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      投影曝光裝置的制造方法

      文檔序號:8256587閱讀:295來源:國知局
      投影曝光裝置的制造方法
      【技術領域】
      [0001] 本發(fā)明涉及集成電路制造領域,特別涉及一種投影曝光裝置。
      【背景技術】
      [0002] 在制造例如半導體元件或液晶顯示元件等時,使用了投影曝光裝置,該投影曝光 裝置將光掩模的圖案經(jīng)過投影光學系統(tǒng),投影至硅片上。先前多使用投影曝光裝置(步進式 曝光機),該投影曝光裝置以步進重復方式方法,將各個光掩模的圖案一并曝光至硅片上的 各照射區(qū)域。近年來,取代使用一個大的投影光學系統(tǒng),提出了步進掃描方式的投影曝光裝 置,其沿著掃描方向,將具有相等倍率的多個小的部分投影光學系統(tǒng)以規(guī)定間隔配置為多 行,且一邊對光掩模進行掃描,一邊利用各部分投影光學系統(tǒng)將各個光掩模的圖案曝光至 硅片上。
      [0003] 在上述步進掃描方式的投影曝光裝置中,利用裝備反射棱鏡、凹面鏡及各透鏡而 構成的反射折射光學系統(tǒng),一次形成中間像,進一步利用另一層的反射折射光學系統(tǒng),將光 掩模上的圖案以正立正像等倍率地曝光至硅片上。
      [0004] 近年來,硅片日益大型化,由于部分投影光學系統(tǒng)具有等倍的倍率,因此,光掩模 亦將大型化。關于光掩模的成本,由于必須維持光掩?;宓钠矫嫘裕蚨庋谀T酱笮?化,成本越高。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 本發(fā)明提供一種投影曝光裝置,能夠將投影光學系統(tǒng)的放大倍率擴大,以此減小 光掩模的大小。
      [0006] 為解決上述技術問題,本發(fā)明提供一種投影曝光裝置,用于將掩模的圖像聚焦成 像在硅片上,所述裝置從掩模開始沿光軸依次包括:具有放大倍率3 1的第一成像光學系 統(tǒng),用于對掩模的圖像成中間像;具有放大倍率0 2的第二成像光學系統(tǒng),用于將中間像放 大后成像在硅片上;所述投影曝光裝置的放大倍率為0 = 0IX3 2。
      [0007] 作為優(yōu)選,放大倍率0 1約等于1,0 2大于等于1. 5。
      [0008] 作為優(yōu)選,放大倍率@ 1等于lx,@ 2為-1. 5x或_2x。
      [0009] 作為優(yōu)選,所述第一成像光學系統(tǒng)為折反射結構,包括至少一反射棱鏡、一凹面反 射鏡和折反射透鏡組,所述折反射透鏡組配置在反射棱鏡與凹面反射鏡之間。
      [0010] 作為優(yōu)選,所述折反射透鏡組包括至少六片透鏡。
      [0011] 作為優(yōu)選,所述第一成像光學系統(tǒng)還包括用于調節(jié)所述凹面反射鏡的微動機構。
      [0012] 作為優(yōu)選,所述第二成像光學系統(tǒng)沿著光軸方向依次包括:分別具有正光焦度的 第一透鏡組、第二透鏡組、第三透鏡組和第四透鏡組;
      [0013] 其中,所述各透鏡組滿足以下關系:
      [0014] 15<|fG22/fG21|<17
      [0015] 0. 8<|fG23/fG24|<l. 2
      [0016] 0. 05< |fG23/fG221 <0. 12
      [0017] 上述各式中:421為所述第一鏡頭組的焦距;422為所述第二透鏡組的焦距;心 3為 所述第三透鏡組的焦距;fe24為所述第四透鏡組的焦距。
      [0018] 作為優(yōu)選,所述第一透鏡組包括至少四片透鏡,并滿足公式:l.〇3〈|fel _/ fe211〈1. 95,其中,fel _為第一透鏡組內(nèi)光焦度最大的透鏡的焦距。
      [0019] 作為優(yōu)選,所述第二透鏡組包括至少六片透鏡,其中至少包含兩對相鄰的正負透 鏡組合。
      [0020] 作為優(yōu)選,所述正負透鏡組合中,正負透鏡的阿貝數(shù)比滿足:
      [0021 ] 1. 23〈VG22正/VG22負〈1. 85 或 1. 59〈VG22正/VG22負〈2. 65
      [0022] 其中:為所述第二透鏡組的正負透鏡組合中正透鏡的阿貝數(shù);\22|1為與所述 正透鏡相鄰的負透鏡的阿貝數(shù)。
      [0023] 作為優(yōu)選,所述第三透鏡組包含第一子透鏡組,所述第一子透鏡組的光焦度為正, 并包含第三透鏡組中至少兩個位置相鄰且光焦度為正的透鏡。
      [0024] 作為優(yōu)選,所述第一子透鏡組與第三透鏡組之間滿足以下關系式:
      [0025] 〇? 34< |fG23-ln/fG231 <〇? 87
      [0026] 其中,fe23_ln為所述第一子透鏡組的焦距。
      [0027] 作為優(yōu)選,所述第四透鏡組包含第二子透鏡組,所述第二子透鏡組的光焦度為正, 并包含所述第四透鏡組中至少三個位置相鄰且光焦度為正的透鏡。
      [0028] 作為優(yōu)選,所述第二子透鏡組與所述第四透鏡組之間滿足以下關系式:
      [0029] 0.21<|fG24_ln/fG24|<0. 47
      [0030] 其中,fe24-ln為第二子透鏡組的焦距。
      [0031] 作為優(yōu)選,所述第二成像光學系統(tǒng)中的透鏡包括至少兩種高折射率材料和至少兩 種低折射率材料。
      [0032] 作為優(yōu)選,所述高折射率材料為I線折射率大于1. 55的材料,所述低折射率材料 為I線折射率小于1. 55的材料。
      [0033] 作為優(yōu)選,所述高折射率材料包括:1線折射率大于1. 55且阿貝數(shù)小于45的第一 種材料,和I線折射率大于1. 55且阿貝數(shù)大于50的第二種材料。
      [0034] 作為優(yōu)選,所述低折射率材料包括:1線折射率小于1. 55且阿貝數(shù)小于65的第三 種材料,以及I線折射率小于1. 55且阿貝數(shù)大于70的第四種材料。
      [0035] 作為優(yōu)選,沿光軸方向,所述第一透鏡組的第一片透鏡和所述第四透鏡組的最后 一片透鏡均由第一種材料構成。
      [0036] 作為優(yōu)選,所述第一、第二、第三、第四透鏡組中,至少有一片透鏡采用第一或第二 種材料。
      [0037] 作為優(yōu)選,所述第一、第二、第四透鏡組中,至少有一片透鏡采用第一種材料。
      [0038] 作為優(yōu)選,所述第三透鏡組中,至少有一片透鏡采用第二種材料。
      [0039] 作為優(yōu)選,所述第二透鏡組內(nèi)包含至少一對凹面相對的透鏡;所述第三透鏡組內(nèi) 至少包含一片凹面面向像面的彎月式透鏡;所述第四透鏡組內(nèi)至少包含一片凹面面向物面 的彎月式透鏡。
      [0040] 作為優(yōu)選,所述第一成像光學系統(tǒng)孔徑光闌與第二成像光學系統(tǒng)的光闌共軛。
      [0041] 作為優(yōu)選,第一成像光學系統(tǒng)與第二成像光學系統(tǒng)的光軸平行。
      [0042] 與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
      [0043] 1、采用與其現(xiàn)有技術中投影曝光系統(tǒng)完全不同的光學結構;
      [0044] 2、提高了放大倍率,降低了光掩模成本;
      [0045] 3、投影曝光裝置的第一成像光學系統(tǒng)中前后兩個透鏡可以去掉,降低了裝配難 度,提高裝調效率;
      [0046] 4、降低了第一成像光學系統(tǒng)與第二成像光學系統(tǒng)光軸的裝調精度,只需保證其平 行即可,提高了效率。
      [0047] 5、本發(fā)明投影曝光系統(tǒng)結構中第二成像光學系統(tǒng)的孔徑光闌與第一成像光學系 統(tǒng)光闌共軛,因此,可通過凹面反射鏡微動結構校正各種光闌像差;
      [0048] 6、本發(fā)明的物方數(shù)值孔徑至少為0. 25,提高了曝光系統(tǒng)的分辨率。
      【附圖說明】
      [0049] 圖1為本發(fā)明投影曝光系統(tǒng)的示意圖;
      [0050] 圖2是實施例1放大倍率為-1. 5x的投影曝光裝置示意圖;
      [0051] 圖3是實施例2放大倍率為-2X的投影曝光裝置示意圖;
      [0052] 圖4是實施例3放大倍率為_2x的投影曝光裝置示意圖。
      【具體實施方式】
      [0053] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本發(fā)明 的【具體實施方式】做詳細的說明。需說明的是,本發(fā)明附圖均采用簡化的形式且均使用非精 準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
      [0054] 請參照圖1,本發(fā)明提供的投影曝光裝置,用于將掩模的圖像聚焦成像在硅片上, 所述裝置從掩模開始沿光軸依次包括:
      [0055] 具有放大倍率P1的第一成像光學系統(tǒng)G1,用于對掩模的圖像成中間像;
      [0056] 具有放大倍率0 2的第二成像光學系統(tǒng)G2,用于將中間像放大后成像在硅片上;
      [0057] 因此,所述投影曝光裝置的放大倍率為3 2,其中,放大倍率M約等于 1,3 2大于等于1. 5。本發(fā)明采用與現(xiàn)有投影曝光系統(tǒng)完全不同的光學結構,放大掩模在硅 片上的圖像,且放大倍率可大于等于1. 5倍,降低了光掩模成本。
      [0058] 請繼續(xù)參照圖1,作為優(yōu)選,所述第一成像光學系統(tǒng)G1為折反射結構,包括至少一 反射棱鏡L02、一凹面反射鏡L03、折反射透鏡組以及用于調節(jié)所述凹面反射鏡103的微動 機構。所述折反射透鏡組配置在反射棱鏡L02與凹面反射鏡L03之間,包括至少六片透鏡。 本發(fā)明以六片透鏡為例:從上向下,所述六片透鏡的光焦度分配分別為:正、負、正、正、負、 正,采用材料的色散度分別為:低、高、低、高、高、低。因此,通過對六片透鏡的正負焦度合理 分配及高低色散材料的選取,可以很好地校正第一成像光學系統(tǒng)G1的色差。
      [0059] 需要說明的是,圖1中第一成像光學系統(tǒng)G1中前后兩個透鏡L01和L04均可以去 掉,從而降低裝配難度,提高裝調效率。
      [0060] 請繼續(xù)參照圖1,所述第二成像光學系統(tǒng)G2沿著光軸方向依次包括:分別具有正 光焦度的第一透鏡組G21、第二透鏡組G22、第三透鏡組G23和第四透鏡組G24;其中,所述 各透鏡組滿足以下關系,以更好地校正像差和提高成像質量:
      [0061] 15<|fG22/fG21|<17
      [0062] 0. 8<|fG23/fG24|<1.2
      [0063] 0. 05< |fG23/fG221 <0. 12
      [0064] 上述各式中:&21為所述第一透鏡組G21的焦距;心2為所述第二透鏡組G22的焦 距;心3為所述第三透鏡組G23的焦距;&24為所述第四透鏡組G24的焦距。
      [0065] 作為優(yōu)選,所述第一透鏡組G21包括至少四片透鏡,并滿足以下公式,以更好地校 正像差和提_成像質量:
      [0066] 1.03<|feLfflax/fG21|<1.95
      [0067]其中,fel _為第一透鏡組內(nèi)光焦度最大的透鏡的焦距。
      [0068] 請繼續(xù)參照圖1,所述第二透鏡組G22包括至少六片透鏡,其中至少包含兩對相鄰 的正負透鏡組合。進一步的,在所述正負透鏡組合中,正負透鏡的阿貝數(shù)比滿足以下關系, 以更好地校正像差和提高成像質量:
      [0069] 1. 23〈VG22正/VG22負〈1. 85 或 1. 59〈VG22正/VG22負〈2. 65
      [0070] 上述公式中:為所述第二透鏡組G22的正負透鏡組合中正透鏡的阿貝數(shù);Ve22 $為與所述正透鏡相鄰的負透鏡的阿貝數(shù);
      [0071] 所述第三透鏡組G23包含第一子透鏡組G23-ln,所述第一子透鏡組G23-ln的光焦 度為正,并包含第三透鏡組G23中至少兩個位置相鄰且光焦度為正的透鏡;進一步的,所述 第一子透鏡組G23-ln與第三透鏡組G23之間滿足以下關系式,以更好地
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