專利名稱：在離子植入機中提供成段的靜電透鏡的技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于離子植入，且更具體而言，本發(fā)明是關(guān)于在離子植入
機中提供成段的靜電透鏡(segmented electrostatic lens)的4支術(shù)。
背景技術(shù)：
離子植入機(ion implanter)廣泛用于半導體制造中以選擇性地改變 材料的傳導性。在典型離子植入機中，經(jīng)由包括一或多個分析磁鐵 (analyzing magnet)以及多個電極的一系列光束線組件來引導自離子源所 產(chǎn)生的離子。分析磁鐵選擇所要離子種類、濾出污染物種類以及具有不正 確能量的離子、亦調(diào)整目標晶圓處的離子束品質(zhì)。適當成形的電極可用于 修改離子束的能量以及形狀。
圖l展示已知的離子植入機100，其包含離子源102、提取電極104、 90°磁鐵分析器106、第一減速(Dl)臺108、 70。不茲鐵分析器110以及第 二減速(D2)臺112。 D1以及D2減速臺(亦稱為"減速透鏡")中的每一 者包含具有一允許離子束穿過其的界定孔徑的多個電極。藉由將電壓電位 的不同組合施加至多個電極，Dl以及D2減速透鏡可操縱離子能量且引起離 子束以所要能量擊中目標晶圓。
以上所提及的Dl或D2減速透鏡通常為靜電三極體(或四極體)減速 透鏡。圖2展示現(xiàn)有習知靜電三極體減速透鏡200的透視圖。靜電三極體 減速透鏡200包含三組電極入口電極(entrance electrode) 202 (亦稱 為"端電極，，)、抑制電極(su卯ression electrode) 204 (或"聚焦電極，，) 以及出口電極(exit electrode) 206 (亦稱為"接地電極，，盡管未必連接 至接地)?，F(xiàn)有習知靜電四極體減速透鏡類似于靜電三極體減速透鏡200， 不同之處是四極體透鏡具有在抑制電極204與出口電極206之間的額外一 組抑制電極(或聚焦電極)。
在靜電三極體減速透鏡200中，每一組電極可具有允許離子束20穿過 (例如，沿光束方向的+z方向)的空間。如圖2中所示，每一組電極可包括 電耦接至彼此以共用相同電壓電位的兩個導電片。或者，每一組電極可為 具有用于使離子束20穿過的孔徑的單片結(jié)構(gòu)。同樣地，每一組電極有效地 為具有單一電壓電位的單電極。為簡便起見，以單數(shù)指示每一組電極。亦 即，將入口電極202稱為"入口電極202"，將抑制電極204稱為"抑制電 極204",且將出口電極206稱為"出口電極206"。
操作中，獨立地偏壓入口電極202、抑制電極204以及出口電極206使得以以下方式來操縱離子束20的能量。離子束20可經(jīng)由入口電極202進 入靜電三極體減速透鏡200且可具有(例如)10-20 keV的初始能量?？稍?入口電極202與抑制電極204之間加速離子束20中的離子。 一旦到達抑制 電極204，離子束20可具有(例如)大約30keV或更高的能量。在抑制電 極204與出口電極206之間，可將離子束20中的離子減速至通常接近用于 目標晶圓的離子植入的離子的能量。因此，當離子束20離開靜電三極體減 速透鏡200時其可具有(例如)大約3-5 keV或更低的能量。
在靜電三極體減速透鏡200中發(fā)生的離子能量的顯著變化可對離子束 20的形狀有實質(zhì)性影響。圖3展示靜電三極體減速透鏡200的俯視圖。眾 所周知，空間電荷效應(yīng)在低能量離子束中較在高能量離子束中更為顯著。 因此，當在入口電極202與抑制電極204之間加速離子束20時，觀察到離 子束20的形狀的較小變化。然而，當離子能量在抑制電極204與出口電極 206之間急劇減小時，離子束20傾向于在其邊緣處沿X及Y兩個維度膨脹。 結(jié)果，可能在到達目標晶圓之前丟失相當多的離子，且離子束20的有效照 射量減小了。
已試圖減小靜電三極體透鏡中的上述空間電荷效應(yīng)。舉例而言，在一 方法中，將熟習此項技藝者所熟知的Pierce幾何學引入靜電三極體減速透 鏡中的每一電極。亦即，每一電極在其端部彎曲至一界定角度使得靜電三 極體透鏡內(nèi)部的電場產(chǎn)生抵消離子束邊緣處的空間電荷擴散效應(yīng)的聚焦 力。然而，此方法僅可在控制離子束形狀方面達成有限成果。不管所變化 的形狀，每一電極仍保留以單一電壓電位偏壓的一個導電片。結(jié)果，由施 加至電極的總電壓電位來抑制在離子束邊緣處產(chǎn)生聚焦力。另外，電極的 一特定形狀僅可用于一特定光束形狀的調(diào)整或離子束的供應(yīng)。
鑒于上述描述，需要提供一種克服上述不足以及缺點的用于提供靜電 透鏡的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示一種在離子植入機中提供成段的靜電透鏡的技術(shù)。在一特 定例示性實施例中，可將技術(shù)實現(xiàn)為用于離子植入機中的靜電透鏡。透鏡 可包含以第一電壓電位偏壓的入口電極，其中離子束經(jīng)由入口電極進入靜 電透鏡。透鏡亦可包含以第二電壓電位偏壓的出口電極，其中離子束經(jīng)由 出口電極離開靜電透鏡。透鏡可更包含位于入口電極與出口電極之間的抑 制電極，抑制電極包含經(jīng)獨立地偏壓以操縱離子束的能量以及形狀的多個 段。
根據(jù)此特定例示性實施例的其他態(tài)樣，可在抑制電極與入口電極之間 產(chǎn)生第一組靜電場(electrostatic field),第一組靜電場將離子束加速至第一電位?？稍谝种齐姌O與出口電極之間產(chǎn)生第二組靜電場，第二組靜 電場將離子束減速至第二電位。根據(jù)一實施例，入口電極、出口電極以及 抑制電極可經(jīng)組態(tài)且偏壓以提供用于離子植入機中的緞帶狀離子束的減速 的第一 (或第二)臺。
根據(jù)此特定例示性實施例的又一態(tài)樣，多個段可包含至少 一個中心電
極以及至少兩個側(cè)電極(side electrode )。至少一個中心電極可經(jīng)偏壓以 操縱離子束的能量，且至少兩個側(cè)電極可獨立于至少一個中心電極而經(jīng)偏 壓以校正離子束的發(fā)散。至少兩個側(cè)電極可經(jīng)偏壓以抵消接近離子束邊緣 的空間電荷效應(yīng)。至少兩個側(cè)電極可相對于至少一個中心電極對稱地安置。 至少兩個側(cè)電極亦可經(jīng)對稱地偏壓。
根據(jù)此特定例示性實施例的額外態(tài)樣，多個段可包含至少一個中心電 極以及遮蔽外部靜電場的兩個或兩個以上的端電極。
根據(jù)此特定例示性實施例的又一態(tài)樣，離子束可為緞帶狀離子束，且 靜電透鏡可經(jīng)調(diào)適以容納緞帶狀離子束。
根據(jù)此特定例示性實施例的又一態(tài)樣，靜電透鏡中的至少一個電極可 具有進一步改變靜電透鏡內(nèi)部的電場的彎曲邊緣。
根據(jù)此特定例示性實施例的又一態(tài)樣，抑制電極可包含一個中心電極 以及對稱地安置于中心電極的每一側(cè)上的兩個側(cè)電極?；蛘撸种齐姌O可 包含一個中心電極以及不對稱地安置在中心電極的每一側(cè)上的兩個側(cè)電 極。
靜電透鏡可更包含在抑制電極與出口電極之間的額外抑制電極。 在另 一特定例示性實施例中，可將技術(shù)實現(xiàn)為用于提供用于離子植入 機中的靜電透鏡的方法。方法可包含提供以第一電壓電位偏壓的入口電極。 方法亦可包含提供以第二電壓電位偏壓的出口電極。方法可更包含提供位 于入口電極與出口電極之間的抑制電極，抑制電極包含多個段。方法可另 外包含獨立地偏壓抑制電極中的多個段以產(chǎn)生操縱離子束的能量以及形狀 的電場，離子束經(jīng)由入口電極進入靜電透鏡且經(jīng)由出口電極離開靜電透鏡。 根據(jù)此特定的例示性實施例的其他態(tài)樣，電場可操縱離子束的包絡(luò)的 角形狀。
根據(jù)此特定例示性實施例的又一態(tài)樣，多個段可包含至少一個中心電 極以及至少兩個側(cè)電極。可偏壓至少一個中心電極以操縱離子束的能量， 且可獨立于至少一個中心電極來偏壓至少兩個側(cè)電極以校正離子束的發(fā) 散。方法可更包含偏壓至少兩個側(cè)電極以抵消接近離子束邊緣的空間電荷 效應(yīng)。方法亦可包含相對于至少 一個中心電極對稱地定位且偏壓至少兩個 側(cè)電才及。
根據(jù)此特定例示性實施例的額外態(tài)樣，方法可更包含提供在抑制電極與出口電極之間的額外抑制電極。
現(xiàn)在將參考如隨附圖式中所示的本申請的例示性實施例來更詳細描述 本申請案。雖然以下參考例示性實施例來描述本申請案，但應(yīng)理解本申請 案不限于此。可以理解本文中的教示的熟習此項技藝者將認識到額外實施、 修改以及實施例以及其他使用領(lǐng)域，其屬于如本文中所述的本申請案的范 疇內(nèi)且相對于其本申請案可具有顯著實用性。


圖1展示現(xiàn)有習知的離子植入機。
圖2以及圖3展示現(xiàn)有習知靜電三極體透鏡且說明其中的問題。
圖4展示根據(jù)本申請案的實施例的靜電三極體透鏡的透視圖。
圖5展示根據(jù)本申請案的實施例的靜電透鏡的俯視圖。
圖6展示根據(jù)本申請案的實施例的另 一靜電透鏡的俯視圖。
圖7展示根據(jù)本申請案的實施例的又一靜電透鏡的透視圖。
圖8展示根據(jù)本申請案的實施例的又一靜電透鏡的透視圖。
20: 離子束
40: 離子束
60: 離子束
100: 離子才直入才幾
102: 離子源
104: 提取電極
106:90°磁鐵分析器
108:第一減速(Dl)臺
110:70°磁鐵分析器
112:第二減速(D2)臺
200: 靜電三極體減速透鏡
202: 入口電極
204: 抑制電極
206: 出口電才及
400: l爭電透4竟
402: 入口電極
403: 間隙
404: 抑制電極
404a:中心電才及
404b:側(cè)電^L
404c:側(cè)電^L
405: 間隙406出口電極
600靜電透鏡
602入口電極
604抑制電極
604a中心電極
604b 側(cè)電極
604c側(cè)電極
604d側(cè)電極
604e側(cè)電極
606出口電極
700靜電透鏡
702入口電極
704抑制電極
704a.中心電才及
704b.端電極
706:出口電極
800:靜電透鏡
802:入口電極
謝:抑制電極
804a中心電極
804b側(cè)電極
804c側(cè)電^L
804d端電極
806'出口電杉L
具體實施方式
本申請案的實施例說明具有一或多個成段的抑制電極的改良型靜電透 鏡。此等電極可包含相對于彼此獨立或各別地偏壓的多段，藉此提供離子 束形狀以及其能量的靈活且有效的操縱。
參看圖4，其展示根據(jù)本申請案的實施例的靜電透鏡400的透視圖。有 些類似于現(xiàn)有習知靜電三極體透鏡，靜電透鏡400可包含入口電極402以 及出口電極406。然而，并非單一抑制電極，靜電透鏡400可包含在入口電 極402與出口電極406之間的多個電極(共同稱為"抑制電極404")。換言 之，可將通常的單一抑制電極分段為可獨立定位且偏壓以在靜電透鏡400 中產(chǎn)生所要電場的多個電極(或段)。在例示性靜電透鏡400中，抑制電極 404被分段為或包含三個電極中心電極404a以及兩個側(cè)電極404b以及 404c。可相對于中心電極404a對稱地定位側(cè)電極404b以及404c。浮見入射 離子束的形狀以及所要形狀變化而定，在入口電極402與抑制電極404之間之間隙403可具有經(jīng)界定曲率的輪廓。同樣地，在抑制電極404與出口 電極406之間之間隙405亦可具有經(jīng)界定曲率的輪廓。
圖5展示根據(jù)本申請案的實施例的靜電透鏡400的俯視圖。離子束40 可經(jīng)由入口電極402進入靜電透鏡400。離子束40可為沿x方向較其沿y 方向的高度更寬的緞帶狀離子束。離子束40可具有(例如)大約10-20 keV 的初始能量。假定離子束40主要由正離子組成，則可以與入射離子束40 相同或類似的電位來偏壓入口電極402，且可以較入口電極402的更低電位 來偏壓成段的抑制電極404的中心電極404a。舉例而言，根據(jù)一實施例， 可以22 kV來偏壓入口電極402且可以-11 kV來偏壓中心電極404a。結(jié)果， 可產(chǎn)生較強電場以當正離子自入口電極402朝向抑制電極404行進時加速 正離子?？梢耘c接收離子束40的目標晶圓的電位相同或類似的電位來偏壓 出口電極406。舉例而言，在此實施例中，可以接地電位來偏壓出口電極 406,以此方式將離子40減速至大約3-5 keV或更低的能量。在另一實施 例中，可以-12 kV來偏壓入口電極402，可以-2 kV來偏壓成段的抑制電極 404的中心電才及404a,且可以接地電位來偏壓出口電極406。結(jié)果，具有大 約15 keV的初始能量的離子束40 —旦離開減速透鏡400立即可減速至大 約3 keV。另外，可獨立于中心電極404a來定位及/或偏壓該側(cè)電極4(Mb 以及404c以將所要校正提供至離子束40的形狀。視離子植入機(例如， 如圖1中所示的Dl或D2減速透鏡)中的特定使用而定，靜電透鏡400可 經(jīng)組態(tài)以(例如)調(diào)整離子束40的發(fā)散角或改變離子束40的寬度，或執(zhí) 行兩者?？上鄳?yīng)地定位且偏壓側(cè)電極4(Mb以及卩04c。在此實施例中，靜電 透鏡400的主要目的為減小離子束40的發(fā)散角。因此，在與中心電極4(Ma 相同的平面內(nèi)安置側(cè)電極404b以及40化且相對于中心電極4(Ma對稱地定 位側(cè)電4及404b以及404c。以-8. 5 kV來偏壓側(cè)電才及404b與404c,以此方 式產(chǎn)生沿離子束40邊緣的聚焦力以補償空間電荷的散焦效應(yīng)。結(jié)果，離子 束40可在抑制電極404與出口電極406之間減速之后具有較小發(fā)散或根本 不發(fā)散。另外，電極的曲率可進一步修整(例如，間隙403以及40S中) 電場以視需要產(chǎn)生聚焦或散焦力。
應(yīng)注意，為說明起見，將在靜電透鏡400的每一電極中的上片以及下 片處理為共用相同形狀以及偏壓。然而，此<又當離子束在y方向上對稱或 不發(fā)散時為必要的。預(yù)期可將本文中所迷的靜電透鏡技術(shù)應(yīng)用于y方向上 以及x方向上。另外，可如本文中所述來分段靜電四極體透鏡中的任一或 兩抑制電才及。
圖6展示根據(jù)本申請案的實施例的靜電透鏡600的俯視圖。靜電透鏡 600可包含入口電極602、抑制電極604以及出口電極606。此處，抑制電 極604可包含五4殳中心電極604a以及四個側(cè)電才及604b、 604c、 604d以
10及604e。側(cè)電極可處于與中心電極604a相同的平面內(nèi)?？上鄬τ谥行碾姌O 604a對稱地定位側(cè)電極604b以及604c。同樣地，可相對于中心電4及604a 對稱地定位側(cè)電極60化以及604e?？上鄬τ谌肟陔姌O602來偏壓中心電極 6(Ma以加速入射離子束60，且可相對于出口電才及606來偏壓中心電4及604a 以減速離子束60。根據(jù)一實施例，側(cè)電極604b以及604c可共用獨立于中 心電極604a上的電壓電位的第一電壓電位。同樣地，側(cè)電極604d以及604e 可共用獨立于第一電壓電位或中心電極604a上的電壓電位的第二電壓電 位。
在如圖4以及圖5中所示的3段式組態(tài)與如圖6中所示的5段式組態(tài) 中，可基于數(shù)學模型以計算方式判定或基于偏壓的迭代式調(diào)整以及角回應(yīng) 函數(shù)的量測以實驗方式判定施加至獨立偏壓電極的實際電壓電位?；蛘撸?可在判定偏壓過程中結(jié)合計算以及實驗方法。根據(jù)一實施例，可能需要縮 減抑制電極中的段數(shù)以節(jié)省計算時間或調(diào)諧時間。
圖7展示根據(jù)本申請案的實施例的靜電透鏡700的透視圖。靜電透鏡 700可包含入口電極702、抑制電極704以及出口電極706。抑制電極704 可包含中心電極704a以及端電極704b?？梢缘谝浑妷弘娢粊砥珘褐行碾姌O 704a，而可以第二電壓電位來偏壓端電極704b。沖艮據(jù)一實施例，此組態(tài)可 用于D2減速透鏡(諸如圖1中所示的減速透鏡)中。在D2減速透鏡處， 離子束可較其在D1減速透鏡處時更寬且更高?？赡苄枰{(diào)整離子束的寬度 與發(fā)散角度。適當偏壓的端電極704b可提供減小離子束的寬度以及發(fā)散角 度所需的聚焦力。另外，端電極704b可遮蔽不需要的電磁干擾。
圖8展示根據(jù)本申請案的實施例的靜電透鏡800的透視圖。靜電透鏡 800可包含入口電極802、抑制電極804以及出口電極806。抑制電極804 可包含中心電極804a、側(cè)電極804b以及804c以及端電極804d。與靜電透 鏡700相比，靜電透鏡800具有額外的側(cè)電極804b以及8(Mc,且因此可提 供更多能力以形成電場。另一方面，額外的側(cè)電極8(Hb以及804c亦可意 謂將處理的額外變數(shù)。
本申請案在范疇上不由本文中所述的特定實施例來限制。實際上，自 以上描述以及隨附圖式，除本文中所述的實施例以外本申請案的其他各種 實施例以及修改對于熟習此項技藝者將為顯而易見的。因此，期望此等其 他實施例以及修改屬于本申請案的范疇。此外，盡管本文已在特定目的的 特定環(huán)境中在特定實施例的情形下描述本申請案，但熟習此項技藝者將認 識到其實用性不限于此且可在許多目的的許多環(huán)境中有利地實施本申請 案。因此應(yīng)鑒于如本文中所述本申請案的完整寬度以及精神來解釋所陳述 的權(quán)利要求書。
權(quán)利要求
1.一種用于離子植入機中的靜電透鏡，包含以第一電壓電位偏壓的入口電極，其中離子束經(jīng)由所述入口電極進入所述靜電透鏡；以第二電壓電位偏壓的出口電極，其中所述離子束經(jīng)由所述出口電極離開所述靜電透鏡；以及位于所述入口電極與所述出口電極之間的抑制電極，所述抑制電極包含經(jīng)獨立地偏壓以操縱所述離子束的能量以及形狀的多個段。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 于所述抑制電極與所述入口電極之間產(chǎn)生第一組靜電場，所述第一組靜電場將所述離子束加速至第一電位；以及于所述抑制電極與所述出口電極之間產(chǎn)生第二組靜電場，所述第二組 靜電場將所述離子束減速至第二電位。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述多個段包含至少一個中心電極以及至少兩個側(cè)電極，其中所述至少一 個中心電極經(jīng)偏壓以操縱所述離子束的所述能量，且其中所述至少兩個側(cè) 電極獨立于所述至少一個中心電極而經(jīng)偏壓以校正所述離子束的發(fā)散。
4. 如權(quán)利要求3所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述至少兩個側(cè)電極經(jīng)偏壓以抵消接近所述離子束邊緣的空間電荷效應(yīng)。
5. 如權(quán)利要求3所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述至少兩個側(cè)電極相對于所述至少 一個中心電極而對稱地安置。
6. 如權(quán)利要求5所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述至少兩個側(cè)電極經(jīng)對稱地偏壓。
7. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述多個段包含至少一個中心電極；以及遮蔽外部靜電場的兩個或兩個以上的端電極。
8. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述離子束為緞帶狀離子束，且其中所述靜電透鏡經(jīng)調(diào)適以容納所述緞帶 狀離子束。
9. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述的至少一個電極具有進一步改變所述靜電透鏡內(nèi)部的電場的彎曲邊緣。
10. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述抑制電極包含一個中心電極以及對稱地安置于所述中心電極的每一側(cè)上的兩個側(cè)電才及。
11. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述抑制電極包含一個中心電極以及不對稱地安置于所述中心電極的每一 側(cè)上的兩個側(cè)電^1。
12. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，更包含在所述 抑制電極與所述出口電極之間的額外抑制電極。
13. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于，所述入口電極、所述出口電極以及所述抑制電極經(jīng)組態(tài)且偏壓以提供用于 所述離子植入機中的緞帶狀離子束的減速的第 一 臺。
14. 如權(quán)利要求1所述的用于離子植入機中的靜電透鏡，其特征在于， 所述入口電極、所述出口電極以及所述抑制電極經(jīng)組態(tài)且偏壓以提供用于 所述離子植入機中的緞帶狀離子束的減速的第二臺。
15. —種用于提供用于離子植入機中的靜電透鏡的方法，所述方法包含 以下步驟提供以第一電壓電位偏壓的入口電極； 提供以第二電壓電位偏壓的出口電極；提供位于所述入口電極與所述出口電極之間的抑制電極，所述抑制電 極包含多個段；以及獨立地偏壓所述抑制電極中的所述多個段以產(chǎn)生操縱離子束的能量以 及形狀的電場，所述離子束經(jīng)由所述入口電極進入所述靜電透鏡且經(jīng)由所 述出口電極離開所述靜電透鏡。
16. 如權(quán)利要求15所述的用于提供用于離子植入機中的靜電透鏡的方 法，其特征在于，所述電場操縱所述離子束包絡(luò)的角形狀。
17. 如權(quán)利要求15所述的用于提供用于離子植入機中的靜電透鏡的方 法，其特征在于，所述多個段包含至少一個中心電極以及至少兩個側(cè)電極， 其中所述至少一個中心電極經(jīng)偏壓以操縱所述離子束的所述能量，且其中 所述至少兩個側(cè)電極獨立于所述至少 一 個中心電極而經(jīng)偏壓以校正所述離 子束的發(fā)散。
18. 如權(quán)利要求17所述的用于提供用于離子植入機中的靜電透鏡的方 法，更包含偏壓所述至少兩個側(cè)電極以抵消接近所述離子束邊緣的空間電荷效應(yīng)。
19. 如權(quán)利要求17所述的用于提供用于離子植入機中的靜電透鏡的方 法，更包含相對于所述至少一個中心電極對稱地定位且偏壓所述至少兩個側(cè)電極。
20. 如權(quán)利要求15所述的用于提供用于離子植入機中的靜電透鏡的方法，更包含提供在所述抑制電極與所述出口電極之間的額外抑制電極。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種在離子植入機中提供成段的靜電透鏡的技術(shù)。在一特定例示性實施例中，可將技術(shù)實現(xiàn)為用于離子植入機中的靜電透鏡。透鏡可包含以第一電壓電位偏壓的入口電極，其中離子束經(jīng)由入口電極進入靜電透鏡。透鏡亦可包含以第二電壓電位偏壓的出口電極，其中離子束經(jīng)由出口電極離開靜電透鏡。透鏡可更包含位于入口電極與出口電極之間的抑制電極，抑制電極包含經(jīng)獨立地偏壓以操縱離子束的能量以及形狀的多個段。
文檔編號H01J37/30GK101322216SQ200680045225
公開日2008年12月10日 申請日期2006年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月15日
發(fā)明者史費特那·B·瑞都凡諾, 安東尼·雷諾, 詹姆士·S·貝福 申請人:瓦里安半導體設(shè)備公司