顯示設(shè)備的制造方法
【專利摘要】一種顯示設(shè)備，包括多個(gè)像素，并且多個(gè)像素中的每一個(gè)包括：第一子像素，包括：連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的晶體管、和連接至晶體管的第一液晶電容器，柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉并且彼此絕緣；第二子像素，包括：連接至第一液晶電容器的第一電容器和連接至第一電容器的第二液晶電容器、連接至第一電容器的電阻器、和連接至電阻器的第二電容器。
【專利說明】顯示設(shè)備
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]該專利申請(qǐng)要求于2015年2月16日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2015-0023585號(hào)的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部公開內(nèi)容結(jié)合于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]在本文中，本公開涉及顯示設(shè)備，且更具體地，涉及通過增加開口率具有改善的透光率的顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]最近，已開發(fā)各種顯示設(shè)備，諸如液晶顯示設(shè)備、電潤(rùn)濕顯示設(shè)備、電泳顯示設(shè)備、和有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。通常，顯示設(shè)備包括用于顯示圖像的多個(gè)像素。像素響應(yīng)于柵極信號(hào)接收數(shù)據(jù)信號(hào)并顯示對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的圖像。
[0005]與其他顯示設(shè)備相比，液晶顯示設(shè)備具有低視角性能。液晶顯示器的視角性能可通過將側(cè)面可視性增強(qiáng)至正面可視性的水平來改善。為了改善視角性能，已開發(fā)采用各種模式(諸如構(gòu)型垂直取向(PVA)模式、多疇垂直取向(MVA)模式、和超構(gòu)型垂直取向(S-PVA)模式)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
[0006]例如，S-PVA模式對(duì)于顯示設(shè)備的每個(gè)像素包括兩個(gè)子像素。不同的數(shù)據(jù)電壓施加至兩個(gè)子像素。兩個(gè)子像素具有不同的亮度值，因?yàn)樗鼈兝貌煌南袼仉妷簛沓潆姟?br>[0007]注視顯示設(shè)備的人眼識(shí)別兩個(gè)亮度值的中間值?？煞乐箓?cè)視角由于伽瑪曲線在中間灰度級(jí)或者更小灰度級(jí)處的變形而劣化。因?yàn)閮蓚€(gè)子像素利用不同的像素電壓來充電，所以可改善顯示設(shè)備的側(cè)面可視性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本公開提供通過增加開口率具有改善的透光率的顯示設(shè)備。根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式，顯示設(shè)備包括多個(gè)像素。多個(gè)像素的每一個(gè)包括:第一子像素，包括連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的晶體管、和連接至晶體管的第一液晶電容器，柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉并且彼此絕緣；以及第二子像素，包括連接至第一液晶電容器的第一電容器、連接至第一電容器的第二液晶電容器、連接至第一電容器的電阻器、和連接至電阻器的第二電容器。
[0009]在本公開的其他實(shí)施方式中，晶體管可包括連接至柵極線的柵電極、連接至數(shù)據(jù)線的源電極、以及連接至第一液晶電容器的漏電極。
[0010]在本公開的又其他實(shí)施方式中，第一液晶電容器可包括:第一像素電極，連接至漏電極；公共電極，布置為面向第一像素電極；以及液晶層，布置在第一像素電極與公共電極之間。
[0011]在本公開的再其他實(shí)施方式中，第一電容器可包括:連接至第一像素電極的第一電極；和布置為與第一電極絕緣并且與第一電極重疊的第二電極。
[0012]在本公開的仍其他實(shí)施方式中，第一電極可布置在與柵電極相同的層上，并且第二電極可布置在與源電極和漏電極相同的層上。
[0013]在本公開的進(jìn)一步的實(shí)施方式中，第二液晶電容器可包括:連接至第二電極的第二像素電極；布置為面向第二像素電極的公共電極；以及布置在第二像素電極與公共電極之間的液晶層。
[0014]在本公開的又進(jìn)一步的實(shí)施方式中，多個(gè)像素中的每一個(gè)可進(jìn)一步包括平面區(qū)域。平面區(qū)域可包括:第一像素區(qū)域，第一像素電極布置在第一像素區(qū)域上；第二像素區(qū)域，第二像素電極布置在第二像素區(qū)域上；和非像素區(qū)域，形成在第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域周圍。晶體管、第一電容器、第二電容器、和電阻器布置在第一像素區(qū)域與第二像素區(qū)域之間的非像素區(qū)域上。
[0015]在本公開的再進(jìn)一步的實(shí)施方式中，第二電容器可包括布置為彼此絕緣并且彼此重疊的第三電極和第四電極，第三電極可布置在與柵電極相同的層上，并且第四電極可布置在與源電極和漏電極相同的層上。
[0016]在本公開的仍進(jìn)一步的實(shí)施方式中，顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括布置在與柵極線相同的層上并且平行于柵極線延伸的存儲(chǔ)線，并且第三電極可從存儲(chǔ)線分支出。
[0017]在本公開的更多進(jìn)一步的實(shí)施方式中，顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括:第一基底基板，柵電極、第一電極、和第三電極布置在第一基底基板上；第一絕緣層，布置在第一基底基板上并且覆蓋柵電極、第一電極、和第三電極；第一半導(dǎo)體層，布置在第一絕緣層上并且覆蓋柵電極；第二半導(dǎo)體層，布置在第一電極與第三電極之間的第一絕緣層上并且覆蓋第一電極和第三電極；第二絕緣層，布置在第一絕緣層上并且覆蓋晶體管、第一電容器、第二電容器、和第二半導(dǎo)體層；以及濾色器，沿行方向延伸并且與沿行方向排布的像素重疊。布置在第一電容器與第二電容器之間的第一絕緣層上的第二半導(dǎo)體層可形成電阻器。
[0018]在本公開的其他實(shí)施方式中，第一電容器可具有比第二電容器更大的面積。
【附圖說明】
[0019]包括附圖以提供對(duì)本公開的進(jìn)一步理解，并且附圖結(jié)合在該說明書中并構(gòu)成該說明書的一部分。附圖示出了本公開的示例性實(shí)施方式，并且與描述一起用來說明本公開的原理。在附圖中:
[0020]圖1示出了根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；
[0021]圖2示出了在圖1中示出的像素的布局；
[0022]圖3示出了沿在圖2中示出的線Ι-Γ截取的截面圖；
[0023]圖4示出了沿在圖2中示出的線I1-1I ’截取的截面圖；
[0024]圖5示出了沿在圖2中示出的線II1-1II’截取的截面圖；并且
[0025]圖6示出了在圖1中示出的像素的等效電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]通過參考附圖描述的以下實(shí)施方式將闡明本公開的優(yōu)點(diǎn)和特征及其實(shí)現(xiàn)方法。然而，本公開可體現(xiàn)為不同的形式，并且不應(yīng)被解釋為局限于本文所闡述的實(shí)施方式。更確切地，提供這些實(shí)施方式以使得本公開是詳盡的和完整的，并且將范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。遍及全文，相似的參考標(biāo)號(hào)指代相似的元件。
[0027]還將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為‘在’另一元件或?qū)印稀瘯r(shí)，它可直接在另一元件或?qū)由?、或者也可存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱為‘直接在’另一元件‘上’或者‘直接在’另一元件‘上方’時(shí)，意味著可不存在中間元件或?qū)?。如在本文中所使用的，術(shù)語‘和/或’包括相關(guān)列舉項(xiàng)的一個(gè)或多個(gè)的任何和所有組合。
[0028]本文中可使用諸如‘下方’、‘下面’、‘下部’、‘上方’、‘上部’等的空間相對(duì)術(shù)語來描述如在圖中示出的一個(gè)元件或特征相對(duì)另一個(gè)元件或特征的關(guān)系。將理解，空間相對(duì)術(shù)語旨在包括除圖中所示的方位以外的設(shè)備在使用或操作中的不同方位。盡管本文中可使用諸如第一和第二的術(shù)語來描述各個(gè)元件、部件和/或部分，然而，元件、部件和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、部件和/或部分與另一個(gè)進(jìn)行區(qū)分。因此，在不背離本公開的精神和范圍的前提下，下面討論的第一元件、第一部件和/或第一部分可被稱為第二元件、第二部件或第二部分。
[0029]在本文中，參照作為本公開的理想示例性實(shí)施方式的示意圖的平面圖和截面圖來描述本公開的示例性實(shí)施方式。因而，預(yù)期例如因制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的圖示形狀的變化。因此，本公開的示例性實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為局限于本文中所示出的區(qū)域的特定形狀，而是應(yīng)理解為包括例如因制造而產(chǎn)生的形狀上的偏差。因此，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的并且它們的形狀、尺寸、和比例不旨在示出設(shè)備的區(qū)域的實(shí)際形狀和限制本公開的范圍。在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施方式。
[0030]圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖。顯示設(shè)備500包括顯示面板100、柵極驅(qū)動(dòng)器200、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300、和印刷電路板400。顯示面板100可以是包括布置在彼此面對(duì)的第一基板與第二基板之間的液晶層的液晶顯示面板。
[0031 ] 顯示面板100包括多個(gè)柵極線GLl-GLm、多個(gè)數(shù)據(jù)線DLl-DLn，和多個(gè)像素PXll-PXmn，其中，m和η是大于零的整數(shù)。柵極線GLl-GLm和數(shù)據(jù)線DLl-DLn布置為在彼此絕緣的同時(shí)彼此交叉。
[0032]柵極線GLl-GLm在第一方向DRl上延伸并且連接至柵極驅(qū)動(dòng)器200。數(shù)據(jù)線DLl-DLn在與第一方向DRl交叉的第二方向DR2上延伸并且連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300。第一方向DRl可以是行方向并且第二方向DR2可以是列方向。顯示面板100的平面區(qū)包括顯示圖像的顯示區(qū)DA和圍繞顯示區(qū)DA的非顯示區(qū)NDA。
[0033]像素PXll-PXmn在顯示區(qū)DA上排布為矩陣構(gòu)造。例如，像素PXll-PXmn布置在通過彼此交叉的柵極線GLl-GLm和數(shù)據(jù)線DLl-DLn劃分的區(qū)域中。像素PXll-PXmn可排布成m行和η列。
[0034]像素PXl1-PXmn分別連接至柵極線GLl-GLm之中的相應(yīng)柵極線和數(shù)據(jù)線DLl-DLn之中的相應(yīng)數(shù)據(jù)線。像素PXll-PXmn中的每個(gè)可顯示基色的一種?；砂t色、綠色、藍(lán)色和白色。在另一個(gè)實(shí)施方式中，基色可包括各種顏色，諸如黃色、青色和品紅色。
[0035]柵極驅(qū)動(dòng)器200布置在沿第一方向DRl與顯示區(qū)DA的一側(cè)相鄰的非顯示區(qū)NDA中。柵極驅(qū)動(dòng)器200通過與安裝在顯示面板100上的像素PXll-PXmn的晶體管相同的工藝形成。柵極驅(qū)動(dòng)器200可包括非晶硅TFT柵極驅(qū)動(dòng)器電路(ASG)或者氧化硅TFT柵極驅(qū)動(dòng)器電路(OSG)。
[0036]在另一個(gè)實(shí)施方式中，柵極驅(qū)動(dòng)器200可包括安裝在柔性印刷電路板(其以帶載封裝(TCP)類型連接至顯示面板100)上的多個(gè)驅(qū)動(dòng)器芯片。此外，包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)器芯片的柵極驅(qū)動(dòng)器200可以玻璃上芯片(COG)類型安裝在顯示面板100上。
[0037]柵極驅(qū)動(dòng)器200從安裝在印刷電路板400上的時(shí)序控制器(未示出)接收柵極控制信號(hào)。盡管未示出，時(shí)序控制器可以以連接至柵極驅(qū)動(dòng)器200和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300的集成電路芯片的形式安裝在印刷電路板400上。
[0038]柵極驅(qū)動(dòng)器200響應(yīng)于柵極控制信號(hào)生成多個(gè)柵極信號(hào)。柵極信號(hào)可按順序輸出。柵極信號(hào)通過柵極線GLl-GLm逐行地提供至像素PXll-PXmn。因此，可逐行地驅(qū)動(dòng)像素PXll-PXmn。
[0039]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300包括多個(gè)源驅(qū)動(dòng)器芯片310_l-310_k。源驅(qū)動(dòng)器芯片310_1_310_k安裝在柔性電路板320_l-320_k上并連接至印刷電路板400和鄰近于顯示區(qū)DA的頂側(cè)的非顯示區(qū)NDA。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以帶載封裝(TCP)類型連接至顯示面板100。在另一個(gè)實(shí)施方式中，包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)器芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以玻璃上芯片(COG)類型安裝在顯示面板100上。
[0040]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300從時(shí)序控制器接收?qǐng)D像數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)控制信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300響應(yīng)于數(shù)據(jù)控制信號(hào)生成對(duì)應(yīng)于圖像信號(hào)的模擬數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)電壓通過數(shù)據(jù)線DLl-DLn提供至像素PXl 1-PXmn。像素PXl 1-PXmn響應(yīng)于通過柵極線GLl-GLm提供的柵極信號(hào)通過數(shù)據(jù)線DLl-DLn接收數(shù)據(jù)電壓。像素PXll-PXmn顯示對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓的灰度等級(jí)(gradat1n)。因此，可以顯示圖像。
[0041]圖2示出了在圖1中示出的像素的布局。雖然圖2僅示出了一個(gè)像素，在圖1中示出的其他像素將具有相同的構(gòu)造。在下文中，為了便于說明，將描述一個(gè)像素PXij的構(gòu)造。
[0042]參考圖2，像素PXij連接至柵極線GLi和數(shù)據(jù)線DLj。柵極線GLi在第一方向DRl上延伸。數(shù)據(jù)線DLj在與第一方向DRl交叉的第二方向DR2上延伸。
[0043]像素PXij包括第一子像素SPXl和第二子像素SPX2。第一子像素SPXl包括晶體管TR和連接至晶體管TR的第一像素電極PE1。第二子像素SPX2包括連接至第一像素電極PEl的第一電容器CP1、連接至第一電容器CPl的第二像素電極PE2、和布置為鄰近于第一電容器CPl的第二電容器CP2。
[0044]在第一子像素SPXl中顯示圖像的區(qū)域可被稱為第一像素區(qū)域PA1。在第二子像素SPX2中顯示圖像的區(qū)域可被稱為第二像素區(qū)域PA2。第一像素電極PEl布置在第一像素區(qū)域PAl上。第二像素電極PE2布置在第二像素區(qū)域PA2上。
[0045]像素PXij的第一像素區(qū)域PAl和第二像素區(qū)域PA2的外圍區(qū)域可被稱為非像素區(qū)域NPA。柵極線GLi以及數(shù)據(jù)線DLj和DLj+Ι布置在非像素區(qū)域NPA上。
[0046]晶體管TR以及第一電容器CPl和第二電容器CP2布置在像素PXij的第一像素區(qū)域PAl和第二像素區(qū)域PA2之間的非像素區(qū)域NPA上。第一子像素SPXl的晶體管TR包括從柵極線GLi分支出的柵電極GE、從數(shù)據(jù)線DLj分支出的源電極SE、和連接至第一像素電極PEl的漏電極DE。漏電極DE延伸以通過第一接觸孔CHl電連接至從第一像素電極PEl分支出的連接電極CNE。
[0047]存儲(chǔ)線SLi在第一方向DRl上延伸。存儲(chǔ)線SLi與第一像素電極PEl的底側(cè)部分重疊。從存儲(chǔ)線SLi沿第二方向DR2分支出的第一存儲(chǔ)電極STEl和第二存儲(chǔ)電極STE2在第一方向DRl上與第一像素電極PEl的左側(cè)和右側(cè)部分重疊。
[0048]存儲(chǔ)線SLi以及第一存儲(chǔ)電極STEl和第二存儲(chǔ)電極STE2布置在與柵極線GLi相同的層上。存儲(chǔ)線SLi可被施加存儲(chǔ)電壓。
[0049]第二子像素SPX2的第一電容器CPl包括布置為彼此重疊的第一電極El和第二電極E2。第一電極El和第二電極E2彼此絕緣并彼此面對(duì)。第一電極El可布置在與柵電極GE相同的層上。第二電極E2可布置在與源電極SE和漏電極DE相同的層上。
[0050]第一電極El延伸以通過第二接觸孔CH2電連接至連接電極CNE。第二電極E2延伸以通過第三接觸孔CH3連接至第二像素電極PE2。在示例性實(shí)施方式中，第二電極E2可延伸至第二像素電極PE2的中心部分以通過第三接觸孔CH3連接至第二像素電極PE2的中心部分。
[0051]第二子像素SPX2的第二電容器CP2包括布置為彼此重疊的第三電極E3和第四電極E4。第三電極E3和第四電極E4彼此絕緣并彼此面對(duì)。第三電極E3從存儲(chǔ)線SLi分支出。第四電極E4布置在與源電極SE和漏電極DE相同的層上。
[0052]在平面水平上，第一電容器CPl的面積可大于第二電容器CP2的面積。因此，第一電容器CPl的容量可大于第二電容器CP2的容量。
[0053]第一像素電極PEl包括第一主干單元PEla和從第一主干單元PEla突出并以徑向形式延伸的多個(gè)第一分支單元PElb。第一主干單元PEla可設(shè)置為各種形狀。在示例性實(shí)施方式中，第一主干單元PEla可具有如在圖2中示出的十字形。在該情況下，像素PXij的第一像素區(qū)域PAl可被第一主干單元PEla劃分成四個(gè)域。
[0054]第一分支單元PElb對(duì)應(yīng)于四個(gè)域的相應(yīng)域以在彼此不同的方向上延伸。第一分支單元PElb可在由第一主干單元PEla分割的并布置為彼此間隔開的相應(yīng)域內(nèi)彼此平行地延伸。彼此相鄰的第一分支單元PElb彼此間隔開微米單位的距離以形成多個(gè)細(xì)縫。
[0055]第一像素區(qū)域PAl中的液晶層的液晶分子由于細(xì)縫對(duì)于四個(gè)域中的每一個(gè)沿不同的方向預(yù)傾斜。因此，在液晶層中形成具有沿不同方向定位的液晶分子的四個(gè)域。液晶分子傾斜的越多，顯示設(shè)備實(shí)現(xiàn)的參考視角越寬。
[0056]第一像素電極PEl可由透明導(dǎo)電材料制成。例如，第一像素電極PEl可由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、或者氧化鋅銦錫(ITZO)的透明導(dǎo)電材料制成。
[0057]第二像素電極PE2包括第二主干單元PE2a和從第二主干單元PE2a突出并以徑向形狀延伸的多個(gè)第二分支單元PE2b。第二像素電極PE2的平面面積大于第一像素電極PEl的平面面積。
[0058]除了其面積上的差異之外，第二像素電極PE2的形狀基本上與第一像素電極PEl的形狀相同。另外，第二像素電極PE2可由與第一像素電極PEl相同的材料制成。因此，將不重復(fù)關(guān)于第二像素電極PE2的構(gòu)造的描述。
[0059]雖然在圖2中未示出，在第二方向DR2上延伸的多個(gè)濾色器可布置為與在第二方向DR2上排布的像素重疊。濾色器為穿過相應(yīng)像素的光提供顏色。
[0060]雖然未在圖2中示出，黑矩陣可布置在非像素區(qū)域NPA上。黑矩陣阻擋非像素區(qū)域NPA中的不必要的光。另外，黑矩陣阻擋由于在第一像素區(qū)域PAl和第二像素區(qū)域PA2的邊緣中的液晶分子的異常運(yùn)動(dòng)而可能泄漏的光。
[0061]圖3示出了沿圖2中示出的線Ι-Γ截取的截面圖。圖4示出了沿圖2中示出的線I1-1I’截取的截面圖。圖5示出了沿圖2中示出的線II1-1II’截取的截面圖。
[0062]參考圖3、圖4、和圖5，顯示設(shè)備500包括第一基板110、面向第一基板110的第二基板120、和布置在第一基板110和第二基板120之間的液晶層LC。
[0063]第一基板110包括第一基底基板SUBl和布置在第一基底基板SUBl上的晶體管TR、第一電容器CPl和第二電容器CP2、濾色器CF、以及第一像素電極PEl和第二像素電極PE2。
[0064]第一基底基板SUBl可以是透明基板或者不透明基板。例如，第一基底基板SUBl可以是硅基板、玻璃基板、或者塑料基板。柵極線GL1、存儲(chǔ)線SL1、和晶體管TR的柵電極GE、第一電容器CPl的第一電極E1、和第二電容器CP2的第三電極E3布置在第一基底基板SUBl 上。
[0065]第一絕緣層INSl布置在第一基底基板SUBl上并且覆蓋柵極線GL1、存儲(chǔ)線SL1、柵電極GE、第一電極E1、和第三電極E3。第一絕緣層INSl可被稱為柵極絕緣膜。第一絕緣層INSl可以是包括無機(jī)材料的無機(jī)絕緣膜。
[0066]晶體管TR的第一半導(dǎo)體層SMl布置在覆蓋柵電極GE的第一絕緣層INSl上。雖然未示出，第一半導(dǎo)體層SMl可包括活性層和歐姆接觸層。
[0067]晶體管TR的源電極SE和漏電極DE布置為在第一半導(dǎo)體層SMl和第一絕緣層INSl上彼此間隔開。第一半導(dǎo)體層SMl形成源電極SE與漏電極DE之間的導(dǎo)電溝道。
[0068]第二半導(dǎo)體層SM2布置在第一電極El與第三電極E3之間的第一絕緣層INSl上。第二半導(dǎo)體層SM2延伸并且布置在覆蓋第一電極El和第三電極E3的第一絕緣層INSl上。第二半導(dǎo)體層SM2具有與第一半導(dǎo)體層SMl相同的構(gòu)造。
[0069]第二電極E2布置在第二半導(dǎo)體層SM2上以與第一電極El重疊。第四電極E4布置在第二半導(dǎo)體層SM2上并且與第三電極E3重疊。
[0070]如在圖3中示出的，第一電極El延伸至其上布置第二接觸孔CH2的區(qū)。如在圖5中示出的，第二電極E2延伸至布置在第二像素電極PE2的中心部分上的第三接觸孔CH3。
[0071]第一電容器CPl通過彼此重疊的第一電極El和第二電極E2、布置在第一電極El和第二電極E2之間的第一絕緣層INS1、和第二半導(dǎo)體層SM2形成。
[0072]第二電容器CP2通過彼此重疊的第三電極E3和第四電極E4、布置在第三電極E3和第四電極E4之間的第一絕緣層INSl、和第二半導(dǎo)體層SM2形成。
[0073]在第一電容器CPl與第二電容器CP2之間的第二半導(dǎo)體層SM2形成電阻。在下文中，在第一電容器CPl與第二電容器CP2之間的第二半導(dǎo)體層SM2被稱為電阻器R。
[0074]數(shù)據(jù)線DLj和數(shù)據(jù)線DLj+Ι布置在第一絕緣層INSl上。第二絕緣層INS2布置在第一絕緣層INSl上并覆蓋晶體管TR、第一電容器CPl和第二電容器CP2、電阻器R、以及數(shù)據(jù)線DLj和數(shù)據(jù)線DLj+Ι。第二絕緣層INS2可被稱為鈍化膜。第二絕緣層INS2可以是包括無機(jī)材料的無機(jī)絕緣膜。
[0075]濾色器布置在第二絕緣層INS2上。如上所述，濾色器CF在第二方向DR2上延伸并與在第二方向DR2上排布的像素重疊。如在圖3中示出的，濾色器CF的邊界線可被布置為在其上布置有數(shù)據(jù)線DLj和數(shù)據(jù)線DLj+Ι的非像素區(qū)域NPA中彼此接觸。
[0076]形成穿透濾色器CF和第二絕緣層INS2并暴露漏電極DE的預(yù)定區(qū)的第一接觸孔CHl0形成穿透濾色器CF以及第一絕緣層INSl和第二絕緣層INS2并暴露第一電極El的預(yù)定區(qū)的第二接觸孔CH2。通過第二接觸孔CH2暴露的第一電極El的區(qū)域是不與第二電極E2重疊的區(qū)域。形成穿透濾色器CF和第二絕緣層INS2、延伸至第二像素電極PE2的中心部分并暴露第二電極E2的預(yù)定區(qū)的第三接觸孔CH3。
[0077]第一像素電極PEl布置在第一像素區(qū)域PAl中的濾色器CF上。第二像素電極PE2布置在第二像素區(qū)域PA2中的濾色器CF上。
[0078]從第一像素電極PEl分支到非像素區(qū)域NPA中的連接電極CNE通過第一接觸孔CHl電連接至晶體管TR的漏電極DE。連接電極CNE通過第二接觸孔CH2連接至第一電容器CPI的第一電極El。第二電極E2延伸以通過第三接觸孔CH3電連接至第二像素電極PE2的中心部分。
[0079]第二基板120包括第二基底基板SUB2以及布置在第二基底基板SUB2下面的黑矩陣BM、保護(hù)層0C、和公共電極CE。第二基底基板SUB2可由與第一基底基板SUBl相同的材料制成。
[0080]黑矩陣BM布置在非像素區(qū)域NPA中的第二基底基板SUB2下面。保護(hù)層OC布置在第二基底基板SUB2下面并且覆蓋黑矩陣BM。保護(hù)層OC可以是絕緣膜。
[0081]公共電極CE布置在保護(hù)層OC下面。公共電極CE被施加公共電壓。在一個(gè)實(shí)施方式中，公共電壓和存儲(chǔ)電壓可以是相同的電壓電平。在另一個(gè)實(shí)施方式中，存儲(chǔ)電壓可具有與公共電壓不同的電壓電平。
[0082]第一液晶電容器CLCl通過彼此面對(duì)的第一像素電極PEl和公共電極CE、以及布置在第一像素電極PEl與公共電極CE之間的液晶層LC形成。第二液晶電容器CLC2通過彼此面對(duì)的第二像素電極PE2和公共電極CE、以及布置在第二像素電極PE2與公共電極CE之間的液晶層LC形成。
[0083]圖6示出了在圖1中示出的像素的等效電路圖。像素PXij連接至柵極線GLi和數(shù)據(jù)線DLj。像素PXij包括第一子像素SPXl和第二子像素SPX2。
[0084]第一子像素SPXl包括連接至柵極線GLi和數(shù)據(jù)線DLj的晶體管TR、以及連接至晶體管TR的第一液晶電容器CLCl。晶體管TR的柵電極GE連接至柵極線GLi。晶體管TR的源電極SE連接至數(shù)據(jù)線DLj。晶體管TR的漏電極DE連接至第一液晶電容器CLCl的第一像素電極PEI。
[0085]第二子像素SPX2包括連接至第一液晶電容器CLCl的第一電容器CPl、連接至第一電容器CPl的第二液晶電容器CLC2、連接至第一電容器CPl的電阻器R、和連接至電阻器R的第二電容器CP2。第一電容器CPl的第一電極El連接至第一液晶電容器CLCl的第一像素電極PEI。第一電容器CPl的第二電極E2連接至第二液晶電容器CLC2的第二像素電極PE2。第一電容器CPl連接至電阻器R的一端，并且第二電容器CP2連接至電阻器R的另一端。第二電容器CP2的第三電極E3連接至存儲(chǔ)線SLi。
[0086]如上所述，公共電極CE被施加公共電壓，并且存儲(chǔ)線GLi被施加存儲(chǔ)電壓。因此，存儲(chǔ)電壓被施加至第二電容器CP2的第三電極E3。
[0087]柵極信號(hào)通過柵極線GLi施加至晶體管TR的柵電極GE。晶體管TR通過柵極信號(hào)導(dǎo)通。導(dǎo)通的晶體管TR通過數(shù)據(jù)線DLj接收數(shù)據(jù)電壓并將所接收的電壓施加至第一液晶電容器CLCl的第一像素電極PE1。第一液晶電容器CLCl利用與數(shù)據(jù)電壓和公共電壓之間的電平差對(duì)應(yīng)的第一像素電壓來充電。
[0088]因?yàn)閺牡谝幌袼仉姌OPEl分支出的連接電極CNE連接至晶體管TR的漏電極DE和第一電容器CPl的第一電極El，所以數(shù)據(jù)電壓施加至第一電容器CPl的第一電極El。因?yàn)榈谝浑娙萜鰿Pl的第二電極E2連接至第二液晶電容器CLC2的第二像素電極PE2，所以第一電容器CPl和第二液晶電容器CLC2基本上具有串聯(lián)連接構(gòu)造。在該情況下，與數(shù)據(jù)電壓和公共電壓之間的電平差對(duì)應(yīng)的第一像素電壓被分配為對(duì)第一電容器CPl和第二液晶電容器CLC2進(jìn)行充電。換言之，電荷被分配至第一電容器CPl和第二液晶電容器CLC2。因此，第二液晶電容器CLC2利用低于第一像素電壓的第二像素電壓來充電。
[0089]在晶體管TR的導(dǎo)通狀態(tài)中，由第二半導(dǎo)體層SM2形成的電阻器R具有高電阻值，因此電流可不流向第二電容器CP2。當(dāng)晶體管TR截止時(shí)，第二液晶電容器CLC2和第二電容器CP2共享穿過電阻器R的電荷。因此，在第二液晶電容器CLC2中充入的第二像素電壓會(huì)變得更小。
[0090]第一子像素SPXl利用第一像素電壓來充電，并且第二子像素SPX2利用小于第一像素電壓的第二像素電壓來充電。當(dāng)在第一子像素SPXl和第二子像素SPX2中充入不同電平的像素電壓時(shí)，注視顯示設(shè)備的人眼識(shí)別兩個(gè)像素電壓的中間值。因此，可防止顯示設(shè)備的側(cè)視角由于伽瑪曲線在中間灰度級(jí)或者更小灰度級(jí)處的變形而劣化。因?yàn)榈谝蛔酉袼豐PXl和第二子像素SPX2利用不同的像素電壓來充電，所以可改善顯示設(shè)備的可視性。
[0091]與參考圖1至圖6示出的當(dāng)前實(shí)施方式相比，以下將說明電阻器分配結(jié)構(gòu)(resistor distribut1n structure)。在電阻器分配結(jié)構(gòu)中，第一子像素可包括接收數(shù)據(jù)電壓的第一晶體管和連接至第一晶體管的第一液晶電容器。第二子像素可包括接收數(shù)據(jù)電壓的第二晶體管、連接至第二晶體管的第二液晶電容器、和連接至第二晶體管并接收存儲(chǔ)電壓的第三晶體管。第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管可連接至相同的柵極線并同時(shí)導(dǎo)通。第一晶體管和第二晶體管連接至相同的數(shù)據(jù)線。在電阻器分配結(jié)構(gòu)中，第一晶體管向第一液晶電容器提供數(shù)據(jù)電壓。第一液晶電容器利用與數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的像素電壓來充電。第二晶體管接收數(shù)據(jù)電壓，并且第三晶體管接收存儲(chǔ)電壓。在該情況下，第二晶體管和第三晶體管的連接點(diǎn)的電壓具有與存儲(chǔ)電壓和數(shù)據(jù)電壓的中間電平對(duì)應(yīng)的電壓值。因此，第二液晶電容器利用比第一液晶電容器的像素電壓低的像素電壓來充電。
[0092]在電阻器分配結(jié)構(gòu)中，像素可包括:第一晶體管、第二晶體管、和第三晶體管，將第一晶體管和第一像素電極彼此連接的接觸孔，將第二晶體管和第二像素電極彼此連接的接觸孔，將第三晶體管和從存儲(chǔ)線分支出的分支電極彼此連接的接觸孔。在電阻器分配結(jié)構(gòu)中，三個(gè)晶體管和三個(gè)接觸孔布置在第一像素區(qū)域與第二像素區(qū)域之間的非像素區(qū)域上。
[0093]隨著可用的晶體管和接觸孔的數(shù)量增加，需要用于布置晶體管和接觸孔的更大的區(qū)，導(dǎo)致非像素區(qū)域的增加。在該情況下，第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域相對(duì)減小。
[0094]與電阻器分配結(jié)構(gòu)相比，本公開包括布置在第一像素區(qū)域PAl和第二像素區(qū)域PA2之間的非像素區(qū)域NPA上的一個(gè)晶體管TR和兩個(gè)接觸孔CHl和CH2。因?yàn)榭捎玫木w管和接觸孔的數(shù)量減少，與電阻器分配結(jié)構(gòu)相比，非像素區(qū)域可減小。因?yàn)榉窍袼貐^(qū)域減小，所以第一像素區(qū)域PAl和第二像素區(qū)域PA2可相對(duì)增大。因此，像素PXl1-PXmn的開口率增加，并且可改善透光率。因此，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示設(shè)備可增加開口率以通過增加開口率來改善透光率。
[0095]本文已公開了示例性實(shí)施方式。雖然使用了特定術(shù)語，但它們僅用于并被解釋為一般性和說明性的含義而并非用于限制的目的。在某些情況下，如對(duì)本申請(qǐng)?zhí)峤坏念I(lǐng)域的普通技術(shù)人員顯而易見的，結(jié)合【具體實(shí)施方式】描述的特征、特性和/或元件可單獨(dú)地使用或者與結(jié)合其他實(shí)施方式描述的特征、特性和/或元件相組合，除非另外明確表示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不背離本公開的精神和范圍的情況下，可做出在形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示設(shè)備，包括多個(gè)像素，其中，所述多個(gè)像素中的每一個(gè)包括: 第一子像素，包括連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的晶體管、和連接至所述晶體管的第一液晶電容器，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線彼此交叉并且彼此絕緣；以及 第二子像素，包括連接至所述第一液晶電容器的第一電容器、連接至所述第一電容器的第二液晶電容器、連接至所述第一電容器的電阻器、和連接至所述電阻器的第二電容器。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述晶體管包括: 柵電極，連接至所述柵極線； 源電極，連接至所述數(shù)據(jù)線；以及 漏電極，連接至所述第一液晶電容器。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一液晶電容器包括: 第一像素電極，連接至所述漏電極； 公共電極，布置為面向所述第一像素電極；以及 液晶層，布置在所述第一像素電極與所述公共電極之間。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一電容器包括: 第一電極，連接至所述第一像素電極；以及 第二電極，布置為與所述第一電極絕緣并且與所述第一電極重疊。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一電極布置在與所述柵電極相同的層上，并且所述第二電極布置在與所述源電極和所述漏電極相同的層上。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二液晶電容器包括: 第二像素電極，連接至所述第二電極； 所述公共電極，布置為面向所述第二像素電極；以及 所述液晶層，布置在所述第二像素電極與所述公共電極之間。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中，所述多個(gè)像素中的每一個(gè)進(jìn)一步包括平面區(qū)域，并且其中，所述平面區(qū)域包括: 第一像素區(qū)域，所述第一像素電極布置在所述第一像素區(qū)域上； 第二像素區(qū)域，所述第二像素電極布置在所述第二像素區(qū)域上；以及 非像素區(qū)域，形成在所述第一像素區(qū)域和所述第二像素區(qū)域周圍， 其中，所述晶體管、所述第一電容器、所述第二電容器、和所述電阻器布置在所述第一像素區(qū)域與所述第二像素區(qū)域之間的所述非像素區(qū)域上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述非像素區(qū)域上的黑矩陣。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二電容器包括布置為彼此絕緣并且彼此重疊的第三電極和第四電極。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中，所述第三電極布置在與所述柵電極相同的層上，并且所述第四電極布置在與所述源電極和所述漏電極相同的層上。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在與所述柵極線相同的層上并且平行于所述柵極線延伸的存儲(chǔ)線，其中，所述第三電極從所述存儲(chǔ)線分支出。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括: 第一基底基板，所述柵電極、所述第一電極、和所述第三電極布置在所述第一基底基板上； 第一絕緣層，布置在所述第一基底基板上并且覆蓋所述柵電極、所述第一電極、和所述第三電極； 第一半導(dǎo)體層，布置在所述第一絕緣層上并且覆蓋所述柵電極； 第二半導(dǎo)體層，布置在所述第一電極與第三電極之間的所述第一絕緣層上并且覆蓋所述第一電極和所述第三電極； 第二絕緣層，布置在所述第一絕緣層上并且覆蓋所述晶體管、所述第一電容器、所述第二電容器、和所述第二半導(dǎo)體層；以及 濾色器，沿行方向延伸并且與沿所述行方向排布的像素重疊， 其中，布置在所述第一電容器與所述第二電容器之間的所述第一絕緣層上的所述第二半導(dǎo)體層形成所述電阻器。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK105892179SQ201511001158
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2015年12月28日
【發(fā)明人】金勛, 申旗澈, 韓民主
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司