是因?yàn)榭梢允笽TO制成的導(dǎo)電膜下方的容易引起斷線的全部臺階的傾斜角等于或小于10°。(實(shí)施例2)現(xiàn)在參照圖19和20解釋本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖19是像素的平面圖，而圖20是沿圖19的20—20線的剖面圖。
本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同點(diǎn)在于，作為改善孔徑比的一種結(jié)構(gòu)，不使用用于浮置電極的屏蔽電極，但長方形存貯電容器TCadd是放大的，只有放大的長方形存貯電容器被用于屏蔽。所以，與實(shí)施例1相比，由是柵極線GL的一部分的長方形存貯電容器TCadd對數(shù)據(jù)線DL的屏蔽電壓變化的影響變大。所以，可以抑制圖像顯示的在垂直方向上產(chǎn)生圖像拖尾。即所謂產(chǎn)生陰影。
然而，在此情況下，由柵極線GL與像素電極的交叉區(qū)的面積所確定的存貯電容值增加，且施加于柵極線GL的掃描電壓增加。所以，為了克服上述的延遲時(shí)間的增加，由主要成分是鋁的低阻布線材料代替實(shí)施例1中的由鉻制成柵極線GL的導(dǎo)電膜g1，如圖20所示。為防止柵絕緣膜的耐壓因阻塞效應(yīng)等而下降，將陽極氧化鋁的主表面陽極氧化，以形成陽極氧化膜AO。如上所述，因使用低阻鋁，即使存貯電容增加，也可顯示質(zhì)量優(yōu)良的圖像而不增加掃描電壓的延遲時(shí)間。
另外，由于可與實(shí)施例1一樣在透明導(dǎo)電膜ITO1下方的臺階部分得到優(yōu)選斜坡，可以防止透明導(dǎo)電膜的斷線，并可提高成品率。(實(shí)施例3)下面參照圖21和22說明本發(fā)明的實(shí)施例3。圖21是像素的平面圖，而圖22是取自圖21中的22—22線的剖面圖。沿圖21的3—3線的剖面圖與實(shí)施例1的圖1相同。
本實(shí)施例與實(shí)施例1和2的不同點(diǎn)在于，存貯電容線HL是平行于柵極線GL新形成的，而存貯電容器Cald是在存貯電容線HL與像素電極的交叉區(qū)形成的。所以，與實(shí)施例1和2相比，可減小對柵極線GL的負(fù)載電容。因而，因可以減小施加于柵極線GL的掃描電壓的延遲時(shí)間，可以保持與實(shí)施例1相同的優(yōu)點(diǎn)，即使用鉻膜作為柵極線GL的導(dǎo)電膜g1，仍可得到大尺寸的顯示器。
如圖22所示，存貯電容線HL是由與柵極線GL相同的導(dǎo)電膜g1制成的。像素電極下方的柵絕緣膜GI具有兩個(gè)將存貯電容線HL夾在之間的窗口。在存貯電容線HL上的柵絕緣膜GI具有與實(shí)施例1同樣良好的斜坡，可預(yù)期透明電極ITO1沒有斷線。(實(shí)施例4)下面參照圖23和24說明本發(fā)明的實(shí)施例4。圖24是像素的平面圖，而圖23是沿圖24的1—1線得到的剖面圖。
本實(shí)施例與其它實(shí)施例的不同之處在于，如圖23所示，由柵極線材料g1制成的屏蔽電極SKD屏蔽著數(shù)據(jù)線DL下方的所有部位，亦延伸到像素電極ITO1的下方。所以，在極端情況下，變成不需要在濾色片基板OPTSUB上設(shè)置黑底BM。因而，在本實(shí)施例中，可增加孔徑比，并能減少液晶顯示器的功耗。如使用與其它實(shí)施例相同的功耗，可實(shí)現(xiàn)最亮的液晶顯示裝置。如圖24所示，屏蔽電極SKD是由柵極線材料g1制成的。然而，不形成柵極線GL，而屏蔽電極形成一個(gè)浮置電極，它不受柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的控制。所以，在不增加上述各線電容量的前提下可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的液晶顯示裝置。(實(shí)施例5)圖25是在玻璃基板上所形成的薄膜晶體管(TFT)的透視圖。在基板1上經(jīng)濺射方法形成厚100nm的鉻膜。用光刻蝕工藝加工該膜，形成掃描信號和柵電極2。隨后，用濕法腐蝕工藝加工柵電極的邊緣部分，形成傾斜角為θg的斜坡。
通過等離子化學(xué)汽相淀積方法(等離子CVD方法)形成并層疊一氮化硅膜、一非摻雜的非晶硅膜及一摻磷的非晶硅膜，分別作為柵絕緣層4、半導(dǎo)體層5及接觸層6。然后，將上述疊層膜刻成圖形。為使掩模個(gè)數(shù)和工藝步驟減至最少，使用干法腐蝕工藝以同一掩模同時(shí)刻制圖形。因干法腐蝕工藝具有各向同性腐蝕特性，在疊層膜的表面發(fā)生側(cè)腐蝕，形成具有傾斜角為θs的斜坡，如圖25所示。
至于圖像信號線、像素電極、源電極和漏電極，通過濺射方法形成厚近似300nm的ITO膜，再用光刻膠通過濕法腐蝕工藝進(jìn)行圖形制造。使用同一光刻膠通過對接觸層6的干法腐蝕，形成溝道區(qū)。最后通過等離子CVD方法形成氮化硅膜，作為鈍化層。
圖26(a)、26(b)、26(c)是當(dāng)柵絕緣層4的傾斜角θs設(shè)定為常數(shù)，近似10°(斜度比＝0.18)時(shí)，而鉻膜即柵電極2的邊緣部的傾斜角θg變化時(shí)，半導(dǎo)體圖形中柵電極2的跨越部分的平面圖。
在柵電極2的傾斜角θg為6—10°(斜度比＝0.1—0.18)的情況下，在氮化硅膜的跨越部分未觀察到裂痕。因而可以推論，當(dāng)θg低至等于或小于10°時(shí)，不產(chǎn)生裂痕。
在當(dāng)θg近似于θs的3倍，即在23°—25°范圍(斜度比＝0.47—0.7)的情況下，產(chǎn)生近似等于斜坡斜長1/4的裂痕(C)。然而，即使存在上述程度的柵絕緣層4的斜坡處的裂痕，TFT的電特性也毫不受影響。
但是，在θg變到大于θs的4倍，即在70—80°(斜度比＝2.7—5.6)這一區(qū)間的情況下，產(chǎn)生大于1/2斜坡斜長的裂痕(C)。圖27是在上述情況下TFT的透視圖。這使柵電極2和半導(dǎo)體層5間的漏電流增加，當(dāng)裂痕(C)大的時(shí)候往往在柵電極2和漏電極8之間出現(xiàn)短路。
使用SF6氣體通過干法腐蝕工藝可形成近似10°—30°的θs。
還有，改變鉻膜即柵電極2腐蝕劑的組分可控制θg。腐蝕劑是一種包括硝酸、硝酸高鈰銨、高氯酸和水的混合物。在上述組分中，硝酸高鈰銨主要決定沿垂直方向的腐蝕速度。硝酸進(jìn)入鉻膜和光刻膠的接觸邊界，硝酸高鈰銨隨硝酸進(jìn)入邊界，進(jìn)行橫向腐蝕。縱橫腐蝕速度比對決定作為柵電極2的鉻膜的邊緣部傾斜角是關(guān)鍵因素。
在圖28中，硅酸與硝酸高鈰銨的比例是用于使柵電極2的傾斜角θg等于或小于柵絕緣層4的傾斜角θs的3倍，而θs設(shè)定為10°。
在硝酸高鈰銨的濃度為20％，硝酸濃度為9mol/l的情況下，θg變?yōu)?°—10°，若濃度為8mol/l，不可能形成斜坡。
相反，當(dāng)硝酸高鈰銨濃度為15％時(shí)，垂直方向腐蝕速度變?yōu)樾∮?0％時(shí)的速度。因而，橫向腐蝕速度相對增加，θg變小。即，在硝酸濃度為9mol/l時(shí)可獲得2°—3°的傾斜角，在8mol/l時(shí)可獲得7°傾斜角。
另外，θg的變化除依賴于腐蝕劑的組分外，還依賴于鉻膜與抗蝕劑的粘附性。決定粘附性的因素之一是鉻膜表面的粗糙度(RMS)。
圖28示出鉻膜的表面粗糙度(RMS)與θg之間的相互關(guān)系。對于RMS象1.07這樣小(表面凹凸小)的膜，θg為10°(當(dāng)硝酸濃度為9mol/l時(shí))。反之，即使用相同的腐蝕劑，對RMS為1.20(表面凹凸大)的膜，θg變?yōu)?0°，而對RMS為1.43(表面凹凸更大)的膜，θg變?yōu)?5°。所以，可以認(rèn)為膜的表面粗糙度(RMS)是腐蝕柵電極斜坡的重要因素。
圖形邊緣部位的各種形狀是通過制造斜坡而形成的。如圖29(a)所示的一種，其斜坡的斜邊可近似于直線，其余的由(b)、(c)所示，幾乎不能近似成直線。情況(a)的傾斜角容易確定，但情況(b)和(c)的傾斜角很難確定。在這些情況下，傾斜角是由斜坡部分的寬度，即從下端至上端的退縮距離(底長A)與膜厚(B)之比(所謂的斜度比(B/A))來定義的。所以，(b)和(c)的斜度比(B/A)均確定為0.62。
圖30是指明柵電極2的傾斜角與耐壓G/D之間相互關(guān)系的曲線圖。在各個(gè)測量點(diǎn)表示出在柵電極2的跨越部分處裂痕(C)在柵絕緣層4中的斷開長度。
當(dāng)?shù)枘ぜ礀沤^緣層4的傾斜角θs設(shè)定為10°時(shí)，θg為10°時(shí)，耐壓具有400V的高值。在上述情況下，裂痕(C)的斷開長度為零。若θg為30°，產(chǎn)生近似1μm長的裂痕(C)，但該裂痕尚不影響耐壓G/D。然而，若θg超過30°，耐壓急速下降。下降的原因在于，裂痕(C)在柵絕緣層中的斷開長度超過了斜坡斜邊長的1/2。
關(guān)于在柵電極2的邊緣部形成斜坡除上述之外的其它效果是可防止斷線。如圖31所示，當(dāng)漏電極8所用材料的膜(如多ITO膜)臺階覆蓋很弱時(shí)，由于腐蝕而產(chǎn)生的裂痕進(jìn)入漏電極8，亦可引發(fā)電極8的斷線(下文稱D—斷線)。將柵電極2的傾斜角設(shè)定在10°—40°(或斜度比為0.2—0.8)可抑制D—斷線。
為腐蝕柵電極2，使用鉻膜腐蝕劑，4—7份(重量)硝酸與1份(重量)硝酸高鈰銨的混合液，可形成等于或小于30°的θg。具體地講，在添加5份(重量)的硝酸的場合，可獲得近似10°的θg。然而，當(dāng)硝酸少于4份(重量)時(shí)，難以形成預(yù)期的傾斜角，因?yàn)閷Ζ萻，θg變得太大，亦在柵絕緣層4中產(chǎn)生裂痕。若硝酸含量超過7份(重量)，根據(jù)鉻膜與光刻膠的粘附條件，使θg變得太小，亦降低了柵電極2圖形形成的精度。
若將本實(shí)施例應(yīng)用于圖23的屏蔽電極SKD的制造工藝，可以降低ITO1的斷線。(實(shí)施例6)當(dāng)將電阻率較大的導(dǎo)電材料(Ta、ITO、MoSi2、TaSi2、CrSi2、WSi2、TiW、TaN)用于制造柵電極2時(shí)，為了降低柵電極的延遲，必須增加其厚度以使電阻變小。但若增加厚度，在柵電極2的邊緣部分的臺階必然變大，因而容易在柵電極2上的柵絕緣層4的跨越部分產(chǎn)生裂痕。
為了使電阻近似等于用膜厚為100nm的鉻作柵電極2時(shí)的電阻，例如，對Ta必須形成厚105nm的膜，對多ITO必須形成厚1160nm的厚，對硅化物如MoSi2、TaSi2、WSi2及TiSi2應(yīng)是190—775nm，對TiN和TaN應(yīng)是500nm。
使柵電極2的θg等于或小于柵絕緣層4的θs(斜度比)的2倍，可以抑制由在上述材料制成的柵電極2邊緣部分上的大臺階引發(fā)的裂痕(C)和G/D短路。
另一方面，當(dāng)將電阻較低的導(dǎo)電材料，例如Al、Cu、Au、Ni、Mo及W用于制造柵絕緣電極2時(shí)，電極的厚度必須是薄的?？梢允闺姌O的膜厚對Al為20nm，對Cu為13nm，對Ni為53nm，對Mo為44nm及對W為43nm。在上述情況下，使柵電極2的θg(或斜度比)等于或小于柵絕緣層4的θs(或斜度比)的3倍，可抑制裂痕(C)和G/D短路的產(chǎn)生。(實(shí)施例7)當(dāng)將低介電常數(shù)的SiO2膜或由SiO2和SiN兩層制成的膜用于制造柵絕緣層4時(shí)，為了獲得與由單層SiN制成的絕緣層的情況相同的電容量，必須使膜的厚度薄到等價(jià)于介電常數(shù)之差。
例如，為了獲得與介電常數(shù)為2.0、膜厚為350nm的SiN膜相同的電容量，當(dāng)使用SiO2時(shí)，必須形成厚200nm的膜。在上述情況下，在柵電極2上的SiO2柵絕緣層4的跨越部分容易產(chǎn)生裂痕(C)，并增加電失效的發(fā)生率。
在上述情況中，使柵電極2的θg為10°(或斜度比＝0.17)，基本上等于柵絕緣層4的θs(或斜度比＝0.17)的10°，能抑制裂痕(C)和G/D短路的發(fā)生。(實(shí)施例8)圖32是使用本發(fā)明的TFT的液晶顯示裝置的示意剖面圖。制造TFT驅(qū)動型的液晶顯示裝置的步驟如下制備具有由本發(fā)明的上述實(shí)施例所形成的TFT的液晶基板10和反面基板9；將對位膜11放在面面相對的兩個(gè)基板10，9的表面；以及將液晶12密封在上述兩個(gè)對位膜之間。采用本液晶顯示裝置，可防止G/D短路、漏電流、及半導(dǎo)體圖形跨越部分的ITO漏電極和柵電極2上的漏電極8的斷線，亦可以良好的成品率制造具有良好可靠性的液晶顯示裝置(TFT—LCD)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置包括在基板和形成了絕緣膜的基板中任一種上形成的多條柵極線；與多條所說柵極線交叉形成的多條數(shù)據(jù)線；在多條所說柵極線和多條所說數(shù)據(jù)線的各交點(diǎn)附近所形成的薄膜晶體管，以及與所說薄膜晶體管相連接的像素電極，以使其具有由像素電極驅(qū)動液晶的功能，其中，所說像素電極的中部與所說基板或形成了絕緣膜的基板接觸，以及所說像素電極的周邊部分與絕緣膜接觸，所說絕緣膜是構(gòu)成所說薄膜晶體管的柵絕緣膜的同一層膜。
2.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，構(gòu)成所說像素電極的導(dǎo)電膜延伸到所說薄膜晶體管的源電極，以及構(gòu)成所說源電極的導(dǎo)電膜平面圖形的輪廓線跨越與基板接觸的所說像素電極中部區(qū)域的平面，圖形輪廓線。
3.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，在所說數(shù)據(jù)線和與基板在所說像素電極的所說中部接觸的區(qū)域之間設(shè)置一個(gè)屏蔽膜，所說屏蔽膜平行于所說數(shù)據(jù)線且用與構(gòu)成所說薄膜晶體管的柵絕緣膜為同一層膜的絕緣膜與所說數(shù)據(jù)線分隔開且絕緣。
4.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，設(shè)置一屏蔽所說數(shù)據(jù)線的下部的屏蔽膜，它延伸到所說像素電極的下部，并通過與構(gòu)成所說薄膜晶體管的柵絕緣膜為同一層膜的絕緣膜與所說數(shù)據(jù)線和所說像素電極分開并絕緣，該屏蔽膜不受所說柵極線的電壓控制。
5.一種液晶顯示裝置包括在基板和形成了絕緣膜的基板中任一種上形成的多條柵極線；與多條所說柵極線交叉形成的多條數(shù)據(jù)線；在多條所說柵極線和多條所說數(shù)據(jù)線的各自交點(diǎn)附近形成的薄膜晶體管，和與所說薄膜晶體管連接的像素電極，以使其具有由像素電極驅(qū)動液晶的功能，其中，設(shè)置一屏蔽所說數(shù)據(jù)線的下部的屏蔽膜，它延伸到所說像素電極的下部，并通過與構(gòu)成所說薄膜晶體管的柵絕緣膜為同一層膜的絕緣膜或者通過其中一層膜為柵絕緣膜的疊層絕緣膜與所說數(shù)據(jù)線和所說像素電極分開和絕緣，該屏蔽膜不受所說柵極線的電壓控制。
6.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，設(shè)置多條與各個(gè)多條柵極線對應(yīng)且與柵極線平行的導(dǎo)電線，以及利用保留在所說導(dǎo)電線和所說像素電極間的絕緣膜形成電容元件。
7.一種液晶顯示裝置包括在一基板上形成的多條柵極線；與多條所說柵極線交叉形成的多條數(shù)據(jù)線；在多條所說柵極線和多條所說數(shù)據(jù)線的各自交點(diǎn)附近形成的薄膜晶體管；與所說薄膜晶體管連接的像素電極，以使其具有由像素電極驅(qū)動液晶的功能，以及與所說像素電極連接的存儲電容器，其中，所說薄膜晶體管具有的結(jié)構(gòu)包括一形成在由所說柵極線的一部分構(gòu)成的柵電極上的柵絕緣膜；一形成在所述柵絕緣膜上的半導(dǎo)體層，和一形成在所說半導(dǎo)體層上的源電極和漏電極，構(gòu)成所說像素電極的所說導(dǎo)電膜在所說源電極上延伸，以及所說存儲電容器具有的結(jié)構(gòu)包括一層絕緣膜，所說絕緣膜與所說的柵絕緣膜是同一層膜，而所說柵絕緣膜形成在鄰近其上形成了所說薄膜晶體管的一條柵極線的柵極線上，以及一從形成在所說絕緣膜上的所說像素電極伸出的導(dǎo)電膜。
8.如權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其中，由所說柵絕緣膜和所說半導(dǎo)體的邊緣部與所說基板的形成的傾斜角大于由構(gòu)成所說存儲電容器的所說絕緣膜的邊緣部分與所說基板所形成的傾斜角。
9.如權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其中，所說源電極與所說半導(dǎo)體層，所說柵絕緣膜和所說基板接觸。
10.如權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其中，多條所說數(shù)據(jù)線包括所說半導(dǎo)體層；一層構(gòu)成所說源電極和所說漏電極的導(dǎo)電膜，以及所說半導(dǎo)體層和所說導(dǎo)電膜有相同的平面圖形。
11.如權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其中，所說柵極線覆蓋以構(gòu)成所說柵極線的導(dǎo)電膜的陽極氧化膜。
12.一種用于液晶顯示裝置的制造方法，所說裝置具有形成在基板上的多條柵極線，跨過多條所說柵極線形成的多條數(shù)據(jù)線；在多條所說柵極線和多條所說數(shù)據(jù)線的各個(gè)交點(diǎn)附近形成的薄膜晶體管，和與所說薄膜晶體管連接的像素電極，及具有通過所說像素電極驅(qū)動液晶的功能，包括下列步驟用大致相同的平坦圖形、以同樣的工藝腐蝕柵絕緣膜和形成在所說柵絕緣膜上的半導(dǎo)體層，以及接著選擇性地腐蝕所說半導(dǎo)體層。
13.如權(quán)利要求12的用于液晶顯示裝置的制造方法，其中，以同樣的工藝腐蝕柵絕緣膜和半導(dǎo)體層后，在所說半導(dǎo)體層上形成預(yù)定圖形的一金屬膜，以及接著用所說的金屬膜作為掩模腐蝕所說半導(dǎo)體層。
14.如權(quán)利要求12的用于液晶顯示裝置的制造方法，其中，進(jìn)一步提供一個(gè)用于陽極氧化所說柵極線表面的步驟。
15.如權(quán)利要求12的用于液晶顯示裝置的制造方法，其中，在以同樣的工藝腐蝕所說柵絕緣膜和所說半導(dǎo)體層時(shí)，采用六氟化硫作為腐蝕氣體。
16.如權(quán)利要求12的用于液晶顯示裝置的制造方法，其中，在所說金屬膜作為掩模腐蝕所說半導(dǎo)體層的工藝中，采用六氟化硫和氯作為腐蝕氣體。
17.如權(quán)利要求12的用于液晶顯示裝置的制造方法，其中，在腐蝕半導(dǎo)體層之后，形成所說像素電極。
18.一種半導(dǎo)體器件，它設(shè)有包括在一絕緣基板上的一個(gè)柵電極、一個(gè)絕緣層及一個(gè)半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體圖形，和跨越在所說半導(dǎo)體圖形區(qū)域的所說柵電極上形成的一個(gè)源電極和一個(gè)漏電極，其中在其邊緣部分逐漸變薄的所說柵電極上形成其邊緣部分逐漸變薄的半導(dǎo)體圖形，和形成所說柵電極傾斜角θg使它等于或小于所說半導(dǎo)體圖形邊緣部分的傾斜角θs的3倍(此處，小于90°)。
19.一種半導(dǎo)體器件，它設(shè)有一種包括在一個(gè)絕緣基板上的一個(gè)柵電極、一絕緣層和一半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體圖形，和跨越在所說半導(dǎo)體圖形區(qū)域的所說柵電極上形成的一個(gè)源電極和一個(gè)漏電極，其中，在其邊緣部分漸薄的所說柵電極上形成其邊緣部分漸薄的半導(dǎo)體圖形；所說柵電極從Ta、MoSi2、TaSi2、CrSi2、WSi2、TiN和TaN構(gòu)成的組中選出的一種材料制作，以及形成所說柵電極的傾斜角θg使它等于或小于所說半導(dǎo)體圖形邊緣部分傾斜角θs的3倍(此處，小于90°)。
20.一種半導(dǎo)體器件，它設(shè)有一種包括在一個(gè)絕緣基板上的一柵電極、一絕緣層和一半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體圖形，和跨越在所說半導(dǎo)體圖形區(qū)域的所說柵電極上形成的一個(gè)源電極和一個(gè)漏電極，其中，在其邊緣部分漸薄的所說柵電極上形成其邊緣部分漸薄的半導(dǎo)體圖形，所說柵電極從由Cr、Mo、W、Al、Cu、Au和Ni的組選出的一種材料制作，以及形成所說柵電極的傾斜角θg使它等于或小于所說半導(dǎo)體圖形端部的傾斜角θs的3倍(此處，小于90°)。
21.如權(quán)利要求18，19和20的任一半導(dǎo)體器件，其中，所說柵極傾斜角θg在所說半導(dǎo)體圖形邊緣部傾斜角θs的0.5—3倍(此處，小于90°)范圍內(nèi)。
22.如權(quán)利要求18、19和20的任一半導(dǎo)體器件，其中，所說柵電極的傾斜角θg在10°—40°范圍內(nèi)。
23.一種半導(dǎo)體器件，它設(shè)有一種包括在一個(gè)絕緣基板上的一柵電極、一絕緣層和一半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體圖形，和跨越在所說半導(dǎo)體圖形區(qū)域的所說柵電極上形成的一個(gè)源電極和一個(gè)漏電極，其中，在其邊緣部分漸薄的所說柵電極上形成其邊緣部分漸薄的半導(dǎo)體圖形；柵電極和半導(dǎo)體圖形是這樣構(gòu)成的，從下平面的邊緣部分到所說柵電極上平面邊緣部分的退后距離(A)對柵電極厚度(B)的比(坡度比B/A)等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部處的坡度比(B′/A′)的3倍。
24.如權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，其中，所說柵電極的坡度比(B/A)在0.2—0.8的范圍內(nèi)。
25.一種液晶顯示裝置包括薄膜晶體管，它配置在多條掃描信號線與多條圖像信號線各交點(diǎn)的附近，兩種信號線都形成在成對基板中的一個(gè)基板上，以便互相交叉，而其柵電極、漏電極和源電極分別與所說掃描信號線、所說圖像信號線和像素電極連接，其中，其邊緣部分漸薄的半導(dǎo)體圖形形成在邊緣部分漸薄的所說柵電極上；形成柵電極的傾斜角θg，使它等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部分傾斜角θs的3倍(小于90°)，以及一液晶層通過液晶對位膜保持在基板和成對的另一個(gè)透明基板之間。
26.一種液晶顯示裝置包括薄膜晶體管，它配置在多條掃描信號線與多條圖像信號線的各交點(diǎn)附近，將兩種信號線都形成在成對基板的一個(gè)基板上，以便互相交叉，而其柵電極、漏電極和源電極分別與所說掃描信號線、所說圖像信號線和像素電極連接，其中，其邊緣部分漸薄的半導(dǎo)體圖形形成其邊緣部分漸薄的所說柵電極上；所說柵電極和所說半導(dǎo)體圖形是這樣構(gòu)成的，使從下平面邊緣部分到柵電極上平面邊緣部分的退后距離(A)與薄膜厚度(B)的比(坡度比B/A)等于或小于在半導(dǎo)體圖形邊緣部分處的坡度比(B′/A′)的3倍，以及一液晶層通過液晶對位膜保持在基板和成對的另一個(gè)透明基板之間。
全文摘要
為了提供一種具有明亮的圖像顯示和較好的成品率的液晶顯示裝置，在透明基板上的透明像素電極之下設(shè)置一帶有一個(gè)小于像素平面面積的開口的柵絕緣膜，構(gòu)成像素電極下的源電極圖形，使之跨越該開口，以及提供一薄膜晶體管，該晶體管具有一種其邊緣部逐漸變薄的柵電極，其傾斜角等于或小于半導(dǎo)體圖形邊緣部位的傾斜角的3倍(小于90°)。
文檔編號G02F1/1335GK1121619SQ9510964
公開日1996年5月1日 申請日期1995年7月26日 優(yōu)先權(quán)日1994年7月27日
發(fā)明者小野記久雄, 津村誠, 小川和宏, 作田弘樹, 鈴木雅彥, 金子壽輝, 仲吉良彰, 鬼澤賢一, 橋本健一, 峰村哲郎 申請人:株式會社日立制作所