專利名稱：等離子顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示器，具體地說，涉及可以維持穩(wěn)定放電的等離子顯示器。
背景技術(shù)：
等離子顯示器(Plasma Display Panel以下稱為″PDP″)在He+Xe，Ne+Xe，He+Xe+Ne等惰性混合氣體放電時，發(fā)生的紫外線通過使熒光體發(fā)光從而顯示圖像。這種PDP不僅使超薄和大型化成為可能，而且還可以提高產(chǎn)品的畫質(zhì)質(zhì)量。
參照圖1和圖2，三電極交流面放電型PDP的放電單元配備有上部基板10上形成的掃描電極30Y和維持電極30Z，在下部基板18上形成的尋址電極20X。
掃描電極30Y和維持電極30Z包括透明電極12Y、12Z，與透明電極12Y、12Z的線幅要小，在透明電極一側(cè)邊緣形成的金屬總線電極13Y、13Z。透明電極12Y、12Z通常由氧化銦錫(Indium-Tin-OxideITO)形成于上部基板10上。金屬總線電極13Y、13Z通常由鉻等金屬在透明電極12Y、12Z上形成，發(fā)揮減少因電阻高的透明電極12Y、12Z引起的電壓下降的問題。
掃描電極30Y和維持電極30Z并排形成的上部基板10中，上部絕緣層14和保護(hù)膜相層積。上部絕緣層14中存積有等離子放電時發(fā)生的壁電荷。保護(hù)膜16可以防止在等離子放電時發(fā)生的濺射對上部絕緣層14的損傷，同時也可以提高2次電子放出的效率。保護(hù)膜16通常是由氧化鎂構(gòu)成。
尋址電極20X形成的下部基板18上，形成有下部絕緣層22和間隔壁24，在下部絕緣層22和間隔壁24的表面圖抹有熒光層26。尋址電極20X按掃描電極30Y和維持電極30Z交叉的方向形成。間隔壁24與尋址電極20X并列形成，可以有效地防止放電生成的紫外線和可見光泄漏到相臨的放電單元中。熒光體層26在等離子放電時產(chǎn)生的紫外線產(chǎn)生紅色、綠色或青色中一種的可見光線。在上/下基板10、18與間隔壁24之間的放電空間注入惰性混合氣體。
PDP為實(shí)現(xiàn)圖像的灰度，將一個幀分為發(fā)光次數(shù)不同的多個子字段進(jìn)行時分驅(qū)動。各子字段可以分為初始化畫面的初始期間；選擇掃描線路，在掃描的線路中選擇單元(cell)的尋址期間；根據(jù)放電的次數(shù)實(shí)現(xiàn)灰度的維持期間。在這里，初始期間又分為提供上升斜波形的上升期(SET UPSU)和提供下降斜波形的下降期(SET DOWNSD)。
舉例來說，用256灰度顯示圖像的情況下，與圖3所示相同，與1/60秒相應(yīng)的幀時間(16.67ms)分為8個子字段(SF1至SF8).8個子字段(SF1至SF8)分別與上所述相同，分為初始化期間、尋址期間和維持期間。各子字段的初始化期間和尋址期間與各子字段相同，維持期間在各子字段中按2n(n＝0，1，2，3，4，5，6，7)比率增加。
圖4表示的是圖3所示的向子字段提供的PDP驅(qū)動波形的示意圖；圖5a至圖5c是在常溫下PDP驅(qū)動時壁電荷狀態(tài)的示意圖。
對圖4來說，Y表示的是掃描電極，Z是維持電極，而X是尋址電極。
參照圖4和圖5的話，PDP驅(qū)動又可分為初始全部畫面的初始期間、選擇單元的尋址期間和維持選擇單元放電的維持期間。
對于初始化時間來說，在上升期(SU)所有的掃描電極Y同時施加斜上(ramp up)波形(RP)。根據(jù)斜上波形(RP)全畫面的單元內(nèi)會產(chǎn)生微弱的放電，在單元內(nèi)生成壁電荷。在下降期(SD)中提供斜上波形(RP)后，比斜上(ramp up)波形(RP)峰值電壓低的正極電壓中下降的斜下波形同時由掃描電極Y所施加。
斜下波形通過單元內(nèi)微弱的消除放電，消除上升期(SU)放電生成的壁電荷和空間電荷中不必要的電荷，在整個畫面的單元格內(nèi)，平均地殘留尋址放電的壁電荷。
在尋址期間，掃描電極有順序地施加負(fù)極掃描脈沖SP的同時，尋址電極X施加正極數(shù)據(jù)脈沖DF。掃描脈沖SP和數(shù)據(jù)脈沖DP的電壓差與初始化期間生成的壁電壓相加，同時數(shù)據(jù)脈沖施加的單元內(nèi)，發(fā)生與圖5a相同的尋址放電。根據(jù)尋址放電選擇的單元內(nèi)部生成有壁電荷。
另一方面，下降期(SD)期間和尋址期間中，維持電壓水平Vs的正極直流電壓Zdc提供至維持電極Z。
在維持期間中，掃描電極Y和維持電極Z交替地施加維持脈沖(SUSPy，SUSPz)，那樣的話，在尋址放電選擇的單元內(nèi)的壁電壓和維持脈沖相加時，每個維持脈沖施加時，在掃描電極Y和維持電極Z之間，與圖5b所示相同，以面放電的形態(tài)引起維持放電。此時，掃描電極Y和維持電極Z中，根據(jù)維持放電，與圖5c所示相同形成壁電荷。最后，維持放電結(jié)束后，脈沖幅小的清除斜波形(EP)向維持電極Z提供，消除單元內(nèi)的壁電荷。
另一方面，PDP驅(qū)動時，溫度上升的話，掃描電極Y和尋址電極X中壁電荷減少，溫度上升在電流增加的同時，促進(jìn)壁電荷的粒子的活性化。即，掃描電極Y和維持電極Z間因維持放電，在電極表面形成的壁電荷的一部分因?yàn)闇囟壬仙?，從電極Y、Z間脫離。這種情況下，維持放電引起的堆積電荷與圖6所示相同，因?yàn)橄?Self Erase)放電而消失。即，掃描電極Y和維持電極Z之間引起不必要的放電。
特別是向掃描電極Y和維持電極Z之間的GAP方越走壁電荷消滅程度越深。由此，壁電荷累積度在GAP側(cè)越積累的話，會引起放電電壓的下降。
另外，溫度上升，GAP側(cè)壁電荷的堆積度在減少的同時，維持放電時，將引起掃描電極Y和維持電極Z施加的維持電壓Vs上升。

發(fā)明內(nèi)容
由此，本發(fā)明的目的在于提供一種等離子顯示器，維持放電時施加的維持脈沖下降時，控制電位壓為較低的狀態(tài)，在高溫驅(qū)動時將引起穩(wěn)定的維持放電。
通過將位于掃描電極和維持電極之間區(qū)域的尋址電極幅變寬，在高溫驅(qū)動時引起穩(wěn)定的維持放電。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的等離子顯示器，包括在其上并排形成掃描電極和維持電極的上部基板；和在其上形成與掃描電極和維持電極交叉的尋址電極的下部基板；其中所述的尋址電極包括與掃描電極和維持電極垂直并與掃描電極相向放電的尋址主電極；在掃描電極和維持電極之間的區(qū)域按尋址電極垂直方向，從尋址主電極兩側(cè)延長一定幅度的尋址輔助電極。
所述的等離子顯示器，還包括總線電極，在掃描電極和維持電極的邊緣中形成，以使該電極的電阻減小；上部絕緣體薄膜，其在上部基板前面形成，用于掩住掃描電極、維持電極和總線電極；保護(hù)薄膜，其形成于上部基板前面，用于覆蓋所述上部絕緣體薄膜；下部絕緣體薄膜，其形成于下部基板前面，用于蓋住尋址電極；；間隔壁，其形成于下部絕緣體薄膜上部，分割各個放電單元；熒光體，其形成于間隔壁內(nèi)面和下部絕緣體層上面，并根據(jù)等離子放電產(chǎn)生的光而發(fā)光。
除上面所述目的以外，本發(fā)明另外的目的和特征參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
與上所述相同，本發(fā)明等離子顯示器在尋址期間維持電極施加的電流電壓下降時，或者維持期間掃描電極和維持電極施加的維持電壓下降時，具有斜切(Chamfering)或下降弧度的形態(tài)，這樣可以防止由于掃描電極和維持電極間自身消除放電引起的壁電荷不穩(wěn)定引發(fā)的誤放電。
另外，依據(jù)本發(fā)明等離子顯示器通過在掃描電極和維持電極之間區(qū)域中將尋址電極按與上面電極平行的方向延伸構(gòu)成，依據(jù)相向放電生成的大量壁電荷產(chǎn)生面放電。因此，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器具有穩(wěn)定的放電電壓。


圖1是傳統(tǒng)三電極交流面放電型等離子顯示器放電單元構(gòu)成示意圖；圖2是圖1所示的等離子顯示器放電單元橫截面示意圖；圖3是傳統(tǒng)等離子顯示器的一幀所包括的子字段畫面；圖4是圖3中所示的子字段中每個電極所施加的驅(qū)動波形的波形圖；圖5a至圖5c是根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的等離子顯示器放電單元中持續(xù)放電時壁電荷狀態(tài)的示意圖；
圖6是根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)等離子顯示器放電單元高溫驅(qū)動時壁電荷的狀態(tài)顯示圖；圖7是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的波形圖；圖8是圖7中尋址期間和維持期間掃描電極和維持電極所施加的直流電壓脈沖和維持脈沖詳細(xì)的示意圖；圖9是依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例PDP的波形圖；圖10是圖9中尋址期間和維持期間掃描電極和維持電極所施加的直流電壓脈沖和維持脈沖詳細(xì)的示意圖；圖11是依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子顯示器放電單元的構(gòu)成示意圖；圖12是圖11所示的放電單元電極的橫截面示意圖；圖13a至圖13i是根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的等離子顯示器放電單元中持續(xù)放電時紫外線分強(qiáng)弱按順序顯示的示意圖。
符號說明10，40上部基板12Y，12Z，42Y，42Z透明電極13Y，13Z，43Y，43Z總線電極14，22，44，52絕緣層16，46保護(hù)膜 18，48下部基板20X，50X尋址電極 24，54間隔壁26，56熒光體層30Y，60Y掃描電極30Z，60Z維持電極具體實(shí)施方式
以下參照圖7至圖12對本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的波形圖；圖8是圖7中尋址期間和維持期間中掃描電極和維持電極中施加的直流電壓脈沖和維持電壓脈沖詳細(xì)的示意圖。
圖7中，Y表示的是掃描電極，Z表示的是維持電極，而X表示的是尋址電極。
參照圖7和圖8，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP分為將整個畫面進(jìn)行初始化的初始化期間；選擇單元的尋址期間；用于維持選擇單元放電的維持期間和消除放電的消除期間。
對于初始期間來說，設(shè)置期間中所有的掃描電極Y都同時施加上斜波形RP。根據(jù)上斜波形在整個畫面單元內(nèi)產(chǎn)生微弱的放電，在單元內(nèi)生成壁電荷。在下降期(SD)期間內(nèi)，提供下斜波形后，比上斜波形峰值更低的正極性電壓中下降的下斜波形同時被掃描電極Y所施加。
斜下波形通過在單元內(nèi)產(chǎn)生微弱的放電，消除上升放電生成的壁電荷和空間電荷中的不必要電荷，在整個畫面單元內(nèi)，均勻地留有尋址放電所必需的壁電荷。
尋址期間中，在負(fù)極掃描脈沖SP有順序地被掃描電極所施加的同時，尋址電極X施加正極數(shù)據(jù)脈沖DP。掃描脈沖SP和數(shù)據(jù)脈沖DP的電壓差與初始化期間生成的壁電壓相加，同時施加數(shù)據(jù)脈沖的單元內(nèi)發(fā)生尋址放電。依據(jù)尋址放電所選擇的單元內(nèi)生成壁電荷。
另一方面，下降(SD)期間和尋址期間中，維持電極Z中提供維持電壓水平的正極直流電壓(Zdc)。此時，尋址期間中施加的正極直流電壓為降低電位壓，以斜切(Chamfering)的形態(tài)結(jié)束。
維持期間中，掃描電極Y和維持電極Z交替地施加維持脈沖。這樣，根據(jù)尋址放電選擇的單元在單元內(nèi)的壁電壓和維持脈沖相加，同時每個維持脈沖施加時掃描電極Y和維持電極Z之間以面放電的形式發(fā)生維持放電。這時，在掃描電極Y和維持電極Z中根據(jù)維持放電形成壁電荷。
這種情況時，維持期間中施加的至少一個以上的維持脈沖與圖8所示相同，斜切并下落(Falling)。維持脈沖的斜切是為維持脈沖保持維持電壓再向基底電壓(GND)下降時降低電位差。這也是當(dāng)維持脈沖下落電壓的電位差低時，與傳統(tǒng)技術(shù)中的自身消除放電相比更小地引起自身消除放電的原因。
最后，維持放電完成后，脈沖幅小的消除斜波形提供至維持電極Z，消除單元內(nèi)的壁電荷。由此，依據(jù)本發(fā)明的PDP中，尋址期間的維持電極Z所施加的直流電壓下降時，或者維持期間掃描電極Y和維持電極Z所施加的維持電壓下降時，下降斜切。在高溫驅(qū)動時，可以解決尋址期間和維持期間因強(qiáng)的自身消除放電所引起的壁電荷損失和積累的壁電荷量不穩(wěn)定性。
圖9是依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的波形圖。圖10是圖9中尋址期間和維持期間中掃描電極和維持電極施加的直流電壓脈沖和維持脈沖詳細(xì)的示意圖。
圖9中，Y表示的是掃描電極，Z表示的是維持電極，而X表示的是尋址電極。
依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP具有與第一實(shí)施例相同的概念，只是在電壓下降時具有的下降形態(tài)將斜切形態(tài)體現(xiàn)一定的弧度。由此依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP分為將全部畫面初始化的初始期間、選擇單元的尋址期間、用于維持選擇的單元放電的維持期間以及消除放電的消除期間進(jìn)行驅(qū)動。
對于初始期間來說，上升期(SU)中，所有的掃描電極y同時施加斜上波形。根據(jù)斜上波形在整個畫面的單元內(nèi)產(chǎn)生微弱的放電，在單元內(nèi)生成壁電荷。在下降期(SD)中提供斜上波形后，從比斜上波形的峰值電壓低的正極電壓下降的斜下波形被掃描電極Y所施加。
斜下波形通過在單元內(nèi)微弱的放電，消除上升放電生成的壁電荷和空間電荷中不必要的電荷，在整個畫面的單元內(nèi)，均勻地留有尋址放電所必要的壁電荷。
尋址期間中，負(fù)極掃描脈沖被掃描電極Y有順序地施加的同時，尋址電極X施加正極性的數(shù)據(jù)脈沖。掃描脈沖SP和數(shù)據(jù)脈沖的電壓差與初始化期間生成的壁電壓相加，同時數(shù)據(jù)脈沖信可的單元內(nèi)發(fā)生尋址放電。尋址放電選擇的單元內(nèi)生成壁電荷。
另一方面，下降期(SD)和尋址期間中，維持電極Z中提供維持電壓水平的正極性直流電壓。此時尋址期間中施加的正極直流電壓為降低電壓差，以斜切形態(tài)結(jié)束。
在維持期間中，掃描電極Y和維持電極Z交替地施加維持脈沖，那樣的話，在尋址放電選擇的單元內(nèi)的壁電壓和維持脈沖相加的同時，每個維持脈沖施加時，在掃描電極Y和維持電極Z之間，以面放電的形式發(fā)生維持放電。此時，掃描電極Y和維持電極Z中依維持放電生成壁電荷。
在這種情況下，維持期間所施加的至少一個以上的維持脈沖與圖10所示相同下降(Falling)時具有一定的弧度。尋址脈沖的下降一定弧度是用于維持脈沖保持維持電壓后向基底電壓下降時降低電位壓。這也是維持脈沖下降電壓的電位差低時，引起與傳統(tǒng)技術(shù)自身消除放電相比更小的消除放電的原因。
最后，維持放電結(jié)束后，脈沖幅小的消除斜波形提供至維持電極Z，消除單元內(nèi)壁電荷。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的PDP中，尋址期間的維持電極所施加的直流電壓下降時，或者是維持期間的掃描電極Y和維持電極Z所施加的維持電壓下降時，通過下降的一定弧度構(gòu)成，可以解決在高溫時尋址期間和維持期間中因?yàn)閺?qiáng)的自身消除放電引起的壁電荷損失和累積壁電荷的不穩(wěn)定性。
圖11是依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子顯示器放電單元的結(jié)構(gòu)示意圖，圖12是圖11所示的放電單元電極的橫截面示意圖。
參照圖11和圖12，依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子顯示器放電單元配備有在上部基板40中形成的掃描電極40Y、維持電極40Z、下部基板48上形成的尋址電極50X。
掃描電極60Y和維持電極60Z分別包括透明電極42Y、42Z；具有比透明電極42Y、42Z幅更小的線幅且在透明電極一側(cè)邊緣形成的金屬總線電極43Y、43Z。透明電極42Y、42Z通常是由氧化銦錫(ITOIndium-Tin-Oxide)在上部基板40上形成。金屬總線電極43Y、43Z通常是由鉻等金屬在透明電極上形成，可以減少電阻高的透明電極42Y、42Z的電壓下降。
掃描電極60Y和維持電極60Z并排形成的上部基板40中，上部絕緣層44和保護(hù)膜46相層積。上部絕緣層44中存積有等離子放電時發(fā)生的壁電荷。保護(hù)膜46可以防止在等離子放電時發(fā)生的濺射對上部絕緣層44的損傷，同時也可以提高兩次電子放出的效率。保護(hù)膜46通常是由氧化鎂構(gòu)成。
尋址電極50X形成的下部基板48上，形成有下部絕緣層52和間隔壁54，在下部絕緣層52和間隔壁54的表面圖抹有熒光層56。尋址電極50X按掃描電極60Y和維持電極60Z交叉的方向形成。間隔壁54與尋址電極50X并列形成，可以有效地防止放電生成的紫外線和可見光泄漏到相臨的放電單元中。熒光體層56在等離子放電時產(chǎn)生的紫外線產(chǎn)生紅色、綠色或青色中一種的可見光線。在上/下基板40、48與間隔壁54之間的放電空間注入惰性混合氣體。
本發(fā)明中的尋址電極50X按掃描電極60Y和維持電極60Z交叉的方向形成，與圖12所示相同，其構(gòu)成包括按掃描電極60Y和維持電極60Z交叉的方向，呈線狀形態(tài)形成的第一尋址電極58a；放電單元中間部分掃描電極60Y和維持電極60Z之間區(qū)域中按與第一尋址電極58a垂直方向，從第一尋址電極58a起延長一定幅的第二尋址電極58b。
這種尋址電極50X的形成依據(jù)圖13a至圖13i傳統(tǒng)技術(shù)等離子顯示器放電單元中放電時按順序顯示紫外線分布強(qiáng)弱的圖加以說明。參照圖13a至圖13i，等離子顯示器在尋址期間中掃描脈沖和數(shù)據(jù)脈沖的電壓差與初始期間生成的壁電荷相加的同時，在數(shù)據(jù)脈沖施加的單元內(nèi)發(fā)生尋址放電。由此，在掃描電極Y和尋址電極X之間與圖13a和圖13b相同發(fā)生相向放電。相向放電后維持期間中施加維持脈沖，在掃描電極Y和維持電極Z之間與圖13Ct ltu 13g相同發(fā)生面放電。最后，在維持放電結(jié)束后，脈沖幅小的消除斜波形提供至維持電極Z，與圖13h和圖13i相同，消除單元內(nèi)的壁電荷。此時，如果看一下維持期間中紫外線(Infrared RayIR)的分布，就可以看出尋址電極中心集中分布了IR。這個根據(jù)尋址電極的面積來調(diào)節(jié)IR的分布。
由此，依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子顯示器中與圖12所示相同構(gòu)成尋址電極50X的中間部分，由此可以引發(fā)相向放電所生成的大量壁電荷的面放電。另外，由于溫度的上升可以將激活的壁電荷的損失降到最低，從而防止誤放電。
通過上述的說明內(nèi)容，本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。因此，本發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器，其特征在于，包括在其上并排形成掃描電極和維持電極的上部基板；和在其上形成與掃描電極和維持電極交叉的尋址電極的下部基板；其中所述的尋址電極包括與掃描電極和維持電極垂直并與掃描電極相向放電的尋址主電極；在掃描電極和維持電極之間的區(qū)域按尋址電極垂直方向，從尋址主電極兩側(cè)延長的尋址輔助電極。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于，還包括總線電極，在掃描電極和維持電極的邊緣中形成，以使該電極的電阻減??；上部絕緣體薄膜，其在上部基板前面形成，用于掩住掃描電極、維持電極和總線電極；保護(hù)薄膜，其形成于上部基板前面，用于覆蓋所述上部絕緣體薄膜；下部絕緣體薄膜，其形成于下部基板前面，用于蓋住尋址電極；間隔壁，其形成于下部絕緣體薄膜上部，分割各個放電單元；熒光體，其形成于間隔壁內(nèi)面和下部絕緣體層上面，并根據(jù)等離子放電產(chǎn)生的光而發(fā)光。
全文摘要
本發(fā)明公開的是一種可以穩(wěn)定維持放電的等離子顯示器。該等離子顯示器，包括在其上并排形成掃描電極和維持電極的上部基板；以及在其上形成與掃描電極和維持電極交叉的尋址電極的下部基板。其中所述尋址電極包括與掃描電極和維持電極垂直并與掃描電極相向放電的尋址主電極；在掃描電極和維持電極之間的區(qū)域按尋址電極垂直方向，從尋址主電極兩側(cè)延長一定幅度的尋址輔助電極。依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器可以防止由于掃描電極和維持電極間自身消除放電引起的壁電荷不穩(wěn)定引發(fā)的誤放電，從而維持穩(wěn)定放電。
文檔編號H01J11/24GK1941257SQ20051009479
公開日2007年4月4日 申請日期2005年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者李炳俊 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司