璃100安裝于包裝300時，形成蝕刻阻擋層103及遮光膜105的玻璃基材101的一面(圖2中上側的表面)成為朝向固體攝像元件200的光入射的入射面101a，玻璃基材101的另一面(圖2中下側的表面)成為入射到入射面1la的光出射的出射面101b。應予說明，防護玻璃100的尺寸根據(jù)安裝防護玻璃100的包裝300的尺寸而適當設定，在本實施方式中設定成6mm(橫向)X 5mm(縱向)。
[0027]本實施方式的玻璃基材101是含有Cu2+的紅外線吸收玻璃(含有Cu 2+的氟磷酸鹽系玻璃或含有Cu2+的磷酸鹽系玻璃)。一般而言，氟磷酸鹽系玻璃具有優(yōu)異的耐氣候性，通過在玻璃中添加Cu'能夠在維持可見光域的高透過率的同時吸收近紅外線。所以，如果玻璃基材101被配置在入射到固體攝像元件200的入射光的光程中，則作為一種低通濾波器起作用，按固體攝像元件200的分光靈敏度接近人的視見度的方式進行修正。應予說明，本實施方式的玻璃基材101中使用的氟磷酸鹽系玻璃使用公知的玻璃組成，但特別優(yōu)選為含有Li+、堿土類金屬離子(例如Ca2+、Ba2+等)、稀土類元素離子(Y3+、La3+等)的組成。另夕卜，本實施方式的玻璃基材101的厚度沒有特別限定，從實現(xiàn)小型輕質化的觀點考慮，優(yōu)選為0.1?1.0mm的范圍。
[0028]蝕刻阻擋層103是在后述的圖案化工序中對Cr (鉻)薄膜進行蝕刻時用于防止玻璃基材101的入射面1la被蝕刻液蝕刻而粗面化的蝕刻阻擋起作用的薄膜。本實施方式中，蝕刻阻擋層103是具有透光性的S12的薄膜，如后所述，通過濺射法、真空蒸鍍法等形成在玻璃基材101的入射面1la上。應予說明，作為蝕刻阻擋層103，優(yōu)選至少在可見光的波長域中光透過率高(即透明)的薄膜，例如可以代替S12使用的Al2O3或ZrO2。另外，只要能夠阻擋蝕刻，蝕刻阻擋層103的膜厚可以自由設定，考慮對防護玻璃100的光學性能沒有影響以及在防護玻璃100上形成功能膜時的設計容易性，在本實施方式中，設定成λ/2(λ為中心波長(設計波長))的光學膜厚。
[0029]遮光膜105是蒸鍍在蝕刻阻擋層103上的Cr (鉻)的薄膜，具有將入射到入射面1la的入射光的一部分遮住、將導致重影等的不必要的光除去的功能。在俯視防護玻璃100時，遮光膜105沿著玻璃基材101的外周形成框狀。即，在本實施方式的防護玻璃100中，形成有:在中央部呈矩形分布的將從入射面1la入射的光透過到出射面1lb的透光部T和呈框狀地包圍透光部T的將入射到入射面1la的光遮住的遮光部S。應予說明，詳情如后所述，本實施方式的遮光膜105通過所謂的光刻法而形成。
[0030]如圖3所示，防護玻璃100安裝在收納CCD (Charge-Coupled Device)、CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)等固體攝像元件 200 的斗形包裝 300的開口部并被粘合劑(未圖示)固定。如上所述，將防護玻璃100安裝在包裝300上，則在入射光入射到固體攝像元件200的光程中，由于在防護玻璃100上形成有遮光部S(即遮光膜105)，所以不會向固體攝像元件200入射不必要的光，不會發(fā)生重影、反射光斑。應予說明，透光部T和遮光部S的大小根據(jù)配置在固體攝像設備I的外側的透鏡等光學元件、固體攝像元件200的尺寸以及防護玻璃100的尺寸適當決定，但透光部T的面積必須大于固體攝像元件200的受光面的面積。
[0031]接下來，對本實施方式的防護玻璃100的制造方法進行說明。圖4?圖6是表示本實施方式所涉及的防護玻璃100的制造方法的流程圖。圖4是表示防護玻璃100的制造工序的流程圖，圖5是對應于圖4中各制造工序的防護玻璃100的平面放大圖，圖6是對應于圖4中各制造工序的防護玻璃100的截面放大圖。應予說明，為了容易理解，在圖5中，對各構成因素施加濃淡，在圖6中，強調地示出各構成因素。
[0032]玻璃基板的成型:玻璃基板的成型工序中，準備由具備所需光學特性的玻璃成分而構成的玻璃板，按外形尺寸與最終形狀(即防護玻璃100的形狀)大致相同的方式通過公知的切斷方法進行切斷。切斷方法有通過金剛石刀具刻設切斷線后折斷的方法、通過切割裝置進行切斷的方法。應予說明，該工序中使用的玻璃板可以使用通過研磨等粗研磨加工成接近最終形狀的板厚尺寸的玻璃板。玻璃板被切斷后，實施清洗，得到玻璃基材101。
[0033]S12薄膜的形成:接下來，在S12薄膜的形成工序中，在玻璃基材101的入射面1la上，通過濺射法、真空蒸鍍法等形成光學膜厚λ/2的S12薄膜(即蝕刻阻擋層103)。應予說明，在本實施方式中，以中心波長λ為480nm、S12的折射率為1.45作為設計值，形成物理膜厚約166nm的S12薄膜，但是在實際的制造工序中，在±10%左右的公差范圍內存在差異，形成166nm±10%的S12薄膜。
[0034]Cr薄膜的形成:接下來，在Cr薄膜的形成工序中，在蝕刻阻擋層103上，通過濺射法、真空蒸鍍法等，形成作為遮光膜105的基底的、物理膜厚約0.1 μπι的Cr薄膜。
[0035]抗蝕劑涂布.烘烤:在抗蝕劑涂布.烘烤工序中，在Cr薄膜的表面涂布光刻膠，烘烤規(guī)定時間。光刻膠只要在紫外波長區(qū)域或紅外波長區(qū)域的光的作用下溶解性發(fā)生變化即可，對材料沒有特別限定。另外，作為光刻膠的涂布方法，可以適用眾所周知的旋涂法、浸涂法等。
[0036]露光.抗蝕劑顯影:在露光.抗蝕劑顯影工序中，首先，隔著將遮光膜105圖案化的光掩膜對光刻膠照射光。然后，使用對應于光刻膠的顯影液，將光刻膠顯影，形成對應于遮光膜105的圖案的抗蝕劑。
[0037]圖案化:在圖案化工序中，將玻璃基材101浸漬在Cr蝕刻液中，對沒有形成抗蝕劑的部分的Cr薄膜進行蝕刻。隨著蝕刻的進行，沒有形成抗蝕劑的部分的Cr薄膜溶入蝕刻液中，但是如上所述，在本實施方式中，在Cr薄膜的下側(即Cr薄膜和玻璃基材101之間)形成有蝕刻阻擋層103，所以由此阻擋了蝕刻，使得玻璃基材101的入射面1la不會被蝕刻液蝕刻。因此，在本實施方式中，玻璃基材101的入射面1la不會粗面化，入射到玻璃基材101的入射面1la的光不會散亂而是被導入玻璃基材101內，并從出射面1lb出射。另外，根據(jù)本實施方式的構成，因為能夠通過蝕刻阻擋層103確實地阻止蝕刻，所以能夠將玻璃基材101整體比較長時間地浸漬在蝕刻液中，能夠形成無Cr薄膜的蝕刻殘留、邊緣齊整的遮光膜105。應予說明，作為Cr蝕刻液，例如使用由10?20%的硝酸鈰鹽、5?10%的高氯酸、70?85%的水組成的混合溶液。
[0038]抗蝕劑剝離:在抗蝕劑剝離工序中，將玻璃基材101浸漬在醇等抗蝕劑剝離劑中，將抗蝕劑剝離。由此，在玻璃基材101上形成遮光膜105。
[0039]如上所述，根據(jù)本實施方式的防護玻璃100的制造方法，在蝕刻阻擋層103上形成遮光膜105，所以能夠形成邊緣齊整的遮光膜105。另外，因為透光部T被蝕刻阻擋層103覆蓋，所以玻璃基材101的入射面1la不會粗面化，入射到玻璃基材101的入射面1la的光散亂也得以抑制。因此，能夠由固體攝像元件200得到析像度更高的圖像。
[0040]以上為本發(fā)明的實施方式的說明，但本發(fā)明不限定于上述實施方式的構成，在其技術構思的范圍內可以進行各種變形。例如，在本實施方式中，玻璃基材101是含有Cu2+的紅外線吸收玻璃(含有Cu2+的氟磷酸鹽系玻璃或含有Cu 2+的磷酸鹽系玻璃)，也可以從可見波