一種薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及薄膜晶體管液晶顯示裝置的制造技術(shù)，尤其設(shè)及一種可減少 PEP (Photo化ching Process,黃光蝕刻制程）數(shù)量的薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制造方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)包括下基板、形成于下基板上的薄膜晶體管、與下基板相對(duì)設(shè)置的上基 板、形成于上基板上的彩色濾光層（諸如紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片）、W及密 封于上下兩基板間的空隙的液晶層。薄膜晶體管的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)管。一般來(lái)說，首 先在玻璃基板上制作半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層的兩端有與之相連接的源極（Source)和漏極 值rain)，然后通過柵極絕緣層和半導(dǎo)體層相對(duì)設(shè)置有柵極（Gate)，從而利用施加于柵極的 電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流大小。
[0003] 另一方面，當(dāng)今市場(chǎng)上的觸控面板可分為外掛式（on-cell)和內(nèi)嵌式（in-cell) 兩種；外掛式是將觸控感測(cè)器制作于彩色濾光片的表面，將觸控感應(yīng)器加上玻璃做成觸控 面板模組，然后再與薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD)面板模組貼合。內(nèi)嵌式是將觸控感 測(cè)器制作于面板結(jié)構(gòu)中，直接把觸控感應(yīng)器置于薄膜晶體管液晶顯示器面板模組中，觸控 功能整合于顯示器內(nèi)，不必再外掛觸控面板，因此其厚度也較外掛式觸控面板輕而薄。
[0004] 現(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸控面板的一種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)是頂層為共通電極層，其采用PEP1~ PEP10予W實(shí)現(xiàn)，即，依次形成第一金屬層、柵極絕緣層、非晶娃層、第二金屬層、第一絕緣 層、平坦層、像素電極層、第二絕緣層、第=金屬層、第=絕緣層和共通電極層。該結(jié)構(gòu)利用 新增設(shè)的第=金屬層作為面板內(nèi)部的觸控感測(cè)器。由于在像素電極層與共通電極層之間存 在兩個(gè)絕緣層，其厚度之和將高達(dá)3000埃。另一種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)是頂層為像素電極層，其也采 用PEP1~PEP10予W實(shí)現(xiàn)，即，依次形成第一金屬層、柵極絕緣層、非晶娃層、第二金屬層、 第一絕緣層、平坦層、共通電極層、第二絕緣層、第=金屬層、第=絕緣層和共通電極層。由 于上述兩種結(jié)構(gòu)所使用的陽(yáng)P數(shù)量較多，導(dǎo)致制程成本較高，產(chǎn)出下降。
[0005] 有鑒于此，如何構(gòu)思一種新的內(nèi)嵌式觸控面板的制程與設(shè)計(jì)，或?qū)ΜF(xiàn)有的解決方 案予W改進(jìn)，從而降低成本和增加產(chǎn)能，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項(xiàng)課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的內(nèi)嵌式觸控面板所存在的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種新穎的 薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制造方法。
[0007] 依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的制造方法，包括W 下步驟：
[0008] 形成一第一金屬層于一基板上，該第一金屬層經(jīng)蝕刻用W定義薄膜晶體管的柵 極；
[0009] 形成一柵極絕緣層于所述第一金屬層的上方；
[0010] 形成一非晶娃層于所述柵極絕緣層的上方且與所述柵極正對(duì)設(shè)置；
[0011] 形成一第二金屬層于所述非晶娃層的上方，該第二金屬層經(jīng)蝕刻用W定義該薄膜 晶體管的源極和漏極；
[0012] 形成一第一絕緣層于該柵極絕緣層的上方并覆蓋該源極和該漏極；
[0013] 形成一平坦層于所述第一絕緣層的上方；
[0014] 依次沉積一第一導(dǎo)電層和一第S金屬層于該平坦層的上方；
[0015] 對(duì)所述第一導(dǎo)電層和所述第=金屬層進(jìn)行圖案化處理；
[0016] 形成一第二絕緣層于圖案化的所述第一導(dǎo)電層和所述第=金屬層的上方；W及
[0017] 形成一圖案化的第二導(dǎo)電層于所述第二絕緣層的上方。
[0018] 在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層為像素電極，所述第二導(dǎo)電層為共通電極。
[0019] 在其中的一實(shí)施例，所述第一導(dǎo)電層為共通電極，所述第二導(dǎo)電層為像素電極。
[0020] 在其中的一實(shí)施例，所述像素電極經(jīng)由接觸孔（contact hole)電性連接至所述薄 膜晶體管的漏極。
[0021] 在其中的一實(shí)施例，上述對(duì)所述第一導(dǎo)電層和所述第=金屬層進(jìn)行圖案化處理的 步驟還包括；提供一預(yù)設(shè)圖案的光刻膠層；對(duì)所述第一導(dǎo)電層和所述第=金屬層進(jìn)行一次 蝕刻（first etching);采用半調(diào)光罩化alf tone)對(duì)像素區(qū)中的一部分光刻膠層進(jìn)行灰 化（ashing);對(duì)所述第一導(dǎo)電層和所述第=金屬層進(jìn)行二次蝕刻（second etching) 及 剝離剩余的所述光刻膠層。
[0022] 在其中的一實(shí)施例，上述依次沉積一第一導(dǎo)電層和一第S金屬層于該平坦層的上 方的步驟之前還包括：形成一第=絕緣層于所述平坦層與所述第一導(dǎo)電層之間。
[0023] 依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種薄膜晶體管液晶顯示裝置，包括：
[0024] 一第一金屬層，位于一基板的上方，所述第一金屬層經(jīng)蝕刻用W定義薄膜晶體管 的柵極；
[00巧]一柵極絕緣層，位于所述第一金屬層的上方；
[0026] -非晶娃層，位于該柵極絕緣層的上方且與柵極正對(duì)設(shè)置；
[0027] -第二金屬層，位于所述非晶娃層的上方，所述第二金屬層經(jīng)蝕刻用W定義該薄 膜晶體管的源極和漏極；
[0028] 一第一絕緣層，位于該柵極絕緣層的上方并覆蓋該源極和該漏極；
[0029] -平坦層，位于所述第一絕緣層的上方；
[0030] -第一導(dǎo)電層，位于所述平坦層的上方，該第一導(dǎo)電層具有一第一預(yù)設(shè)圖案；
[0031] 一第S金屬層，位于所述第一導(dǎo)電層的上方，該第S金屬層具有不同于所述第一 預(yù)設(shè)圖案的一第二預(yù)設(shè)圖案；
[0032] -第二絕緣層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層和所述第=金屬層的上方；W及
[0033] -第二導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第二絕緣層的上方，該第二導(dǎo)電層具有一第=預(yù)設(shè)圖 案，所述第=預(yù)設(shè)圖案不同于所述第一預(yù)設(shè)圖案和所述第二預(yù)設(shè)圖案。
[0034] 在其中的一實(shí)施例，該第一導(dǎo)電層為像素電極和共通電極其中之一者，該第二導(dǎo) 電層為像素電極和共通電極其中之另一者。
[0035] 在其中的一實(shí)施例，該薄膜晶體管液晶顯示裝置還包括一第=絕緣層，設(shè)置于所 述第一導(dǎo)電層與所述平坦層之間。
[0036] 在其中的一實(shí)施例，所述第S金屬層還保留于像素區(qū)的接觸孔（contact hole)區(qū) 域，且位于所述第一導(dǎo)電層與所述第二絕緣層之間。
[0037] 采用本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制造方法，第一金屬層形成于基板的 上方且用W定義薄膜晶體管的柵極，柵極絕緣層形成于第一金屬層的上方，非晶娃層位于 該柵極絕緣層的上方且與柵極正對(duì)設(shè)置，第二金屬層位于非晶娃層的上方且用W定義該薄 膜晶體管的源極和漏極，第一絕緣層位于該柵極絕緣層的上方并覆蓋該源極和該漏極，平 坦層位于第一絕緣層的上方，第一導(dǎo)電層位于平坦層的上方且具有第一預(yù)設(shè)圖案，第=金 屬層位于第一導(dǎo)電層的上方且具有不同于第一預(yù)設(shè)圖案的第二預(yù)設(shè)圖案，第二絕緣層設(shè)置 在第一導(dǎo)電層和第=金屬層的上方，第二導(dǎo)電層設(shè)置在第二絕緣層的上方且具有不同于第 一預(yù)設(shè)圖案和第二預(yù)設(shè)圖案的第=預(yù)設(shè)圖案。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管液晶 顯示裝置不僅利用內(nèi)嵌式觸控面板增加了產(chǎn)品附加值，而且在制造過程中可連續(xù)沉積第一 導(dǎo)電層和第S金屬層并對(duì)其進(jìn)行圖案化，因此可減少PEP數(shù)量，進(jìn)而降低制程成本和增加 產(chǎn)能。
【附圖說明】
[0038] 讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】W后，將會(huì)更清楚地了解本發(fā)明的 各個(gè)方面。其中，
[0039] 圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中的一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040] 圖2示出現(xiàn)有技術(shù)中的另一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041] 圖3示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，可減少陽(yáng)P數(shù)量的薄膜晶體管液晶顯示裝置 的制造方法的流程框圖；
[0042] 圖4示出采用圖3的制造方法形成的薄膜晶體管液晶顯示裝置的第一實(shí)施例的結(jié) 構(gòu)示意圖；
[0043] 圖5A~圖5M示出圖4的薄膜晶體管液晶顯示裝置的制造過程的分解示意圖；
[0044] 圖6A示出采用圖3的制造方法形成的薄膜晶體管液晶顯示裝置的第二實(shí)施例的 結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045] 圖6B示