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      像素隔離墻、顯示基板及其制作方法和顯示裝置的制造方法

      文檔序號(hào):9431490閱讀:399來(lái)源:國(guó)知局
      像素隔離墻、顯示基板及其制作方法和顯示裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,設(shè)及一種像素隔離墻的制作方法、一種顯示 基板的制作方法、一種像素隔離墻和一種顯示基板W及一種顯示裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的制作工藝如圖1所示,主要包括:
      [0003] 在玻璃基底上形成薄膜晶體管;
      [0004] 在像素電極上形成像素隔離墻;
      [0005] 在像素隔離墻界定的區(qū)域中滴入有機(jī)發(fā)光材料溶液,W形成有機(jī)發(fā)光層。形成的 顯示基板如圖2所示。
      [0006] 在形成有機(jī)發(fā)光層時(shí),為了避免相鄰像素顯示色彩的串?dāng)_,一般會(huì)在相鄰像素之 間設(shè)置有用于分隔相鄰像素的像素隔離墻。
      [0007] 現(xiàn)有技術(shù)中制作像素界定層的步驟包括:
      [0008] 在像素電極的表層涂布一層光刻膠,采用掩模版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光,其中光刻膠 若是正膠,則見(jiàn)光分解;若是負(fù)膠,則光致聚合。W正膠為例,清洗掉掩膜板的透光區(qū)域?qū)?yīng) 的光刻膠,將剩余的光刻膠作為像素隔離墻。
      [0009] 在形成像素隔離墻之后,為了精確控制有機(jī)材料溶液或墨水的液滴滴入到給定的 像素區(qū)域中,通常要求像素區(qū)域的像素隔離墻具有疏液性,運(yùn)樣即使有少量液滴在制作過(guò) 程中落到像素隔離墻的墻體上,也會(huì)由于其疏液特性而使得液滴流入到像素槽內(nèi)。如圖3 所示,現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)噴墨打印方式形成的有機(jī)發(fā)光層,雖然可W完全滴入像素槽內(nèi),但是 由于像素隔離墻本身具有疏液性,會(huì)使得液滴形成凸起,進(jìn)而導(dǎo)致形成的有機(jī)發(fā)光層厚度 不均勻。
      [0010] 因此在如何控制有機(jī)材料溶液或墨水的液滴精確滴入到給定的像素區(qū)域,W及同 時(shí)保證落入像素內(nèi)的液滴在干燥后其膜的厚度均一性方面存在難度。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0011] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,如何將功能顯示材料準(zhǔn)確地滴入指定區(qū)域,同時(shí) 保證形成的功能顯示層厚度均勻。
      [0012] 為此目的,本發(fā)明提出了一種像素隔離墻,包括:
      [0013] 親油層,設(shè)置在形成有TFT陣列和像素電極陣列的基板之上;
      [0014] 疏油層,設(shè)置在所述親油層之上,與所述親油層一起界定多個(gè)與所述像素電極陣 列對(duì)應(yīng)的凹陷區(qū)域。
      [0015] 優(yōu)選地,所述親油層的材料為感光性強(qiáng)于預(yù)設(shè)值的光刻膠。
      [0016] 優(yōu)選地,所述疏油層的材料為SiNx。
      [0017] 優(yōu)選地,所述疏油層的上表面經(jīng)歷過(guò)親水處理。
      [0018] 本發(fā)明還提出了一種顯示基板,包括上述任一項(xiàng)所述的像素隔離墻,還包括:所述 TFT陣列和像素電極陣列,W及形成在所述凹陷區(qū)域中的親油的功能顯示層。
      [0019] 優(yōu)選地,所述功能顯示層的材料為有機(jī)發(fā)光材料或電致變色材料。
      [0020] 本發(fā)明還提出了一種顯示裝置,包括上述顯示基板。
      [0021] 本發(fā)明還提出了一種像素隔離墻制作方法,包括:
      [0022] 在形成有TFT陣列和像素電極陣列的基板之上形成親油層;
      [0023] 在所述親油層上形成疏油層;
      [0024] 在所述疏油層上形成光刻膠;
      [0025] 去除與所述像素電極陣列對(duì)應(yīng)的光刻膠; 陽(yáng)0%] 蝕刻與所述像素電極陣列對(duì)應(yīng)的疏油層;
      [0027] 蝕刻與所述像素電極陣列對(duì)應(yīng)的親油層,W使所述親油層和疏油層一起界定多個(gè) 與所述像素電極陣列對(duì)應(yīng)的凹陷區(qū)域。
      [0028] 優(yōu)選地,形成親油層的步驟包括:
      [0029] 在形成有TFT陣列和像素電極陣列的基板上涂覆親油層的材料;
      [0030] 在80°C至100°C溫度下對(duì)親油層的材料烘烤3至5分鐘;
      [0031] 在90°C至110°C溫度下對(duì)親油層的材料烘烤25至35分鐘;
      [0032] 在220°C至240°C溫度下對(duì)親油層的材料烘烤25至35分鐘。
      [0033] 優(yōu)選地,蝕刻所述與所述像素電極陣列對(duì)應(yīng)的親油層包括:
      [0034] 通過(guò)氧氣干刻與所述像素電極陣列對(duì)應(yīng)的親油層的材料,W形成像素區(qū)域。
      [0035] 優(yōu)選地,所述疏油層的材料為SiNx,
      [0036] 在所述親油層上形成疏油層包括:
      [0037] 通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積900至n〇0惠厚度的SiN,層。
      [003引優(yōu)選地,蝕刻與所述像素電極陣列對(duì)應(yīng)的疏油層包括:通過(guò)SFe和C12干刻與所述 像素電極陣列對(duì)應(yīng)的SiNy。
      [0039] 優(yōu)選地,在所述親油層上形成疏油層之后還包括:
      [0040] 對(duì)所述疏油層的上表面做親水處理。
      [0041] 本發(fā)明還提出了一種顯示基板制作方法,包括上述像素隔離墻制作方法,還包 括:
      [0042] 向所述凹陷區(qū)域滴入親油的功能顯示材料,W在所述凹陷區(qū)域內(nèi)形成功能顯示 層。
      [0043] 根據(jù)上述技術(shù)方案,通過(guò)在親油層上設(shè)置疏油層形成像素隔離墻,當(dāng)向像素區(qū)域 滴入親油的功能顯示材料時(shí),由于親油的功能顯示材料是親油的,即使滴在了疏油層上,也 會(huì)被疏油層排斥而落入親油層所界定的像素區(qū)域,從而保證了親油的功能顯示材料滴入像 素區(qū)域的準(zhǔn)確度。并且由于親油層內(nèi)壁是親油的,當(dāng)親油的功能顯示材料滴入像素區(qū)域后, 內(nèi)壁可W對(duì)親油的功能顯示材料的兩側(cè)產(chǎn)生較強(qiáng)的拉力,使得親油的功能顯示材料在像素 區(qū)域中更為平整,不會(huì)在中屯、區(qū)域聚集較厚的材料,從而形成厚度均勻的功能顯示層。
      【附圖說(shuō)明】
      [0044] 通過(guò)參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn),附圖是示意性的而不應(yīng)理 解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制,在附圖中:
      [0045] 圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板制作方法的示意流程圖;
      [0046] 圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0047] 圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)中形成的有機(jī)發(fā)光層或電致變色層的示意圖;
      [0048] 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素隔離墻的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0049] 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0050]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素隔離墻制作方法的示意流程圖;
      [0051] 圖7至圖11示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素隔離墻制作方法的具體示意流 程圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0052] 為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn),下面結(jié)合附圖和具體實(shí) 施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是,在不沖突的情況下,本申請(qǐng)的實(shí)施 例及實(shí)施例中的特征可W相互組合。
      [0053] 在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)W便于充分理解本發(fā)明,但是,本發(fā)明還可 W采用其他不同于在此描述的其他方式來(lái)實(shí)施,因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開(kāi) 的具體實(shí)施例的限制。
      [0054] 如圖4所示,根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的像素隔離墻,包括: 陽(yáng)化5] 親油層2,設(shè)置在形成有TFT陣列和像素電極陣列1的基板之上;
      [0056] 疏油層3,設(shè)置在萊油層2之上,與萊油層2-起界走多個(gè)與像素電極陣列對(duì)應(yīng)的 凹陷區(qū)域。
      [0057] 通過(guò)在親油層2上設(shè)置疏油層3形成像素隔離墻,當(dāng)向像素區(qū)域滴入親油的功能 顯示材料形成親油的功能顯示層5時(shí),由于親油的功能顯示材料是親油的,即使滴在了疏 油層3上,也會(huì)被疏油層3排斥而落入親油層2所界定的像素區(qū)域,從而保證了親油的功能 顯示材料準(zhǔn)確地滴入凹陷區(qū)域。
      [0058] 并且由于親油層2是親油的,也即形成的像素隔離墻內(nèi)壁是親油的,當(dāng)親油的功 能顯示材料滴入像素區(qū)域后,內(nèi)壁可W對(duì)親油的功能顯示材料的兩側(cè)產(chǎn)生較強(qiáng)的拉力,使 得親油的功能顯示材料在像素區(qū)域中更為平整,不會(huì)在中屯、區(qū)域聚集較厚的材料,從而形 成厚度均勻的親油的功能顯示層5,如圖5所示。
      [0059] 優(yōu)選地,親油層2的材料為感光性強(qiáng)于預(yù)設(shè)值的光刻膠4。
      [0060] 感光性強(qiáng)于預(yù)設(shè)值的光刻膠4,例如富±薄膜公司的一種高感度的正性光刻膠 FMES-TF20,易于形成較厚的親油層2,可W更好地作為像素隔離墻來(lái)界定像素區(qū)域。
      [0061] 優(yōu)選地,疏油層3的材料為SiNx。
      [0062] 本實(shí)施例中的SiNx為疏油(親水)性材料,當(dāng)親油的功能顯示材料滴在SiNX材料 上時(shí),會(huì)被SiNy材料排斥而不會(huì)在其上停留,從而更容易進(jìn)入親油層2界定的像素區(qū)域。
      [0063] 優(yōu)選地,疏油層3的上表面經(jīng)歷過(guò)親水處理。 W64] 如果工藝需要疏油層3的疏油性較強(qiáng),可W進(jìn)一步對(duì)疏油層3進(jìn)行親水處理,使得 滴在其上的親油的功能顯示材料更快地流入像素區(qū)域。 陽(yáng)0化]本發(fā)明還提出了一種顯示基板,包括上述任一項(xiàng)的像素隔離墻,還包括:TF
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