陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置的顯示模式包括扭曲向列型(TN)、垂直配向(VA)、面內(nèi)轉(zhuǎn)換(IPS)和邊緣場轉(zhuǎn)換(FFS)等。像素結(jié)構(gòu)通常根據(jù)不同的顯示模式采用不同的存儲電容結(jié)構(gòu)。例如，TN和VA模式通常采用公共電極線與像素電極之間形成存儲電容。IPS和FFS通常采用在公共電極和像素電極之間形成存儲電容。
[0003]存儲電容的結(jié)構(gòu)關(guān)系像素電壓的穩(wěn)定性，因此直接影響顯示屏的品質(zhì)和良率?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對上述問題，本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例涉及一種陣列基板和顯示裝置，用于降低顯示裝置的串?dāng)_和顯示不良。
[0005]本實(shí)用新型的一個(gè)方面提供了一種陣列基板，包括襯底基板和在所述襯底基板上設(shè)置的柵極金屬層、有源層和源漏金屬層;所述柵極金屬層包括柵線和與所述柵線平行延伸的存儲電極線;所述有源層包括作為TFT溝道區(qū)域的第一圖案和與所述存儲電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的第二圖案，或者所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線圖案和與所述存儲電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的金屬層圖案。
[0006]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述有源層包括作為TFT溝道區(qū)域的第一圖案和與所述存儲電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的第二圖案，并且所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線圖案和與所述存儲電極線在所述基板的厚度方向上至少部分重疊的金屬層圖案。
[0007]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述有源層設(shè)置于所述襯底基板和所述柵極金屬層之間。
[0008]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述柵極金屬層設(shè)置于所述襯底基板和所述有源層之間。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述第二圖案與所述第一圖案連接。
[0010]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述第二圖案包括連接部和與所述連接部連接的重疊部；所述連接部與所述第一圖案連接，所述重疊部與所述存儲電極線在所述基板的厚度方向上重疊。
[0011]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述重疊部設(shè)置于所述存儲電極線與所述數(shù)據(jù)線的交叉位置。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述連接部與所述數(shù)據(jù)線的延伸方向相同，且所述連接部在所述襯底基板的第一主表面的正投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板的第一主表面的正投影之內(nèi)。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，在所述數(shù)據(jù)線的寬度方向上，所述重疊部的尺寸大于所述連接部的尺寸。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述重疊部為板狀結(jié)構(gòu)。
[0015]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述存儲電極線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置包括加寬部。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述加寬部在所述襯底基板的第一主表面上的正投影與所述重疊部在所述襯底基板的第一主表面上的正投影重合。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述金屬層圖案設(shè)置于所述存儲電極線和所述數(shù)據(jù)線的交叉位置。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述金屬層圖案與所述數(shù)據(jù)線為一體結(jié)構(gòu)。
[0019]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述金屬層圖案為板狀結(jié)構(gòu)。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述金屬層圖案在所述數(shù)據(jù)線寬度方向上的尺寸大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述金屬層圖案在所述存儲電極線寬度方向上的尺寸不大于所述存儲電極線的寬度。
[0022]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述存儲電極線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置包括加寬部。
[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，所述加寬部在所述襯底基板的第一主表面上的正投影與所述金屬層圖案在所述襯底基板的第一主表面上的正投影重合。
[0024]本實(shí)用新型的另一個(gè)方面提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，而非對本實(shí)用新型的限制。
[0026]圖1為襯底基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0027]圖2a為本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板通過有源層與存儲電極線形成存儲電容的俯視不意圖；
[0028]圖2b為本實(shí)用新型實(shí)施例的有源層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3a為本實(shí)用新型實(shí)施例的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3b為包括圖3a的有源層結(jié)構(gòu)的陣列基板的俯視示意圖；
[0031 ]圖4a為本實(shí)用新型實(shí)施例的存儲電極線包括加寬部的示意圖；
[0032]圖4b為本實(shí)用新型實(shí)施例的存儲電極線包括加寬部且該加寬部與有源層形成存儲電容的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板通過源漏金屬層與存儲電極線形成存儲電容的俯視不意圖；
[0034]圖6為本實(shí)用新型的金屬層圖案與數(shù)據(jù)線在數(shù)據(jù)線寬度方向上的尺寸關(guān)系示意圖；
[0035]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的金屬層圖案與存儲電極線在存儲電極線寬度方向上的尺寸關(guān)系不意圖。
[0036]圖8為本實(shí)用新型的實(shí)施例包括加寬部的存儲電極線的示意圖；
[0037]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例的存儲電極線的加寬部與金屬層圖案形成存儲電容的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0039]液晶顯示裝置通常包括背光模組、下基板、上基板以及外圍驅(qū)動(dòng)電路等部分。下基板通常為陣列基板，上基板通常為彩膜基板。陣列基板進(jìn)一步包括襯底基板(通常為玻璃基板)以及設(shè)置于襯底基板之上的柵線、有源層、數(shù)據(jù)線、公共電極線以及像素電極等結(jié)構(gòu)。圖1為襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖1，襯底基板10包括彼此相對的第一主表面11和第二主表面12。例如，柵線、有源層、數(shù)據(jù)線、公共電極線以及像素電極等結(jié)構(gòu)設(shè)置在襯底基板10的第一主表面11 一側(cè)。
[0040]在液晶顯示裝置中，通常采用薄膜晶體管(TFT)作為控制像素電極上施加的數(shù)據(jù)信號的開關(guān)。TFT包括源極、漏極、柵極以及將源漏極分開的溝道區(qū)域。TFT的溝道區(qū)域的特點(diǎn)是在被施加一定的導(dǎo)通電壓時(shí)可將TFT的源漏極導(dǎo)通。例如，溝道區(qū)域可以由半導(dǎo)體材料(例如非晶硅、多晶硅、氧化物半導(dǎo)體等)制備。例如，TFT的連接方式如下:柵極與柵線連接以接收柵線施加的導(dǎo)通電壓信號，導(dǎo)通電壓信號通過TFT的柵極施加至溝道區(qū)域，以控制該溝道區(qū)域的導(dǎo)通與截止;源極與數(shù)據(jù)線連接，以接收來自數(shù)據(jù)線的電壓信號;漏極與像素電極連接，以在TFT的源漏極通過溝道區(qū)域?qū)ê?，向像素電極充電。也就是說，在TFT的源漏極導(dǎo)通后，數(shù)據(jù)線上的信號即可通過TFT的源漏極施加至像素電極，從而可用于控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)。
[0041]在液晶顯示裝置中，由于像素電極的充電時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于液晶分子的響應(yīng)時(shí)間，因此，液晶分子的偏轉(zhuǎn)一般是在像素電極充電結(jié)束后的保持時(shí)間內(nèi)進(jìn)行并完成的。也就是說，在像素電極結(jié)束充電后，需要一個(gè)穩(wěn)定的充電電壓來持續(xù)驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)。承載這個(gè)持續(xù)充電電壓的就是像素負(fù)荷電容，該負(fù)荷電容主要