顯示裝置與其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示裝置，且特別是涉及一種主動(dòng)式陣列干涉量測調(diào)節(jié)器顯示裝置(active matrix interferometric modulator(IMOD)display device)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，各種的顯示器已廣泛地應(yīng)用于許多電子產(chǎn)品中。在各種顯示器中，液晶顯示器(liquid crystal display)由于具有輕、低消耗功率、無福射等優(yōu)點(diǎn)，目前已應(yīng)用于各種個(gè)人電腦、個(gè)人數(shù)字助理(personal digitalassistant, PDA)、手機(jī)、電視等。
[0003]液晶顯示器的基本原理是利用液晶的偏光性(polarizat1n)控制背光源通過濾光片(color filter)后光穿透的強(qiáng)度。然而，光經(jīng)過濾光片之后，光的強(qiáng)度會(huì)降低。因此，一種新穎的微機(jī)電顯不器(Microelectro-mechanical system, MEMS display)開始發(fā)展。
[0004]在各種微機(jī)電顯示器中，干涉量測調(diào)節(jié)器(interferometric modulator)具有低耗電與廣視角等優(yōu)點(diǎn)而受到重視。干涉量測調(diào)節(jié)器由兩片平行的反射面夾著氣隙所組成，當(dāng)光線照射此結(jié)構(gòu)時(shí)，部分的光向上反射，部分的光穿過半透明的上反射面進(jìn)入氣隙，在內(nèi)部反射。因此，可通過光波的干涉而產(chǎn)生各種顏色的光。
[0005]然而，目前的干涉量測調(diào)節(jié)器(interferometric modulator, IM0D)顯示裝置發(fā)展尚未成熟，仍面臨許多挑戰(zhàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括:一基板，其中該基板包括一顯示區(qū)與位于該顯示區(qū)外側(cè)的一邊框區(qū)；一第一金屬層，位于該基板的該顯示區(qū)與該邊框區(qū)之上，其中位于該邊框區(qū)的該第一金屬層作為一周邊柵極及一走線，位于該顯示區(qū)的該第一金屬層作為一像素柵極及一黑色矩陣；一第一絕緣層，位于該第一金屬層之上；一主動(dòng)層，位于該第一絕緣層之上；一第二金屬層，位于該主動(dòng)層之上，其中位于該邊框區(qū)的該周邊柵極、該第一絕緣層、該主動(dòng)層與該第二金屬層構(gòu)成一周邊薄膜晶體管元件，位于該顯示區(qū)的該像素柵極、該第一絕緣層、該主動(dòng)層與該第二金屬層構(gòu)成一像素薄膜晶體管元件；一像素電極層，位于該第二金屬層之上并位于該顯示區(qū)；以及一干涉量測調(diào)節(jié)器(interferometric modulator, IM0D)位于該像素電極層之上。
[0007]本發(fā)明還提供一種顯示裝置的制造方法，包括以下步驟:提供一基板，其中該基板包括一顯不區(qū)與位于該顯不區(qū)外側(cè)的一邊框區(qū)；形成一第一金屬層于該基板的顯不區(qū)與該邊框區(qū)之上，其中位于該邊框區(qū)的該第一金屬層作為一周邊柵極及一走線，位于該顯示區(qū)的該第一金屬層作為一像素柵極及一黑色矩陣；形成一第一絕緣層于該第一金屬層之上；形成一主動(dòng)層于該第一絕緣層之上；形成一第二金屬層于該主動(dòng)層之上，其中位于該邊框區(qū)的該周邊柵極、該第一絕緣層、該主動(dòng)層與該第二金屬層構(gòu)成一周邊薄膜晶體管元件，位于該顯示區(qū)的該像素柵極、該第一絕緣層、該主動(dòng)層與該第二金屬層構(gòu)成一像素薄膜晶體管元件；形成一像素電極層于該第二金屬層之上；以及形成一干涉量測調(diào)節(jié)器 (interferometric modulator, IMOD)于該像素電極之上。
【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例顯示裝置的剖視圖；
[0009]圖2A-圖2L為本發(fā)明一實(shí)施例顯示裝置的制造方法于各個(gè)制作工藝階段的剖視圖。
[0010]符號(hào)說明
[0011]10?顯示區(qū)
[0012]11?像素驅(qū)動(dòng)區(qū)
[0013]12?開口區(qū)
[0014]20?邊框區(qū)
[0015]21?周邊驅(qū)動(dòng)區(qū)
[0016]22?線路區(qū)
[0017]100?顯示裝置
[0018]200?像素薄膜晶體管元件
[0019]202?基板
[0020]204?第一金屬層
[0021]206?第一絕緣層
[0022]207 ?穿孔(via hole)
[0023]208?王動(dòng)層(有源層)
[0024]210?第二金屬層
[0025]300?干涉量測調(diào)節(jié)器(頂(?)
[0026]302?第二絕緣層
[0027]304?像素電極層
[0028]306?靜止層
[0029]307?溝槽
[0030]308?犧牲層
[0031]310a?第一支撐層
[0032]310b?第二支撐層
[0033]311?孔洞
[0034]312a ?第一可移動(dòng)反射層(movable reflective layer)
[0035]312b?第二可移動(dòng)反射層
[0036]350?光學(xué)間隙
[0037]氏、!12、!13?高度
[0038]400?周邊薄膜晶體管元件
[0039]500?走線
【具體實(shí)施方式】
[0040]以下特舉本發(fā)明的實(shí)施例，并配合所附的附圖作詳細(xì)說明，而在附圖或說明中所使用的相同符號(hào)表示相同或類似的部分，且在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明之，值得注意的是，附圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者所知的形狀，另外，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。
[0041]本發(fā)明提供一種顯示裝置與其制造方法。圖1顯示本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置100的剖視圖。顯示裝置100為一種主動(dòng)式陣列干涉量測調(diào)節(jié)器顯示裝置(active matrixinterferometric modulator (IMOD) display device)，其包括像素薄膜晶體管兀件 200 與干涉量測調(diào)節(jié)器(interferometric modulator, IMOD) 300。
[0042]顯示裝置200包括基板202,且基板202包括顯示區(qū)10與位于顯示區(qū)10外側(cè)的邊框區(qū)20,其中像素薄膜晶體管元件200與干涉量測調(diào)節(jié)器(interferometricmodulator, IMOD) 300形成于顯示區(qū)10中。周邊薄膜晶體管元件400與走線500形成于邊框區(qū)20中。
[0043]像素薄膜晶體管兀件200包括第一金屬層204、第一絕緣層206、主動(dòng)層208與第二金屬層210，其中第一金屬層204在顯示區(qū)10中又可稱為像素柵極，而第二金屬層210在顯示區(qū)10中又可稱為像素源極/漏極。
[0044]干涉量測調(diào)節(jié)器(頂(?) 300包括靜止層306、支撐層310a與310b、可移動(dòng)反射層312a與312b,以及介于靜止層306與可移動(dòng)反射層310a之間的光學(xué)間隙(opticalgap)350ο
[0045]如圖1中所顯示，光學(xué)間隙(optical gap) 350的高度會(huì)決定所反射光的顏色。在一些實(shí)施例中，顯示裝置100中至少有三個(gè)光學(xué)間隙350，分別對(duì)應(yīng)紅光(R)、綠光(G)、藍(lán)光(B)，且每個(gè)光學(xué)間隙350各自具有不同高度氏、H2、H3。在一些實(shí)施例中，光學(xué)間隙350的聞度1?大于H2，且聞度H2大于聞度H3。
[0046]周邊薄膜晶體管元件400包括第一金屬層204、第一絕緣層206、主動(dòng)層208與第二金屬層210,其中第一金屬層204在邊框區(qū)20中又可稱為周邊柵極,而第二金屬層210在邊框區(qū)20中又可稱為周邊源極/漏極。
[0047]顯示區(qū)10包括像素驅(qū)動(dòng)區(qū)11及與像素驅(qū)動(dòng)區(qū)11相鄰的開口區(qū)12，其中像素薄膜晶體管元件200位于像素驅(qū)動(dòng)區(qū)11中，而光學(xué)間隙350位于開口區(qū)12中。像素薄膜晶體管元件200與光學(xué)間隙350相鄰但不重疊，故像素薄膜晶體管元件200不會(huì)遮蔽光學(xué)間隙350而影響開口率。