偏振元件、偏振元件的制造方法、光取向裝置及偏振元件的組裝方法
【專利摘要】本發(fā)明主要目的在于提供一種偏振元件，能消除將并列配置有多條細(xì)線的偏振元件配置于光取向裝置時(shí)，連鎖性引發(fā)細(xì)線破損的不良情況、以及從已破損細(xì)線部分產(chǎn)生異物的不良情況，且消光比優(yōu)異。本發(fā)明通過在對(duì)紫外光具有透射性的透明基板上并列配置多條細(xì)線的偏振元件中，在配置有上述細(xì)線的偏振區(qū)域的外側(cè)，形成將上述紫外光予以遮光的遮光膜，而解決上述課題。
【專利說明】
偏振元件、偏振元件的制造方法、光取向裝置及偏振元件的組 裝方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及消光比優(yōu)異的偏振元件、其制造方法、及具備有該偏振元件的光取向 裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示裝置一般具有將形成有驅(qū)動(dòng)元件的對(duì)向基板與彩色濾光片呈對(duì)向配置 并密封周圍，且在其間隙中填充有液晶材料的構(gòu)造。并且，液晶材料具有折射率各向異性， 由于沿著對(duì)液晶材料施加電壓方向的方式呈整齊狀態(tài)、和未施加電壓的狀態(tài)的不同，切換 關(guān)/開便可顯示像素。此處在夾持液晶材料的基板中，設(shè)有用于使液晶材料取向的取向膜。
[0003] 另外，即使作為液晶顯示裝置所使用的相位差膜、或3D顯示用相位差膜的材料也 使用取向膜。
[0004] 已知作為取向膜，例如使用以聚酰亞胺為代表的高分子材料，通過實(shí)施利用布等 對(duì)該高分子材料進(jìn)行摩擦的摩擦處理而成為具有取向限制力的取向膜。
[0005] 然而，在這樣的通過摩擦處理被賦予取向限制力的取向膜中，會(huì)有布等作為異物 殘存的問題。
[0006] 相對(duì)于此，通過照射直線偏振光而顯現(xiàn)取向限制力的取向膜、即光取向膜中，因?yàn)?在不實(shí)施如上所述利用布等進(jìn)行的摩擦處理的情況下便可賦予取向限制力，因而不會(huì)有布 等成為異物并殘存的不良情況發(fā)生，故而近年備受矚目。
[0007] 作為用于對(duì)此種光取向膜賦予取向限制力的直線偏振光照射方法，一般采取經(jīng)由 偏振元件進(jìn)行曝光的方法。作為偏振元件，使用具有平行配置的多條細(xì)線的元件，作為構(gòu)成 細(xì)線的材料使用鋁、氧化鈦(例如專利文獻(xiàn)1)。
[0008] 并且，作為形成平行配置的多條細(xì)線的方法，以往使用雙光束干涉曝光法（two-beam interference exposure method) (例如專利文獻(xiàn)2、 3)。
[0009] 該雙光束干涉曝光法是將使相位與光程長相加的2條激光重疊時(shí)產(chǎn)生的周期性光 強(qiáng)度分布(干涉圖案），轉(zhuǎn)印于基板上的抗蝕劑的技術(shù)。
[0010] 例如，將在玻璃基板上形成鋁等金屬層，并在其上對(duì)所形成的抗蝕層實(shí)施雙光束 干涉曝光、顯影，將如此獲得的周期性抗蝕圖案用于蝕刻掩模，對(duì)金屬層進(jìn)行蝕刻，之后，通 過除去抗蝕圖案，由此可以在玻璃基板上形成由鋁等金屬構(gòu)成的多個(gè)平行配置的細(xì)線。 [0011]然后，通過將玻璃基板切斷成作為偏振元件所需要的形態(tài)，從而可以得到具有鋁 等金屬構(gòu)成的細(xì)線的偏振元件。
[0012] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0013] [專利文獻(xiàn)]
[0014] 專利文獻(xiàn)1:日本專利第4968165號(hào)公報(bào) [0015] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2013-145863號(hào)公報(bào) [0016] 專利文獻(xiàn)3:日本特開2007-178763號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0017](發(fā)明想要解決的問題）
[0018] 如上所述以往的偏振元件，因?yàn)閺囊研纬杉?xì)線的大面積玻璃基板依每條細(xì)線切 斷，而切取所需尺寸及形態(tài)的偏振元件，因而所獲得偏振元件如圖12(a)所示，細(xì)線112延伸 至偏振元件110的外緣(即切斷端部）。
[0019] 因此，在將偏振元件110配置于光取向裝置時(shí)，若為能固定偏振元件110而夾持形 成有該細(xì)線112的區(qū)域，則會(huì)有從夾持的部分連鎖性引發(fā)細(xì)線112破損的不良情況、或者從 已破損的細(xì)線部分產(chǎn)生異物的不良情況。
[0020] 另一方面，為了避免夾持配置有細(xì)線的部分，而考慮利用某種方法，將配置有細(xì)線 的區(qū)域限定于作為偏振元件切取的區(qū)域內(nèi)側(cè)的區(qū)域，并夾持沒有配置細(xì)線的區(qū)域即露出玻 璃基板的區(qū)域而固定偏振元件。
[0021] 然而，此情況例如圖12(b)所示，在偏振元件120中配置有細(xì)線122的區(qū)域的外側(cè)區(qū) 域，會(huì)成為玻璃基板121露出的區(qū)域，且從該玻璃基板121露出的區(qū)域，不僅入射光的P波成 分會(huì)透射，就連S波成分也會(huì)透射，因而會(huì)有導(dǎo)致消光比大幅降低的不良情況。
[0022] 另外，所謂"消光比"是指相對(duì)于平行于上述細(xì)線的偏振成分(S波)的透射率(射出 光中的S波成分/入射光中的S波成分，以下也簡稱"S波透射率"），垂直于上述細(xì)線的偏振成 分(P波）的透射率(射出光中的P波成分/入射光中的P波成分，以下也簡稱"P波透射率"）的 比例(P波透射率/S波透射率）。
[0023] 例如具有P波透射率為50%、S波透射率為1 %的偏振光特性的偏振元件的消光比 的值為50,但當(dāng)在該偏振元件上形成露出玻璃基板的區(qū)域，且P波透射率與S波透射率均增 加1 %的情況下，消光比（即P波透射率/S波透射率的比例）便成為（50+1 )/(1+1) = 25.5，消 光比大約降低為一半值。
[0024] 本發(fā)明鑒于上述實(shí)情而完成，主要目的在于提供:能消除當(dāng)將偏振元件配置于光 取向裝置時(shí)，連鎖性引發(fā)細(xì)線破損的不良情況、與從已破損細(xì)線部分產(chǎn)生異物的不良情況， 且消光比優(yōu)異的偏振元件。
[0025](用于解決問題的技術(shù)手段）
[0026]本
【發(fā)明人】進(jìn)行各種研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過在配置有上述細(xì)線的偏振區(qū)域的外側(cè)， 形成將紫外光予以遮光的遮光膜，便可解決上述問題，遂完成本發(fā)明。
[0027] 即，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，是在對(duì)紫外光具有透射性的透明基板上，并列 配置多條細(xì)線的偏振元件，其中，在配置有上述細(xì)線的偏振區(qū)域的外側(cè)，形成有將上述紫外 光予以遮光的遮光膜。
[0028] 另外，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，沿著構(gòu)成上述偏振區(qū)域外緣的一邊，形成有 上述遮光膜。
[0029] 另外，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，在上述偏振區(qū)域的外周形成有上述遮光膜。
[0030] 另外，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，在上述遮光膜中形成有文字、記號(hào)或?qū)?zhǔn)標(biāo) 記。
[0031] 另外，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，上述文字、上述記號(hào)或上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記具有并 列配置多條細(xì)線的構(gòu)成。
[0032] 另外，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，上述文字、上述記號(hào)或上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中對(duì)上 述紫外光的S波透射率的值，是與在上述偏振區(qū)域中對(duì)上述紫外光的S波透射率相同的值、 或者小于在上述偏振區(qū)域中對(duì)上述紫外光的S波透射率的值。
[0033] 另外，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，上述遮光膜與上述細(xì)線連接。
[0034] 另外，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，構(gòu)成上述遮光膜的材料系含有構(gòu)成上述細(xì) 線的材料。
[0035] 另外，本發(fā)明的偏振元件的特征在于，構(gòu)成上述遮光膜的材料由含硅化鉬的材料 構(gòu)成。
[0036] 另外，本發(fā)明的偏振元件的制造方法的特征在于，是在對(duì)紫外光具有透射性的透 明基板上設(shè)有多條細(xì)線及將上述紫外光予以遮光的遮光膜的偏振元件的制造方法，所述方 法包括有:準(zhǔn)備在上述透明基板上形成第1材料層而成的層疊體的工序;在上述第1材料層 上形成抗蝕層的工序;對(duì)上述抗蝕層進(jìn)行加工，而形成具有細(xì)線圖案與遮光膜圖案的抗蝕 圖案的工序；以及將上述抗蝕圖案用于蝕刻掩模并對(duì)上述第1材料層進(jìn)行蝕刻加工的工序。
[0037] 另外，本發(fā)明的偏振元件的制造方法的特征在于，上述抗蝕層由正型電子束抗蝕 劑構(gòu)成；并且形成具有上述細(xì)線圖案與上述遮光膜圖案的抗蝕圖案的工序，包括對(duì)成為構(gòu) 成上述細(xì)線圖案中的線條與間隔圖案中的間隔圖案部的位置的抗蝕層照射電子束的步驟。
[0038] 另外，本發(fā)明的光取向裝置的特征在于，是將紫外光進(jìn)行偏振并照射于光取向膜 的光取向裝置，具備上述偏振元件，并將透射上述偏振元件的上述偏振區(qū)域的光，照射到上 述光取向膜上。
[0039] 另外，本發(fā)明的光取向裝置的特征在于，具備有使上述光取向膜移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，在正 交于上述光取向膜移動(dòng)的方向及上述光取向膜移動(dòng)的方向這兩個(gè)方向上設(shè)有多個(gè)上述偏 振元件，在上述光取向膜移動(dòng)方向的正交方向上相鄰的上述多個(gè)偏振元件間的邊界部，以 與上述光取向膜移動(dòng)方向不會(huì)連續(xù)性連接的方式配置上述多個(gè)偏振元件。
[0040] 本發(fā)明所提供的偏振元件的特征在于，是將所入射紫外光平行于細(xì)線的偏振方向 的光予以遮蔽、并使垂直于上述細(xì)線的偏振方向的光透射的偏振元件，在對(duì)上述紫外光具 有透射性的基板上，并列配置多條上述細(xì)線，在配置有上述細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域外側(cè)，設(shè) 有將上述紫外光予以遮光的遮光膜，且上述遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣形成方向與上述細(xì)線的長 邊方向平行或垂直。
[0041] 根據(jù)本發(fā)明，通過上述遮光膜形成于上述細(xì)線區(qū)域的外側(cè)，當(dāng)將偏振元件配置于 光取向裝置時(shí)，便可夾持形成有遮光膜的區(qū)域。即偏振元件中，在不會(huì)夾持有細(xì)線配置區(qū)域 即細(xì)線區(qū)域情況下，可將偏振元件固定于光取向裝置，故而可以消除從夾持部分連鎖性引 發(fā)細(xì)線破損的不良情況、與從已破損細(xì)線部分產(chǎn)生異物的不良情況。
[0042] 另外，如上所述，因?yàn)樵谂渲糜屑?xì)線的區(qū)域的細(xì)線區(qū)域外周形成有遮光膜，因而在 偏振元件中，可從細(xì)線區(qū)域的外側(cè)區(qū)域抑制入射光，特別是入射光的S波成分透射，便可抑 制消光比大幅降低這樣的不良情況。
[0043]另外，其理由是通過上述遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣與上述細(xì)線的長邊方向平行或垂 直，由此可輕易地使上述細(xì)線區(qū)域與遮光膜間的間隔縮小，可獲得高消光比。
[0044]本發(fā)明中，在上述遮光膜的外側(cè)也可形成配置有上述細(xì)線的區(qū)域即第2細(xì)線區(qū)域。 其原因是:若遮光膜的外緣設(shè)置于較偏振元件外緣更靠內(nèi)側(cè)，且是從遮光膜外緣至偏振元 件外緣的區(qū)域也形成配置有細(xì)線區(qū)域即第2細(xì)線區(qū)域的方式，則當(dāng)將多片偏振元件呈平面 狀排列配置于光取向裝置時(shí)，便可抑制相鄰偏振元件的各遮光膜彼此間相接觸，而使遮光 區(qū)域擴(kuò)大的情形。
[0045] 本發(fā)明所提供的光取向裝置，其特征在于，是具備有多個(gè)偏振元件的光取向裝置， 上述偏振元件具備并列配置多條細(xì)線、且形成于配置有上述細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外側(cè) 的遮光膜;多個(gè)上述偏振元件按照在鄰接配置的上述偏振元件的各自上述細(xì)線區(qū)域間不含 有上述遮光膜的方式配置。
[0046] 根據(jù)本發(fā)明，通過多個(gè)上述偏振元件按照在鄰接配置的上述偏振元件的在各自上 述細(xì)線區(qū)域間不含有上述遮光膜的方式配置，由此因?yàn)樵诟髌裨g并沒有遮光膜，所 以能起到像具備1片偏振元件時(shí)那樣的作用。
[0047] 本發(fā)明提供的偏振元件的組裝方法，其特征在于，是將多個(gè)偏振元件組裝于光取 向裝置的偏振元件的組裝方法，上述偏振元件具備并列配置多條細(xì)線、且形成于配置有上 述細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外側(cè)的遮光膜;該組裝方法包括利用上述遮光膜上所形成的對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記，施行上述偏振元件的對(duì)位，同時(shí)調(diào)整多個(gè)上述偏振元件的偏振方向的對(duì)位工序。
[0048] 根據(jù)本發(fā)明，通過使用在遮光膜上所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，便可高精度取得細(xì)線位置、 角度的信息，可容易地對(duì)準(zhǔn)所需的位置與角度。
[0049] 發(fā)明的效果
[0050]根據(jù)本發(fā)明，可提供將偏振元件配置于光取向裝置時(shí)，能消除連鎖性引發(fā)細(xì)線破 損的不良情況、與從已破損的細(xì)線部分產(chǎn)生異物的不良情況下，且消光比優(yōu)異的偏振元件。
[0051] 另外，具備本發(fā)明偏振元件的光取向裝置，可有效地執(zhí)行對(duì)光取向膜賦予取向限 制力，可提升生產(chǎn)性。
【附圖說明】
[0052] 圖1是顯示本發(fā)明偏振元件一例圖，（a)是概略俯視圖，（b)是(a)的A-A線剖面圖。 [0053]圖2是圖1所示本發(fā)明偏振元件的遮光膜平面形態(tài)說明圖。
[0054]圖3是顯示本發(fā)明偏振元件中的遮光膜另一平面形態(tài)例圖。
[0055]圖4是顯示本發(fā)明偏振元件另一例圖，（a)是概略俯視圖，（b)是(a)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記放 大圖。
[0056]圖5是顯示本發(fā)明偏振元件的制造方法一例的概略工序圖。
[0057]圖6是接續(xù)圖5,顯示本發(fā)明偏振元件的制造方法一例的概略工序圖。
[0058]圖7是顯示本發(fā)明光取向裝置的構(gòu)成例圖。
[0059]圖8是顯示本發(fā)明光取向裝置另一構(gòu)成例圖。
[0060]圖9是顯示本發(fā)明光取向裝置中的偏振元件配置形態(tài)一例圖。
[0061]圖10是顯示本發(fā)明光取向裝置中的偏振元件配置形態(tài)另一例圖。
[0062]圖11是顯示實(shí)施例2的偏振元件的偏振光特性測定結(jié)果圖。
[0063]圖12是顯示以往偏振元件例的概略俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0064]以下，針對(duì)本發(fā)明的偏振元件、偏振元件的制造方法、光取向裝置及偏振元件的組 裝方法進(jìn)行說明。
[0065] A ·偏振元件
[0066] 首先，針對(duì)本發(fā)明的偏振元件進(jìn)行說明。
[0067]本發(fā)明的偏振元件是在對(duì)紫外光具有透射性的透明基板上，并列配置有多條細(xì)線 的偏振元件，其中，在配置有上述細(xì)線的偏振區(qū)域的外側(cè)，形成有將上述紫外光予以遮光的 遮光膜。
[0068]圖1所示是顯示本發(fā)明偏振元件的一例圖，（a)是概略俯視圖，（b)是圖1的A-A線剖 面圖。
[0069] 如圖1所示，偏振元件10是在透明基板1上并列配置多條細(xì)線2,并在配置有細(xì)線2 的偏振區(qū)域3的外周形成遮光膜4。
[0070] 因?yàn)榫哂写朔N構(gòu)成，所以在偏振元件10中，當(dāng)配置于光取向裝置時(shí)，便可夾持形成 有遮光膜4的區(qū)域。
[0071] 即，偏振元件10中，能在不夾持細(xì)線2所形成區(qū)域(偏振區(qū)域3)情況下，將偏振元件 10固定于光取向裝置，因此可消除由夾持部分連鎖性引發(fā)細(xì)線2破損的不良情況、及從已破 損細(xì)線部分產(chǎn)生異物的不良情況。
[0072] 另外，如上所述，因?yàn)樵谂渲糜屑?xì)線2的偏振區(qū)域3的外周形成遮光膜4,因而在偏 振元件10中，能抑制從偏振區(qū)域3的外側(cè)區(qū)域透射入射光、特別是入射光的S波成分，可以抑 制消光比會(huì)大幅降低的不良情況。
[0073] 以下，針對(duì)本發(fā)明偏振元件的各構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0074] 1.透明基板
[0075] 作為透明基板1，只要是能穩(wěn)定地支撐細(xì)線2、且紫外光透射性優(yōu)異、因曝光所致的 劣化少的基板，并無特別的限定。例如可使用經(jīng)光學(xué)摩擦而成的合成石英玻璃、螢石、氟化 鈣等，其中優(yōu)選使用合成石英玻璃。其理由是品質(zhì)穩(wěn)定，且即便使用短波長的光，即高能量 曝光的情況，劣化仍較少。
[0076] 作為透明基板1的厚度，可以根據(jù)偏振元件10的用途與尺寸等適當(dāng)選擇。
[0077] 2.細(xì)線
[0078]細(xì)線2是在偏振元件10中，能達(dá)到使入射光的P波成分有效地透射，且抑制入射光 的S波成分透射率到較低的作用，在透明基板1上呈直線狀多條形成且平行配置。
[0079] 構(gòu)成細(xì)線2的材料只要能獲得所需消光比及P波透射率，則并無特別的限定，可列 舉例如含有:錯(cuò)、欽、鑰、娃、絡(luò)、組、?了、銀、給、銀、金、銀、白金、韋巴、銘、鉆、猛、鐵、銅等金屬或 合金;及它們的氧化物、氮化物、或氮氧化物中的任一者。其中，優(yōu)選由含有硅化鉬的材料構(gòu) 成。理由是即便在紫外線區(qū)域的短波長中，仍可使消光比及P波透射率優(yōu)異，且耐熱性、耐光 性也均優(yōu)異。
[0080] 作為含有硅化鉬的材料，可列舉例如:硅化鉬(MoSi)、硅化鉬氧化物(MoSiO)、硅化 鉬氮化物(MoSiN)、硅化鉬氧化氮化物(MoSiON)等。
[0081] 另外，細(xì)線2可由多種材料構(gòu)成，且也可由材料為不同的多層構(gòu)成。
[0082] 作為細(xì)線2的厚度，只要能獲得所需消光比及P波透射率，則并無特別的限定，例如 優(yōu)選是60nm以上，其中優(yōu)選是60nm~160nm范圍內(nèi)、特別優(yōu)選是80nm~140nm范圍內(nèi)。理由是 通過在上述范圍內(nèi)，便可使消光比及P波透射率均優(yōu)異。
[0083] 另外，上述細(xì)線的厚度，是指剖視中，與在細(xì)線的長邊方向及寬度方向的垂直方向 厚度中的最大厚度，當(dāng)細(xì)線由多層構(gòu)成的情況下，，指包含所有層的厚度。
[0084] 另外，上述細(xì)線的厚度也可是在一個(gè)偏振元件內(nèi)含有不同厚度的細(xì)線，但通常是 以相同厚度形成。
[0085] 作為細(xì)線2的條數(shù)及長度，只要能獲得所需消光比及P波透射率，則并無特別的限 定，可根據(jù)偏振元件10的用途等適當(dāng)設(shè)定。
[0086]作為細(xì)線2的間距（圖1(a)所示Pi)，只要能獲得所需消光比及P波透射率，則并無 特別的限定，雖然根據(jù)直線偏振光生成所使用的光波長等而有所差異，但可設(shè)為例如60nm 以上且140nm以下的范圍內(nèi)，其中優(yōu)選是80nm以上且120nm以下的范圍內(nèi)、更優(yōu)選是90nm以 上且llOnm以下的范圍內(nèi)。理由是通過為上述間距，便可使消光比及P波透射率均優(yōu)異。 [0087]另外，上述細(xì)線的間距是指與寬度方向鄰接的細(xì)線間的間距的最大間距，當(dāng)細(xì)線 由多層構(gòu)成時(shí)，指包括全部層的間距。
[0088]另外，上述細(xì)線的間距可以是在一個(gè)偏振元件內(nèi)包含有不同間距，但通常是以相 同間距形成。
[0089]作為上述細(xì)線的占空比（duty ratio)，即，細(xì)線的寬度相對(duì)于間距的比（寬度/間 距），只要能獲得所需消光比及P波透射率，則并無特別的限定，可設(shè)為例如0.3以上且0.6以 下的范圍內(nèi)，其中優(yōu)選為0.35以上且0.45以下的范圍內(nèi)。理由是通過上述占空比，便可制成 在具有高P波透射率狀態(tài)下消光比優(yōu)異的偏振元件，進(jìn)一步可使細(xì)線加工容易。
[0090] 另外，上述細(xì)線的寬度是指俯視中，與細(xì)線的長邊方向垂直的方向的長度，當(dāng)細(xì)線 由多層構(gòu)成時(shí)，便指包括全部層的寬度。
[0091] 另外，上述細(xì)線的寬度可以是在一個(gè)偏振元件內(nèi)含有不同寬度的細(xì)線，但通常是 以相同寬度形成。
[0092] 3.偏振區(qū)域
[0093] 圖1所示的偏振元件10中，偏振區(qū)域3是利用遮光膜4包圍周圍的區(qū)域，在該偏振區(qū) 域3中配置有細(xì)線2。換言之，圖1所示的偏振元件10的偏振區(qū)域3是由遮光膜4規(guī)范的區(qū)域， 是入射光透射的區(qū)域。
[0094] 本發(fā)明中，偏振區(qū)域3也可設(shè)為大于細(xì)線2所配置區(qū)域的區(qū)域。更具體而言，細(xì)線2 也可在其長邊方向（圖1(a)所示Y方向）上未與遮光膜4連接的形態(tài)。
[0095] 另外，在細(xì)線2的排列方向（俯視中，與細(xì)線2的長邊方向垂直方向，即圖1(a)所示 的X方向）上，末端細(xì)線2與遮光膜4的間隔也可為大于細(xì)線2彼此間間隔的尺寸。更具體而 言，圖l(a)、（b)中，圖中右側(cè)末端細(xì)線2的左側(cè)邊緣與遮光膜4內(nèi)緣側(cè)邊緣間的間隔P 2，也可 是大于細(xì)線2彼此間間隔尺寸。
[0096] 然而，為能獲得高消光比，優(yōu)選如圖1所示的偏振元件10那樣，細(xì)線2在其長邊方向 上呈與遮光膜4連接的形態(tài)。理由是在偏振區(qū)域3中，可將未存在細(xì)線2的區(qū)域設(shè)為更小，可 進(jìn)一步抑制入射光的S波成分發(fā)生透射。
[0097] 另外，細(xì)線2在排列方向上的末端細(xì)線2與遮光膜4間的間隔，優(yōu)選與細(xì)線2彼此間 的間隔呈相同大小。
[0098] 更具體而言，圖1(a)、（b)中，圖中右側(cè)末端細(xì)線2的左側(cè)邊緣與遮光膜4內(nèi)緣側(cè)邊 緣間的間隔P2,優(yōu)選與細(xì)線2彼此間的間隔Pi呈相同大小。同樣的，在圖l(a)、（b)中，圖中左 側(cè)末端細(xì)線2的右側(cè)邊緣與遮光膜4內(nèi)緣側(cè)邊緣間的間隔，優(yōu)選與細(xì)線2彼此間的間隔PiS 相同大小。理由是能獲得更高的消光比。
[0099] 本發(fā)明中，例如通過將形成細(xì)線2的工序與形成遮光膜4的工序設(shè)為同一工序，便 可將細(xì)線2的排列方向上的末端細(xì)線2與遮光膜4間的間隔設(shè)為與細(xì)線2彼此間的間隔呈相 同大小。另外，可精度良好地制作遮光膜4與細(xì)線2的位置關(guān)系，可高精度地呈平行(或垂直） 制作遮光膜4的邊緣方向與細(xì)線2方向。
[0100] 另外，如上所述，若呈遮光膜4連接細(xì)線2的形態(tài)，則可達(dá)到使利用照射于偏振元件 的光而蓄積于細(xì)線2內(nèi)的熱分散于遮光膜4、以及抗靜電的效果。
[0101] 另外，若是細(xì)線2與遮光膜4連接的形態(tài)，則在偏振元件10的制造工序中，可將用于 形成細(xì)線2的較細(xì)抗蝕圖案(細(xì)線圖案），連接于用于形成遮光膜4的大面積抗蝕圖案(遮光 膜圖案），還可抑制用于形成細(xì)線2的較細(xì)抗蝕圖案(細(xì)線圖案)在制造工序中發(fā)生崩潰或剝 離的不良情況。
[0102] 4.遮光膜
[0103] 遮光膜4是形成于偏振區(qū)域3的外側(cè)，可抑制入射光、特別是入射光的S波成分發(fā)生 透射。
[0104] 本發(fā)明中，遮光膜4優(yōu)選對(duì)240nm以上且380nm以下波長的紫外光，具有光密度達(dá) 2.8以上的遮光性。
[0105] 理由是通過在對(duì)光取向膜賦予取向限制力而照射的紫外光波長范圍內(nèi)，使遮光膜 4具有高遮光性，可提升消光比優(yōu)異的偏振元件。
[0106] 構(gòu)成遮光膜4的材料只要能獲得所需光密度，則并無特別的限定，可例如含有:鋁、 鈦、鉬、娃、絡(luò)、鉭、舒、銀、鉿、鎳、金、銀、白金、鈀、銘、鈷、猛、鐵、銦等金屬或合金;及它們的 氧化物、氮化物、或氮氧化物中的任一者。其中，可優(yōu)選列舉含有硅化鉬的材料。
[0107] 理由是當(dāng)構(gòu)成遮光膜4的材料由含有硅化鉬的材料構(gòu)成時(shí)，若遮光膜4的厚度達(dá) 60nm以上，則對(duì)240nm以上且380nm以下波長的紫外光，可具有光密度達(dá)2.8以上的遮光性。
[0108] 另外，遮光膜4可由多種材料構(gòu)成，又可以由材料為不同的多層構(gòu)成。
[0109] 另外，構(gòu)成遮光膜4的材料優(yōu)選含有構(gòu)成細(xì)線2的材料。
[0110] 理由是當(dāng)構(gòu)成遮光膜4的材料含有構(gòu)成細(xì)線2的材料時(shí)，在形成細(xì)線2的工序中所 使用裝置與材料也可使用于形成遮光膜4的工序，便可削減制造成本。另外通過將形成細(xì)線 2的工序與形成遮光膜4的工序設(shè)為同一工序，也可提升細(xì)線2與遮光膜4的相對(duì)位置精度。
[0111] 另外，當(dāng)構(gòu)成遮光膜4的材料與構(gòu)成細(xì)線2的材料均由含硅化鉬的材料構(gòu)成時(shí)，便 可使遮光膜4具有高遮光性，且成為消光比與P波透射率均優(yōu)異的偏振元件。
[0112]其次，針對(duì)遮光膜4的俯視形態(tài)進(jìn)行說明。
[0113] 圖2是圖1所示本發(fā)明偏振元件的遮光膜俯視形態(tài)說明圖。
[0114] 如圖2所示，偏振元件10中的遮光膜4具備具有內(nèi)緣5與外緣6的框狀形態(tài)，通常遮 光膜4的內(nèi)緣5與偏振區(qū)域3的外緣一致。
[0115] 另外，如圖1所示的偏振元件10那樣，遮光膜4的外緣6通常是與偏振元件10的外緣 一致。
[0116] 但，本發(fā)明并不僅局限于上述形態(tài)，只要是當(dāng)將偏振元件配置于光取向裝置時(shí)，在 形成有遮光膜4的區(qū)域中能夾持偏振元件，且能抑制不需要的S波成分發(fā)生透射即可適用。
[0117] 例如當(dāng)在朝光取向膜照射直線偏振光的光取向裝置中裝設(shè)偏振元件時(shí)，于偏振元 件的外緣附近會(huì)被保持機(jī)構(gòu)等覆蓋，導(dǎo)致來自該偏振元件外緣附近的光不會(huì)照射于光取向 膜的情況時(shí)，遮光膜4的外緣6也可設(shè)置于較偏振元件外緣更靠內(nèi)側(cè)處。
[0118] 另外，若在形成有遮光膜4的區(qū)域以外的偏振元件區(qū)域?yàn)樾纬杉?xì)線2的形態(tài)，例如 在較遮光膜4的外緣6更靠外側(cè)區(qū)域也為形成細(xì)線2的形態(tài)，便可在遮光膜4所形成區(qū)域夾持 偏振元件，另一方面由于在沒有形成遮光膜的區(qū)域形成細(xì)線2,因此可抑制不需要的S波成 分發(fā)生透射，故可適用本發(fā)明的偏振元件。
[0119] 圖3是顯示本發(fā)明偏振元件的遮光膜另一平面形態(tài)例圖。另外，圖3中，細(xì)線2的長 邊方向是圖中的上下方向。
[0120] 如上所述，本發(fā)明的遮光膜4是形成于偏振區(qū)域3的外側(cè)，可抑制入射光、尤其是入 射光的S波成分發(fā)生透射。
[0121] 因此，本發(fā)明中的遮光膜4的俯視形態(tài)并不僅局限于如圖1所示的在偏振區(qū)域3的 外周形成有遮光膜4的形態(tài)，可根據(jù)光取向裝置的保持構(gòu)造、偏振元件的配置方法，制成各 種形態(tài)。
[0122] 例如，如圖3(a)、（b)所示，也可沿著構(gòu)成形成有細(xì)線2的區(qū)域(偏振區(qū)域3)外緣的 一邊，形成遮光膜4的形態(tài)。
[0123] 另外，在圖3(a)所示形態(tài)中，示出了細(xì)線2的長邊方向與遮光膜4的長邊方向?yàn)橄?同方向的例子，而圖3(b)所示形態(tài)中，顯示了細(xì)線2的長邊方向與遮光膜4的長邊方向?yàn)檎?交關(guān)系的例子。
[0124] 另外，遮光膜4也可配置多個(gè)。例如圖3(c)、（d)所示，也可沿著構(gòu)成形成有細(xì)線2的 區(qū)域(偏振區(qū)域3)外緣的一對(duì)相對(duì)向的二個(gè)邊形成遮光膜4的形態(tài)。
[0125] 另外，也可如圖3(e)所示，沿著構(gòu)成形成有細(xì)線2的區(qū)域(偏振區(qū)域3)外緣的邊、即 相互交叉的二個(gè)邊形成遮光膜4的形態(tài)。另外也可如圖3(f)、（g)所示，沿著構(gòu)成形成有細(xì)線 2的區(qū)域(偏振區(qū)域3)外緣的三個(gè)邊形成遮光膜4的形態(tài)。
[0126] 此處如圖2的說明中所述，本發(fā)明中，遮光膜4的外緣6也可設(shè)置于較偏振元件10的 外緣更靠內(nèi)側(cè)。例如圖3(h)所示，也可構(gòu)成遮光膜4外緣(圖2所示外緣6)的四個(gè)邊全部均設(shè) 置于較偏振元件外緣更靠內(nèi)側(cè)的形態(tài)，另外，雖未圖示，也可構(gòu)成遮光膜4外緣（圖2所示外 緣6)的四個(gè)邊中的一至三個(gè)邊設(shè)置于較偏振元件外緣更靠內(nèi)側(cè)的形態(tài)。
[0127] 另外，同樣地，在圖3(a)~(g)所示形態(tài)中，也可遮光膜4的外緣設(shè)置于較偏振元件 外緣更靠內(nèi)側(cè)。
[0128] 這些情況優(yōu)選在沒有形成遮光膜4的區(qū)域中形成細(xì)線2的形態(tài)。理由是不管光取向 裝置的保持機(jī)構(gòu)等未何種形態(tài)，均可抑制從偏振元件透射不需要的S波成分。
[0129] 只要是屬于上述圖3(a)~（d)所示形態(tài)，例如當(dāng)將偏振元件呈多片平面狀排列配 置于光取向裝置時(shí)，通過使各偏振元件中沒有形成遮光膜4的一邊彼此間呈相鄰配置，便可 使遮光膜4不會(huì)影響到偏振元件間的接縫部分。
[0130] 另外，例如當(dāng)將多片偏振元件按照外緣部分呈上下重疊狀態(tài)排列配置于光取向裝 置時(shí)，通過使沒有形成遮光膜4的一邊彼此間的外緣部分呈重疊狀態(tài)，便可使遮光膜4不會(huì) 影響到偏振元件間的接縫部分。
[0131] 另外，如圖3(e)~(h)所示，若為在細(xì)線2的平行方向及垂直方向這二個(gè)方向上形 成有遮光膜4的形態(tài)，則當(dāng)使偏振方向旋轉(zhuǎn)90度而欲配置于光取向裝置時(shí)，也可在不需要整 合其他偏振元件的情況下，利用相同偏振元件便可對(duì)應(yīng)。
[0132] 另外，如圖3(h)所示，若遮光膜4的外緣設(shè)置于較偏振元件外緣更靠內(nèi)側(cè)，且從遮 光膜4的外緣起至偏振元件外緣的區(qū)域中也為形成細(xì)線2的形態(tài)，則當(dāng)將偏振元件呈多片平 面狀排列配置于光取向裝置時(shí)，便不會(huì)有相鄰偏振元件的各遮光膜4彼此間相接觸而使遮 光區(qū)域會(huì)擴(kuò)大的情況。
[0133] 另外，當(dāng)將多片偏振元件配置于光取向裝置時(shí)，也可組合使用圖1與圖3(a)~(h) 所示各種形態(tài)的偏振元件。
[0134] 圖4是顯示本發(fā)明偏振元件另一例子的圖，（a)是概略俯視圖，（b)是(a)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記放大圖。
[0135] 如圖4(a)所示，偏振元件20是在四角附近的遮光膜4中設(shè)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。
[0136] 本發(fā)明中，在遮光膜4中也可形成文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記。例如通過在遮光膜4中 形成文字、記號(hào)等，由此可賦予型號(hào)等與偏振元件相關(guān)的信息。另外也可利用于上下左右、 表背等朝向判斷、及粗略對(duì)位。
[0137] 另外，如上所述，本發(fā)明中通過將形成細(xì)線2的工序與形成遮光膜4的工序設(shè)為同 一工序，還可提升細(xì)線2與遮光膜4的相對(duì)位置精度。所以，通過在遮光膜4中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 7,便可從對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7取得細(xì)線2的位置、角度信息。
[0138] 另外，當(dāng)在對(duì)光取向膜照射直線偏振光的光取向裝置中裝設(shè)偏振元件20時(shí)，使用 該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7,也可輕易地使細(xì)線2的位置、角度與所需位置、角度一致。
[0139] 本發(fā)明中，上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形態(tài)并無特別的限定，可使用十字型、L字型等各種形 態(tài)，但對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記優(yōu)選預(yù)先在細(xì)線2的方向的平行方向或垂直方向中的至少其中一個(gè)方向上 形成邊緣。另外根據(jù)用途，也可具有相對(duì)于細(xì)線2的方向呈45度等角度的邊緣。
[0140] 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量與配置位置并無特別的限定，可設(shè)置適當(dāng)必要的數(shù)量、必要位置。
[0141] 上述文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記也可由不同于遮光膜4的材料構(gòu)成，另外，也可是在遮 光膜4中設(shè)置開口而使透明基板1露出的構(gòu)成。
[0142] 但是，上述文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記在具有在遮光膜4中設(shè)置開口而使透明基板1露 出的構(gòu)成時(shí)，為了抑制消光比降低，通常優(yōu)選制成使透明基板1的露出面積變小的形態(tài)。
[0143] 另一方面，本發(fā)明中，也可制成上述文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記并列配置多條細(xì)線而 成的構(gòu)成。
[0144] 例如圖4(b)所示，也可將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7制成并列配置多條細(xì)線8的構(gòu)成。另外雖省略 圖標(biāo)，上述文字與記號(hào)也是同樣地可制成并列配置多條細(xì)線8的構(gòu)成。另外多條細(xì)線的方向 優(yōu)選與偏振區(qū)域的細(xì)線方向相同。
[0145] 另外，通過具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7、上述文字、記號(hào)的偏振元件20按照成為所需消光比的 方式，設(shè)計(jì)細(xì)線8的材料、厚度、間距、占空比等條件，便可使紫外光具有遮光或偏振的功能， 即便在遮光膜4中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7、上述文字、記號(hào)，仍可防止偏振元件20的消光比降低。
[0146] 本發(fā)明中，構(gòu)成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7、上述文字或記號(hào)的細(xì)線8的材料、厚度、間距、占空比 等，只要能成為所需S波透射率的材料即可采用，其中細(xì)線8的材料及厚度優(yōu)選設(shè)為與在偏 振區(qū)域3中所配置細(xì)線2的材料及厚度相同，另外，細(xì)線8的長邊方向、間距及占空比，優(yōu)選設(shè) 為與在偏振區(qū)域3中所配置細(xì)線2的長邊方向、間距及占空比相同。
[0147] 理由是由于即便形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7、上述文字、記號(hào)，但消光比仍不會(huì)有變化，因而對(duì) 于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7、上述文字、記號(hào)的數(shù)量及配置可更自由地設(shè)計(jì)。
[0148] 另外，本發(fā)明的偏振元件中，對(duì)在偏振區(qū)域3所配置細(xì)線2要求高消光比，即要求P 波透射率高、S波透射率低，不過針對(duì)在遮光膜4中所形成的構(gòu)成上述文字、記號(hào)或?qū)?zhǔn)標(biāo)記 的細(xì)線8，雖然要求S波透射率較低，但相關(guān)P波透射率也未必要求高透射率。
[0149] 即，上述文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記雖必需避免對(duì)光取向膜照射入射光的S波成分，但 相關(guān)P波成分的透射率則只要屬于能辨識(shí)上述文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記的水平便可，未必需 要高透射率。
[0150] 因此，本發(fā)明中，針對(duì)偏振元件所照射的紫外光，上述文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記的S 波透射率值，優(yōu)選與偏振區(qū)域3中的S波透射率為同值或更小值。
[0151] B.偏振元件的制造方法
[0152 ]其次，針對(duì)本發(fā)明偏振元件的制造方法進(jìn)行說明。
[0153] 本發(fā)明的偏振元件的制造方法是在對(duì)紫外光具有透射性的透明基板上設(shè)有多條 細(xì)線、及將紫外光予以遮光的遮光膜的偏振元件的制造方法，包括有:準(zhǔn)備在上述透明基板 上形成有第1材料層而成的層疊體的工序;在上述第1材料層上形成抗蝕層的工序;對(duì)上述 抗蝕層進(jìn)行加工，而形成具有細(xì)線圖案與遮光膜圖案的抗蝕圖案的工序；以及將上述抗蝕 圖案用于蝕刻掩模，并對(duì)上述第1材料層進(jìn)行蝕刻加工的工序。
[0154] 本發(fā)明中，通過將形成細(xì)線2的工序與形成遮光膜4的工序設(shè)為同一工序，便可縮 短制造工序，且可提升細(xì)線2與遮光膜4的相對(duì)位置精度。
[0155] 另外，通過使細(xì)線2與遮光膜4由相同材料構(gòu)成，也可抑制制造成本到較低。
[0156] 圖5及圖6是顯示本發(fā)明偏振元件的制造方法一例的概略工序圖。
[0157] 例如當(dāng)使用本發(fā)明偏振元件的制造方法制造偏振元件10時(shí)，如圖5(a)所示，首先 準(zhǔn)備在透明基板1上，依次形成有如下而成的層疊體：由構(gòu)成細(xì)線2與遮光膜4的材料構(gòu)成的 偏振材料層31、及當(dāng)對(duì)偏振材料層31進(jìn)行蝕刻加工時(shí)發(fā)揮硬掩模作用的硬掩模材料層32。
[0158] 另外，該例中，硬掩模材料層32是相當(dāng)于上述第1材料層。
[0159]其次，在硬掩模材料層32上形成抗蝕層33(圖5(b))，照射電子束40等（圖5(c))而 進(jìn)行顯影等，由此形成具有細(xì)線圖案34a與遮光膜圖案34b的抗蝕圖案34(圖5(d))。
[0160]本發(fā)明中，例如使用當(dāng)半導(dǎo)體光刻用光蝕刻制造中所用的電子束描繪裝置，通過 依同一工序制作細(xì)線圖案34a與遮光膜圖案34b、以及上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記等，由此可在電子束描 繪裝置的高精度位置精度管理下控制它們的相對(duì)位置。
[0161 ]接著，將抗蝕圖案34用于蝕刻掩模，對(duì)硬掩模材料層32進(jìn)行蝕刻加工，而形成硬掩 模圖案32P(圖6(e))。例如當(dāng)硬掩模材料層32的材料中使用鉻時(shí)，利用使用氯與氧混合氣體 的干式蝕刻，可形成硬掩模圖案32P。
[0162] 其次，將抗蝕圖案34與硬掩模圖案32P用于蝕刻掩模，對(duì)偏振材料層31進(jìn)行蝕刻加 工，由此形成具有細(xì)線2與遮光膜4的偏振材料圖案31P(圖6 (f))。例如當(dāng)偏振材料層31的材 料使用硅化鉬時(shí)，通過使用SF6氣體的干式蝕刻，可形成偏振材料圖案31P。
[0163] 再次，除去抗蝕圖案34(圖6(g))，接著再除去硬掩模圖案32P，而獲得在透明基板1 上設(shè)有多條細(xì)線2與遮光膜4的偏振元件10(圖6(h))。
[0164] 另外，在圖5及圖6所示的例中雖省略，但本發(fā)明中，也可在大面積透明基板1上形 成多條細(xì)線2與遮光膜4,然后再切斷配置有細(xì)線2的偏振區(qū)域3的外側(cè)，獲得經(jīng)切取為所需 尺寸及形態(tài)的偏振元件10。
[0165] 另外，上述中，雖然在殘留抗蝕圖案34的狀態(tài)下對(duì)偏振材料層31進(jìn)行蝕刻加工，但 本發(fā)明中，也可在圖6(e)所示的形成硬掩模圖案32P的工序后，除去抗蝕圖案34,并且僅將 硬掩模圖案32P用于蝕刻掩模，并對(duì)偏振材料層31進(jìn)行蝕刻加工而形成偏振材料圖案31P。
[0166] 另外，上述中，作為所獲得偏振元件10,針對(duì)除去了硬掩模圖案32P的形態(tài)進(jìn)行說 明，但本發(fā)明視需要也可整面或部分性殘留硬掩模圖案32P。
[0167] 例如，如圖6(g)所示形態(tài)那樣，也可將整面殘留硬掩模圖案32P的形態(tài)設(shè)為最終獲 得偏振元件的形態(tài)。此時(shí)，可省略除去硬掩模圖案32P的工序，能達(dá)到縮短工序的效果。
[0168] 另外，上述中，雖針對(duì)在偏振材料層31上設(shè)有硬掩模材料層32的形態(tài)進(jìn)行說明，但 本發(fā)明中，也可在未設(shè)置硬掩模材料層32情況下，于偏振材料層31上形成抗蝕層33,再將抗 蝕圖案34用于蝕刻掩模并對(duì)偏振材料層31進(jìn)行蝕刻加工，形成具有細(xì)線2與遮光膜4的偏振 材料圖案31P。
[0169] 此時(shí)，偏振材料層31相當(dāng)于上述第1材料層。
[0170] 此處，上述圖5(c)所示的抗蝕圖案34的形成所使用方法，只要是能形成具有所需 細(xì)線圖案34a與遮光膜圖案34b的抗蝕圖案34的方法均可使用，其中，優(yōu)選照射電子束的方 法。
[0171] 理由是：利用照射電子束的方法進(jìn)行的抗蝕圖案形成，在半導(dǎo)體用的光掩模制造 等是中具有實(shí)際績效，例如可在所需區(qū)域中精度佳地形成間距60nm以上且140nm以下范圍 的細(xì)線圖案。另外理由是細(xì)線圖案34a與遮光膜圖案34b的相對(duì)位置精度，也可達(dá)對(duì)半導(dǎo)體 用光掩模制造所要求的鈉米水平精度。
[0172]另外，本發(fā)明中，優(yōu)選抗蝕層33由正型電子束抗蝕劑構(gòu)成，且形成設(shè)有細(xì)線圖案 34a與遮光膜圖案34b的抗蝕圖案34的工序，是對(duì)所需細(xì)線與所需遮光膜形成位置以外的抗 蝕層33照射電子束的工序。
[0173] 更具體而言，優(yōu)選細(xì)線圖案34a構(gòu)成線條與間隔圖案，且對(duì)成為上述線條與間隔圖 案中間隔圖案部的位置的抗蝕層33照射電子束的步驟。
[0174] 理由是：只要是對(duì)上述位置照射電子束的方法，就可縮小照射電子束的面積，能縮 短電子束照射工序的時(shí)間。
[0175] 針對(duì)上述進(jìn)行更詳細(xì)說明。
[0176] 例如，圖1所示的偏振元件10的細(xì)線2的寬度為細(xì)線2的間距一半的尺寸時(shí)，若使用 負(fù)型電子束抗蝕劑，欲獲得偏振元件10的細(xì)線圖案與遮光膜圖案的情況下，進(jìn)行電子束照 射的面積為所有細(xì)線2的合計(jì)面積加上遮光膜4面積而得到的面積。
[0177] 另一方面，若使用上述方法，則電子束照射的面積便成為細(xì)線2的所有間隔部分的 合計(jì)面積，即大約只要是所有細(xì)線2的合計(jì)面積便可，能削減照射遮光膜4面積的時(shí)間。
[0178] C.光取向裝置
[0179]其次，針對(duì)本發(fā)明的光取向裝置進(jìn)行說明。
[0180] 本發(fā)明的光取向裝置是將紫外光予以偏振并照射于光取向膜的光取向裝置，具備 有上述本發(fā)明的偏振元件，將透射過偏振元件的偏振區(qū)域的光照射到光取向膜上。
[0181] 關(guān)于本發(fā)明的光取向裝置而言，通過具備本發(fā)明的偏振元件，由此可抑制從紫外 光燈所照射的紫外光中的不需要的S波成分發(fā)生透射。所以，可有效地實(shí)施對(duì)光取向膜賦予 取向限制力，能提升生產(chǎn)性。
[0182] 圖7是顯示本發(fā)明光取向裝置的構(gòu)成例圖。
[0183] 圖7所示的光取向裝置50具備本發(fā)明偏振元件所收納的偏振元件單元51與紫外光 燈52,將從紫外光燈52所照射的紫外光利用偏振元件單元51所收納的偏振元件10進(jìn)行偏 振，再將該經(jīng)偏振的光(偏振光54)照射于形成在工件56上的光取向膜55，由此對(duì)光取向膜 55賦予取向限制力。
[0184]另外，光取向裝置50中具備使已形成有光取向膜55的工件56進(jìn)行移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，通 過使工件56進(jìn)行移動(dòng)，便可對(duì)光取向膜55的整面進(jìn)行偏振光54照射。例如圖6所示的例中， 工件56朝圖中右方(圖6的箭頭方向）移動(dòng)。
[0185] 另外，圖7所示例中，示出工件56作為矩形狀平板，但本發(fā)明中，工件56的形態(tài)只要 能照射偏振光54,則并無特別的限定，例如工件56也可為薄膜狀形態(tài)，另外也可為能卷取的 帶狀(網(wǎng)狀)形態(tài)。
[0186] 本發(fā)明中，紫外光燈52優(yōu)選可照射波長240nm以上且380nm以下的紫外光的燈，另 外光取向膜55優(yōu)選對(duì)波長240nm以上且380nm以下的紫外光具有靈敏度。
[0187]其理由是：因?yàn)楣馊∠蜓b置50具備具有遮光膜4的偏振元件10,因而能有效地抑制 不需要的S波成分發(fā)生透射，所述遮光膜對(duì)上述波長范圍紫外光具有高遮光性。因此，可有 效地執(zhí)行對(duì)上述波長范圍紫外光具有靈敏度的光取向膜賦予取向限制力，故可提升生產(chǎn) 性。
[0188] 另外，為能有效地將來自紫外光燈52的光照射于偏振元件，光取向裝置50優(yōu)選在 紫外光燈52的背面?zhèn)?偏振元件單元51的對(duì)向側(cè))或側(cè)面?zhèn)仍O(shè)有將紫外光予以反射的反射 鏡53〇
[0189] 另外，為能對(duì)大面積的光取向膜55有效地賦予取向限制力，優(yōu)選如圖7所示，優(yōu)選 紫外光燈52使用棒狀燈，按照成為長照射區(qū)域的偏振光54照射于相對(duì)于工件56移動(dòng)方向 (圖7的箭頭方向）為正交方向的方式構(gòu)成光取向裝置50。
[0190] 此時(shí)，偏振元件單元51也適用為對(duì)大面積光取向膜55照射偏振光54的形態(tài)，但因 為大面積偏振元件的制造具有困難，因而在偏振元件單元51內(nèi)配置多個(gè)偏振元件，就技術(shù) 性與經(jīng)濟(jì)面而言均優(yōu)選。
[0191] 另外，本發(fā)明的光取向裝置也可以是具備多個(gè)紫外光燈的構(gòu)成。
[0192] 圖8是顯示本發(fā)明光取向裝置的另一構(gòu)成例圖。
[0193] 如圖8所示，光取向裝置60具備2個(gè)紫外光燈62，并在各紫外光燈62與工件66的間， 分別設(shè)有本發(fā)明偏振7Π 件所收納的偏振7Π 件單兀61。另外各紫外光燈62分別設(shè)有反射鏡 63〇
[0194] 由此，通過具備多個(gè)紫外光燈62，相較于具備1個(gè)紫外光燈62的情況，可增加對(duì)在 工件66上所形成光取向膜65照射的偏振光64的照射量。因此，相較于具備1個(gè)紫外光燈62的 情況，可增加工件66的移動(dòng)速度，其結(jié)果可提升生產(chǎn)性。
[0195] 另外，圖8所示例中，列舉在工件66移動(dòng)方向（圖8中的箭頭方向）并列配置2個(gè)紫外 光燈62的構(gòu)成，但本發(fā)明并不僅局限于此，例如也可以是在與工件66移動(dòng)方向正交的方向 上配置多個(gè)紫外光燈的構(gòu)成，另外也可以是在工件66的移動(dòng)方向及與其正交的方向等二個(gè) 方向上均配置有多個(gè)紫外光燈。
[0196] 另外，圖8所示例中，示出了對(duì)于1個(gè)紫外光燈62配設(shè)1個(gè)偏振元件單元61的構(gòu)成， 但本發(fā)明并不僅局限于此，例如也可以是對(duì)于多個(gè)紫外光燈配設(shè)1個(gè)偏振元件單元的構(gòu)成。 此時(shí)，1個(gè)偏振元件單元只要是具有能涵蓋多個(gè)紫外光燈照射區(qū)域的尺寸即可。
[0197] 圖9所示是本發(fā)明光取向裝置中的偏振元件配置形態(tài)一例圖。另外，圖9(a)~(d) 所示的偏振元件的配置形態(tài)示出了平板狀偏振元件10相對(duì)向于光取向膜的膜面呈平面狀 排列的形態(tài)。
[0198] 例如，圖7所示的光取向裝置50中，當(dāng)對(duì)相對(duì)工件56移動(dòng)方向?yàn)檎坏姆较蛘丈鋷?狀偏振光54時(shí)，在偏振元件單元51內(nèi)如圖9(a)所示，在工件56移動(dòng)方向（箭頭方向）正交的 方向上配置多個(gè)偏振元件10是有效的。理由是可將偏振元件10的數(shù)量抑制為較少。
[0199] 另一方面，當(dāng)偏振元件10的面積較小時(shí)、或光取向裝置具備多個(gè)紫外光燈時(shí)，如圖 9(b)所示，優(yōu)選除工件移動(dòng)方向（箭頭方向）的正交方向外，在沿移動(dòng)方向（箭頭方向）的方 向上也配置多個(gè)偏振元件10。理由是:能無浪費(fèi)地將來自紫外光燈的光照射于光取向膜，能 提升生產(chǎn)性。
[0200] 此處，本發(fā)明中，如圖9(c)及圖9(d)所示，多個(gè)配置的偏振元件優(yōu)選按照沿著工件 移動(dòng)方向（箭頭方向）非呈一排整齊的方式，使相鄰偏振元件的位置在工件移動(dòng)方向的正交 方向（圖中的上下方向）上錯(cuò)位配置。
[0201] 更詳細(xì)而言，在光取向膜移動(dòng)方向的正交方向上，夾持相鄰的多個(gè)偏振元件間的 邊界部的遮光膜，優(yōu)選按照在光取向膜移動(dòng)方向非呈直線性連接的方式配置多個(gè)偏振元 件。
[0202] 理由是:在遮光膜4所形成區(qū)域中，因?yàn)椴粫?huì)產(chǎn)生偏振光，因而可抑制該遮光膜4對(duì) 光取向膜造成的不良影響。
[0203] 此處，圖9(c)所示配置形態(tài)為：所配置的多個(gè)偏振元件均具有相同形狀、相同尺 寸，且在左右方向上相鄰偏振元件的上下方向位置以偏振元件上下方向尺寸的1/2大小的 階梯狀在上下方向發(fā)生錯(cuò)位的配置形態(tài)。
[0204] 另外，圖9(d)所示配置形態(tài)為:所配置多個(gè)偏振元件均具有相同形狀、相同尺寸， 在左右方向上相鄰偏振元件的上下方向位置以小于偏振元件上下方向尺寸的1/2的階梯狀 在上下方向發(fā)生錯(cuò)位的配置形態(tài)。
[0205]針對(duì)上述進(jìn)行更詳細(xì)說明。
[0206] 圖9(c)所示配置形態(tài)中，在上下方向上相鄰接配置的偏振元件10(10p)與偏振元 件10(10q)的邊界部71，是利用在左右方向上配置的偏振元件10(10r)與偏振元件10(l〇 S) 而阻止朝左右方向延伸。
[0207] 即，圖9(c)所示配置形態(tài)中，夾持在上下方向上相鄰接配置的偏振元件間的邊界 部的遮光膜，被阻止在左右方向上直線性連接。
[0208] 因此，采用圖9(c)所示配置形態(tài)，當(dāng)對(duì)光取向膜照射偏振光時(shí)，可抑制因上述遮光 膜所造成的不良影響連續(xù)地波及光取向膜。
[0209] 同樣的，即便在圖9(d)所示配置形態(tài)中，夾持在上下方向上相鄰接配置偏振元件 間的邊界部的遮光膜，被阻止在左右方向上直線性連接。
[0210] 因此，采用圖9(d)所示配置形態(tài)，當(dāng)對(duì)光取向膜照射偏振光時(shí)，可抑制因上述遮光 膜所造成的不良影響連續(xù)地波及光取向膜。
[0211] 另外，圖9(c)所示配置形態(tài)中，由于以偏振元件上下方向尺寸的1/2大小的階梯狀 沿上下方向錯(cuò)位，因而相對(duì)于左右方向（工件移動(dòng)方向），每2個(gè)偏振元件在邊界部71的上下 方向位置呈對(duì)齊狀態(tài)。
[0212] 另一方面，圖9(d)所示配置形態(tài)中，由于小于偏振元件上下方向尺寸的1/2的階梯 狀沿上下方向錯(cuò)位，因而邊界部72的上下方向位置變得更難對(duì)齊。
[0213] 所以，圖9(d)所示配置形態(tài)更能抑制因上述遮光膜所造成的不良影響連續(xù)地波及 光取向膜。
[0214] 另外，圖9(a)~(d)所示例中，各個(gè)偏振元件按照側(cè)面相互鄰接狀態(tài)進(jìn)行配置，但 本發(fā)明并不僅局限于該形態(tài)，也可為相鄰偏振元件間的邊界部具有間隙的形態(tài)。
[0215] 另外，也可是通過相鄰偏振元件的端部相互重疊，由此使偏振元件間的邊界部不 會(huì)產(chǎn)生間隙的形態(tài)。
[0216] 圖10是顯示本發(fā)明光取向裝置的偏振元件配置形態(tài)另一例圖。
[0217] 本發(fā)明中，也可取代圖9(a)所示配置形態(tài)，改為使用例如圖3(c)所示偏振元件10c 與圖3(c)所示偏振元件10f，如圖10(a)所示，在各偏振元件中按照未形成遮光膜的一邊彼 此間的外緣部分呈重疊狀態(tài)配置。
[0218] 如果為此種配置形態(tài)，則因?yàn)樵趫D中上下方向的各偏振元件間并沒有遮光膜，且 各偏振元件間不會(huì)出現(xiàn)間隙，所以從圖中的上方朝下方依次配置偏振元件l〇f、l〇c、l〇f這3 片偏振元件，由此可以像在圖中的上下方向上具有1片長的偏振元件時(shí)那樣發(fā)揮作用。
[0219] 并且，可使各偏振元件以夾持各自遮光膜的一部分的方法配置于光取向裝置。因 此，可在不會(huì)夾持細(xì)線所形成區(qū)域(偏振區(qū)域)情況下，將各偏振元件固定于光取向裝置，不 致發(fā)生從所夾持的部分連鎖性引發(fā)細(xì)線破損的不良情況、以及從已破損的細(xì)線部分產(chǎn)生異 物的不良情況。
[0220] 另外，圖10(a)中，雖為避免繁雜而例示了依次配置偏振元件10f、10c、10f這3片偏 振元件的形態(tài)，但上述形態(tài)中也可使用2片以上的偏振元件10c，在圖中的上下方向上呈更 長的方式配置。
[0221 ]另外，同樣地也可使用圖3 (a)所示的偏振元件10a與圖3 (e)所示偏振元件10e，如 圖10(b)所示，按照各偏振元件中未形成遮光膜的一邊彼此間的外緣部分呈重疊狀態(tài)配置。 此時(shí)也像具備1片偏振元件時(shí)那樣發(fā)揮作用。
[0222] 另外，此時(shí)也可以使各偏振元件以夾持各自遮光膜的一部分的方法配置于光取向 裝置。因此，可在不會(huì)夾持細(xì)線所形成區(qū)域(偏振區(qū)域)情況下，將各偏振元件固定于光取向 裝置，不致發(fā)生從所夾持的部分連鎖性引發(fā)細(xì)線破損的不良情況、以及從已破損的細(xì)線部 分產(chǎn)生異物的不良情況。
[0223] 另外，即使在圖10(b)中，也可以是在圖中的上下方向上使用2片以上的偏振元件 10a，形成在圖中的上下方向上呈更長方式的配置形態(tài)。
[0224] D.偏振元件
[0225] 其次，針對(duì)本發(fā)明的偏振元件進(jìn)行說明。
[0226] 本發(fā)明的偏振元件的特征在于，是遮蔽所入射紫外光平行于細(xì)線的偏振方向的 光，并使垂直于上述細(xì)線的偏振方向的光透射的偏振元件，在對(duì)上述紫外光具有透射性的 基板上，并列配置多條上述細(xì)線，且于配置上述細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外側(cè)，設(shè)有將上述 紫外光予以遮光的遮光膜，上述遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣形成方向是平行或垂直于上述細(xì)線的 長邊方向。
[0227] 作為此種本發(fā)明的偏振元件，例如可為已經(jīng)說明的圖1所示的偏振元件。
[0228] 另外，圖1示出的是偏振區(qū)域3與細(xì)線2所配置區(qū)域即細(xì)線區(qū)域?yàn)橄嗤那樾巍?br>[0229] 另外，圖1示出的是上述遮光膜4形成于上述細(xì)線2所配置區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外側(cè)， 而上述遮光膜4內(nèi)緣側(cè)的邊緣是平行或垂直于上述細(xì)線的長邊方向。
[0230] 根據(jù)本發(fā)明，通過上述遮光膜形成于上述細(xì)線區(qū)域的外側(cè)，當(dāng)將偏振元件配置于 光取向裝置時(shí)，可夾持形成有遮光膜的區(qū)域。即，偏振元件中，可以不會(huì)夾持配置有細(xì)線的 區(qū)域即細(xì)線區(qū)域，而將偏振元件固定于光取向裝置，所以可消除從所夾持部分連鎖性引發(fā) 細(xì)線破損的不良情況、及從已破損細(xì)線部分產(chǎn)生異物的不良情況。
[0231] 另外，如上所述，由于配置有細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外周形成有遮光膜，因而在 偏振元件中，可抑制從細(xì)線區(qū)域的外側(cè)區(qū)域，透射入射光，特別是透射入射光的S波成分，可 抑制消光比大幅降低的不良情況。
[0232] 此外，理由是：通過上述遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣是平行或垂直于上述細(xì)線的長邊方 向，便可輕易地縮小上述細(xì)線區(qū)域與遮光膜間的間隔，可獲得高消光比。
[0233]本發(fā)明的偏振元件具有基板、細(xì)線區(qū)域及遮光膜。
[0234] 1.基板
[0235] 本發(fā)明的基板對(duì)上述紫外光具有透射性。
[0236] 本發(fā)明中，所謂"對(duì)紫外光具有透射性"，具體是指能使波長240nm以上且380nm以 下的光透射。
[0237] 構(gòu)成此種基板的材料及厚度可設(shè)為與上述"A.偏振元件"的"1.透明基板"項(xiàng)中所 記載內(nèi)容相同。
[0238] 2.細(xì)線區(qū)域
[0239] 本發(fā)明的細(xì)線區(qū)域是配置有細(xì)線的區(qū)域。
[0240] 上述細(xì)線區(qū)域更具體是指并列配置有多條細(xì)線的區(qū)域。
[0241] 另外，上述細(xì)線區(qū)域是遮蔽平行于細(xì)線的偏振方向的光，并使垂直于上述細(xì)線的 偏振方向的光透射，生成直線偏振光的主要區(qū)域。
[0242] 本發(fā)明的細(xì)線是在上述基板上并列配置有多條的狀態(tài)。
[0243] 關(guān)于構(gòu)成此種細(xì)線的材料、厚度、條數(shù)及長度、間距、占空比、以及寬度，均可設(shè)為 與上述"A.偏振元件"的"2.細(xì)線"項(xiàng)中所記載內(nèi)容相同。
[0244] 當(dāng)在上述細(xì)線區(qū)域的細(xì)線長邊方向外側(cè)形成遮光膜時(shí)，優(yōu)選形成該細(xì)線的長邊方 向的末端與遮光膜呈連接的形態(tài)。
[0245] 當(dāng)在上述細(xì)線區(qū)域的細(xì)線排列方向外側(cè)形成遮光膜時(shí)，優(yōu)選細(xì)線的排列方向中的 末端的細(xì)線與遮光膜的間隔，是與細(xì)線彼此間的間隔呈相同大小。
[0246] 更具體而言，圖1 (a)、（b)中，圖中的右側(cè)末端的細(xì)線2的左側(cè)邊緣、與遮光膜4內(nèi)緣 偵啲邊緣間的間隔P2,優(yōu)選與細(xì)線2彼此間的間隔丹為相同大小。同樣的在圖l(a)、（b)中，圖 中的左側(cè)末端的細(xì)線2的右側(cè)邊緣、與遮光膜4內(nèi)緣側(cè)的邊緣間的間隔，優(yōu)選與細(xì)線2彼此間 的間隔Pi為相同大小。
[0247] 另外，關(guān)于由上述細(xì)線的長邊方向的末端與遮光膜呈相連接的形態(tài)、及末端的細(xì) 線與遮光膜間的間隔是細(xì)線彼此間的間隔所獲得的效果等，由于是與上述"A.偏振元件"的 "3.偏振區(qū)域"項(xiàng)中所記載內(nèi)容同樣，故而在此省略說明。
[0248] 3.遮光膜
[0249] 本發(fā)明的遮光膜是將上述紫外光予以遮光。
[0250] 上述遮光膜是形成于配置有上述細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外側(cè)。
[0251] 另外上述遮光膜中，上述遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣的形成方向呈平行或垂直于上述細(xì) 線的長邊方向。
[0252] 上述遮光膜的平面形態(tài)只要是形成于配置有上述細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外側(cè) 便可。
[0253] 此種平面形態(tài)具體可設(shè)為與上述"A.偏振元件"的"4.遮光膜"項(xiàng)中所記載內(nèi)容相 同。
[0254] 本發(fā)明中，如圖3(h)所示，也可是遮光膜外緣設(shè)置于較偏振元件外緣更靠內(nèi)側(cè)，從 遮光膜外緣起至偏振元件外緣的區(qū)域也形成有細(xì)線的形態(tài)，即在上述遮光膜的外側(cè)形成配 置有上述細(xì)線的區(qū)域的第2細(xì)線區(qū)域的形態(tài)。通過依序形成上述細(xì)線區(qū)域、遮光膜及第2細(xì) 線區(qū)域，可以在將偏振元件多片呈平面狀排列配置于光取向裝置時(shí)，可抑制成為相鄰偏振 元件的各遮光膜彼此間相接觸導(dǎo)致遮光區(qū)域擴(kuò)大的情形。
[0255] 另外，上述第2細(xì)線區(qū)域中所含的細(xì)線的長邊方向通常是與上述細(xì)線區(qū)域所含細(xì) 線的長邊方向呈相同方向。
[0256] 另外，當(dāng)將多片偏振元件配置于光取向裝置時(shí)，也可組合使用遮光膜平面形態(tài)不 同的各種形態(tài)的偏振元件。
[0257] 上述遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣的形成方向只要是平行或垂直于上述細(xì)線的長邊方向 即可。
[0258] 此處，所謂遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣形成方向是平行或垂直于上述細(xì)線的長邊方向， 只要是上述內(nèi)緣側(cè)的邊緣形成方向與上述細(xì)線的長邊方向呈平行方向或垂直方向即可，當(dāng) 遮光膜具有多個(gè)內(nèi)緣側(cè)邊緣的情況下，則也可含有與細(xì)線的長邊方向呈平行方向與垂直方 向這二者的情形。
[0259] 前述圖1、以及圖3(幻、（〇、（8)及(1〇，是例示遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣形成方向，含有 與上述細(xì)線長邊方向呈平行方向及垂直方向這二者的情況。
[0260] 圖3(a)及（c)所示是遮光膜的邊緣形成方向，僅與上述細(xì)線的長邊方向呈平行方 向的情況。
[0261] 圖3(b)及(d)所示是遮光膜的邊緣形成方向，僅與上述細(xì)線的長邊方向呈垂直方 向的情況。
[0262] 當(dāng)在上述遮光膜外側(cè)形成第2細(xì)線區(qū)域時(shí)，上述遮光膜外緣側(cè)的邊緣形成方向，優(yōu) 選與上述第2細(xì)線區(qū)域所含細(xì)線的長邊方向呈平行或垂直方向。理由是可獲得更高的消光 比。
[0263] 上述遮光膜中也可形成文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記。例如通過在遮光膜中形成文字、 記號(hào)等，便可賦予型號(hào)等相關(guān)偏振元件的信息。另外也可利用于上下左右、表背等朝向的判 斷、以及粗略對(duì)位。
[0264] 關(guān)于此種文字、記號(hào)、或?qū)?zhǔn)標(biāo)記，具體可設(shè)為與上述"A.偏振元件"的"4.遮光膜" 項(xiàng)中所記載內(nèi)容同樣。
[0265] 上述遮光膜對(duì)紫外光的遮光性及構(gòu)成材料，可設(shè)為與上述"A.偏振元件"的"4.遮 光膜"項(xiàng)中所記載內(nèi)容同樣。
[0266] 4.偏振元件
[0267] 本發(fā)明的偏振元件具有基板、細(xì)線區(qū)域及遮光膜，但視需要還可具有其他構(gòu)成。
[0268] E.光取向裝置
[0269]其次，針對(duì)本發(fā)明的光取向裝置進(jìn)行說明。
[0270]本發(fā)明的光取向裝置的特征在于，具備多個(gè)偏振元件，而上述偏振元件是具有多 條細(xì)線呈并列配置、且形成于配置有上述細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外側(cè)的遮光膜，而多個(gè) 上述偏振元件按照鄰接配置的上述偏振元件各自的上述細(xì)線區(qū)域間中未含有上述遮光膜 的方式配置。
[0271]作為此種本發(fā)明的光取向裝置，例如可為前述說明的圖7及圖8所示的裝置。
[0272] 另外，作為多個(gè)上述偏振元件配置，即按照相鄰接配置的上述偏振元件各自的上 述細(xì)線區(qū)域間未含有上述遮光膜的方式配置，具體可為前述說明的圖10(a)及(b)所示的配 置。
[0273] 根據(jù)本發(fā)明，通過多個(gè)上述偏振元件按照鄰接配置的上述偏振元件各自的上述細(xì) 線區(qū)域間中未含有上述遮光膜的方式配置，由此因?yàn)樵诟髌裨g并沒有遮光膜，所以 可發(fā)揮像具備1片偏振元件時(shí)那樣的作用。
[0274] 另外，各偏振元件可用夾持各個(gè)遮光膜的一部分的方法配置于光取向裝置。所以， 能在不會(huì)夾持形成有細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域情況下，將各偏振元件固定于光取向裝置，由 此不會(huì)發(fā)生從所夾持部分連鎖性引發(fā)細(xì)線遭破損的不良情況、以及從已破損的細(xì)線部分產(chǎn) 生異物的不良情況。
[0275] 本發(fā)明至少設(shè)有偏振元件。
[0276] 以下，針對(duì)本發(fā)明偏振元件的各構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0277] 1.偏振元件
[0278] 本發(fā)明的偏振元件具有并列配置多條細(xì)線、且形成于配置上述細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線 區(qū)域的外側(cè)的遮光膜。
[0279] 關(guān)于此種偏振元件，因?yàn)槔缈稍O(shè)為與上述"D.偏振元件"項(xiàng)所記載的內(nèi)容同樣， 故而在此省略說明。
[0280] 2.偏振元件的配置
[0281]本發(fā)明偏振元件的配置是多個(gè)上述偏振元件在相鄰接配置的上述偏振元件各自 的上述細(xì)線區(qū)域間未含有上述遮光膜的配置。
[0282] 此種偏振元件的配置可設(shè)為例如相鄰接配置的偏振元件，按照各自偏振元件未形 成遮光膜的一邊彼此間呈相鄰接狀態(tài)配置。
[0283] 更具體而言，可設(shè)為前述說明的圖10(a)及(b)所示的配置。
[0284] 上述偏振元件的配置可以是相鄰接偏振元件依側(cè)面呈相互接觸的狀態(tài)配置的形 態(tài)，也可以是相鄰接偏振元件間的邊界部具有間隙的形態(tài)。
[0285] 上述偏振元件的配置也可通過鄰接偏振元件的端部相互重疊，而形成偏振元件間 的邊界部未出現(xiàn)間隙的形態(tài)。
[0286] 關(guān)于上述偏振元件的配置是依鄰接配置的偏振元件在各個(gè)偏振元件未形成遮光 膜的一邊彼此間呈相鄰接狀態(tài)配置，進(jìn)而將相鄰接偏振元件的端部呈相互重疊配置，即各 偏振元件中未形成遮光膜的一邊彼此間的外緣部分呈重疊配置，例如可設(shè)為與上述"C.光 取向裝置"項(xiàng)中所記載內(nèi)容同樣。
[0287] 關(guān)于上述偏振元件相對(duì)于工件移動(dòng)方向的配置，可設(shè)為與上述"C.光取向裝置"項(xiàng) 中所記載內(nèi)容同樣。
[0288] 本發(fā)明中，當(dāng)將依鄰接配置的上述偏振元件各自的上述細(xì)線區(qū)域間中未含有上述 遮光膜的方式配置的多個(gè)上述偏振元件，視為1片偏振元件（以下也簡稱"結(jié)合偏振元件"） 的情況時(shí)，也可配置多個(gè)上述結(jié)合偏振元件使用。
[0289] 關(guān)于此種結(jié)合偏振元件的配置形態(tài)，可設(shè)為與上述"C.光取向裝置"項(xiàng)中所記載的 多個(gè)偏振元件的配置形態(tài)同樣。
[0290] 3.光取向裝置
[0291] 本發(fā)明的光取向裝置具有多個(gè)偏振元件，但視需要還可以具有其他構(gòu)成。
[0292] 作為這樣的其他構(gòu)成，也可為具有例如使偏振元件所收納的偏振元件單元、紫外 光燈、反射鏡、工件移動(dòng)的機(jī)構(gòu)等。
[0293] 上述其他構(gòu)成可設(shè)為與上述"C.光取向裝置"項(xiàng)中所記載內(nèi)容同樣。
[0294] F.偏振元件的組裝方法
[0295] 以下針對(duì)本發(fā)明偏振元件的組裝方法進(jìn)行說明。
[0296] 本發(fā)明偏振元件的組裝方法的特征在于，是將多個(gè)偏振元件組裝于光取向裝置的 方法，其中，上述偏振元件具有多條細(xì)線呈并列配置、且形成于配置有上述細(xì)線的區(qū)域即細(xì) 線區(qū)域的外側(cè)的遮光膜，其包括有:通過在上述遮光膜上所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，執(zhí)行上述偏振 元件的對(duì)位，同時(shí)調(diào)整多個(gè)上述偏振元件的偏振方向的對(duì)位工序。
[0297] 根據(jù)本發(fā)明，通過使用在遮光膜上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，便可高精度取得細(xì)線的位置 與角度信息，可輕易地與所需的位置與角度一致。
[0298] 更具體而言，通過將形成細(xì)線的工序、與形成遮光膜的工序設(shè)為同一工序，便可提 升細(xì)線與遮光膜的相對(duì)位置精度。所以，通過在遮光膜上形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，便可從對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記精 度良好地取得細(xì)線的位置與角度信息。由此情形，通過使用遮光膜上所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，便 可精度良好地執(zhí)行對(duì)位、及決定偏振元件的偏振方向的細(xì)線區(qū)域內(nèi)的細(xì)線的長邊方向的朝 向確認(rèn)。
[0299] 本發(fā)明偏振元件的組裝方法至少包括有對(duì)位工序。
[0300] 以下，針對(duì)本發(fā)明偏振元件的組裝方法的各項(xiàng)工序進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0301] 1.對(duì)位工序
[0302] 本發(fā)明的對(duì)位工序是利用在上述遮光膜上所形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，執(zhí)行上述偏振元件的 對(duì)位，且調(diào)整多個(gè)上述偏振元件的偏振方向的工序。
[0303] 另外，本工序所使用偏振元件、以及在遮光膜上所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因?yàn)榭稍O(shè)為與 在上述"A.偏振元件"項(xiàng)中所記載內(nèi)容同樣，故在此不再贅述。
[0304] 作為本工序執(zhí)行偏振元件的對(duì)位、且調(diào)整多個(gè)上述偏振元件的偏振方向的方法， 只要是在使用上述遮光膜上所形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，則并無特別的限定，可采取使用對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記的一般對(duì)位方法等。
[0305]上述方法可例如在光取向裝置中，將多個(gè)偏振元件在配置位置上形成與上述對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記對(duì)應(yīng)的配置側(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，再將偏振元件的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記按照與配置側(cè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在俯視上為 重疊的方式進(jìn)行配置的方法等。
[0306] 2.偏振元件的組裝方法
[0307] 本發(fā)明偏振元件的組裝方法是包括有上述對(duì)位工序，但視需要也可包括有其他工 序。
[0308] 以上，雖針對(duì)本發(fā)明的偏振元件、偏振元件的制造方法、光取向裝置及偏振元件的 組裝方法，分別說明各自的實(shí)施形態(tài)，但本發(fā)明并不僅局限于上述實(shí)施形態(tài)。上述實(shí)施形態(tài) 僅止于例示而已，舉凡與本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所記載技術(shù)思想具實(shí)質(zhì)相同構(gòu)成，且達(dá)同樣 作用效果者，均涵蓋于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0309] [實(shí)施例]
[0310] 以下例示實(shí)施例，針對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體性說明。
[0311] [實(shí)施例1]
[0312] 首先，制造下述測試基板，并測定各波長下的折射率(η)與衰減系數(shù)(k)，計(jì)算出規(guī) 定膜厚時(shí)的光密度。
[0313](遮光膜形成）
[0314] 透明基板上準(zhǔn)備厚度6.35mm的合成石英玻璃，使用鉬與娃混合祀材(Mo : Si = 1: 2mol%)，在氬氣環(huán)境中，利用反應(yīng)性濺射法形成膜厚60nm的硅化鉬膜，便制得測試基板。
[0315] 另外，上述膜厚是利用VEEC0公司制AFM裝置DBffiNSI0N-X3D進(jìn)行測定。
[0316](折射率及衰減系數(shù)的測定）
[0317] 針對(duì)測試基板，利用透射式橢圓偏振光儀(Woollam公司制VUV-VASE)，測定對(duì)波長 190nm~380nm紫外光的折射率(η)及衰減系數(shù)(k)。結(jié)果如表1所示。
[0318][表 1]
[0320] (光密度）
[0321] 根據(jù)表1所示折射率(η)及衰減系數(shù)（k)，計(jì)算出上述硅化鉬膜的膜厚為60nm及 lOOnm時(shí)的光密度(0D)。結(jié)果如表2所示。
[0322][表 2]
[0324] (實(shí)施例1的評(píng)價(jià)）
[0325] 如表2所示，本發(fā)明偏振元件的遮光膜可確認(rèn)到只要具有膜厚達(dá)60nm以上的硅化 鉬膜，則對(duì)190nm以上且380nm以下波長的紫外光，具有光密度達(dá)2.8以上的遮光性。
[0326]另外，可確認(rèn)到當(dāng)遮光膜是由膜厚達(dá)lOOnm以上的娃化鉬膜構(gòu)成時(shí)，便對(duì)190nm以 上且380nm以下波長的紫外光，具有光密度達(dá)4.4以上的遮光性。
[0327] [實(shí)施例2]
[0328] 其次，制造下述偏振元件，并測定各波長下的P波透射率及S波透射率，且計(jì)算出消 光比。
[0329] (偏振元件的制造）
[0330] 作為透明基板，準(zhǔn)備平面尺寸152_X 152_、厚度6.35mm的合成石英玻璃，使用鉬 與娃混合祀材(Mo:Si = 1:2mol% )，在氬氣環(huán)境下，利用反應(yīng)性派射法形成膜厚lOOnm的娃 化鑰月吳。
[0331 ]然后，使用鉻靶材，在氬氣環(huán)境下，利用反應(yīng)性濺射法，于上述硅化鉬膜上形成膜 厚5nm的鉻膜。
[0332] 接著，在上述鉻膜上，涂布正型的電子束抗蝕劑（日本ΖΕΟΝ公司制ZEP520 )，進(jìn)行電 子束描繪，而形成具有細(xì)線圖案與遮光膜圖案的抗蝕圖案。
[0333] 此處，上述細(xì)線圖案是間距l(xiāng)OOnm的線條與間隔圖案，上述線條與間隔圖案整體的 平面尺寸是90mmX 100mm。換言之，偏振元件的偏振區(qū)域平面尺寸成為90mmX 100mm。另外， 細(xì)線的長邊方向的長度是90_，成為細(xì)線與遮光膜相連接的形態(tài)。
[0334] 另外，上述遮光膜圖案的內(nèi)緣與上述偏振區(qū)域的外緣呈一致，且外緣成為152mmX 15 2mm大小。
[0335] 另外，遮光膜圖案的內(nèi)緣按照相對(duì)于構(gòu)成細(xì)線圖案的線條與間隔圖案的方向，具 有呈平行的邊緣與垂直的邊緣這二者的方式形成，且上述線條與間隔圖案的間隔圖案按照 相對(duì)于線條與間隔圖案的方向，直至達(dá)到平行的遮光膜內(nèi)緣(邊緣)處均成為均勻?qū)挾鹊姆?式形成。
[0336] 接著，將上述抗蝕圖案用于蝕刻掩模，首先通過使用氯與氧混合氣體的干式蝕刻， 對(duì)鉻膜進(jìn)行蝕刻加工而形成鉻膜圖案，接著再對(duì)從上述鉻膜圖案中露出的硅化鉬膜，通過 使用SF 6氣體的干式蝕刻進(jìn)行加工，然后除去上述抗蝕圖案及鉻膜圖案，便獲得在配置有細(xì) 線的偏振區(qū)域外周，形成有遮光膜的實(shí)施例2的偏振元件。
[0337] 該實(shí)施例2的偏振元件的細(xì)線寬度、厚度、及間距，經(jīng)使用Vistec公司制SEM測定裝 置LWM9000、與VEE⑶公司制AFM裝置DMENSI0N-X3D進(jìn)行測定，結(jié)果分別為36nm、100nm、及 100nm〇
[0338] (細(xì)線的構(gòu)造評(píng)價(jià)）
[0339] 針對(duì)實(shí)施例2的偏振元件的細(xì)線及遮光膜，利用透射式橢圓偏振光儀(Woollam公 司制VUV-VASE)進(jìn)行構(gòu)造的評(píng)價(jià)。
[0340] 結(jié)果，可確認(rèn)到上述細(xì)線具有：寬度及厚度分別為31.8nm及95.8nm的硅化鉬膜、與 上述硅化鉬膜的上面膜厚及側(cè)面膜厚分別為4 · 2nm及4 · 2nm的由氧化硅構(gòu)成的氧化膜。
[0341 ]另外，可確認(rèn)到上述遮光膜具有:厚度95.8nm的硅化鉬膜、以及上述硅化鉬膜上面 膜厚4 · 2nm的由氧化娃構(gòu)成的氧化膜。
[0342] (P波透射率及S波透射率的測定）
[0343] 針對(duì)實(shí)施例2的偏振元件，利用透射式橢圓偏振光儀(Woollam公司制VUV-VASE)， 測定波長200nm~400nm范圍內(nèi)紫外光的P波透射率(射出光中的P波成分/入射光中的P波成 分）、及S波透射率(射出光中的S波成分/入射光中的S波成分），并計(jì)算出消光比（P波透射 率/S波透射率）。結(jié)果如表3及圖11所示。
[0344] 如表3及圖11所示，在波長240nm~400nm范圍內(nèi)，實(shí)施例2的偏振元件的P波透射率 達(dá)64.3%以上，消光比達(dá)55.1以上。
[0345] 另外，在波長24〇11111~26〇11111范圍內(nèi)，實(shí)施例2的偏振元件的？波透射率達(dá)64.3%以 上，消光比達(dá)55.1以上。另外在波長355nm~375nm范圍內(nèi)，實(shí)施例2的偏振元件的P波透射率 達(dá)77.1 %以上，消光比達(dá)277.9以上。
[0346] [表 3]
[0349] (實(shí)施例2的評(píng)價(jià)）
[0350] 如表3及圖11所示，實(shí)施例2的偏振元件具有較高的P波透射率，且消光比優(yōu)異。
[0351] 另外，由上述實(shí)施例1的結(jié)果，可確認(rèn)到若具有膜厚達(dá)60nm以上的硅化鉬膜，則對(duì) 190nm以上且380nm以下波長的紫外光，便具有光密度達(dá)2.8以上的遮光性，因?yàn)閷?shí)施例2的 偏振元件的遮光膜具有至少厚度為95.8nm的硅化鉬膜，因而也可評(píng)價(jià)為遮光性充分高的。
[0352] 【符號(hào)說明】
[0353] 1 透明基板
[0354] 2 細(xì)線
[0355] 3 偏振區(qū)域
[0356] 4 遮光膜
[0357] 5 內(nèi)緣
[0358] 6 外緣
[0359] 7 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記
[0360] 8 細(xì)線
[0361] 1〇、20 偏振元件
[0362] 31 偏振材料層
[0363] 31P 偏振材料圖案
[0364] 32 硬掩模材料層
[0365] 32P 硬掩模圖案
[0366] 33 抗蝕層
[0367] 34 抗蝕圖案
[0368] 34a 細(xì)線圖案
[0369] 34b 遮光膜圖案
[0370] 50,60 光取向裝置
[0371] 51、61 偏振元件單元
[0372] 52,62 紫外光燈
[0373] 53,63 反射鏡
[0374] 54、64 偏振光
[0375] 55,65 光取向膜
[0376] 56、66 工件
[0377] 71、72 邊界部
[0378] 110,120 偏振元件
[0379] 112、122 細(xì)線
[0380] 121 玻璃基板
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種偏振元件，其特征在于，是在對(duì)紫外光具有透射性的透明基板上并列配置多條 細(xì)線而成的偏振元件， 在配置有所述細(xì)線的偏振區(qū)域的外側(cè)，形成有將所述紫外光予以遮光的遮光膜。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振元件，其特征在于，沿著構(gòu)成所述偏振區(qū)域外緣的一個(gè)邊 形成有所述遮光膜。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的偏振元件，其特征在于，在所述偏振區(qū)域的外周形成有所 述遮光膜。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的偏振元件，其特征在于，在所述遮光膜上形成有 文字、記號(hào)或?qū)?zhǔn)標(biāo)記。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的偏振元件，其特征在于，所述文字、所述記號(hào)或所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 具有并列配置多條細(xì)線而成的構(gòu)成。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的偏振元件，其特征在于，所述文字、所述記號(hào)或所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 中的對(duì)所述紫外光的S波透射率的值，是與所述偏振區(qū)域中對(duì)所述紫外光的S波透射率相同 的值、或者是小于所述偏振區(qū)域中對(duì)所述紫外光的S波透射率的值。7. 根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的偏振元件，其特征在于，所述細(xì)線與所述遮光膜 連接。8. 根據(jù)權(quán)利1~7中任一項(xiàng)所述的偏振元件，其特征在于，構(gòu)成所述遮光膜的材料含有 構(gòu)成所述細(xì)線的材料。9. 根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的偏振元件，其特征在于，構(gòu)成所述遮光膜的材料 由含有娃化鉬的材料構(gòu)成。10. -種偏振元件的制造方法，其特征在于，是在對(duì)紫外光具有透射性的透明基板上具 有多條細(xì)線及將所述紫外光予以遮光的遮光膜的偏振元件的制造方法，該制造方法包括： 準(zhǔn)備在所述透明基板上形成第1材料層而成的層疊體的工序； 在所述第1材料層上形成抗蝕層的工序； 對(duì)所述抗蝕層進(jìn)行加工而形成具有細(xì)線圖案與遮光膜圖案的抗蝕圖案的工序；以及 將所述抗蝕圖案使用于蝕刻掩模，對(duì)所述第1材料層進(jìn)行蝕刻加工的工序。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的偏振元件的制造方法，其特征在于，所述抗蝕層由正型電子 束抗蝕劑構(gòu)成， 形成具有所述細(xì)線圖案與所述遮光膜圖案的抗蝕圖案的工序包含對(duì)成為構(gòu)成所述細(xì) 線圖案的線條與間隔圖案中的間隔圖案部的位置的抗蝕層照射電子束的步驟。12. -種光取向裝置，其特征在于，是將紫外光進(jìn)行偏振化并照射于光取向膜的光取向 裝置，具備權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的偏振元件，將透射所述偏振元件的所述偏振區(qū)域 的光照射到所述光取向膜。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的光取向裝置，其特征在于，具備有使所述光取向膜移動(dòng)的機(jī) 構(gòu)； 在所述光取向膜的移動(dòng)方向及與所述光取向膜的移動(dòng)方向正交的方向這兩個(gè)方向上 設(shè)有多個(gè)所述偏振兀件； 在與所述光取向膜的移動(dòng)方向正交的方向上相鄰的所述多個(gè)偏振元件間的邊界部以 與所述光取向膜的移動(dòng)方向不會(huì)連續(xù)性連接的方式配置所述的多個(gè)偏振元件。14. 一種偏振元件，其特征在于，是將所入射的紫外光的平行于細(xì)線的偏振方向的光予 以遮蔽，并使垂直于所述細(xì)線的偏振方向的光透射的偏振元件， 在對(duì)所述紫外光具有透射性的基板上并列配置多條所述細(xì)線； 在所述細(xì)線所配置的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的外側(cè)設(shè)有將所述紫外光予以遮光的遮光膜； 且所述遮光膜內(nèi)緣側(cè)的邊緣的形成方向與所述細(xì)線的長邊方向平行或垂直。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的偏振元件，其特征在于，在所述遮光膜的外側(cè)形成有所述配 置有細(xì)線的區(qū)域即第2細(xì)線區(qū)域。16. -種光取向裝置，其特征在于，是具備有多個(gè)偏振元件的光取向裝置， 所述偏振元件具備并列配置多條細(xì)線、且形成于所述配置有細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域外 側(cè)的遮光膜； 多個(gè)所述偏振元件以鄰接配置的所述偏振元件在各自所述細(xì)線區(qū)域間不含有所述遮 光膜的方式配置。17. -種偏振元件的組裝方法，其特征在于，將多個(gè)偏振元件組裝于光取向裝置的偏振 元件的組裝方法， 所述偏振元件具有并列配置多條細(xì)線、且形成于所述配置有細(xì)線的區(qū)域即細(xì)線區(qū)域的 外側(cè)的遮光膜； 所述方法包括:利用所述遮光膜上所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，施行所述偏振元件的對(duì)位，同時(shí) 調(diào)整多個(gè)所述偏振元件的偏振方向的對(duì)位工序。
【文檔編號(hào)】G02F1/1335GK105874365SQ201580003710
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年1月14日
【發(fā)明人】稻月友, 稻月友一, 登山伸人, 大川泰央, 柴田晶彥, 笹本和雄
【申請(qǐng)人】大日本印刷株式會(huì)社