專利名稱：具有電磁波屏蔽層的等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及包括電磁波屏蔽層的等離子體顯示板(PDP)。
背景技術(shù)：
本申請參考、在這里結(jié)合并根據(jù)35U.S.C.119要求2004年3月25日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局較早提交的并在那里正式分配序列號2004-20285的申請“包含EMI屏蔽層的等離子體顯示板(PLASMA DISPLAYPANEL COMPRISING A EMI SHIELDING LAYER)”的所有權(quán)益。
等離子體顯示設(shè)備包括含有定義窗口的周界單元的前殼、覆蓋該窗口的電磁波屏蔽濾波器、將電磁波屏蔽濾波器壓向前殼的周界單元并被固定到前殼的耦合凸起部(boss)上的導(dǎo)電性濾波器固定器、含有前板和后板并設(shè)置在導(dǎo)電性濾波器固定器背面上的等離子體顯示板(PDP)、支撐PDP的底盤、連接驅(qū)動PDP的電路單元并設(shè)置在底盤和PDP背面上的連接電纜、以及耦合到前殼并設(shè)置在底盤背面上的后殼。在PDP與底盤之間插入導(dǎo)熱片。
前板包括前基板、含有形成在前基板后表面上的Y電極和X電極的多個(gè)維持電極對、覆蓋維持電極對的前電介質(zhì)層、以及覆蓋電介質(zhì)層的保護(hù)層。Y電極和X電極中的每個(gè)電極都包括由氧化銦錫(ITO)形成的透明電極和由具有高導(dǎo)電性的金屬形成的匯流電極。該匯流電極與設(shè)置在PDP左側(cè)和右側(cè)上的連接電纜相連。
后板包括后基板、形成用來與所述維持電極對交叉并設(shè)置在后基板的前表面上的多個(gè)地址電極、覆蓋地址電極的后電介質(zhì)層、確定放電單元并設(shè)置在后電介質(zhì)層上的多個(gè)阻擋肋、以及多個(gè)設(shè)置在放電單元中的熒光層。所述地址電極與設(shè)置在PDP上部和下部的連接電纜相連。
電磁波屏蔽濾波器包括面對前殼窗口的中心單元和包圍該中心單元的周界單元。在所述中心單元上形成有用于屏蔽電磁波的導(dǎo)電性網(wǎng)層。在所述周界單元上形成有將所述導(dǎo)電性網(wǎng)層電連接到所述導(dǎo)電性濾波器固定器上的金屬層。所述導(dǎo)電性網(wǎng)層形成在透明基板上并被平坦化層覆蓋。在所述平坦化層上形成有近紅外線屏蔽層。由所述導(dǎo)電性網(wǎng)層捕獲的電磁波的能量通過所述金屬層和導(dǎo)電性濾波器固定器傳輸?shù)絇DP的遠(yuǎn)側(cè)或驅(qū)散到PDP的外側(cè)。
然而，在具有上述結(jié)構(gòu)的PDP的情形中，有一個(gè)缺點(diǎn)，即因?yàn)樗鲭姶挪ㄆ帘螢V波器和所述導(dǎo)電性濾波器固定器只能在獨(dú)立制造后耦合到所述前殼上，所以提高了制造成本。
另外，由于所述導(dǎo)電性濾波器固定器的厚度，而在所述電磁波屏蔽濾波器與PDP之間形成了預(yù)定空間，并且由于放電而在PDP中產(chǎn)生熱量的一部分被轉(zhuǎn)移到該空間。
然而，因?yàn)樵摽臻g被所述導(dǎo)電性濾波器固定器包圍，所以該空間內(nèi)的空氣不會流通。通過改變該導(dǎo)電性濾波器固定器的形狀可以形成空氣通路，但構(gòu)造一個(gè)足夠大以使空氣流通的空氣通路是很困難的。盡管保證了充分足夠大的通路，但不能通過該空間內(nèi)的空氣對流實(shí)現(xiàn)有效的熱量消散，因?yàn)橛捎讵M窄的縫隙，即所述導(dǎo)電性濾波器固定器的厚度，所以在電磁波屏蔽濾波器與PDP之間存在巨大的空氣摩擦。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有降低的制造成本和減小的制造時(shí)間以及改善的熱輻射效率的等離子體顯示板(PDP)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種等離子體顯示板(PDP)，包括透明前基板；平行于前基板設(shè)置的后基板；固定到所述前基板上的電磁波屏蔽層；由設(shè)置在所述前基板和后基板之間的阻擋肋定義的多個(gè)放電單元；在放電單元之上延伸并設(shè)置在指定方向上的多個(gè)地址電極；覆蓋所述地址電極的后電介質(zhì)層；設(shè)置在所述放電單元中的多個(gè)熒光層；在與所述地址電極的指定方向交叉的方向上延伸的多個(gè)維持電極對；覆蓋所述維持電極對的前電介質(zhì)層；以及填充所述放電單元的放電氣體。
所述電磁波屏蔽層可以形成在前基板的前表面或后表面上，可以使用雙面粘合膜而粘貼到前基板的前表面或后表面上。
可以將近紅外線屏蔽層固定到所述前基板上，所述電磁波屏蔽層可以被所述近紅外線屏蔽層或平坦化層覆蓋。
所述地址電極設(shè)置在所述后基板與所述后電介質(zhì)層之間，所述阻擋肋設(shè)置在所述后電介質(zhì)層上，所述維持電極對設(shè)置在前基板與前電介質(zhì)層之間，以及所述前電介質(zhì)層被所述保護(hù)層覆蓋。
依照本發(fā)明的另一方面，提供了一種PDP，包括透明前基板；平行于前基板設(shè)置的后基板；固定在所述前基板上的電磁波屏蔽層；設(shè)置在所述前基板和后基板之間的、由電介質(zhì)形成的、定義放電單元的多個(gè)前阻擋肋；設(shè)置在所述前阻擋肋上以致圍繞所述放電單元的多個(gè)前放電電極和后放電電極；設(shè)置在所述前阻擋肋與所述后基板之間的多個(gè)后阻擋肋；設(shè)置在由所述后阻擋肋定義的空間內(nèi)的多個(gè)熒光層；以及填充所述放電單元的放電氣體。
所述電磁波屏蔽層可以形成在前基板的前表面或后表面上，或可以通過使用雙面粘合膜將其粘貼到前基板的前表面或后表面上而固定到其上。
所述電磁波屏蔽層被所述近紅外線屏蔽層上的平坦化層覆蓋，所述近紅外線屏蔽層可以固定到所述前基板上。
所述前放電電極和后放電電極在彼此平行的方向上延伸，并且在該情形中，所述PDP進(jìn)一步包括如此延伸以致與所述前放電電極和后放電電極交叉的地址電極。
所述前阻擋肋的側(cè)面被所述保護(hù)膜覆蓋，所述地址電極設(shè)置在所述后基板與所述熒光層之間，而所述電介質(zhì)層設(shè)置在所述地址電極和熒光層之間。
所述前阻擋肋和后阻擋肋可以形成為一體。


通過參照下面結(jié)合附圖考慮的詳細(xì)描述，隨著較好地理解本發(fā)明，本發(fā)明更加完整的理解和其一些伴隨的優(yōu)點(diǎn)將很容易明白，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件，其中圖1是等離子體顯示設(shè)備的分解透視圖；圖2是PDP的局部剖面(cutaway)透視圖；圖3是應(yīng)用于等離子體顯示設(shè)備的電磁波屏蔽濾波器的平面圖；圖4是沿圖1的線IV-IV的橫截面圖；圖5是具有依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的PDP的等離子體顯示設(shè)備的分解透視圖；圖6是沿圖5的線VI-VI的橫截面圖；圖7是圖解依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的第一個(gè)修改方案的PDP的橫截面圖；
圖8是圖解依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的第二個(gè)修改方案的PDP的橫截面圖；圖9到13是圖解制造依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的第二個(gè)修改方案的PDP的電磁波屏蔽濾波器的方法的橫截面圖；圖14是圖解依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的第三個(gè)修改方案的PDP的橫截面圖；圖15是依照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的PDP的局部剖面分解透視圖；圖16是沿圖15的線XVI-XVI的橫截面圖；圖17是圖15中放電單元和電極的局部剖面透視圖；圖18是依照本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的PDP的局部剖面分解透視圖；圖19是沿圖18中的線XIX-XIX的橫截面圖；圖20是圖18中放電單元和電極的局部剖面透視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更加完整地描述本發(fā)明，其中附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖1是等離子體顯示設(shè)備的分解透視圖。
參照圖1，等離子體顯示設(shè)備包括含有定義窗口12的周界單元11的前殼10、覆蓋窗口12的電磁波屏蔽濾波器100、將電磁波屏蔽濾波器100壓向前殼10的周界單元11并固定到前殼10的耦合凸起部13上的導(dǎo)電性濾波器固定器20、含有前板210和后板220并設(shè)置在導(dǎo)電性濾波器固定器20后側(cè)的等離子體顯示板(PDP)200、支撐PDP 200的底盤30、連接驅(qū)動PDP 200的電路單元(未示出)并設(shè)置在底盤30和PDP 200后側(cè)的連接電纜31和32、以及耦合到前殼10并設(shè)置在底盤30后側(cè)的后殼40。如圖4中描述的，在PDP 200和底盤30之間插入導(dǎo)熱片230。
圖2是PDP的局部剖面透視圖。參照圖2，描述了PDP 200的結(jié)構(gòu)，其中包括前板210和后板220。
前板210包括前基板211、含有形成在前基板211的后表面211a上的Y電極212和X電極213的多個(gè)維持電極對214、覆蓋維持電極對214的前電介質(zhì)層215、以及覆蓋前電介質(zhì)層215的保護(hù)層216。Y電極212和X電極213中的每個(gè)都包括由氧化銦錫(ITO)形成的透明電極212b和213b以及由具有高導(dǎo)電性的金屬形成的匯流電極212a和213a。匯流電極212a和213a與設(shè)置在PDP 200左手側(cè)和右手側(cè)的連接電纜31相連。
后板220包括后基板221、形成以與維持電極對214交叉并設(shè)置在后基板221的前表面221a上的多個(gè)地址電極222、覆蓋地址電極222的后電介質(zhì)層223、定義放電單元226并設(shè)置在后電介質(zhì)層223上的多個(gè)阻擋肋224、以及設(shè)置在放電單元226中的多個(gè)熒光層225。地址電極222與設(shè)置在PDP 200上部和下部的連接電纜32相連。
圖3是應(yīng)用于等離子體顯示設(shè)備的電磁波屏蔽濾波器的平面圖。電磁波屏蔽濾波器100包括面對前殼10的窗口12的中心單元110和圍繞中心單元110的周界單元11。在中心單元110上形成用于屏蔽電磁波的導(dǎo)電性網(wǎng)層111。在周界單元120上形成用于將導(dǎo)電性網(wǎng)層111電連接到導(dǎo)電性濾波器固定器20上的金屬層121。如圖4中所描述的，導(dǎo)電性網(wǎng)層111形成在透明基板101上，并被平坦化層112覆蓋。在平坦化層112上形成有近紅外線屏蔽層113。由導(dǎo)電性網(wǎng)層111俘獲的電磁波的能量通過金屬層121和導(dǎo)電性濾波器固定器20傳輸?shù)絇DP200的遠(yuǎn)側(cè)或驅(qū)散到PDP 200的外側(cè)。
然而，在具有上述結(jié)構(gòu)的PDP 200中有一個(gè)缺點(diǎn)，即因?yàn)殡姶挪ㄆ帘螢V波器100和導(dǎo)電性濾波器固定器20只能在獨(dú)立制造后耦合到前殼10上，所以提高了制造成本。
還有，由于導(dǎo)電性濾波器固定器20的厚度而在電磁波屏蔽濾波器100和PDP 200之間形成了預(yù)定空間S，且由于放電而在PDP 200中產(chǎn)生的一部分熱量被轉(zhuǎn)移到該空間S。
然而，由于空間S被導(dǎo)電性濾波器固定器20包圍，因此該空間S中的空氣不流通?？梢酝ㄟ^修改導(dǎo)電性濾波器固定器20的形狀而形成空氣通路，但構(gòu)造足夠大的空氣通路以使空氣流通是很困難的。即使保證了足夠大的通路，但也不能通過空間S中的空氣對流實(shí)現(xiàn)有效的熱量耗散，因?yàn)橛捎讵M窄的縫隙、即導(dǎo)電性濾波器固定器20的厚度，而在電磁波屏蔽濾波器100與PDP 200之間存在巨大的空氣摩擦。
圖5是具有依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的PDP的等離子體顯示設(shè)備的分解透視圖，而圖6是沿圖5的線VI-VI的橫截面圖。
參照圖5，PDP 300包括含有定義窗口12的周界單元11的前殼10、包括前板310和后板220并設(shè)置在前殼10后側(cè)的等離子體顯示板(PDP)300、支撐PDP 300的底盤30、連接驅(qū)動PDP 300并設(shè)置在底盤30和PDP 300后側(cè)上的的電路單元(未示出)的連接電纜3 1和32、以及耦合到前殼10并設(shè)置在底盤30后側(cè)上的后殼40。如圖6中所描述的，在PDP 300與底盤30之間插入導(dǎo)熱片230。
通過對比圖1和圖5可以看出，具有依照第一個(gè)實(shí)施例的PDP 300的等離子體顯示設(shè)備不包括獨(dú)立制造的電磁波屏蔽濾波器100、以及將前殼10壓向周界單元11的導(dǎo)電性濾波器固定器20。因此，可以減小制造電磁波屏蔽濾波器100和導(dǎo)電性濾波器固定器20的成本和將它們耦合到前殼10上的成本。
然而，PDP 300包括用于屏蔽電磁波的裝置，因?yàn)橛捎赑DP 300的操作而產(chǎn)生的電磁波必須被屏蔽掉。以下將描述依照本實(shí)施例的PDP300。
圖6中描述的PDP 300包括前板310和后板220。
前板310包括前基板311、在一行放電單元226之上延伸并設(shè)置在前基板311后表面311b上的多個(gè)維持電極對314、覆蓋維持電極對314的前電介質(zhì)層315、以及固定到前基板311的前表面311a上的電磁波屏蔽層301。必要時(shí)，PDP 300可進(jìn)一步包括覆蓋前電介質(zhì)層315的保護(hù)膜316、覆蓋電磁波屏蔽層301的平坦化層302、以及形成在平坦化層302上的近紅外線屏蔽層303。圖6中描述的前板310具有與圖2中描述的前板210相似的結(jié)構(gòu)，但區(qū)別在于前板310包括電磁波屏蔽層301。
后板220包括與前基板311平行設(shè)置的后基板221、如此延伸以致與維持電極對314交叉且設(shè)置在后基板221的前表面221a上的多個(gè)地址電極222、覆蓋地址電極222的后電介質(zhì)層223、定義放電單元226且置于前基板311與后基板221之間(更具體地說，在后電介質(zhì)層223上)的多個(gè)阻擋肋224、以及設(shè)置在放電單元226中的多個(gè)熒光層225。放電氣體填充在放電單元226中。圖6中描述的后板220具有至少與圖2中描述的后板220相似的結(jié)構(gòu)。
前基板311和后基板221由玻璃形成，且前基板311優(yōu)選地具有高的透光性。
在一行放電單元226之上延伸的且設(shè)置在后基板221的前表面221a上的地址電極222由具有高導(dǎo)電性的金屬，例如Al形成。地址電極222用于和Y電極312一起尋址放電。尋址放電是選擇放電單元226以便發(fā)光所要求的放電，而維持放電可以發(fā)生在已經(jīng)發(fā)生放電的放電單元226中，其將在后面描述。
地址電極222被后電介質(zhì)層223覆蓋，并且后電介質(zhì)層223保護(hù)地址電極222免受在尋址放電過程中由吸收帶電粒子的撞擊而造成的傷害。后電介質(zhì)層223由能引發(fā)帶電粒子的電介質(zhì)，例如PbO、B2O3或SiO2形成。
定義放電單元226的多個(gè)阻擋肋形成在前基板311和后基板221之間。阻擋肋224在前基板311和后基板221之間提供了放電空間，阻止了相鄰放電單元226之間的串?dāng)_，并增加了熒光層225的表面面積。必要時(shí)，阻擋肋224可以包括填充物，例如ZrO2、TiO2和Al2O3，和顏料，例如Cr、Cu、Co、Fe或TiO2。
在圖6中，阻擋肋224描述在后電介質(zhì)層223上，但本發(fā)明并不限于此。例如，可以在阻擋肋224與后電介質(zhì)層223之間插入用于將從熒光層225發(fā)射的光向前基板311反射的反射層。另外，依照本實(shí)施例，阻擋肋224具有如圖2中描述的格子形狀，但并不限于此。
熒光層225設(shè)置在放電單元226中。在圖6中，熒光層225描述在阻擋肋224的側(cè)表面224a上和后電介質(zhì)層223的前表面223a上，但熒光層225的位置并不限于此。熒光層225包括通過吸收在維持放電過程中從放電氣體產(chǎn)生的紫外線而發(fā)射光的熒光材料。發(fā)射紅光的熒光材料是Y(V，P)O4:Eu，發(fā)射綠光的熒光材料是Zn2SiO4:Mn、YBO3:Tb，發(fā)射藍(lán)光的熒光材料是BAM:Eu。
維持電極對314在這樣的方向上延伸，以致與在一行放電單元226之上延伸的地址電極222交叉。維持電極對314包括產(chǎn)生維持放電的一對維持電極312和313，并且維持電極對314以其間預(yù)定的距離彼此平行設(shè)置。維持電極312和313中的一個(gè)是Y電極312，而另一個(gè)是X電極313。由于在X電極313和Y電極312之間的電位差而發(fā)生維持放電。
每個(gè)X電極313和Y電極312都常規(guī)地分別包括透明電極313b和312b，以及匯流電極313a和312a。然而在一些情形中，X電極313和Y電極312可以分別僅由匯流電極313a和312a構(gòu)成，而分別不需要透明電極313b和312b。
透明電極312b和313b由透明導(dǎo)電材料，例如ITO形成，其不會干擾從熒光材料向前基板311發(fā)射光。然而，當(dāng)維持電極對314僅由透明電極312b和313b形成時(shí)，在透明電極312b和313b的延伸方向上的壓降很大，因?yàn)橥该鲗?dǎo)電材料，例如ITO具有高的電阻。因此，驅(qū)動PDP的功率消耗增大，且延遲了顯示圖像的響應(yīng)時(shí)間。為了解決該問題，在透明電極312b和313b的外端設(shè)置由具有高導(dǎo)電性的金屬，例如Ag形成的匯流電極312a和313a。
維持電極312和313被前電介質(zhì)層315覆蓋。前電介質(zhì)層315防止Y電極312和X電極313在其間具有直接的電連接，并保護(hù)電極312和313免受由于在維持放電過程中帶電粒子的撞擊而造成的傷害。前電介質(zhì)層315由具有高透光性的電介質(zhì)，例如PbO、B2O3和SiO2形成。
前電介質(zhì)層315優(yōu)選地被保護(hù)膜316覆蓋。保護(hù)膜316保護(hù)前電介質(zhì)層315免受由于在維持放電過程中帶電粒子的撞擊而造成的傷害，并產(chǎn)生大量二次電子(secondary electron)。保護(hù)膜316可由MgO形成。
放電氣體填充在放電單元226中。放電氣體可以是含有5-10％Xe的Ne-Xe的氣體混合物，必要時(shí)He可以替換Ne。
現(xiàn)在將簡要描述具有上述結(jié)構(gòu)的PDP 300的操作。通過在地址電極222和Y電極312之間施加尋址電壓Va而產(chǎn)生尋址放電，以及作為尋址放電的結(jié)果，選擇其中發(fā)生維持放電的放電單元226。選擇其中發(fā)生維持放電的放電單元226是指，在鄰近前電介質(zhì)層315(當(dāng)前電介質(zhì)層315被保護(hù)膜316覆蓋時(shí)為保護(hù)膜316)的X電極313和Y電極312的區(qū)域上積聚有壁電荷，從而導(dǎo)致維持放電。當(dāng)尋址放電完成時(shí)，正離子積聚在鄰近Y電極312的區(qū)域上，而電子積聚在鄰近X電極313的區(qū)域上。
尋址放電之后，當(dāng)在Y電極312和X電極313之間施加放電維持電壓Vs時(shí)，由于積聚在鄰近Y電極312的區(qū)域上的正離子和積聚在鄰近X電極313的區(qū)域上的電子之間的碰撞而產(chǎn)生維持放電。在維持放電進(jìn)行時(shí)，在Y電極312與X電極313之間交替施加放電維持電壓Vs。
通過維持放電升高了放電氣體的能級，而紫外線的產(chǎn)生減小了放電氣體中升高的能級的數(shù)量。紫外線升高了包含在設(shè)置于放電單元226中的熒光層225中的熒光材料的能級，而光發(fā)射減小了熒光材料中升高的能級的數(shù)量。由從放電單元226發(fā)射的可見光顯示圖像。
在PDP 300的操作過程中產(chǎn)生大量的電磁波。必須減小產(chǎn)生的電磁波的數(shù)量，因?yàn)殡姶挪ú粌H對人有害，而且還導(dǎo)致相鄰電子設(shè)備的故障。依照本發(fā)明的PDP 300包括電磁波屏蔽層301。
電磁波屏蔽層301的中心單元(等價(jià)于圖3中的中心單元110的區(qū)域)至少由設(shè)計(jì)成網(wǎng)狀的導(dǎo)電材料形成。電磁波屏蔽層301固定到前基板311的前表面311a上，優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，電磁波屏蔽層301直接形成在前基板311的前表面311a上。
在前基板311的整個(gè)前表面311a上形成具有大約3-15μm厚度的導(dǎo)電層(由Cu形成的金屬層)后，通過蝕刻導(dǎo)電層的中心單元(等價(jià)于圖3中的中心單元110的區(qū)域)以預(yù)定圖案(例如網(wǎng)狀)形成電磁波屏蔽層301。當(dāng)電磁波屏蔽層301的中心單元以網(wǎng)狀形成時(shí)，網(wǎng)格的間距例如為200-350μm，而網(wǎng)格的線寬例如為5-15μm。然而，網(wǎng)格的間距和線寬可以根據(jù)用于蝕刻的抗蝕圖的變化而變化。
在圖6中，電磁波屏蔽層301示出為從前基板311的前表面311a突出，但電磁波屏蔽層301可以設(shè)置在凹槽(未示出)中，該凹槽以與電磁波屏蔽層301的圖案相同的圖案形成在前基板311的前表面311a上。
如上所述，當(dāng)電磁波屏蔽層301固定到前基板311上時(shí)，電磁波屏蔽濾波器100和導(dǎo)電性濾波器固定器20的制造成本和將它們耦合到前殼10上所需的時(shí)間可以減小。
此外，可以容易地將PDP 300中由等離子體放電所產(chǎn)生的熱量驅(qū)散到外部，因?yàn)闆]有電磁波屏蔽濾波器100的干擾，PDP 300前面的空氣可以自由流通。
此外，電磁波屏蔽層301直接接地，而不需要穿過其它部件，例如底盤30、前殼10、后殼40和電路單元。因此電磁波屏蔽層301用作熱傳輸裝置，因?yàn)镻DP 300中產(chǎn)生的熱量通過電磁波屏蔽層301傳輸?shù)狡渌考?br> 而且，電磁波屏蔽層301快速地將PDP 300的局部區(qū)域中產(chǎn)生的熱量傳輸?shù)絇DP 300的其它區(qū)域。如果該局部產(chǎn)生的熱量不被快速傳輸?shù)狡渌鼌^(qū)域，則在該局部區(qū)域上顯示的圖像上會產(chǎn)生潛像。
如圖6中所描述的，電磁波屏蔽層301優(yōu)選地被平坦化層302覆蓋。電磁波屏蔽層301的中心單元具有網(wǎng)狀設(shè)計(jì)，該網(wǎng)狀設(shè)計(jì)可以干涉從熒光層225發(fā)射的光。平坦化層302使由網(wǎng)格引起的對光的干涉最小化，并防止在電磁波屏蔽層301的制造過程中對電磁波屏蔽層301的傷害。
近紅外線屏蔽層303優(yōu)選地固定到前基板311上。填充在放電單元中的放電氣體包括在放電過程中發(fā)射近紅外線的Xe。優(yōu)選地屏蔽掉近紅外線，因?yàn)樗鼈儗θ耸怯泻Φ?，并可能?dǎo)致相鄰電子設(shè)備中的故障。
近紅外線屏蔽層303包括吸收近紅外線的部件。在圖6中，近紅外線屏蔽層303示出為形成在平坦化層302上，但近紅外線屏蔽層的位置并不限于此。例如，其可以插入電磁波屏蔽層301與前基板311之間，或前基板311與維持電極對314之間。
另外，在圖6中，電磁波屏蔽層301示出為形成并固定在前基板311的前表面311a上，但電磁波屏蔽層301也可以形成并固定在前基板311的后表面311b上。術(shù)語“形成”是指，電磁波屏蔽層301通過與前基板311的前表面311a或后表面311b接觸而直接被支撐，而術(shù)語“固定”是指，電磁波屏蔽層301通過前基板311的前表面311a或后表面311b而直接或間接被支撐。
當(dāng)電磁波屏蔽層301固定到前基板311的后表面311b上時(shí)，提高了電磁波屏蔽層301的熱傳輸效率，因?yàn)樵诜烹妴卧?26處產(chǎn)生的熱量被直接傳輸?shù)诫姶挪ㄆ帘螌?01，而不需要穿過前基板311。
當(dāng)電磁波屏蔽層301形成在前基板311的后表面311b上時(shí)，可以在覆蓋電磁波屏蔽層301的平坦化層302與維持電極對314之間插入近紅外線屏蔽層303，或?qū)⑵湓O(shè)置在前基板311的前表面311a上。另一方面，近紅外線屏蔽層303可以形成在前基板311的后表面311b上，而電磁波屏蔽層301可以形成在近紅外線屏蔽層303上。
圖7是圖解依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的第一個(gè)修改方案的PDP的橫截面圖。參照圖7，將主要針對第一個(gè)實(shí)施例與第一個(gè)修改方案之間的差別來描述第一個(gè)實(shí)施例的第一個(gè)修改方案。第一個(gè)實(shí)施例的第一個(gè)修改方案與第一個(gè)實(shí)施例之間的主要差別是，在第一個(gè)修改方案中的電磁波屏蔽層301不被平坦化層302覆蓋，而是被近紅外線屏蔽層303覆蓋。這樣，可以省略形成平坦化層302的工序，由此減小了制造成本。第一個(gè)實(shí)施例的第一個(gè)修改方案可以用于第一個(gè)實(shí)施例中描述的所有類型的PDP。
圖8是圖解依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的第二個(gè)修改方案的PDP的橫截面圖，圖9到13是圖解制造依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的第二個(gè)修改方案的PDP的電磁波屏蔽濾波器的方法的橫截面圖。
參照圖8到13，將主要針對第一個(gè)實(shí)施例的第二個(gè)修改方案與第一個(gè)實(shí)施例的差別來描述第一個(gè)實(shí)施例的第二個(gè)修改方案。第一個(gè)實(shí)施例的第二個(gè)修改方案與第一個(gè)實(shí)施例之間的主要差別是，通過電鍍來形成電磁波屏蔽層301，而不是通過蝕刻來形成。通過電鍍形成的電磁波屏蔽層301必須通過粘貼雙面粘合膜304而與用于電鍍的電極分離，因此，電磁波屏蔽層301被粘貼到雙面粘合膜304上。雙面粘合膜304包括分別被粘貼到前基板311的前表面311a和電磁波屏蔽層301上的第一表面304a和第二表面304b。
參照圖9到13，將描述將電磁波屏蔽層301粘貼到雙面粘合膜304上的方法。圖9是圖解電鍍電磁波屏蔽層301的操作的局部橫截面圖。在該操作前，在第一電極片51的未電鍍部分上形成抗蝕層53。在第一電極片51的整個(gè)表面上形成抗蝕層后，通過曝光和顯影工序以預(yù)定的圖案形成抗蝕層53。
為了參考，當(dāng)通過電鍍形成電磁波屏蔽層301時(shí)，優(yōu)選地在電磁波屏蔽層301的周界單元(對應(yīng)于圖3中周界單元的區(qū)域)的整個(gè)表面上不形成導(dǎo)電層。
為了在電磁波屏蔽層301的周界單元的整個(gè)表面上形成導(dǎo)電層，不必在第一電極片51的周界單元51b上形成抗蝕層53，如圖9中所描述的。在該情形中，由于第一電極片51的中心單元51a上的抗蝕層53的原因，施加到第一電極片51的周界單元51b的電流密度小于施加到中心單元51a的電流密度。因此，被電鍍在第一電極片51的周界單元51b上的導(dǎo)電層(電磁波屏蔽層301的周界單元)的厚度小。
當(dāng)電磁波屏蔽層301的周界單元51b的厚度小時(shí)，電磁波屏蔽層301的周界單元51b可能被允許與其它部件(例如底盤30、前殼10、后殼40和電路單元)電連接的夾子損害。對電磁波屏蔽層301的損害可能使與上述其它部件的電連接惡化，這就導(dǎo)致了電磁波屏蔽層301的屏蔽功能的故障。因此，如圖9中所描述的，抗蝕層53以預(yù)定圖案形成在第一電極片51的周界單元51b上。
在圖9中描述的電鍍階段中，在將第一和第二電極片51和52分別沉浸在其中溶解有將要被電鍍的金屬，例如Cu的溶液中后，通過使從電源供給的電流流進(jìn)第一電極片51和第二電極片52而將金屬電鍍在第一電極片51的沒有形成抗蝕層53的區(qū)域上。
圖10是其上通過電鍍形成有電磁波屏蔽層301的第一電極片51的局部橫截面圖。僅在第一電極片51上形成電磁波屏蔽層301后移除抗蝕層53。參照圖11，抗蝕層53被移除。
在移除抗蝕層53之后，電磁波屏蔽層301與第一電極片51分離。如圖12中所描述的，通過從第一電極片51分離雙面粘合膜304而將電磁波屏蔽層301與第一電極片51分離。此時(shí)，電磁波屏蔽層301被粘貼到雙面粘合膜304的第一表面304a上。
在從第一電極片51分離了電磁波屏蔽層301后，如圖13中所描述的，電磁波屏蔽層301的中心單元301c可以被平坦化層302覆蓋。電磁波屏蔽層301的至少一部分周界單元301d沒有被平坦化層302覆蓋，因?yàn)樵摬糠直仨毐粖A住以產(chǎn)生與其它部件的電連接。這與電磁波屏蔽層301被近紅外線屏蔽層303覆蓋的情形一樣。
雙面粘合膜304的第二表面304b例如粘貼到前基板311的前表面311a上。
在圖8中，近紅外線屏蔽層303示出為形成在平坦化層302上，但近紅外線屏蔽層303的位置并不限于此。就是說，近紅外線屏蔽層303可以插入雙面粘合膜304與前基板311之間，或前基板311與維持電極對314之間。
在圖8中，電磁波屏蔽層301示出為通過雙面粘合膜304而被固定到前基板311的前表面311a上，但電磁波屏蔽層301也可以被固定到前基板311的后表面311b上。當(dāng)電磁波屏蔽層301被固定到前基板311的后表面311b上時(shí)，雙面粘合膜304的第一表面304a粘貼到前基板311的后表面311b上，而電磁波屏蔽層301粘貼到雙面粘合膜304的第二表面304b上。
當(dāng)電磁波屏蔽層301被固定到前基板311的后表面311b上時(shí)，近紅外線屏蔽層303可以插入覆蓋電磁波屏蔽層301的平坦化層302與維持電極對314之間，或可以將其設(shè)置在前基板311的前表面311a上。另一方面，近紅外線屏蔽層303可以形成在前基板311的后表面311b上，而雙面粘合膜304的第一表面304a可以粘貼到近紅外線屏蔽層303上。
第二個(gè)修改方案可以適用于在第一個(gè)實(shí)施例中描述的所有類型的PDP 300。
圖14是圖解依照本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的第三個(gè)修改方案的PDP的橫截面圖。參照圖14，將主要針對第一個(gè)實(shí)施例的第三個(gè)修改方案與第二個(gè)修改方案之間的差別來描述第一個(gè)實(shí)施例的第三個(gè)修改方案。第三個(gè)修改方案與第二個(gè)修改方案之間的主要差別是，電磁波屏蔽層301不是被平坦化層302覆蓋，而是被近紅外線屏蔽層303覆蓋。這樣，可以省略掉制造平坦化層302的工序，由此減小了制造成本。第三個(gè)修改方案可以適用于在第二個(gè)修改方案中描述的所有類型的PDP。
以下將參照圖15到17主要針對第二個(gè)實(shí)施例與第一個(gè)實(shí)施例之間的差別來描述第二個(gè)實(shí)施例。
如圖15和16中所描述的，依照本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的PDP 400包括前板410和后板420。
前板410包括前基板411、定義放電單元426并由設(shè)置在前基板411的后表面411b上的電介質(zhì)形成的前阻擋肋415、嵌入前阻擋肋415中以便圍繞放電單元426的多個(gè)前放電電極413和后放電電極412、以及固定在前基板411上的電磁波屏蔽層401。必要時(shí)，PDP 400可進(jìn)一步包括覆蓋前阻擋肋415的保護(hù)層416、覆蓋電磁波屏蔽層401的平坦化層402、以及形成在平坦化層402上的近紅外線屏蔽層403。放電氣體填充在放電單元426中。
后板420包括與前基板平行設(shè)置的后基板421、在一行放電單元426之上延伸的多個(gè)地址電極422、覆蓋地址電極422的電介質(zhì)層423、形成在電介質(zhì)層423上的多個(gè)后阻擋肋424、以及設(shè)置在由后阻擋肋424所定義的空間內(nèi)的多個(gè)熒光層425。
如圖17中所描述的，在本實(shí)施例的情形中，一個(gè)前放電電極413和一個(gè)后放電電極412彼此如此平行延伸以致形成一對，而地址電極422如此延伸，以致分別與前和后放電電極412和413交叉。然而，當(dāng)PDP 400被設(shè)計(jì)成通過后放電電極412和前放電電極413中的一個(gè)與地址電極422之間的尋址放電和通過后放電電極412與前放電電極413之間的維持放電而操作時(shí)，依照本實(shí)施例的PDP 400的該結(jié)構(gòu)受到了限制。
與本實(shí)施例形成對比，當(dāng)PDP 400僅通過后放電電極412與前放電電極413之間的放電來操作時(shí)，前述的地址電極422和覆蓋地址電極422的電介質(zhì)層423是不必要的，因此在后基板421的前表面421a上形成后阻擋肋424。還有，在該情形中，后放電電極412和前放電電極413如此延伸，以致它們彼此交叉。
前基板411和后基板412由透明材料，例如玻璃形成。在定義放電單元426的前基板411的后表面411b的部分上不存在維持電極對314、覆蓋維持電極對314的前電介質(zhì)層315、以及在第一個(gè)實(shí)施例中存在于前基板311上的保護(hù)層316。因此，從熒光層425發(fā)射的可見光的透射率從常規(guī)的比率60％顯著上升到90％。
在前基板411的后表面411b上形成有前阻擋肋415，以定義放電單元426。在圖15中，前阻擋肋415被描述為以矩陣形式分割放電單元426，但它們并不限于此。就是說，可以以蜂巢的形狀或其它的形狀來定義前阻擋肋415。另外，在圖17中，放電單元426的水平橫截面被描述為矩形形狀，但并不限于此。例如，其可以是三角形、多邊形、圓形或橢圓形的形狀。
前阻擋肋415由電介質(zhì)形成，該電介質(zhì)能阻止后放電電極412與相鄰的前放電電極413之間的直接串?dāng)_，并能保護(hù)前和后放電電極412和413免受由于在維持放電過程中帶電粒子的撞擊而造成的損害。用于該目的的電介質(zhì)是PbO、B2O3和SiO2。
如圖16中所描述的，優(yōu)選地，至少前阻擋肋415的側(cè)表面被保護(hù)層416覆蓋。保護(hù)層416可通過像沉積這樣的方法來形成。在該情形中，當(dāng)沉積保護(hù)層416時(shí)，可在前阻擋肋415的后表面415c’和前基板411的后表面411b上形成保護(hù)層416。然而，形成在前阻擋肋415的后表面415c’和前基板411的后表面411b上的保護(hù)層416不會不利地影響根據(jù)本實(shí)施例的PDP 400的操作。
圍繞放電單元426的后放電電極412和前放電電極413設(shè)置在前阻擋肋415中。為了在前阻擋肋415中分別設(shè)置前和后放電電極412和413，如圖16中所描述的，可以在前基板411的后表面411b上形成第一前阻擋肋415a，并且可以在第一前阻擋肋415a上形成前放電電極413。隨后，可以形成第二前阻擋肋415b來覆蓋前放電電極413，可以在第二前阻擋肋415b上形成后放電電極412，并可以形成第三前阻擋肋415c來覆蓋后放電電極412。必要時(shí)，可以以超過兩層的形式形成第一前阻擋肋415a、第二前阻擋肋415b和第三前阻擋肋415c中的每一個(gè)，以使層變厚。
后放電電極412和前放電電極413是用于產(chǎn)生維持放電的電極，在PDP 400上顯示圖像的維持放電分別發(fā)生在前和后放電電極413和412之間。前和后放電電極413和412可分別由導(dǎo)電金屬，例如Al或Cu形成。
通過尋址放電和維持放電而操作的PDP 400包括含有X電極和Y電極的維持電極對及一個(gè)地址電極422。尋址放電發(fā)生在Y電極和地址電極422之間。因此，當(dāng)在前和后放電電極413和412的后側(cè)分別設(shè)置地址電極422時(shí)，后放電電極412優(yōu)選為Y電極。如果后放電電極412是Y電極，則前放電電極413就是X電極。
不像第一個(gè)實(shí)施例中的維持電極312和313，本實(shí)施例中的前和后放電電極413和412分別具有發(fā)生維持放電的相對大的區(qū)域，因?yàn)榍昂秃蠓烹婋姌O413和412分別圍繞放電單元426。因此，本實(shí)施例的PDP 400的發(fā)光效率高于第一個(gè)實(shí)施例的PDP 300的發(fā)光效率。
如圖16中所描述的，在依照本發(fā)明的PDP 400的放電單元426中，因?yàn)榫S持放電僅發(fā)生在放電單元的前部(接近前基板411的部分)，所以可減小通過帶電粒子而噴濺到熒光材料的離子的數(shù)量，由此減小由于熒光層425的衰變而造成永久殘留圖像的可能性。
在圖15中，地址電極422設(shè)置在后基板421的上表面421a上，但地址電極422的位置并不限于此。例如，地址電極422可以如此設(shè)置，以使其圍繞前阻擋肋415中的放電單元426。在該情形中，地址電極422具有與前和后放電電極412和413相似的形狀，但區(qū)別是，地址電極422在某一方向上如此延伸，以致分別與前和后放電電極412和413交叉。另外，在該情形中，地址電極422可插入前放電電極413與前基板411之間，前放電電極413與后放電電極412之間，或后放電電極412與后阻擋肋424之間。不管地址電極422設(shè)置在哪兒，地址電極422都是分別與前和后放電電極412和413絕緣的。地址電極422可以設(shè)置在前基板411的后表面411b上，但在該情形中，地址電極422必須被電介質(zhì)層423覆蓋。
圖15中描述的地址電極422被電介質(zhì)層423覆蓋。電介質(zhì)層423由電介質(zhì)材料，例如PbO、B2O3或SiO2形成，該電介質(zhì)材料能在放電過程中使地址電極422與帶電粒子隔絕，且能夠引發(fā)帶電粒子。
后阻擋肋424形成在電介質(zhì)層423上。后阻擋肋424定義了含有發(fā)射紅光的熒光材料的熒光層區(qū)域、含有發(fā)射綠光的熒光材料的熒光層區(qū)域、和含有發(fā)射藍(lán)光的熒光材料的熒光層區(qū)域。為了形成熒光層425，在電介質(zhì)層423的前表面423a和后阻擋肋424的側(cè)表面424a上涂覆了一種糊劑(paste)，該糊劑是紅色、綠色和藍(lán)色熒光材料、溶劑和粘合劑的混合物。然后，通過干燥并燒結(jié)該涂覆的糊劑的工序，形成熒光層425。發(fā)射紅光的熒光材料是Y(V，P)O4:Eu，發(fā)射綠光的是Zn2SiO4:Mn和YBO3:Tb，以及發(fā)射藍(lán)光的是BAM:Eu。
在圖15和16中，后阻擋肋424被描述為以與前阻擋肋415上相同的圖案被構(gòu)圖。然而，后阻擋肋424的圖案(形狀)不必與前阻擋肋415的圖案相同，而是其可以形成為條紋形。
放電氣體填充在放電單元426中。放電氣體可以是含有5-10％Xe的Ne-Xe的氣體混合物，必要時(shí)Ne可以被He替換。
現(xiàn)在將簡要描述具有上述結(jié)構(gòu)的PDP 400的操作。通過在地址電極422與Y電極412之間施加尋址電壓而發(fā)生尋址放電，作為尋址放電的結(jié)果，選擇其中發(fā)生維持放電的放電單元426。選擇其中發(fā)生維持放電的放電單元是指，在鄰近前阻擋肋415(當(dāng)前阻擋肋415被保護(hù)層416覆蓋時(shí)為保護(hù)層416)的X電極413和Y電極412的區(qū)域上積聚有壁電荷。當(dāng)尋址放電完成時(shí)，一部分正離子積聚在鄰近Y電極412的區(qū)域上，而電子積聚在鄰近X電極413的區(qū)域上。
尋址放電后，當(dāng)在所選擇的放電單元426的Y電極412和X電極413之間施加放電維持電壓Vs時(shí)，由于積聚在鄰近Y電極412的區(qū)域上的正離子與積聚在鄰近X電極413的區(qū)域上的電子的碰撞，而發(fā)生維持放電。當(dāng)維持放電進(jìn)行時(shí)，將放電維持電壓Vs交替施加到Y(jié)電極412和X電極413上。
作為維持放電的結(jié)果，放電氣體的能級升高，且由于紫外線的產(chǎn)生，所以放電氣體的該升高的能級下降。紫外線升高了包含在設(shè)置于放電單元426中的熒光層425中的熒光材料的能級，而光發(fā)射減小了熒光材料中升高的能級的數(shù)量。通過從放電單元426發(fā)射的可見光來顯示圖像。
在PDP 400的操作過程中產(chǎn)生大量的電磁波。必須減小產(chǎn)生的電磁波的數(shù)量，因?yàn)殡姶挪ú粌H對人有害，而且還導(dǎo)致相鄰電子設(shè)備的故障。依照本發(fā)明的PDP 400包括電磁波屏蔽層401，其減小發(fā)射到外部的電磁波的數(shù)量。
電磁波屏蔽層401的中心單元(等價(jià)于圖3中的中心單元110的區(qū)域)至少由設(shè)計(jì)成網(wǎng)狀的導(dǎo)電材料形成。電磁波屏蔽層401固定到前基板411的前表面411a上，優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，電磁波屏蔽層401直接形成在前基板411的前表面411a上。如第一個(gè)實(shí)施例中所描述的，可以通過蝕刻或電鍍成大約3-15μm的厚度而形成電磁波屏蔽層401。當(dāng)電磁波屏蔽層301形成網(wǎng)狀時(shí)，網(wǎng)格的間距例如是200-350μm，而網(wǎng)格的線寬例如是5-15μm。然而，必要時(shí)網(wǎng)格的間距和線寬可以變化。另外，如第一個(gè)實(shí)施例中所描述的，電磁波屏蔽層401可以設(shè)置在凹槽(未示出)中，該凹槽以與電磁波屏蔽層401的圖案相同的圖案形成在前基板411的后表面411b上。
如第一個(gè)實(shí)施例中所描述的，當(dāng)電磁波屏蔽層401固定到前基板411上時(shí)，減小了制造等離子體顯示設(shè)備的成本和時(shí)間，可以很容易驅(qū)散在放電過程中在PDP中產(chǎn)生的熱量，并且可以通過促使將PDP 400的一部分中產(chǎn)生的熱量傳輸?shù)矫姘宓牟煌瑓^(qū)域而阻止或減少潛像的發(fā)生。
如圖15中所描述的，依照本實(shí)施例的電磁波屏蔽層401優(yōu)選地被平坦化層402覆蓋，并且近紅外線屏蔽層403優(yōu)選地被固定到前基板411上。平坦化層402和近紅外線屏蔽層403的功能分別與平坦化層302和近紅外線屏蔽層303的功能相同，因此將省略其描述。
在圖15中，近紅外線屏蔽層403被描述為形成在平坦化層402上，但近紅外線屏蔽層403的位置并不限于此。就是說，近紅外線屏蔽層403可以設(shè)置在電磁波屏蔽層401與前基板411之間，或前基板411與前阻擋肋415之間。另外，電磁波屏蔽層401可以固定到前基板411的前表面411a上或固定到前基板411的后表面411b上。
當(dāng)電磁波屏蔽層401固定到前基板411的后表面411b上時(shí)，可以提高電磁波屏蔽層401的熱輻射效率和熱傳輸效率，因?yàn)榉烹妴卧?26中產(chǎn)生的熱量可以直接傳輸?shù)诫姶挪ㄆ帘螌?01，而不必直接傳輸?shù)角盎?11。
當(dāng)電磁波屏蔽層401固定到前基板411的后表面411b時(shí)，近紅外線屏蔽層403可以插入覆蓋電磁波屏蔽層401的平坦化層402與前阻擋肋415之間，或者其可以設(shè)置在前基板411的前表面411a上。另一方面，近紅外線屏蔽層403可以形成在前基板411的后表面411b上，而電磁波屏蔽層401可以形成在近紅外線屏蔽層403上。
依照第二個(gè)實(shí)施例的PDP 400也可以根據(jù)第一個(gè)實(shí)施例的第一到第三個(gè)修改方案進(jìn)行修改。
參照圖18和20，將主要針對第二個(gè)和第三個(gè)實(shí)施例之間的差別來描述本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例。第三個(gè)實(shí)施例與第二個(gè)實(shí)施例之間的主要差別是，依照第三個(gè)實(shí)施例的PDP 400包括其中將第二個(gè)實(shí)施例的前阻擋肋415和后阻擋肋424形成為一體的阻擋肋524。前阻擋肋415和后阻擋肋424的一體特性是指，對應(yīng)于前阻擋肋415的阻擋肋524的前單元524a和對應(yīng)于后阻擋肋424的阻擋肋524的后單元524b在不被破壞的情況下不能被分離，但并不是指阻擋肋524通過單個(gè)步驟形成。
為了制造圖18中所述的PDP 400的后板420，在后基板421的上表面412a上形成阻擋肋524的后單元524b。當(dāng)后單元524b形成時(shí)，包含熒光材料的糊劑被填充到由后單元524b限定的空間內(nèi)，然后干燥并燒結(jié)所述糊劑。
隨后，順序地，在阻擋肋524的后單元524b上形成第一阻擋肋層524c，在第一阻擋肋層524c上形成后放電電極412，形成第二阻擋肋層524d來覆蓋后放電電極412，在第二阻擋肋層524d上形成前放電電極413，以及形成第三阻擋肋層524e來覆蓋前放電電極413。必要時(shí)，可以以超過兩層的方式形成后單元524b、第一阻擋肋層524c、第二阻擋肋層524d和第三阻擋肋層524e中的每一個(gè)(以使層變厚)。
在用上述方法形成掩埋前和后放電電極412和413的阻擋肋524后，通過在阻擋肋524的至少側(cè)表面524g上沉積而形成保護(hù)層416。當(dāng)沉積保護(hù)層416時(shí)，保護(hù)層416也可以形成在熒光層425的上表面425a上和阻擋肋524的前表面524f上。然而，形成在熒光層425的上表面425a和阻擋肋524的前表面524f上的保護(hù)層416不會對依照本實(shí)施例的PDP的操作產(chǎn)生不利影響。
由于第三個(gè)實(shí)施例和第二個(gè)實(shí)施例之間的差別，第三個(gè)實(shí)施例的前板410包括前基板411和電磁波屏蔽層401，必要時(shí)，前板410進(jìn)一步包括平坦化層402和近紅外線屏蔽層403。
除上述以外，第三個(gè)實(shí)施例中的部件的功能與第二個(gè)實(shí)施例中的部件的功能相同。另外，依照第三個(gè)實(shí)施例的PDP 400可以根據(jù)第一個(gè)實(shí)施例的第一到第三個(gè)修改方案進(jìn)行修改。
本發(fā)明提供了一種能減小制造等離子體顯示設(shè)備的成本和時(shí)間的PDP。本發(fā)明還提供了一種具有改善的熱傳輸效率的PDP。
盡管本發(fā)明已經(jīng)被具體示出，且參照其典型的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由隨后的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板(PDP)，包括透明前基板；平行于所述前基板設(shè)置的后基板；被固定到所述前基板上的電磁波屏蔽層；由設(shè)置在所述前基板和后基板之間的阻擋肋定義的多個(gè)放電單元；在所述放電單元之上延伸并設(shè)置在指定方向上的多個(gè)地址電極；覆蓋所述地址電極的后電介質(zhì)層；設(shè)置在所述放電單元中的多個(gè)熒光層；在與所述地址電極的指定方向交叉的方向上延伸的多個(gè)維持電極對；覆蓋所述維持電極對的前電介質(zhì)層；以及填充所述放電單元的放電氣體。
2.權(quán)利要求1所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層被固定到所述前基板的前表面上。
3.權(quán)利要求2所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層形成在所述前基板的前表面上。
4.權(quán)利要求2所述的PDP，其中使用雙面粘合膜而將所述電磁波屏蔽層粘貼到所述前基板的前表面上。
5.權(quán)利要求1所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層被固定到所述前基板的后表面上。
6.權(quán)利要求5所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層形成在所述前基板的后表面上。
7.權(quán)利要求5所述的PDP，其中使用雙面粘合膜而將所述電磁波屏蔽層粘貼到所述前基板的后表面上。
8.權(quán)利要求1所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層被平坦化層覆蓋。
9.權(quán)利要求1所述的PDP，進(jìn)一步包括被固定到所述前基板上的近紅外線屏蔽層。
10.權(quán)利要求9所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層被所述近紅外線屏蔽層覆蓋。
11.權(quán)利要求1所述的PDP，其中所述地址電極設(shè)置在所述后基板與所述后電介質(zhì)層之間，所述阻擋肋設(shè)置在所述后電介質(zhì)層上，所述維持電極對設(shè)置在所述前基板與所述前電介質(zhì)層之間，所述前電介質(zhì)層被所述保護(hù)層覆蓋。
12.一種PDP，包括透明前基板；平行于所述前基板設(shè)置的后基板；被固定到所述前基板上的電磁波屏蔽層；設(shè)置在所述前基板和后基板之間的、由電介質(zhì)形成的、定義放電單元的多個(gè)前阻擋肋；設(shè)置在所述前阻擋肋上以便圍繞所述放電單元的多個(gè)前放電電極和后放電電極；設(shè)置在所述前阻擋肋與所述后基板之間的多個(gè)后阻擋肋；設(shè)置在由所述后阻擋肋定義的空間內(nèi)的多個(gè)熒光層；以及填充所述放電單元的放電氣體。
13.權(quán)利要求12所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層被固定到所述前基板的前表面上。
14.權(quán)利要求13所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層形成在所述前基板的前表面上。
15.權(quán)利要求13所述的PDP，其中使用雙面粘合膜而將所述電磁波屏蔽層粘貼到所述前基板的前表面上。
16.權(quán)利要求12所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層被固定到所述前基板的后表面上。
17.權(quán)利要求16所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層形成在所述前基板的后表面上。
18.權(quán)利要求16所述的PDP，其中使用雙面粘合膜而將所述電磁波屏蔽層粘貼到所述前基板的后表面上。
19.權(quán)利要求12所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層被平坦化層覆蓋。
20.權(quán)利要求12所述的PDP，進(jìn)一步包括被固定到所述前基板上的近紅外線屏蔽層。
21.權(quán)利要求20所述的PDP，其中所述電磁波屏蔽層被所述近紅外線屏蔽層覆蓋。
22.權(quán)利要求12所述的PDP，其中所述前放電電極和所述后放電電極在彼此平行的方向上延伸，所述PDP進(jìn)一步包括如此延伸的地址電極，以致其與所述前放電電極和所述后放電電極交叉。
23.權(quán)利要求22所述的PDP，其中所述前阻擋肋的側(cè)表面被所述保護(hù)膜覆蓋，所述地址電極設(shè)置在所述后基板與所述熒光層之間，而所述電介質(zhì)層設(shè)置在所述地址電極與所述熒光層之間。
24.權(quán)利要求12所述的PDP，其中所述前阻擋肋和所述后阻擋肋形成為一體。
全文摘要
一種能減小制造等離子體顯示設(shè)備的成本和時(shí)間的等離子體顯示板(PDP)，其能提高等離子體顯示設(shè)備的熱傳輸效率，該等離子體顯示板包括透明前基板；平行于所述前基板設(shè)置的后基板；固定在所述前基板上的電磁波屏蔽層；由設(shè)置在所述前基板和后基板之間的阻擋肋定義的多個(gè)放電單元；在所述放電單元之上延伸并設(shè)置在指定方向上的多個(gè)地址電極；覆蓋所述地址電極的后電介質(zhì)層；設(shè)置在所述放電單元中的多個(gè)熒光層；在與所述地址電極的指定方向交叉的方向上延伸的多個(gè)維持電極對；覆蓋所述維持電極對的前電介質(zhì)層；以及填充所述放電單元的放電氣體。
文檔編號H01J17/49GK1674201SQ20051006275
公開日2005年9月28日 申請日期2005年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月25日
發(fā)明者權(quán)宰翊, 李源朱, 姜景斗 申請人:三星Sdi株式會社