顯示基板、顯示裝置及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地設(shè)及一種顯示基板、顯示裝置及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] LED(li曲temittingdiode,發(fā)光二極管）產(chǎn)生的白光主要是通過藍(lán)光忍片結(jié)合 黃色巧光粉實現(xiàn)。藍(lán)光是指波長為大約400-500nm的可見光。LED產(chǎn)生的白光中的藍(lán)光的 波長和強(qiáng)度集中在460皿附近，例如440-470皿，對眼睛造成很大負(fù)擔(dān)。當(dāng)長時間暴露于 藍(lán)光時，人眼可能遭受各種傷害。國際照明委員會CIE在2002年頒布了CIE8009:2002 《P冊T0BI0L0GICALSA陽TYOFLAMPSANDLAMPSYSTEMS(燈和燈系統(tǒng)的光生物安全性）》 標(biāo)準(zhǔn)，開始提及到藍(lán)光相關(guān)危害。國際電工委員會IEC在2012年出版了IEC/TR62778,明 確了L邸藍(lán)光福射強(qiáng)度危害的=個等級。日本有多名知名眼科醫(yī)學(xué)專家針對先進(jìn)顯示器材 大規(guī)模采用L邸背光源建立了藍(lán)光研究會，研究藍(lán)光對眼鏡視網(wǎng)膜、角膜、眼疲勞、睡眠質(zhì) 量、神經(jīng)系統(tǒng)、肥胖、癌癥等身體健康的影響。由此可見，LED的藍(lán)光傷害已經(jīng)越發(fā)受到人們 的重視。
[0003] 諸如LCD(liquidC巧staldisplay,液晶顯示器）的顯示裝置通常采用LED作為 背光模塊中的光源。為此，在一些防藍(lán)光的液晶顯示裝置中，分立的光學(xué)膜被貼附到液晶顯 示裝置W過濾掉一部分由L邸發(fā)出的440-470nm波段的高能量藍(lán)光。運(yùn)種情況下，要求增 加一層額外的光學(xué)膜，導(dǎo)致成本提高且厚度增加。在另一些防藍(lán)光的液晶顯示裝置中，通過 調(diào)適背光源，使所發(fā)射的藍(lán)光位于特定波段或者使藍(lán)光的波峰位于特定波段。運(yùn)種情況下， 要求對光源進(jìn)行調(diào)整，使得成本高昂并且導(dǎo)致功耗增大。類似地，在0L邸(organicli曲t emittingdisplay,有機(jī)發(fā)光顯示器）中同樣存在藍(lán)光傷害問題。
[0004] 因此，本領(lǐng)域中存在對一種改進(jìn)的防藍(lán)光傷害方法和顯示裝置的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本公開的目的在于減輕或解決前文所提到的問題的一個或多個。具體而言，本公 開的顯示基板、顯示裝置及其制作方法可W兼容已有顯示裝置的制作工藝，無需改動制作 工藝和裝置硬件，從而W簡單且成本有效的方式解決顯示裝置中的藍(lán)光傷害問題。
[0006] 在第一方面，提供了一種顯示基板，包括：襯底；W及布置在該襯底上的藍(lán)光抑制 層，其中該藍(lán)光抑制層減弱一部分由光源發(fā)射的藍(lán)光。
[0007] 根據(jù)此技術(shù)方案，在已有顯示基板的制作過程中即可形成藍(lán)光抑制層。目P，該藍(lán)光 抑制層的制作工藝兼容已有顯示裝置的制作工藝，因此無需大幅改動制作工藝，從而W簡 單且成本有效的方式解決顯示裝置中的藍(lán)光傷害問題。另外，由于藍(lán)光抑制層形成于該顯 示基板中，運(yùn)有助于降低顯示基板的厚度，進(jìn)而降低顯示裝置的厚度。
[0008] 優(yōu)選地，該藍(lán)光抑制層可W直接形成于該襯底上。
[0009] 根據(jù)此技術(shù)方案，藍(lán)光抑制層直接形成于顯示基板的襯底上。藉此，該藍(lán)光抑制 層可W提前形成于襯底上，有利于實現(xiàn)模塊化作業(yè)，從而避免占用制作設(shè)備的工作時間（up time),進(jìn)而提高設(shè)備的稼動率（operationratio)。
[0010] 優(yōu)選地，該顯示基板還可W包括形成于該襯底上的薄膜晶體管、純化層和像素電 極；W及該薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源區(qū)和源/漏電極。
[0011] 根據(jù)此技術(shù)方案，該顯示基板可W為陣列基板。具體而言，根據(jù)本公開的藍(lán)光抑制 層可W形成于顯示裝置的陣列基板中。陣列基板通常包括若干介質(zhì)層，即，陣列基板的制作 工藝本身就設(shè)及形成介質(zhì)層的步驟。運(yùn)非常有利于形成本公開的藍(lán)光抑制層，特別是當(dāng)該 藍(lán)光抑制層由一個或多個透明介質(zhì)層形成時。
[0012] 優(yōu)選地，該藍(lán)光抑制層可W形成于該柵極絕緣層上；W及該像素電極可W通過貫 穿該純化層的過孔電連接到該薄膜晶體管的源/漏電極。
[0013] 根據(jù)此技術(shù)方案，在形成薄膜晶體管的柵極絕緣層后，形成藍(lán)光抑制層。運(yùn)有利于 兼容已有的陣列基板的制作工藝。例如，柵極絕緣層和藍(lán)光抑制層可W依次在同一個成膜 腔室內(nèi)形成。
[0014] 優(yōu)選地，該藍(lán)光抑制層可W形成于該純化層上；W及該像素電極可W通過貫穿該 藍(lán)光抑制層和該純化層的過孔電連接到該薄膜晶體管的源/漏電極。
[0015] 根據(jù)此技術(shù)方案，在形成薄膜晶體管的純化層后，形成藍(lán)光抑制層。運(yùn)有利于與已 有的陣列基板的制作工藝相兼容。例如，可W在同一個成膜腔室內(nèi)依次形成純化層和藍(lán)光 抑制層。在具體實施例中，顯示基板還可W包括形成于純化層上的平坦化層。運(yùn)種情況下， 藍(lán)光抑制層可W形成于該平坦化層上?？傮w而言，可W在陣列基板的任何介質(zhì)層上布置該 藍(lán)光抑制層，從而有利于將藍(lán)光抑制層的形成步驟整合到已有的陣列基板制作工藝中。
[0016] 優(yōu)選地，該顯示基板可W包括藍(lán)色亞像素區(qū)和非藍(lán)色亞像素區(qū)，W及在該非藍(lán)色 亞像素區(qū)的顯示區(qū)域中，該顯示基板可W包括該襯底W及形成于該襯底上的像素電極。
[0017] 藍(lán)光抑制層也會在一定程度上反射由光源發(fā)射的其它顏色的光，例如紅光和綠 光。根據(jù)此技術(shù)方案，非藍(lán)色亞像素區(qū)的顯示區(qū)域中的藍(lán)光抑制層被刻蝕掉，由此避免對藍(lán) 色W外的光的影響。
[0018] 優(yōu)選地，在該非藍(lán)色亞像素區(qū)的顯示區(qū)域，該顯示基板可W包括該襯底、平坦化層 和形成于該平坦化層上的像素電極。
[0019] 根據(jù)此技術(shù)方案，當(dāng)非藍(lán)色亞像素區(qū)的顯示區(qū)域中的藍(lán)光抑制層被刻蝕掉之后， 可W沉積一層平坦化層，然后在該平坦化層上形成像素電極。該平坦化層可W消除非藍(lán) 色亞像素區(qū)的顯示區(qū)域中由于藍(lán)光抑制層被刻蝕掉之后形成的顯著段差（differencein hei曲t)，進(jìn)而避免由于該段差可能導(dǎo)致的位于不同層的導(dǎo)電層之間短路。
[0020] 優(yōu)選地，該顯示基板還可W包括形成于該藍(lán)光抑制層上的黑矩陣層和彩色濾光 片。
[0021] 根據(jù)此技術(shù)方案，該顯示基板可W為彩膜基板。具體而言，根據(jù)本公開的藍(lán)光抑制 層可W設(shè)置在彩膜基板中，具體而言設(shè)置在彩膜基板的襯底上。
[0022] 優(yōu)選地，該顯示基板還可W包括形成于該襯底的第一側(cè)上的薄膜晶體管和像素電 極，W及形成于該襯底的第一側(cè)或第二側(cè)上的黑矩陣層和彩色濾光片；W及該藍(lán)光抑制層 形成于該襯底的第一側(cè)或第二側(cè)。
[0023] 根據(jù)此技術(shù)方案，該顯示基板可W為彩膜陣列（colorfilteronarray,C0A)基 板。具體而言，在該彩膜陣列基板中，薄膜晶體管和彩色濾光片分別形成于襯底的兩側(cè)或同 偵u。根據(jù)本公開的藍(lán)光抑制層可w形成于該彩膜陣列基板的薄膜晶體管一側(cè)，也可w形成 于該彩膜陣列基板的另一側(cè)。
[0024]優(yōu)選地，在由該光源發(fā)射的藍(lán)光的光路上，該藍(lán)光抑制層可W包括布置在透明介 質(zhì)底層上的第一透明介質(zhì)層和第二透明介質(zhì)層；該第一透明介質(zhì)層的折射率ni大于該透明 介質(zhì)底層的折射率n。;^及該第一透明介質(zhì)層的折射率ni大于該第二透明介質(zhì)層的折射率 打2〇
[00巧]根據(jù)此技術(shù)方案，該藍(lán)光抑制層依次包括透明介質(zhì)底層、第一透明介質(zhì)層和第二 透明介質(zhì)層，并且=者的折射率滿足11。<叫〉112。藉此，相對于從光源入射的光而言，運(yùn)=層一 起作為增反膜，從而減弱從光源入射的光。具體而言，該透明介質(zhì)底層可W為陣列基板中已 有的介質(zhì)層，例如柵極絕緣層、純化層、平坦化層或保護(hù)層。藉此，本公開的藍(lán)光抑制層更好 地兼容已有陣列基板的制作工藝，并且有利于減小顯示基板的厚度。
[0026]優(yōu)選地，該第一透明介質(zhì)層的厚度d為d=(2m+l) A/(4ni)，其中