顯影裝置及光刻設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯影裝置及光刻設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]制作陣列基板通常采用l+4mask工藝，通過一次光刻構(gòu)圖工藝形成有源層、源級、漏極。具體的，首先依次形成半導體層、源漏材料層、光刻膠層；其次利用半透光掩膜板對光刻膠進行曝光并顯影，使得顯影后對應(yīng)溝道區(qū)的光刻膠厚度小于對應(yīng)源漏極的光刻膠厚度，而其余位置的光刻膠被顯影液溶解掉；然后進行第一次刻蝕，形成有源層圖形和相連的源漏極；之后對光刻膠灰化，去除溝道區(qū)上方的光刻膠，源漏極上方的光刻膠保留一部分；再進行第二次刻蝕，刻蝕掉溝道區(qū)對應(yīng)的源漏材料層，形成源漏極。
[0003]在陣列基板中，不同位置的待形成圖形的密度不同，從而使得顯影過程中不同位置對顯影速度也不同，即圖形密度低的區(qū)域顯影液消耗多，而使得顯影液溶度較低，顯影速度較慢；圖形密度高則顯影液消耗少，而使得顯影液溶度較大，顯影速度較快。而顯影速度不同使得光刻膠的溶解程度不同，導致不同區(qū)域光刻膠厚度不同，當光刻膠厚度過高時，在上述第二次刻蝕后，源漏極連在一起而使得薄膜晶體管發(fā)生短路現(xiàn)象，當光刻膠厚度過低時，容易使得有源層被刻穿而發(fā)生開路，從而影響產(chǎn)品的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種顯影裝置及光刻設(shè)備，以提高顯示用基板在顯影時顯影的均勻性。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種顯影裝置，包括顯影腔室，所述顯影腔室用于容納待顯影的基板，所述顯影裝置還包括加熱機構(gòu)；
[0006]所述加熱機構(gòu)包括多個加熱件，多個所述加熱件設(shè)置在所述顯影腔室內(nèi)，以對顯影腔室內(nèi)的位于所述加熱機構(gòu)上方或下方的基板的不同顯影位置進行加熱。
[0007]可選的，所述顯影裝置還包括控制機構(gòu)，所述控制機構(gòu)能夠根據(jù)所述基板上各個顯影位置的圖形形狀控制各個所述加熱件的開啟狀態(tài)和/或加熱溫度，以使得在顯影過程中所述基板的多個顯影位置的顯影速度相同。
[0008]可選的，所述顯影裝置還包括控制機構(gòu)，所述控制機構(gòu)能夠根據(jù)所述基板在未受熱的情況下所述基板上各個顯影位置的顯影速度控制各個所述加熱件的開啟狀態(tài)和/或加熱溫度，以使得在顯影過程中所述基板的多個顯影位置的顯影速度相同。
[0009]可選的，所述基板的不同顯影位置包括:基板的顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍用于設(shè)置柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動區(qū)；所述加熱機構(gòu)包括兩個獨立控制的加熱件，這兩個加熱件分別用于對位于加熱機構(gòu)上方的基板的顯示區(qū)和顯示區(qū)周圍的驅(qū)動區(qū)進行加熱。
[0010]可選的，所述顯影裝置還包括厚度測量機構(gòu)，所述厚度測量機構(gòu)用于分別在顯影前和顯影后測量所述基板上各個顯影位置的光刻膠的厚度，并將各個顯影位置的位置信息及其在顯影前和顯影后的光刻膠的厚度提供給所述控制機構(gòu)；
[0011]所述控制機構(gòu)能夠根據(jù)所述基板上各個顯影位置在顯影前的光刻膠厚度和顯影后的光刻膠厚度計算各個顯影位置的光刻膠的溶解速度，作為所述未受熱的情況下所述基板上對應(yīng)的顯影位置的顯影速度。
[0012]可選的，所述顯影腔室具有入口和出口，所述顯影裝置還包括傳輸機構(gòu)，用于將所述基板從所述顯影腔室的入口傳輸至所述顯影腔室的出口。
[0013]可選的，所述顯影裝置還包括位置檢測機構(gòu)，該位置檢測機構(gòu)用于在所述傳輸機構(gòu)傳輸所述基板時，實時檢測對應(yīng)于所述加熱件的顯影位置在所述基板上的位置信息；
[0014]所述控制機構(gòu)能夠根據(jù)所述位置檢測機構(gòu)所測得的顯影位置的位置信息獲取預(yù)先確定的所述基板在未受熱的情況下相應(yīng)的顯影位置的顯影速度。
[0015]可選的，所述傳輸機構(gòu)包括位于所述顯影腔室內(nèi)的多個間隔設(shè)置的傳輸滾輪，所述加熱機構(gòu)位于所述相鄰兩個傳輸滾輪之間。
[0016]可選的，多個所述加熱件沿平行于所述傳輸滾輪的軸線的方向依次排列。
[0017]可選的，所述加熱件為紅外加熱器。
[0018]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種光刻設(shè)備，包括上述顯影裝置。
[0019]在本發(fā)明中，多個加熱件可以分別對不同顯影位置進行加熱，每個加熱件的加熱溫度可以根據(jù)具體情況而定，如，其中一個顯影位置的圖形分布較稀疏，使得該顯影位置在未受熱的情況下的顯影速度較小時，對應(yīng)于該顯影位置的加熱件的加熱溫度可以較高，以提高該顯影位置的顯影速度，從而減小多個顯影位置的顯影速度之間的差異，提高顯影均勻性，防止后續(xù)刻蝕時出現(xiàn)有源層斷開或源漏極短路的情況發(fā)生，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。
【附圖說明】
[0020]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0021]圖1是本發(fā)明的實施例中基板顯影過程的基板狀態(tài)變化示意圖；
[0022]圖2-圖3是基板傳輸過程中加熱機構(gòu)對基板進行加熱時基板和加熱結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4是沿圖3中沿通過AA線的豎直平面對顯影裝置和基板進行剖切得到的剖視圖；
[0024]圖5是本發(fā)明的實施例中加熱機構(gòu)的俯視示意圖；
[0025]圖6是基板的顯示區(qū)和驅(qū)動區(qū)在基板上的分布示意圖。
[0026]其中，附圖標記為:10、顯影腔室；20、加熱機構(gòu)；21、加熱件；30、待顯影的基板；31、顯示區(qū)；32、驅(qū)動區(qū)；40、傳輸機構(gòu)；41、傳輸滾輪；50、清洗腔室；60、風干腔室；70、入口腔室；80、出口腔室。
【具體實施方式】
[0027]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應(yīng)當理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0028]作為本發(fā)明的一方面，提供一種顯影裝置，請結(jié)合圖1至圖4，該顯影裝置包括顯影腔室10和加熱機構(gòu)20。如圖1所示，顯影腔室10用于容納待顯影的基板30 ;如圖4所示，加熱機構(gòu)20包括多個加熱件21，多個加熱件21設(shè)置在所述顯影腔室內(nèi)，用于對顯影腔室10內(nèi)的位于加熱機構(gòu)20上方或下方的基板30上的不同顯影位置進行加熱，應(yīng)當理解的是，多個加熱件21用于對不同顯影位置分別進行加熱，因此，多個加熱件21能夠分別獨立控制。如圖2中所示，加熱機構(gòu)20對位于其上方的基板30進行加熱。
[0029]當然，加熱機構(gòu)20也可包括一個加熱件，當兩個位置的顯影速度不同時，可以在其中一個位置通過一個加熱件進行加熱，使得這兩個位置的顯影速度相同或幾乎相同。
[0030]應(yīng)當理解的是，所述顯影裝置用于構(gòu)圖工藝中，為了在基板上形成一定的圖形，如柵線、柵極、有源層等，需要先形成金屬膜層或半導體膜層，然后形成光刻膠膜層，再通過曝光和顯影將待刻蝕位置的光刻膠除去，之后對金屬膜層或半導體膜層進行刻蝕形成所需的圖形。在顯影的過程中，顯影速度與顯影液的濃度、顯影溫度均有關(guān)，顯影溫度一定時。待溶解的光刻膠量越多，顯影濃度越小，顯影速度越慢；待溶解的光刻膠量越小，顯影濃度越大，顯影速度越快。顯影濃度一定時，顯影溫度越高，顯影速度越快，顯影溫度越低，顯影速度越慢。而待顯影的基板為陣列基板時，由于陣列基板上不同位置的圖形分布也不同，導致顯影速度也不問。
[0031]本發(fā)明中的多個加熱件可以分別對不同顯影位置進行加熱，每個加熱件的加熱溫度可以根據(jù)