具有改善的電場發(fā)生的顯示裝置的制造方法
【專利摘要】提供了具有改善的電場發(fā)生的顯示裝置。本發(fā)明涉及一種能夠更穩(wěn)定地形成水平電場的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置包括：基底；薄膜晶體管，設置在基底上；微腔，具有第一側、與第一側相對的第二側和在第一側與第二側之間延伸的上表面；像素電極，連接至薄膜晶體管并沿第一側設置；共電極，沿第二側延伸；頂層，覆蓋像素電極、共電極和微腔的上表面；液晶層，設置在微腔中。
【專利說明】具有改善的電場發(fā)生的顯示裝置
[0001 ] 本申請要求于2015年4月21日在韓國知識產權局提交的第10-2015-0056031號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。
技術領域
[0002]本發(fā)明的實施例總體涉及顯示裝置。更具體地講，本發(fā)明的實施例涉及具有改善的電場發(fā)生的顯示裝置。
【背景技術】
[0003]液晶顯示器是已經發(fā)現(xiàn)廣泛接受性的一種平板顯示器。液晶顯示器具有其上形成有諸如像素電極和共電極的場發(fā)生電極的兩個顯示面板，以及置于面板之間的液晶層。向場發(fā)生電極施加電壓以在液晶層中產生電場，并且由此電場來確定液晶層的液晶分子的取向。因此，控制入射光的偏振，從而執(zhí)行圖像顯示。
[0004]形成液晶顯示器的兩個顯示面板可以是薄膜晶體管陣列面板和對向顯示面板。在薄膜晶體管陣列面板中，發(fā)送柵極信號的柵極線和發(fā)送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線彼此交叉地形成，并具有連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管以及連接到薄膜晶體管的像素電極。對向顯示面板可以包括阻光構件、濾色器、共電極等。如果需要，阻光構件、濾色器和共電極可以形成在薄膜晶體管陣列面板中。
[0005]然而，在傳統(tǒng)的液晶顯示器中，使用兩個基底導致顯示裝置過于沉重、制造昂貴并且需要過多的時間來制造。
[0006]在該【背景技術】部分中公開的上述信息僅用于增強對發(fā)明的【背景技術】的理解，因此上述信息可能包含不形成對本領域普通技術人員而言在該國已知的現(xiàn)有技術的信息。

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明的實施例提供一種顯示裝置，通過制造具有一個基底的顯示裝置來使該顯示裝置具有減輕的重量、減小的厚度、減少的成本和加工時間。
[0008]另外，本發(fā)明的實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置能夠形成更穩(wěn)定的水平電場。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置包括:基底;薄膜晶體管，設置在基底上；微腔，具有第一側、與第一側相對的第二側和在第一側與第二側之間延伸的上表面;像素電極，連接至薄膜晶體管并沿第一側設置;共電極，沿第二側延伸;頂層，覆蓋像素電極、共電極和微腔的上表面;以及液晶層，設置在微腔中。
[0010]顯示裝置還可以包括設置在基底上的柵極線、參考電壓線和數(shù)據(jù)線。第一電極可以從參考電壓線突出并與共電極疊置，并且共電極可以連接至第一電極。
[0011]參考電壓線可以與柵極線位于同一層中并且可以在與柵極線平行的方向上延伸。
[0012]數(shù)據(jù)線可以在與像素電極和共電極平行的方向上延伸。
[0013]共電極可以與像素電極位于同一層中。
[0014]像素電極的高度可以大于像素電極的厚度。
[0015]共電極的高度可以大于共電極的厚度。
[0016]微腔可以是第一微腔，顯示裝置還可以包括具有第一側和相對的第二側的第二微腔，像素電極可以沿第二微腔的第一側設置，共電極可以沿第二微腔的第二側設置。
[0017]像素電極和共電極均可以具有:第一部分，沿第一方向定向；以及第二部分，連接至第一部分并且沿與第一方向不同的第二方向定向。
[0018]數(shù)據(jù)線可以具有:第一部分，沿第一方向定向；以及第二部分，連接至第一部分并且沿與第一方向不同的第二方向定向。
[0019]制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的方法包括:在基底上形成薄膜晶體管;在薄膜晶體管上形成鈍化層;在鈍化層上形成犧牲層;沿犧牲層的相對的側面形成像素電極和共電極;在像素電極、共電極和犧牲層上形成頂層;去除犧牲層以形成微腔;將液晶材料注入到微腔中。
[0020]所述方法還可以包括:在鈍化層中形成第一接觸孔以暴露薄膜晶體管的至少一部分，并通過第一接觸孔將像素電極連接至薄膜晶體管。
[0021]所述方法還可以包括:在基底上形成參考電壓線和第一電極，第一電極從參考電壓線突出；在鈍化層中形成第二接觸孔以暴露第一電極的至少一部分，并通過第二接觸孔將共電極連接至第一電極。
[0022]所述方法還可以包括:在基底上形成柵極線和數(shù)據(jù)線，并且參考電壓線和第一電極可以與柵極線位于同一層中。
[0023]參考電壓線可以在與柵極線平行的方向上延伸。
[0024]像素電極和共電極可以大致彼此平行地延伸。
[0025]共電極可以與像素電極位于同一層中。
[0026]像素電極的高度可以大于像素電極的厚度。
[0027]共電極的高度可以大于共電極的厚度。
[0028]像素電極和共電極均可以具有:第一部分，沿第一方向定向；以及第二部分，連接至第一部分并且沿與第一方向不同的第二方向定向。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置具有以下效果。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置通過使用一個基底來制造，使得可以減輕重量、減小厚度、減少成本和加工時間。
[0031]另外，像素電極和共電極設置在微腔的兩側，像素電極和共電極的高度大于厚度，從而在水平方向上形成穩(wěn)定的電場。
【附圖說明】
[0032]圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的一個像素的平面圖。
[0033]圖2是沿圖1的線I1-1I截取的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。
[0034]圖3是沿圖1的線II1-1II截取的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。
[0035]圖4至圖17是制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的方法的工藝剖視圖。
[0036]圖18是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的一個像素的平面圖。
【具體實施方式】
[0037]在下文中，將參照示出發(fā)明的示例性實施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。如本領域技術人員將認識到的那樣，在全部不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例。
[0038]在附圖中，為了清楚，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。因此，各幅附圖不是按比例繪制的。在整個說明書中，同樣的附圖標記指示同樣的元件。將理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。
[0039]所有的數(shù)值性的值是近似的，并且可以變化。具體材料和組合物的所有示例被認為是非限制性的，并且僅為示例性的?？梢允褂闷渌线m的材料和組合物代替。
[0040]將參照圖1至圖3描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置。
[0041]圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的一個像素的平面圖；圖2是沿圖1的線I1-1I截取的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的剖視圖；圖3是沿圖1的線II1-1II截取的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。
[0042]參照圖1至圖3，柵極線121和從柵極線121突出的柵電極124形成在由諸如透明玻璃或塑料的材料制成的絕緣基底110上。
[0043]柵極線121傳輸柵極信號并且主要沿水平方向延伸。
[0044]另外，參考電壓線131和從參考電壓線131突出的第一電極135形成在基底110上。參考電壓線131和第一電極135可以與柵極線121位于同一層中并且可以由與柵極線121的材料相同的材料制成。參考電壓線131通常與柵極線121平行地延伸。第一電極135以相對于參考電壓線131的預定角度被定向，并且就此在近似豎直的方向上延伸。
[0045]參考電壓線131傳輸諸如共電壓的預定電壓。第一電極135連接至參考電壓線131，從而接收來自參考電壓線131的預定電壓。
[0046]柵極絕緣層140形成在柵極線121和柵電極124上。柵極絕緣層140可以由諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)的無機絕緣材料制成。此外，柵極絕緣層140可以由單層或多層制成。
[0047]半導體154形成在柵極絕緣層140上。半導體154可以位于柵電極124上。如果需要，半導體154可以位于數(shù)據(jù)線171下面。半導體154可以由非晶硅、多晶硅或金屬氧化物制成。
[0048]在半導體154上還可以形成歐姆接觸件(未示出)。歐姆接觸件可以由硅化物或者摻雜有高濃度的η型雜質的η+氫化非晶硅制成。
[0049]數(shù)據(jù)線171和與數(shù)據(jù)線171分開的漏電極175形成在半導體154和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括源電極173，源電極173和漏電極175被設置為在半導體154上方彼此面對。
[0050]數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并且主要在豎直方向上延伸，從而與柵極線121交叉。數(shù)據(jù)線171可以與第一電極135沿同一方向延伸。
[0051]如圖1中所示，源電極173不從數(shù)據(jù)線171突出，而是可以簡單地為數(shù)據(jù)線171的一部分。漏電極175可以包括與源電極173或數(shù)據(jù)線171大致平行地延伸的桿狀部以及與桿狀部相對的延伸部。
[0052]柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154—起共同地形成薄膜晶體管(TFT)。薄膜晶體管可以用作傳輸數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓的開關元件。在這種情況下，薄膜晶體管的溝道形成在位于源電極173和漏電極175之間的半導體154中。
[0053 ] 鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175以及暴露在源電極173和漏電極175之間的半導體154上。鈍化層180可以由有機絕緣材料或無機絕緣材料制成，并且可以由單層或多層形成。
[0054]濾色器230和阻光構件220形成在鈍化層180上。
[0055]濾色器230分別位于多個像素中，并且每個濾色器230可以顯示諸如三原色紅、綠和藍之一的一種原色。濾色器230不限于三原色紅、綠和藍，還可以顯示藍綠、品紅、黃和白色系顏色。任何顏色都考慮。
[0056]阻光構件220可以位于像素的邊界上。即，阻光構件220形成在相鄰的濾色器230之間的區(qū)域中。阻光構件220形成在像素和薄膜晶體管的邊界上以防止光泄漏。
[0057]第一絕緣層240還可以形成在濾色器230和阻光構件220上。第一絕緣層240可以由有機絕緣材料制成并且可以具有使濾色器230和阻光構件220的上表面平坦化的功能。第一絕緣層240可以由雙層結構制成，該雙層結構包括由有機絕緣材料制成的層和由無機絕緣材料制成的層。另外，如果需要，可以省略第一絕緣層240。
[0058]第一接觸孔181穿過鈍化層180、阻光構件220和第一絕緣層240而形成。第一接觸孔181可以暴露薄膜晶體管的至少一部分，特別是漏電極175的至少一部分。
[0059]另外，第二接觸孔183穿過柵極絕緣層140、鈍化層180、濾色器230和第一絕緣層240而形成。第二接觸孔183可以暴露第一電極135的至少一部分。
[0060]像素電極191和共電極270形成在第一絕緣層240上。像素電極191和共電極270可以位于同一層中并且可以由同一材料制成。像素電極191和共電極270可以由諸如氧化銦錫(ΙΤ0)或氧化銦鋅(IZO)的透明金屬氧化物制成。另外，像素電極191和共電極270可以由不透明的金屬材料制成。
[0061]微腔305位于像素電極191和共電極270之間。即，像素電極191和共電極270位于微腔305的側面，并且微腔305被像素電極191和共電極270包圍。
[0062]像素電極191可以位于一個像素的兩個邊緣處，并且可以主要沿豎直方向延伸。共電極270可以位于一個像素的中心處，并且可以主要沿豎直方向延伸。即，像素電極191沿共電極270的兩個相對側設置。微腔305均位于共電極270的一側和像素電極191之間。即，被共電極270分開的兩個微腔305位于一個像素中。然而，本發(fā)明不限于此，多于兩個的微腔305可以位于一個像素中。
[0063]參照圖1，在平面圖中，像素電極191和共電極270均被形成為具有延長的條形。像素電極191和共電極270在彼此平行的方向上延伸。另外，像素電極191和共電極270可以在平行于數(shù)據(jù)線171的方向上延長，并且可以在平行于第一電極135的方向上延伸。
[0064]參照圖3，在該剖視圖中，像素電極191的高度hi大于其厚度tl(S卩，其材料層的厚度)，共電極270的高度h2也大于其厚度t2。像素電極191的高度hi和共電極270的高度h2與微腔305的高度和盒間隙(cellgap)兩者對應。
[0065]像素電極191與漏電極175的一部分疊置并且通過第一接觸孔181連接至漏電極175。因此，像素電極191通過第一接觸孔181連接至薄膜晶體管并且當薄膜晶體管導通時通過數(shù)據(jù)線171接收數(shù)據(jù)電壓。
[0066]共電極270與第一電極135疊置并且通過第二接觸孔183連接至第一電極135。因此，共電極270通過參考電壓線131接收預定電壓。
[0067]由液晶分子310制成的液晶層形成在微腔305中。液晶分子310可以在相對于基底110的水平方向上傾斜或定向。即，可以實現(xiàn)水平取向。使液晶分子310進行取向的取向層(未示出)可以形成在微腔305中。取向層可以被形成為接觸像素電極191和共電極270。
[0068]如果像素電極191接收數(shù)據(jù)電壓，共電極270接收其他預定電壓，則在像素電極191和共電極270之間產生電場。因此，根據(jù)液晶分子310的引導方向(induced direct1n)改變位于微腔305中的液晶分子310的方向和經過液晶層的光的亮度。
[0069]當像素電極191和共電極270的高度大于相應的厚度時，可以穩(wěn)定地形成水平電場。更通常地，像素電極191和共電極270被形成為相對薄，并且被定向成使得產生的電場除了具有可能存在的任何豎直分量之外還具有顯著的水平分量。在本示例性實施例中，像素電極191和共電極270位于液晶分子310的相對側上。因此，液晶分子310受像素電極191和共電極270之間產生的水平電場的控制，從而進一步實現(xiàn)穩(wěn)定控制。
[0070]第二絕緣層350還可以形成在像素電極191、共電極270和微腔305上。第二絕緣層350可以由諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)的無機絕緣材料制成，如果需要可以省略第二絕緣層350。
[0071]頂層360形成在第二絕緣層350上。頂層360可由有機材料制成。頂層360被形成為覆蓋每個微腔305的上表面以及側面的一部分。頂層360可以通過硬化工藝來硬化以保持微腔305的形狀。
[0072]頂層360被形成為不覆蓋每個微腔305的一個側面的一部分，未覆蓋的部分被稱作注入孔307。在顯示裝置的制造工藝中，通過注入孔307暴露微腔305的一部分，使得取向材料或液晶材料可以通過注入孔307注入到微腔305中。
[0073]第三絕緣層370還可以形成在頂層360上。第三絕緣層370可以由諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)的無機絕緣材料形成。第三絕緣層370可以形成為覆蓋頂層360的上表面和/或側面。第三絕緣層370保護頂層360并且如有需要可以省略第三絕緣層370。
[0074]覆蓋件390形成在第三絕緣層370上。覆蓋件390形成為覆蓋使微腔305的一部分暴露的注入孔307。即，覆蓋件390可以密封微腔305，使得包含在微腔305中的液晶分子310不會泄漏。覆蓋件390與液晶分子310接觸，所以優(yōu)選的是，覆蓋件390由不與液晶分子310反應的材料形成。例如，覆蓋件390可以由聚對二甲苯制成。
[0075]覆蓋件390可以是諸如雙層結構或三層結構的多層結構。雙層包括由不同材料制成的兩個層。三層包括三個層，并且兩個相鄰層的材料彼此不同。例如，覆蓋件390可以包括由有機絕緣材料制成的層和由無機絕緣材料制成的層。
[0076]盡管未在附圖中示出，但還可以在顯示裝置的上表面和下表面上形成偏振器。偏振器可以形成為第一偏振器和第二偏振器兩者。第一偏振器可以附于基底110的下表面，第二偏振器可以附于覆蓋件390。
[0077]接著，將參照圖4至圖17以及圖1來描述制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的方法。
[0078]圖4至圖17是示出制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的方法的工藝剖視圖。圖4、圖6、圖8、圖10、圖12、圖14和圖16是同樣的剖視圖。圖5、圖7、圖9、圖11、圖13、圖15和圖17是同樣的剖視圖。
[0079]首先，如圖4和圖5中所示，在由玻璃或塑料制成的基底110上形成柵極線121和從柵極線121突出的柵電極124。柵極線121主要在水平方向上延伸。
[0080]另外，形成與柵極線121分開的參考電壓線131和從參考電壓線131突出的第一電極135。參考電壓線131和第一電極135可以與柵極線121在同一工藝中形成并且可以由與柵極線121的材料相同的材料制成。
[0081]可以在與柵極線121平行的方向上形成參考電壓線131。第一電極135主要在豎直方向上延伸。
[0082]在柵極線121、柵電極124、參考電壓線131和第一電極135上形成柵極絕緣層140。柵極絕緣層140可以由諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)的無機絕緣材料制成，并且可以制造成單層或多層。
[0083]如圖6和圖7中所示，在柵極絕緣層140上沉積諸如非晶硅、多晶硅或金屬氧化物的半導體材料并使其圖案化以形成半導體154。將半導體154形成為與柵電極124疊置。
[0084]接著，沉積金屬材料并使其圖案化以形成數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175。金屬材料可以由單層或多層制成。
[0085]可以將數(shù)據(jù)線171形成為在大致豎直的方向上延伸，數(shù)據(jù)線171可以在與第一電極135平行的方向上延伸。
[0086]源電極173被連接至數(shù)據(jù)線171，并且可以簡單地為數(shù)據(jù)線171的一部分。源電極
173和漏電極175可以位于柵電極124上。源電極173和漏電極175在柵電極124上彼此分開。
[0087]可以沉積半導體材料和金屬材料并且同時使其圖案化以形成半導體154、數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175。在這種情況下，半導體154也形成在數(shù)據(jù)線171下面。
[0088]柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154—起共同形成薄膜晶體管(TET)。
[0089]如圖8和圖9中所示，在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和暴露在源電極173與漏電極175之間的半導體154上形成鈍化層180。鈍化層180可以由有機絕緣材料或無機絕緣材料形成，并且可以由單層或多層制成。
[0090]接著，在鈍化層180上形成濾色器230。在每個像素中形成濾色器230，可以沿列方向在不同的像素中形成具有相同顏色的濾色器230。在形成具有三種顏色的濾色器230的情況下，首先可以形成具有第一顏色的第一濾色器230，然后可以通過使掩模移位來形成具有第二顏色的第二濾色器230，再而可以通過使掩模移位來形成具有第三顏色的第三濾色器230。
[0091]接著，通過使用能夠阻擋光的材料，在鈍化層180上形成阻光構件220。阻光構件220可以沿每個像素的邊界形成并且可以形成在薄膜晶體管上?？梢詫⒆韫鈽嫾?20形成為與柵極線121、參考電壓線131和數(shù)據(jù)線171疊置。
[0092]接著，在濾色器230和阻光構件220上形成第一絕緣層240。第一絕緣層240由有機絕緣材料形成，從而使濾色器230和阻光構件220的上表面平坦化。另外，第一絕緣層240可以由包括由有機絕緣材料制成的層和由無機絕緣材料制成的層的雙層制成。
[0093]使鈍化層180、阻光構件220和第一絕緣層240圖案化以形成暴露漏電極175的至少一部分的第一接觸孔181。另外，使柵極絕緣層140、鈍化層180、濾色器230和第一絕緣層240圖案化以形成暴露第一電極135的至少一部分的第二接觸孔183。
[0094]如圖10和圖11中所示，在第一絕緣層240上形成犧牲層300。在每個像素中形成犧牲層300。將犧牲層300圖案化以使其不形成在第一電極135和數(shù)據(jù)線171上。即，從第一電極135和數(shù)據(jù)線171上方去除(或者在第一電極135和數(shù)據(jù)線171上方從未曾沉積)犧牲層300。
[0095]在圖12中，并如圖13中所示，在犧牲層300上沉積諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明金屬氧化物或者不透明的金屬材料并使其圖案化以形成像素電極191和共電極 270。
[0096]將像素電極191和共電極270形成為覆蓋犧牲層300的側面。像素電極191可以位于一個像素的兩個邊緣處并且主要在豎直方向上延伸。將像素電極191形成為覆蓋犧牲層300的鄰近于或緊挨著數(shù)據(jù)線171的側面。共電極270可以位于一個像素的中心處并且主要在豎直方向上延伸。將共電極270形成為覆蓋犧牲層300的鄰近于第一電極135的側面。
[0097]以延長的條形形成像素電極191和共電極270。像素電極191和共電極270彼此平行地延伸。另外，像素電極191和共電極270可以與數(shù)據(jù)線171平行地延伸并且也可以與第一電極135平行地延伸。
[0098]像素電極191的高度hi大于其厚度tl，共電極270的高度h2大于其厚度t2。像素電極191的高度hi和共電極270的高度h2與犧牲層300的高度對應。
[0099]像素電極191形成為與漏電極175的一部分疊置并且通過第一接觸孔181連接至漏電極175。共電極270形成為與第一電極135疊置并且通過第二接觸孔183連接至第一電極
135。
[0100]如圖14和圖15中所示，在像素電極191、共電極270和犧牲層300上形成第二絕緣層350。第二絕緣層350可以由諸如氧化硅或氮化硅的無機絕緣材料制成。
[0101]接著，在第二絕緣層350上涂覆有機材料并且使其圖案化以形成頂層360?？梢允褂袡C材料圖案化，以去除與柵極線121、參考電壓線131和薄膜晶體管疊置的部分。將頂層360形成為覆蓋犧牲層300的上表面以及側面的一部分。此外，將頂層360形成為覆蓋像素電極191和共電極270。使頂層360形成為不覆蓋犧牲層300的所述側面的剩余部分(例如，從犧牲層300的所述側面的所述剩余部分去除頂層360)。
[0102]在形成頂層360之后，將光照射在頂層360上以執(zhí)行固化工藝。如果執(zhí)行固化工藝，則頂層360硬化使得即使在頂層360之下形成空的空間，也可以保持頂層360的形狀。
[0?03]接著，可以在頂層360上形成由諸如氮化娃或氧化娃的無機絕緣材料制成的第三絕緣層370。
[0104]如圖16和圖17中所示，通過在基底110上的使犧牲層300暴露的地方涂敷顯影劑溶液或剝離劑溶液來完全去除犧牲層300。也可以通過灰化工藝來完全去除犧牲層300。
[0105]當去除犧牲層300時，在犧牲層300位于的部分處產生微腔305。像素電極191和共電極270分別位于每個微腔305的兩側處，并且每個微腔305被其各自的像素電極191和共電極270所包圍。即，每個微腔305位于各自的像素電極191和共電極270之間。
[0106]每個微腔305的一部分通過頂層360被去除的部分而暴露，每個暴露的部分被稱作注入孔307。
[0107]接著，通過旋涂法或噴墨法將包含取向材料的取向劑滴在基底110上，并且通過注入孔307將取向劑注入到每個微腔305中。在取向劑被注入到微腔305中之后，執(zhí)行硬化工藝使得取向材料的溶液組分(即，溶劑)蒸發(fā)并且取向材料保留在微腔305的內壁處，從而形成取向層(未示出)。
[0108]接著，通過旋涂法或噴墨法將液晶材料滴到基底110上，并且借助毛細管力將液晶材料通過注入孔307注入到微腔305內部。因此，在每個微腔305內部形成由液晶分子310制成的液晶層。
[0109]接著，沉積不與液晶分子310反應的材料以形成覆蓋件390。將覆蓋件390形成為覆蓋注入孔307以密封微腔305，使得形成在微腔305內部的液晶分子310不從微腔305泄漏。
[0110]接著，雖然未示出，但還可以將偏振器附于顯示裝置的上側和下側。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以附于基底110的下側，第二偏振器可以附于覆蓋件390。
[0111]接著，將參照圖18描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置。
[0112]圖18中所示的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置與圖1至圖3中所示的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置大致相同。與先前的示例性實施例不同，在本示例性實施例中，像素電極和共電極可以具有彎曲的形狀。
[0113]圖18是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的一個像素的平面圖。
[0114]與先前的示例性實施例一樣，像素電極191和共電極270平行延伸。
[0115]盡管在先前的示例性實施例中像素電極191和共電極270在一個像素內部沿一個方向延伸，但本實施例的像素電極191和共電極270在每個像素區(qū)域中具有彎曲的形狀。如圖18中所示，像素電極191和共電極270可以具有在一個像素的中心處彎曲一次的形狀。結果，一個像素可以相對于像素電極191和共電極270被彎曲的部分而劃分為兩個疇。在兩個疇中，液晶分子310的取向方向彼此不同，從而改善顯示裝置的可視性。
[0116]數(shù)據(jù)線171在與像素電極191和共電極270平行的方向上延伸。因此，與像素電極191和共電極270—樣，數(shù)據(jù)線171在每個像素處具有彎曲，S卩，對于每個像素區(qū)域具有在兩個不同的方向上延伸的兩個不同的部分。
[0117]在本示例性實施例中，像素電極191和共電極270在每個像素中彎曲一次。然而，本發(fā)明不限于此。而是，像素電極191和共電極270可以彎曲兩次或更多次。
[0118]盡管已經結合目前被認為是實際的示例性實施例的內容描述了本發(fā)明，但將理解的是，本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反，本發(fā)明意在覆蓋包括在所附權利要求的精神和范圍內的各種修改和等同布置。上述的和其他實施例的各種特征可以以任何方式混合和匹配，以產生與發(fā)明一致的進一步的實施例。
[0119]〈符號的描述〉
[0120]121:柵極線 131:參考電壓線
[0121]135:第一電極171:數(shù)據(jù)線
[0122]191:像素電極270:共電極
[0123]300:犧牲層 305:微腔
[0124]307:注入孔 310:液晶分子
[0125]360:頂層 390:覆蓋件
【主權項】
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括: 基底； 薄膜晶體管，設置在所述基底上； 微腔，具有第一側、與所述第一側相對的第二側和在所述第一側與所述第二側之間延伸的上表面； 像素電極，連接至所述薄膜晶體管并沿所述第一側設置； 共電極，沿所述第二側延伸； 頂層，覆蓋所述像素電極、所述共電極和所述微腔的所述上表面； 液晶層，設置在所述微腔中。2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括: 柵極線、參考電壓線和數(shù)據(jù)線，設置在所述基底上；以及 第一電極，從所述參考電壓線突出并與所述共電極疊置， 其中，所述共電極連接至所述第一電極。3.根據(jù)權利要求2所述的顯示裝置，其中: 所述參考電壓線與所述柵極線位于同一層中并且在與所述柵極線平行的方向上延伸。4.根據(jù)權利要求3所述的顯示裝置，其中: 所述數(shù)據(jù)線在與所述像素電極和所述共電極平行的方向上延伸。5.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述共電極與所述像素電極位于同一層中。6.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述像素電極的高度大于所述像素電極的厚度。7.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述共電極的高度大于所述共電極的厚度。8.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述微腔是第一微腔，所述顯示裝置還包括具有第一側和相對的第二側的第二微腔，所述像素電極沿所述第二微腔的所述第一側設置，并且所述共電極沿所述第二微腔的所述第二側設置。9.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述像素電極和所述共電極均具有第一部分和第二部分，所述第一部分沿第一方向定向，所述第二部分連接至所述第一部分并且沿與所述第一方向不同的第二方向定向。10.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置，其中: 所述數(shù)據(jù)線具有第一部分，沿所述第一方向定向；以及第二部分，連接至所述第一部分并且沿與所述第一方向不同的所述第二方向定向。
【文檔編號】G02F1/1343GK106066556SQ201610197336
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年3月31日 公開號201610197336.0, CN 106066556 A, CN 106066556A, CN 201610197336, CN-A-106066556, CN106066556 A, CN106066556A, CN201610197336, CN201610197336.0
【發(fā)明人】韓銀姬, 李熙根
【申請人】三星顯示有限公司