專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明，更具體地說具有多邊形放電串結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。
背景技術(shù)：
通常，等離子顯示板由形成在前面基板與后面基板之間的障壁組成一個(gè)單位串，各串內(nèi)充入了氖(Ne)、氦(He)或含有氖及氦的混合氣體(Ne+He)和少量氙(Xe)的惰性氣體。通過高頻電壓放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線(VacuumUltravioletrays)，使形成在障壁之間的熒光體發(fā)光，從而顯現(xiàn)圖像。因這種等離子顯示板可具有輕薄結(jié)構(gòu)，因此作為第二代顯示裝置備受注目。
圖1為顯示通常的等離子顯示裝置結(jié)構(gòu)的圖片。
如圖1所示，在等離子顯示裝置中，在作為顯示圖像的顯示面的前面玻璃101上，排列了多個(gè)由成對形成掃描電極102和維持電極103而形成的維持電極對的前面基板100及在形成背面的后面玻璃111上與上述多個(gè)維持電極對交叉排列尋址電極113的后面基板110以一定距離平行結(jié)合。
前面基板100包括為在一個(gè)放電串中相互放電、維持串的發(fā)光而設(shè)的掃描電極102及維持電極103，即由透明物質(zhì)形成的透明電極a和由金屬材質(zhì)形成的總線電極b組成的掃描電極102及維持電極103成對包含在其中。掃描電極102及維持電極103由限制放電電流、對電極對之間起絕緣作用的一個(gè)以上的上端電介質(zhì)層104覆蓋，在上端電介質(zhì)層104上面形成了為簡化放電條件蒸鍍氧化鎂(MgO)的保護(hù)層105。
后面基板110中，以與在后面玻璃111上端、在前面玻璃101上端平行排列的掃描電極102及維持電極103交叉的方向排列尋址電極113，尋址電極113上端設(shè)有下端電介質(zhì)層115。而且，在下端電介質(zhì)層115上端形成劃分放電串的障壁112，放電串空間涂有熒光層114，放電時(shí)將產(chǎn)生具有R(紅色)、G(綠色)、B(藍(lán)色)中任一個(gè)顏色的可見光。
而且，具有這種結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)等離子顯示裝置中，為在后面基板形成多個(gè)放電空間，即形成放電串的障壁112，根據(jù)其結(jié)構(gòu)分為條(stripe)形和井(well)形。這種障壁112結(jié)構(gòu)，考慮亮度特性、排氣特性及熒光體，設(shè)計(jì)為多種形式。
圖2為顯示傳統(tǒng)等離子顯示裝置的條(stripe)形障壁結(jié)構(gòu)的圖片。
如圖2所示，形成在后面玻璃111上的下端電介質(zhì)層115上端的障壁112為條形，與由總線電極和透明電極組成的掃描電極(圖中未顯示)及維持電極(圖中未顯示)垂直排列。這種條形障壁結(jié)構(gòu)中，總線電極露出在放電空間上，因此后面玻璃111與尋址電極113間的相互作用順暢、制造工序也簡單。但是，存在放電時(shí)產(chǎn)生的可見光泄露到其障壁的條形方向的缺點(diǎn)，雖然易進(jìn)行熒光體印刷及排氣，但存在影響鄰接串的誤放電和因熒光體涂布面積小而發(fā)光效率不高的缺點(diǎn)。
圖3為顯示傳統(tǒng)等離子顯示裝置的井(well)形障壁結(jié)構(gòu)的圖片。
如圖3所示，形成在后面玻璃111上的下端電介質(zhì)層115上端的障壁112為格子形，以由總線電極和透明電極組成的掃描電極(圖中未顯示)及維持電極(圖中未顯示)水平或垂直排列。這種井(well)形障壁結(jié)構(gòu)，因其各放電串的熒光體涂布面積大，可以增加亮度，而且可以在所有方向防止串?dāng)_(cross-talk)。但是存在制造工序煩瑣、在等離子顯示裝置制造工序中的排氣工序中不純氣體不易排出到外部的問題。
為了解決這種條形障壁結(jié)構(gòu)和井形障壁結(jié)構(gòu)的問題，提出了多邊形障壁結(jié)構(gòu)方案。
圖4為顯示傳統(tǒng)等離子顯示裝置的三角(delta)形障壁結(jié)構(gòu)的圖片。
如圖4所示，形成在后面玻璃111上的下端電介質(zhì)層115上端的障壁112為六角形，R、G、B放電串配置為多邊形，從而形成單位放電串。配備在前面玻璃(圖中未顯示)上由總線電極和透明電極組成的前面基板的掃描電極(圖中未顯示)和維持電極(圖中未顯示)及后面基板的尋址電極(圖中未顯示)。這種多邊形障壁結(jié)構(gòu)可以根據(jù)增加熒光體的涂布面積，提高亮度，而且可以高集成放電串?dāng)?shù)，因此具有提高清晰度的優(yōu)點(diǎn)。
相反，多邊形障壁結(jié)構(gòu)中掃描電極和維持電極之間的間隔比條形及井形寬，因此存在放電開始電壓及放電維持電壓高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
要解決的技術(shù)問題為解決上述問題，本發(fā)明提供通過改善具有多邊形障壁結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置，可以降低放電開始電壓及放電維持電壓的等離子顯示裝置。
而且，本發(fā)明提供通過改善具有多邊形障壁結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置，可以改善放電效率的等離子顯示裝置。
技術(shù)方案為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的等離子顯示裝置包括前面玻璃和后面玻璃；在上述前面玻璃形成的多個(gè)第1電極；形成在上述第1電極上，在上述后面玻璃方向至少形成一個(gè)凹陷部和突出部的電介質(zhì)層；在上述后面玻璃上以與上述第1電極交叉的方向形成的多個(gè)第2電極；且上述第1電極和上述第2電極交叉的支點(diǎn)各自組成R、G、B放電串，上述R、G、B放電串配置為多邊形為特點(diǎn)。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于在上述第2電極上端，再包括按一定形狀劃分上述放電串的障壁。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于以上述障壁劃分的上述放電串的形狀是多邊形以上的多角形或具有曲率的非定形形狀。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述第1電極是與按上述第1電極延長的方向配置的上述障壁的一部分交叉形成。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述第1電極是與按上述第1電極延長的方向配置的上述障壁同一形狀，沿著上述障壁形成。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述一個(gè)放電串包含兩個(gè)凹陷部。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述突出部位于上述各第1電極之間。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述突出部位于上述凹陷部之間。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述至少一個(gè)凹陷部的一部分沿著上述第1電極形成。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述至少一個(gè)凹陷部的寬與上述突出部的寬互不相同。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述至少一個(gè)凹陷部或突出部的垂直斷面是由直線或曲線形成。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部和上述突出部的段差在5μm以上10μm以下。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述第1電極包含總線電極層和透明電極層。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部與上述總線電極層之外的部分對應(yīng)形成。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部的寬為上述透明電極層的寬的95％-110％。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述突出部位于鄰接的放電串的透明電極之間。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述突出部的寬為上述障壁寬的95％-110％。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部位于鄰接的放電串的透明電極之間。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部的寬為上述障壁寬的95％-110％。
本發(fā)明的有益效果如上所述，本發(fā)明具有降低等離子顯示裝置的放電開始電壓和放電維持電壓的效果。而且，具有提高等離子顯示裝置的放電效率的效果。


圖1為顯示通常的等離子顯示裝置結(jié)構(gòu)的圖片。
圖2為顯示傳統(tǒng)等離子顯示裝置的條(stripe)形障壁結(jié)構(gòu)的圖片。
圖3為顯示傳統(tǒng)等離子顯示裝置的井(well)形障壁結(jié)構(gòu)的圖片。
圖4為顯示傳統(tǒng)等離子顯示裝置的三角(delta)形障壁結(jié)構(gòu)的圖片。
圖5為介紹本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子顯示裝置的圖片。
圖6為介紹本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子顯示裝置的電極形狀的圖片。
圖7為本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子顯示裝置的斷面圖。
圖8為本發(fā)明的其他實(shí)施例的等離子顯示裝置的斷面圖。
圖片中主要部分符號說明600前面基板 601前面玻璃a透明電極b總線電極602掃描電極 603維持電極604上端電介質(zhì)層 610后面基板611后面玻璃 612障壁613尋址電極 614下端電介質(zhì)層604a、605a凹陷部 604b突出部具體實(shí)施方式
以下，以附圖為參考，更具體介紹本發(fā)明的最佳實(shí)施例。
圖5為介紹本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子顯示裝置的圖片。
如圖5所示，本發(fā)明的一實(shí)施例中的等離子顯示裝置中，作為顯示圖像的顯示面的前面基板500和形成背面的后面基板510以一定距離結(jié)合形成。
在此，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，將本發(fā)明中的形成在前面玻璃上，顯示放電的多個(gè)第1電極，分成掃描電極及維持電極進(jìn)行介紹。而且，將通過尋址電極，對本發(fā)明中的形成在后面玻璃上，為尋址放電而設(shè)的多個(gè)第2電極進(jìn)行介紹。
前面基板500配備了在前面玻璃501上端由透明電極a和總線電極b形成的掃描電極502和維持電極503成對而形成的維持電極，在掃描電極502及維持電極503平行排列的前面玻璃501上端，則設(shè)有按后面玻璃511方向形成至少一個(gè)凹陷部504a和突出部504b的上端電介質(zhì)層504。對此的具體介紹，將通過圖6至圖8描述。
而且，上端電介質(zhì)層504上端設(shè)有防止等離子放電時(shí)產(chǎn)生的濺鍍引起上端電介質(zhì)層504損傷的同時(shí)提高2次電子釋放效率的蒸鍍氧化鎂(MgO)的保護(hù)層(圖中未顯示)。
后面基板510在后面玻璃511上端，以與平行排列在前面玻璃501上端的掃描電極502及維持電極503交叉的方向配備尋址電極513，在尋址電極513上端形成積累壁電荷的下端電介質(zhì)層514。而且，下端電介質(zhì)層514上端形成了劃分放電串的障壁512，放電串空間涂有熒光體(圖中未顯示)，由此在放電時(shí)產(chǎn)生具有R(紅色)、G(綠色)、B(藍(lán)色)中任一顏色的可見光。
具有這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子顯示裝置中，掃描電極502及維持電極503與尋址電極513交叉的支點(diǎn)各自成為R、G、B放電串，R、G、B放電串配置為多邊形從而形成單位放電串。其中，單位放電串是指以各個(gè)R、G、B放電串為單位簇顯示圖像的最小單位。
如此，在單位放電串形成多邊形時(shí)，障壁512以放電串各自的指定形狀劃分放電串。圖5中，以六角形劃分放電串，在本發(fā)明的一實(shí)施例中將其稱為多邊形障壁結(jié)構(gòu)。最好多邊形障壁結(jié)構(gòu)不限于六角形，根據(jù)需要，使其呈指定形狀，即三角形以上的多角形或具有曲率的非定形形狀。其中，掃描電極502和維持電極503是根據(jù)其形狀，與按掃描電極502和維持電極503延長的方向配置的障壁512，部分交叉設(shè)置或部分沿障壁的一部分設(shè)置。對此，將通過圖6更具體介紹。
圖6為介紹本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子顯示裝置的電極形狀的圖片。
如圖6所示，本發(fā)明的一實(shí)施例的掃描電極601和維持電極602是對各放電串以多種形狀配置。例如，如圖6的a圖所示，對于各放電串，掃描電極601和維持電極602呈直線狀，互相平行配置在放電串內(nèi)。掃描電極601和維持電極602各自的總線電極a是為了提高放電串的亮度，位于透明電極b邊緣。即，掃描電極601和維持電極602是與按掃描電極601和維持電極602延長的方向配置的障壁603的一部分交叉設(shè)置。這種形狀具有易制造的優(yōu)點(diǎn)，因掃描電極601和維持電極602之間的間隔窄，因此降低放電開始電壓。
而且，如圖6的b圖所示，對于各放電串，掃描電極604和維持電極605各自的總線電極a是沿著障壁606，互相平行配置在障壁606上。而且，掃描電極604和維持電極605各自的透明電極b是為了降低放電開始電壓，而延長至放電串內(nèi)，與總線電極a相連。即，掃描電極604和維持電極605是以與按掃描電極604和維持電極605延長的方向配置的障壁606同一形狀，沿著障壁606的一部分設(shè)置。這種形狀，通過總線電極a設(shè)在放電串的障壁a上，具有提高放電串亮度的優(yōu)點(diǎn)。而且，通過設(shè)在放電串內(nèi)的透明電極b，降低放電開始電壓。
在此，本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成在電介質(zhì)層的凹陷部或突出部的結(jié)構(gòu)隨電極的形狀改變。a圖的電極形狀的等離子顯示裝置斷面，將在隨后的圖7進(jìn)行介紹。而且，b圖的電極形狀的等離子顯示裝置斷面，將在隨后的圖8進(jìn)行介紹。
圖7為本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子顯示裝置的斷面圖。圖7為顯示本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子顯示裝置的放電串結(jié)構(gòu)的斷面圖，為具體顯示放電串結(jié)構(gòu)，也將前面基板600和后面基板700互相旋轉(zhuǎn)90°。
如圖7所示，前面基板600上形成了由透明電極a和總線電極b組成的掃描電極602和維持電極603，在其上端形成了上端電介質(zhì)層604。
在本發(fā)明的一實(shí)施例的上端電介質(zhì)層604上，按后面玻璃方向，至少形成一個(gè)凹陷部和突出部。最好一個(gè)放電串中形成兩個(gè)凹陷部604a、605a，兩個(gè)凹陷部604a、605a之間形成突出部604b。如此形成的凹陷部604a、605a中，在掃描電極602和維持電極603中施加脈沖時(shí)，形成的壁電荷量要比形成在突出部604b的壁電荷量多。由此，降低放電開始電壓及放電維持電壓。
而且，本發(fā)明的一實(shí)施例的上端電介質(zhì)層604上，在凹陷部604a、605a中，至少讓任一個(gè)部分沿掃描電極602或維持電極603形成。由此，進(jìn)一步增加蒸鍍到凹陷部604a、605a的壁電荷量，從而可以更有效降低放電開始電壓及放電維持電壓。
而且，當(dāng)突出部604b形成在凹陷部之間時(shí)，最好凹陷部604a、605a沿掃描電極602和維持電極603形成，當(dāng)突出部604b形成掃描電極602和維持電極603之間時(shí)，掃描電極602和維持電極603之間的面放電的放電通路，與傳統(tǒng)比較更長。即面放電時(shí)形成在兩個(gè)凹陷部604a、605a的各壁電荷通過突出部604b迂回而順利釋放2次電子，由此提高放電效率。
本發(fā)明的一實(shí)施例中至少一個(gè)凹陷部的寬的設(shè)為與突出部的寬不同。即，掃描電極602和維持電極603的寬度大，則凹陷部604a、605a的寬度也加大設(shè)置，掃描電極602和維持電極603的寬度窄，則凹陷部604a、605a的寬度也縮小設(shè)置。這是因?yàn)?，將凹陷?04a、605a的寬度，將掃描電極602和維持電極603比例設(shè)置，則在形成壁電荷時(shí)更有效。其中，透明電極a主要參與壁電荷的形成，因此凹陷部604a、605a的寬度最好設(shè)為透明電極a寬度的95％-110％。
而且，以最少一個(gè)凹陷部或突出部的垂直斷面是根據(jù)形成方法和所需形狀呈直線或曲線為特點(diǎn)。
其中，使凹陷部604a、605a和突出部604b的段差d為5μm以上10μm以下。在小于限定數(shù)值5μm時(shí)，幾乎沒有凹陷部604a、605a和突出部604b的段差d，因此很難實(shí)現(xiàn)上述效果。而且，超過10μm時(shí)反而降低放電效率。即，通過將段差設(shè)在5μm以上10μm以下，可以獲得最佳效果。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，鄰接的放電串之間設(shè)有突出部605b。最好凹陷部604a、605a沿著主要參與壁電荷的形成的透明電極a相應(yīng)部分形成，因此在鄰接的放電串的透明電極a之間形成突出部。此時(shí)，突出部的寬度設(shè)為障壁612寬度的95％-110％。
而且，作為本發(fā)明的一實(shí)施例變形形式，可以在鄰接的放電串之間替代突出部605b設(shè)置凹陷部(圖中未顯示)。隨著積累在形成在放電串之間的凹陷部上的壁電荷擴(kuò)散至鄰接的放電串，具有降低放電開始電壓的效果。此時(shí)，最好在本發(fā)明的一實(shí)施例變形形式中，也將凹陷部位于鄰接的放電串的透明電極a之間。凹陷部寬度設(shè)為障壁612寬度的95％-110％。
圖8為本發(fā)明的其他實(shí)施例的等離子顯示裝置的斷面圖。圖8為顯示本發(fā)明的其他實(shí)施例的等離子顯示裝置的放電串結(jié)構(gòu)的斷面圖，為具體顯示放電串結(jié)構(gòu)，也將前面基板800和后面基板900互相旋轉(zhuǎn)90°。
如圖8所示，前面基板800上形成了由透明電極a和總線電極b組成的掃描電極802和維持電極803，在其上端形成了上端電介質(zhì)層804。
在本發(fā)明的其他實(shí)施例的上端電介質(zhì)層804上，按后面玻璃方向，至少形成一個(gè)凹陷部和突出部。
其中，電極形狀為掃描電極802和維持電極803的總線電極b形成在障壁812上，與其連接后在放電串延長透明電極a?？偩€電極a的形狀如上所述，沿著障壁812形成，因此凹陷部的制造比較煩瑣。因此，本發(fā)明的其他實(shí)施例中，與總線電極b之外的部分對應(yīng)，形成凹陷部804a、805a。
而且，本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以適用在本發(fā)明的一實(shí)施例的放電串上形成兩個(gè)凹陷部804a、805a，在兩個(gè)凹陷部804a、805a之間形成突出部804b，上端電介質(zhì)層804上，在凹陷部804a、805a中至少任一個(gè)部分沿著掃描電極802或維持電極803形成，在掃描電極802和維持電極803之間形成突出部804b，至少一個(gè)凹陷部的寬度設(shè)為與突出部的寬度不同，凹陷部804a、805a寬度設(shè)為透明電極a寬度的95％-110％，至少一個(gè)凹陷部或者突出部的垂直斷面呈直線或曲線，及凹陷部804a、805a和突出部804b的段差為5μm以上10μm以下，在鄰接的放電串的透明電極a之間形成突出部，此時(shí)的突出部寬設(shè)為障壁812寬的95％-110％等所有形式。
對其的詳細(xì)內(nèi)容已通過圖7進(jìn)行了充分介紹，因此將其省略。
上述實(shí)施并非用以限制本發(fā)明，凡采取等同替換或等效變換的形式所獲得的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.等離子顯示裝置，包括前面玻璃和后面玻璃；在上述前面玻璃形成的多個(gè)第1電極；形成在上述第1電極上，在上述后面玻璃方向至少形成一個(gè)凹陷部和突出部的電介質(zhì)層；及在上述后面玻璃上以與上述第1電極交叉的方向形成的多個(gè)第2電極；且上述第1電極和上述第2電極交叉的支點(diǎn)各自組成R，G，B放電串，上述R，G，B放電串配置為多邊形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于在上述第2電極上端，再包括按一定形狀劃分上述放電串的障壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述障壁劃分的上述放電串的形狀是多邊形以上的多角形或具有曲率的非定形形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述第1電極是與按上述第1電極延長的方向配置的上述障壁的一部分交叉形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述第1電極是與按上述第1電極延長的方向配置的上述障壁同一形狀，沿著上述障壁形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述一個(gè)放電串包含兩個(gè)凹陷部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述突出部位于上述凹陷部之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述至少一個(gè)凹陷部的一部分沿著上述第1電極形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述突出部位于上述第1電極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述至少一個(gè)凹陷部的寬與上述突出部的寬互不相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述至少一個(gè)凹陷部或突出部的垂直斷面是由直線或曲線形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部和上述突出部的段差在5μm以上10μm以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述第1電極由總線電極層和透明電極層組成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部與上述總線電極層之外的部分對應(yīng)形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部的寬為上述透明電極層的寬的95％-110％。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述突出部位于鄰接的放電串的透明電極之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述突出部的寬為上述障壁寬的95％-110％。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部位于鄰接的放電串的透明電極之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述凹陷部的寬為上述障壁寬的95％-110％。
全文摘要
本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明，更具體地說是具有多邊形放電串結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。本發(fā)明以包括前面玻璃和后面玻璃；在上述前面玻璃形成的多個(gè)第1電極；形成在上述第1電極上，在上述后面玻璃方向至少形成一個(gè)凹陷部和突出部的電介質(zhì)層；在上述后面玻璃上以與上述第1電極交叉的方向形成的多個(gè)第2電極；上述第1電極和上述第2電極交叉的支點(diǎn)各自組成R、G、B放電串為特點(diǎn)。
文檔編號H01J17/16GK1975971SQ20061013943
公開日2007年6月6日 申請日期2006年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月24日
發(fā)明者李盛鉉, 李修沔 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司