內(nèi)部。當(dāng)像素電極I的作用方向與液晶分子的轉(zhuǎn)動方向的夾角小于90°時，不會出現(xiàn)暗紋區(qū)域；而當(dāng)像素電極I的作用方向與液晶分子的轉(zhuǎn)動方向的夾角大于90°時，液晶分子的轉(zhuǎn)動將導(dǎo)致暗紋區(qū)域的出現(xiàn)。因此，如圖2所示，暗紋的中部為一十字形，按順時針的方向，十字形的四端各延伸出一垂直的折線，該折線沿著像素電極的邊緣延伸，長度為所延伸的對應(yīng)邊的邊長的一半。
[0032]為了降低暗紋區(qū)域?qū)ο袼貑卧拈_口率的影響，本發(fā)明實施例中，具體的，如圖3所示，每一像素單元包括像素電極I，像素電極I通常為方形。本發(fā)明實施例中，像素電極I的四周外側(cè)均設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2，各導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2與像素電極I連接。
[0033]顯然，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的存在，可將邊緣電場產(chǎn)生的暗紋區(qū)域向像素電極I區(qū)域外迀移，因此，如圖4所示，邊緣產(chǎn)生的暗紋區(qū)域外移出開口區(qū)，有利于提高像素單元的開口率，以提高顯示裝置對光的利用率，提高顯示裝置的顯示效果。
[0034]具體的，根據(jù)圖2所示的暗紋區(qū)域的分布情況可知，為了盡量多消除位于邊緣處的暗紋區(qū)域，如圖3所示，對于像素電極I的上側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2位于上側(cè)邊界的最右端；對于像素電極I的右側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2位于右側(cè)邊界的最下端；對于像素電極I的下側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2位于下側(cè)邊界的最左端；對于像素電極I的左側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2位于左側(cè)邊界的最上端。
[0035]同時，為了提高導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2對位于邊緣處的暗紋區(qū)域的消除能力，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可設(shè)置為條狀，并且任一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的長度，為其所對應(yīng)的像素電極的邊界的長度的一半。結(jié)合圖2和圖3可知，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的設(shè)置位置恰好與邊緣處的暗紋區(qū)域的位置對應(yīng)。
[0036]本發(fā)明實施例中，由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2位于像素電極I外側(cè)，即導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2并不位于像素單元的開口區(qū)，因此，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2不會影響像素單元的開口率。因此，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2可采用不透明的金屬制成。
[0037]當(dāng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2采用不透明的金屬制成時，為了進(jìn)一步確保導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2不影響像素單元的開口率，位于像素電極I的左側(cè)邊界和右側(cè)邊界的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2，為數(shù)據(jù)線遮蔽。類似的，位于像素電極I的上側(cè)邊界和下側(cè)邊界的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2，為柵線遮蔽。
[0038]進(jìn)一步的，各導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的形狀優(yōu)選為條狀。為條狀的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2有利于盡可能減小導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2與柵線或數(shù)據(jù)線形成的寄生電容的容值，減小導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的設(shè)置帶來的不利影響。
[0039]顯然，各導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2也可采用透明導(dǎo)電材料制成。當(dāng)各導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2采用透明導(dǎo)電材料制成時，各導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2可與像素電極I 一體成型。如此，無需制備導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2專用的掩膜版，同時也無需為制備導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2增添一道曝光、刻蝕工藝，有利于降低設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2的陣列基板的制備成本。
[0040]并且，每一次的曝光、刻蝕工藝中，由于需要更換掩膜版，或多或少會帶來對位誤差，影響成品的良品率。因此，與像素電極I一體成型的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)2還有利于保證成品的良品率，進(jìn)而降低制備成本。
[0041]進(jìn)一步的，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置不僅包括上述的陣列基板，還包括與陣列基板對盒的彩膜基板。該顯示裝置可為液晶電視、液晶顯示器、手機、平板電腦等顯示裝置。
[0042]雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括多個陣列排布的像素單元，每一像素單元包括像素電極，所述像素電極為方形， 其中，所述像素電極的四周外側(cè)均設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述像素電極連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 對于所述像素電極的上側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述上側(cè)邊界的最右端； 對于所述像素電極的右側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述右側(cè)邊界的最下端； 對于所述像素電極的下側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述下側(cè)邊界的最左端； 對于所述像素電極的左側(cè)邊界，對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述左側(cè)邊界的最上端。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為條狀。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，任一所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的長度，為其所對應(yīng)的像素電極的邊界的長度的一半。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，位于所述像素電極的左側(cè)邊界和右側(cè)邊界的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，為數(shù)據(jù)線遮蔽。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，位于所述像素電極的上側(cè)邊界和下側(cè)邊界的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，為柵線遮蔽。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的陣列基板，其特征在于，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為金屬制成。8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的陣列基板，其特征在于，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為透明導(dǎo)電材料制成。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述像素電極一體成型。10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項所述的陣列基板及與所述陣列基板對盒的彩膜基板。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示裝置及其陣列基板，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，可改善出現(xiàn)的暗紋影響顯示裝置的透過率的現(xiàn)象。該陣列基板包括多個陣列排布的像素單元，每一像素單元包括像素電極，所述像素電極為方形，其中，所述像素電極的四周外側(cè)均設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，各導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述像素電極連接且相互絕緣。本發(fā)明可用于液晶電視、液晶顯示器、手機、平板電腦等顯示裝置。
【IPC分類】G02F1/1343
【公開號】CN105116644
【申請?zhí)枴緾N201510648048
【發(fā)明人】彭邦銀, 姚曉慧
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年10月9日