一種顯示裝置及其陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種顯示裝置及其陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]UV2A(Ultra V1let Vertical Alignment)技術(shù)是一種采用紫外線進(jìn)行液晶配向的垂直配向(Vertical Alignment，簡稱VA)面板技術(shù)。通過使用UV2A技術(shù)，可以省去目前在VA模式液晶面板中設(shè)置的、用于配向液晶分子的狹縫和凸起。因此利用UV2A技術(shù)制備的液晶面板的開口率、對比度和響應(yīng)速度都能得到提高，并能大幅削減生產(chǎn)程序。
[0003]UV2A技術(shù)的基本原理是在襯底基板上涂覆能夠?qū)ψ贤饩€反應(yīng)的特殊配向膜。當(dāng)受到紫外線照射后，配向膜就會沿著照射方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而能夠高精度地控制液晶分子沿著紫外線照射的角度和方向傾斜，具有高開口率、高對比、快速響應(yīng)等特性。
[0004]但采用UV2A技術(shù)配向的顯示裝置會受到彩膜基板和陣列基板兩側(cè)的紫外光配向和電極邊緣電場的雙重作用，使得像素單元在白畫面時會出現(xiàn)暗紋，出現(xiàn)的暗紋會降低顯示裝置的透過率，進(jìn)而影響用戶的使用體驗(yàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置及其陣列基板，可改善出現(xiàn)的暗紋影響顯示裝置的透過率的現(xiàn)象。
[0006]本發(fā)明第一方面提供了一種陣列基板，該陣列基板包括多個陣列排布的像素單元，每一像素單元包括像素電極，所述像素電極為方形，其中，所述像素電極的四周外側(cè)均設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，各導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述像素電極連接。
[0007]可選的，對于所述像素電極的上側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述上側(cè)邊界的最右端;
[0008]對于所述像素電極的右側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述右側(cè)邊界的最下端；
[0009]對于所述像素電極的下側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述下側(cè)邊界的最左端；
[0010]對于所述像素電極的左側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述左側(cè)邊界的最上端。
[0011]可選的，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為條狀。
[0012]可選的，任一所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的長度，為其所對應(yīng)的像素電極的邊界的長度的一半。
[0013]可選的，位于所述像素電極的左側(cè)邊界和右側(cè)邊界的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，為數(shù)據(jù)線遮蔽。
[0014]可選的，位于所述像素電極的上側(cè)邊界和下側(cè)邊界的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，為柵線遮蔽。
[0015]可選的，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為金屬制成。
[0016]可選的，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為透明導(dǎo)電材料制成。
[0017]可選的，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述像素電極一體成型。
[0018]本發(fā)明帶來了以下有益效果:本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板上的像素單元包括像素電極，并且像素電極的四周外側(cè)均設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的存在，可將邊緣電場產(chǎn)生的暗紋區(qū)域往像素電極區(qū)域外迀移，因此，邊緣產(chǎn)生的暗紋區(qū)域外移出開口區(qū)，有利于提尚像素單兀的開口率，以提尚顯不裝置對光的利用率，提尚顯不裝置的顯示效果。
[0019]本發(fā)明第二方面提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板及與所述陣列基板對盒的彩膜基板。
[0020]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹:
[0022]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的像素電極的配向角示意圖；
[0023]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的像素電極出現(xiàn)的暗紋示意圖；
[0024]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的像素電極與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的配合示意圖；
[0025]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的像素電極出現(xiàn)的暗紋示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括多個陣列排布的像素單元，各像素單元被縱橫交錯的數(shù)據(jù)線與柵線間隔開。
[0028]對于利用UV2A技術(shù)制備的陣列基板而言，每一像素電極I區(qū)域?qū)?yīng)形成四個配向區(qū)域。如圖1所示，若將像素電極I區(qū)域分成四個區(qū)域，位于右上角的第一區(qū)域11的配向角與水平方向呈-45°角，位于左上角的第二區(qū)域12的配向角與水平方向呈45°，位于左下角的第三區(qū)域13的配向角與水平方向呈135°角，而位于右下角的第四區(qū)域14的配向角與水平方向呈-135°角。
[0029]在顯示裝置顯示畫面時，每一像素單元的像素電極I以及公共電極通過邊緣電場，對位于像素電極I上方的液晶分子施加電場力。在施加電場力之前，同一配向區(qū)域內(nèi)的液晶分子的初始配向角度都相同。而在施加電場力之后，液晶分子就可以沿著對應(yīng)區(qū)域的配向角發(fā)生傾倒，使得顯示裝置可以顯示對應(yīng)的圖像。
[0030]但是，由于每一像素電極I區(qū)域?qū)?yīng)形成四個配向區(qū)域，并且，這四個配向區(qū)域的配向角都不同。如圖2所示，則在四個配向區(qū)域的交界處，液晶分子受到不同方向的配向角的影響，使得交界處的液晶分子無法正常偏轉(zhuǎn)，形成暗紋區(qū)域。具體的，暗紋區(qū)域在顯示裝置顯示白色畫面時，亮度不夠，形成黑色的暗紋；而在顯示裝置顯示黑色畫面時，暗紋區(qū)域的液晶分子由于無法正常偏轉(zhuǎn)，導(dǎo)致暗紋區(qū)域漏光，影響了顯示裝置的顯示效果。
[0031]進(jìn)一步的，由于像素電極I與公共電極共同施加的邊緣電場的作用力方向?yàn)橛蛇吘壪蛑袼仉姌OI的