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      3390nm帶通紅外濾光敏感元件的制作方法

      文檔序號:8281455閱讀:237來源:國知局
      3390nm帶通紅外濾光敏感元件的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及紅外濾光敏感元件領(lǐng)域,尤其是一種3390nm帶通紅外濾光敏感元件。
      【背景技術(shù)】
      [0002]紅外濾光敏感元件過濾、截止可見光同時允許通過紅外線。紅外線的波長很容易地穿透任何的物體,也就是紅外線在經(jīng)過物體時不會發(fā)生折射。利用紅外線的這個特性,只讓長波長的紅外線通過,濾除短波長的紫外線和可見光。應用于很多領(lǐng)域,目前對于石化系統(tǒng)紅外氣體檢測過程中所使用的濾光敏感元件存在的問題是透過率和截止區(qū)的信噪比不高,不能滿足高精度的測量要求。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的3390nm帶通紅外濾光敏感元件。
      [0004]為了達到上述目的,本發(fā)明所設(shè)計的一種3390nm帶通紅外濾光敏感元件,包括以藍寶石為原材料的基板,以Ge、S1為第一鍍膜層和以Ge、S1為第二鍍膜層,且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間,其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有105nm厚度的Ge層、286nm厚度的S1層、Illnm厚度的Ge層、258nm厚度的S1層、97nm厚度的Ge層、275nm厚度的S1層、130nm厚度的Ge層、214nm厚度的S1層、88nm厚度的Ge層、48Inm厚度的S1層、400nm厚度的Ge層、339nm厚度的S1層、384nm厚度的Ge層、596nm厚度的S1層、386nm厚度的Ge層、850nm厚度的S1層、349nm厚度的Ge層、794nm厚度的S1層、380nm厚度的Ge層、1022nm厚度的S1層、494nm厚度的Ge層、1084nm厚度的S1層、432nm厚度的Ge層、932nm厚度的S1層、465nm厚度的Ge層、524nm厚度的S1層;所述的第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有1lnm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、95Inm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、951nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、386nm厚度的S1層、179nm厚度的Ge層、130nm厚度的S1層。
      [0005]上述各材料對應的厚度,其允許在公差范圍內(nèi)變化,其變化的范圍屬于本專利保護的范圍,為等同關(guān)系。通常厚度的公差在1nm左右。
      [0006]本發(fā)明所得到的一種3390nm帶通紅外濾光敏感元件,其中心波長3390± 15nm,其在石化系統(tǒng)紅外氣體檢測過程中,可大大的提高信噪比,提高測試精準度,適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過率Tp彡75%,帶寬=60±10nm,400?14000 nm(除通帶外),Tavg<0.5%0
      【附圖說明】
      [0007]圖1是實施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0008]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
      [0009]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
      【具體實施方式】
      [0010]下面通過實施例結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的描述。
      [0011]實施例1。
      [0012]如圖1和圖2所示,本實施例描述的一種3390nm帶通紅外濾光敏感元件,包括以藍寶石為原材料的基板2,以Ge、S1為第一鍍膜層I和以Ge、S1為第二鍍膜層3,且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間,所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有105nm厚度的Ge層、286nm厚度的S1層、11111111厚度的66層、25811111厚度的3丨0層、9711111厚度的Ge層、275nm厚度的S1層、130nm厚度的Ge層、214nm厚度的S1層、88nm厚度的Ge層、48Inm厚度的S1層、400nm厚度的Ge層、339nm厚度的S1層、384nm厚度的Ge層、596nm厚度的S1層、386nm厚度的Ge層、850nm厚度的S1層、349nm厚度的Ge層、794nm厚度的S1層、380nm厚度的Ge層、1022nm厚度的S1層、494nm厚度的Ge層、1084nm厚度的S1層、432nm厚度的Ge層、932nm厚度的S1層、465nm厚度的Ge層、524nm厚度的S1層;所述的第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有1lnm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、95Inm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、20Inm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、951nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、386nm厚度的S1層、179nm厚度的Ge層、130nm厚度的S1層。
      【主權(quán)項】
      1.一種3390nm帶通紅外濾光敏感元件,包括以藍寶石為原材料的基板(2),以Ge、S1為第一鍍膜層(I)和以Ge、S1為第二鍍膜層(3),且所述基板(2)設(shè)于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間,其特征是所述第一鍍膜層(I)由內(nèi)向外依次排列包含有105nm厚度的Ge層、286nm厚度的S1層、Illnm厚度的Ge層、258nm厚度的S1層、97nm厚度的Ge層、275nm厚度的S1層、130nm厚度的Ge層、214nm厚度的S1層、88nm厚度的Ge層、481nm厚度的S1層、400nm厚度的Ge層、339nm厚度的S1層、384nm厚度的Ge層、596nm厚度的S1層、386nm厚度的Ge層、850nm厚度的S1層、349nm厚度的Ge層、794nm厚度的S1層、380nm厚度的Ge層、1022nm厚度的S1層、494nm厚度的Ge層、1084nm厚度的S1層、432nm厚度的Ge層、932nm厚度的S1層、465nm厚度的Ge層、524nm厚度的S1層;所述的第二鍍膜層(3)由內(nèi)向外依次排列包含有1lnm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、951nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、476nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、951nm厚度的S1層、201nm厚度的Ge層、386nm厚度的S1層、179nm厚度的Ge層、130nm厚度的S1層。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種3390nm帶通紅外濾光敏感元件,包括以藍寶石為原材料的基板,以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層,且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本發(fā)明所得到的一種3390nm帶通紅外濾光敏感元件,其中心波長3390±15nm,其在石化系統(tǒng)紅外氣體檢測過程中,可大大的提高信噪比,提高測試精準度,適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過率Tp≥75%,帶寬=60±10nm,400~14000nm(除通帶外),Tavg<0.5%。
      【IPC分類】G02B5-20
      【公開號】CN104597545
      【申請?zhí)枴緾N201410733911
      【發(fā)明人】呂晶, 王繼平, 胡偉琴
      【申請人】杭州麥樂克電子科技有限公司
      【公開日】2015年5月6日
      【申請日】2014年12月7日
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