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      雙面發(fā)光面光源裝置的制作方法

      文檔序號:2929165閱讀:188來源:國知局
      專利名稱:雙面發(fā)光面光源裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種光源裝置。且特別涉及一種雙面發(fā)光的面光源裝置,以 產(chǎn)生所要的光。 -
      背景技術(shù)
      光源裝置在日常生活中的使用非常廣泛。傳統(tǒng)的光源裝置例如燈泡是通 過燈絲,于通電后由于高溫而產(chǎn)生可見光源。此種燈泡是的光源基本上是點 狀的。接著管狀的光源也接著被發(fā)展出來。經(jīng)過長時間的研發(fā)與改變,平面 光源的裝置也被提出,例如廣泛使用于平面顯示器上。
      平面光源的機制有多種。圖1繪示傳統(tǒng)平面光源裝置機制的剖面示意圖。
      參閱圖1,此發(fā)光機制是藉二電極結(jié)構(gòu)100、 102與電源106連接,在一搡作 電壓下產(chǎn)生電場,并利用氣體放電,又稱為等離子體放電(Plasma Discharge) 方式促使氣體104被游離,通過氣體導(dǎo)電的方式使電子IIO撞擊氣體后產(chǎn)生 躍遷并發(fā)出紫外光,撞擊到在電極結(jié)構(gòu)102上對應(yīng)不同顏色的熒光層108a、 108b、 108c,例如紅、綠、藍熒光層吸收紫外光后便發(fā)出可見光112。于此, 電極結(jié)構(gòu)100是出光面,因此一般要采用透光材料,其例如利用由玻璃基板 以及銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電層所組成。
      另一種光源的產(chǎn)生機制是場發(fā)射(Field Emission)機制如圖2所示。圖2 繪示另一傳統(tǒng)平面光源裝置機制的剖面示意圖。在玻璃基板120上設(shè)置有陰 極結(jié)構(gòu)層122。在陰極結(jié)構(gòu)層122設(shè)置有多個圓錐形導(dǎo)電體124。在圓錐形 導(dǎo)電體124上設(shè)置有柵層126(Gate layer)。在柵層126上對應(yīng)圓錐形導(dǎo)電體 124有多個孔洞。另一陽極結(jié)構(gòu)層128有透明陽極層設(shè)置在玻璃基板上。另 外熒光層130設(shè)置在陽極結(jié)構(gòu)層128上。通過陰陽極之間的高電場使電子132 從圃錐形導(dǎo)電體124的尖端逸出,經(jīng)電場加速后撞擊在熒光層130上使其發(fā) 出可見光。
      上述兩種傳統(tǒng)發(fā)光機制各有優(yōu)缺點。氣體放電的方式容易產(chǎn)生且結(jié)構(gòu)簡 單,但是缺點是其過程需要產(chǎn)生等離子體且發(fā)光機制為能量二次轉(zhuǎn)換,因此很耗電。場發(fā)射的光源是冷光源的一種,其原理類似陰極射線管(CRT),電
      子在高速真空中直接撞擊熒光粉以發(fā)出可見光。其優(yōu)點是亮度高且較省電,
      又容易做成平面結(jié)構(gòu),而缺點是須在陰極上成長或涂布均勻的發(fā)射(Emission) 材料,例如需要形成有針狀(spindle)結(jié)構(gòu),或是要使用納米碳管。利用有大 的深寬比(Aspect Ratio)的微結(jié)構(gòu)使電子能克服陰極的功函數(shù)(work flmction) 以脫離陰才及到真空的空間中。如此的方式,有困難達到大面積均勻形成此陰 極結(jié)構(gòu)。另外,場發(fā)射之間的陰極與陽極的距離需要準確控制,因此其邊壁 結(jié)構(gòu)(Spacer)的規(guī)格要求很高,且真空的封裝也是問題之一。
      又,上述的光源裝置都是架構(gòu)在單方向發(fā)光的設(shè)計。就光源裝置而言, 仍有其應(yīng)用的限制。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供一種雙面發(fā)光的面光源裝置,可以配合實際的需要做為照明 或是顯示裝置用的燈源模塊。
      依照一實施例,本發(fā)明提供一種雙面發(fā)光面光源裝置,包括透明陰極結(jié) 構(gòu)、透明陽極結(jié)構(gòu)、熒光層、以及低壓氣體層。透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽極結(jié) 構(gòu)相對且分別是面狀結(jié)構(gòu)。熒光層位于透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽極結(jié)構(gòu)之間。 低壓氣體層填充于透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽極結(jié)構(gòu)之間,有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射 電子的作用。又、低壓氣體層有一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的 電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。
      依照一實施例,本發(fā)明又提供一種雙面發(fā)光面光源裝置,包括至少一條 陰極線結(jié)構(gòu)、透明陽極結(jié)構(gòu)、熒光層、以及低壓氣體層。透明陽極結(jié)構(gòu)是面 狀結(jié)構(gòu),其中陰極線結(jié)構(gòu)與該透明陽極結(jié)構(gòu)相互平行。熒光層位于陰極線結(jié) 構(gòu)與透明陽極結(jié)構(gòu)之間。低壓氣體層填充于陰極線結(jié)構(gòu)與透明陽極結(jié)構(gòu)之 間,有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用。又、低壓氣體層有一電子平均自由路 徑,允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊熒光層。
      依照一實施例,本發(fā)明又提供一種雙面發(fā)光面光源裝置,包括第一透明 基板、第二透明基板、間隙側(cè)壁、低壓氣體層、陰極結(jié)構(gòu)、以及一陽極結(jié)構(gòu)。 間隙側(cè)壁設(shè)置在第 一透明基板與第二透明基板之間構(gòu)成一 空間。低壓氣體層 填充于此空間內(nèi),有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用。陰極結(jié)構(gòu)與陽極結(jié)構(gòu)都 在該第 一透明基板上。熒光結(jié)構(gòu)層設(shè)置在第 一透明基板上且位于陰極結(jié)構(gòu)與陽極結(jié)構(gòu)之間。低壓氣體層有一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的電 子在一操作電壓下橫向移動,直接撞擊該熒光結(jié)構(gòu)層。
      依照一實施例,本發(fā)明也提供一種雙面發(fā)光面光源裝置,包括第一導(dǎo)電 透明基板與一第二導(dǎo)電透明基板,面對面配置,做為陽極結(jié)構(gòu)。熒光結(jié)構(gòu)層 位在第 一與第二透明基板上。間隙側(cè)壁位在第 一透明基板與第二透明基板之 間構(gòu)成一空間。低壓氣體層填充于該空間內(nèi),有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作 用。線狀陰極結(jié)構(gòu)分布在第一與第二透明基板之間的平面上。低壓氣體層有 一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下橫向移動, 直接撞擊該焚光結(jié)構(gòu)層。
      為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)
      選實施例,并配合附圖,作詳細"i兌明如下。


      圖l繪示傳統(tǒng)平面光源裝置機制的剖面示意圖。
      圖2繪示另一傳統(tǒng)平面光源裝置機制的剖面示意圖。
      圖3繪示依據(jù)本發(fā)明實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。
      圖4繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。
      圖5-7繪示依據(jù)本發(fā)明另 一些實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。
      圖8~11繪示依據(jù)本發(fā)明另一些實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。
      圖12A與圖12B是繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施例,雙面發(fā)光面光源裝置 的側(cè)視與上視剖面示意圖。
      附圖標記說明
      100、102:電極結(jié)構(gòu)104:氣體
      106:電源108a、108b、 108c:焚光層
      110:電子112:可見光
      120:玻璃基板122:陰極結(jié)構(gòu)層
      124:圓錐形導(dǎo)電體126:4冊層
      128:陽極結(jié)構(gòu)層130:焚光層
      132:電子200、290、 300:透明基板
      202、298、 302:透明基板204、232、 304:間隙側(cè)壁206、292、 310:透明陰才及結(jié)構(gòu)208、294、 306:透明陽極結(jié)構(gòu)
      210、308:熒光層212:電子
      214:氣體離子216:二次電子
      218、220:光224、226:易放電材料層
      228:透明導(dǎo)電保護層228400:導(dǎo)電透明基板
      402:焚光層404:陰極線結(jié)構(gòu)
      406:間隙側(cè)壁
      具體實施例方式
      本發(fā)明提出一種雙面發(fā)光的面光源裝置,利用電子發(fā)射特性的基本機 制,通過氣體的真空度的控制,可以達到發(fā)光的效果。另外,配合透明電極 與透明基板的設(shè)置,可以達到雙面發(fā)光的功效。利用本發(fā)明的機制,可以容 易制造成均勻的雙面發(fā)光的面光源裝置。更利用熒光材料的選擇例如也可以 產(chǎn)生平面紫外光源,或是其他的波長如可見光、紅外光等。本發(fā)明的雙面發(fā) 光的面光源裝置除了可提供做為照明與裝飾外,也可以配合顯示器做為發(fā)光 源。透明基板的材料可以是硬性材料或是可撓曲材料。又面光源裝置可以是 平面或是曲面,其依實際需要而變化。以下舉一些實施例做說明,但是本發(fā) 明不4又現(xiàn)于所舉的一些實施例。又所舉的一些舉實施例也可以互相估文適當結(jié) 合,不必是個別獨立的實施例。
      本發(fā)明提出的光源裝置利用氣體傳導(dǎo)的特性,將足夠數(shù)量的電子從陰極 導(dǎo)出。這些電子在稀薄的氣體中飛行。由于稀薄氣體的平均電子自由路徑較 長,仍有足夠數(shù)量的電子會直接撞擊到例如在陽極上的熒光粉材料,使其發(fā) 光。此種熒光粉會^^皮電子激發(fā)而發(fā)光。如果需要紫外光,則可以調(diào)整會發(fā)出
      紫外光的熒光粉的元素比例,促4吏發(fā)出例如波長為100nm 400nm的光。另 外也可以利用電壓的改變來控制發(fā)光強度。
      圖3繪示依據(jù)本發(fā)明實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。參閱圖 3,本發(fā)明需要一空間以維持低壓氣體。此有低壓氣體的空間例如是通過透 明基板200與透明基板202,以及在二者其間的間隙側(cè)壁204所構(gòu)成。此低 壓氣體層可通過一般技術(shù)達成,其細部技術(shù)不予詳迷。
      本實施例的透明陰極結(jié)構(gòu)206設(shè)置在透明基板200上,透明陽極結(jié)構(gòu)208 設(shè)置在透明基板208上。間隙側(cè)壁204在透明基板200與透明基板202之間構(gòu)成容置低壓氣體層的空間。又,間隙側(cè)壁204可分隔出多空間或是單一空 間,其依實際需要來設(shè)置無須限定。透明的導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物 (ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、或是透明導(dǎo)電氧化物等常見的材料。
      透明陰極結(jié)構(gòu)206與透明陽極結(jié)構(gòu)208例如是相對且分別是面狀結(jié)構(gòu)。 一般而言,熒光層210位于透明陰極結(jié)構(gòu)206與透明陽極結(jié)構(gòu)208之間,較 佳例如是設(shè)置在透明陽極結(jié)構(gòu)208上。低壓氣體層填充于透明陰極結(jié)構(gòu)206 與透明陽極結(jié)構(gòu)208之間,有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用。又、低壓氣體 層有一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞 擊該熒光層。低壓氣體層的氣壓例如是在8xl0" 10、orr的范圍內(nèi)。該低壓 氣體層的氣體包括例如鈍氣、大氣、He、 Ne、 Ar、 Kr、 Xe、 H2、或(302等。
      在低壓氣體層中被有誘導(dǎo)出的電子212會被加速朝向透明陽極結(jié)構(gòu)208 移動。由于電子平具自由路徑大,因此足夠數(shù)量的電子212可以直接撞擊熒 光層208。另外,在低壓氣體層中被游離的正電氣體離子214會朝向透明陰 極結(jié)構(gòu)206撞擊,因此可能也會有一些二次電子(secondary electrons) 216產(chǎn) 生,增加電子的數(shù)量。如何有效產(chǎn)生二次電子的方式會于后面描述。 一般而 言,不同的氣壓有不同的操作電壓,且亮度會隨操作電壓的增加而增加,約 略維持線性的關(guān)系。
      由于透明基板200與透明基板202都是透光的,由熒光層產(chǎn)生的光218、 220會穿透過二個透明基板200、 202達到雙面發(fā)光的效果。
      又關(guān)于熒光層210的結(jié)構(gòu),其例如是單層結(jié)構(gòu)。然而依照熒光層的變化, 例如也可以是疊層結(jié)構(gòu)或是混層結(jié)構(gòu),其包含有多種不同熒光材料所組成。 疊層結(jié)構(gòu)例如是多層不同熒光材料疊置所成,可以產(chǎn)生混光,例如由紅藍綠 混合成白光。另外,混層結(jié)構(gòu)是指不同顏色的熒光層設(shè)置在不同區(qū)域分別產(chǎn) 生對應(yīng)頻率的光,以達到混光效果。另外,焚光層除了可見光材料外,也可 以采用紅外光材料或紫外光材料。
      上述的雙面發(fā)光面光源裝置僅是基本的結(jié)構(gòu)。為了更增加發(fā)光的效率, 在透明陰極結(jié)構(gòu)206或透明陽極結(jié)構(gòu)208上可以增設(shè)一些輔助功能層。以下 針對在透明陰極結(jié)構(gòu)206或透明陽極結(jié)構(gòu)208上的變化描述。圖4繪示依據(jù) 本發(fā)明另一實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。參閱圖4,為了能更 有效產(chǎn)生二次電子216,以增加發(fā)光亮度,可以例如在透明陰極結(jié)構(gòu)206上, 增加設(shè)置一層二次電子材料層222。 二次電子材料層222的材料例如包括氧化鎂(MgO)、三氧化二鋱(Tb20s)、三氧化二鑭(La203)或二氧化鈰(Ce02)。
      圖5-7繪示依據(jù)本發(fā)明另 一些實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。 參閱圖5,在透明陰極結(jié)構(gòu)206上也可以再設(shè)置易放電材料層(emitter material layer)224。易放電材料層224提供表面結(jié)構(gòu)允許更容易放電,如此可以降低 操作電壓。易放電材料層224例如包括金屬材、納米碳管(carbonnanotube)、 纟內(nèi)米碳壁(carbon nanowall)、纟內(nèi)米孑L隙碳才才(carbon nanoporous)、 ;j主4大氧4匕《辛 (ZnO)、或是氧化鋅(ZnO)材等。
      于圖5的實施例,易放電材料層224是例如設(shè)置在透明陰極結(jié)構(gòu)206上, 但是其不是唯一的設(shè)置方式。參閱圖6,另一層的易放電材料層226是設(shè)置 在透明陽極結(jié)構(gòu)208上,其也有助于放電效果。又參閱圖7,在透明陰極結(jié) 構(gòu)206與易透明陽極結(jié)構(gòu)208上也可分別同時設(shè)置易放電材料層224與226。
      又,圖5到圖7僅繪示易放電材料層。如果需要,也可以配合圖4增加 二次電子材料層的設(shè)置。換句或說,本發(fā)明所舉的多個實施例,都可以適當 結(jié)合變化,無需限制在個別的實施例。
      接著、圖8繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意 圖。參閱圖8,本實施例再增加透明導(dǎo)電保護層228,設(shè)置在熒光層210上。 透明導(dǎo)電保護層228也是導(dǎo)電材料,用于保護熒光層210。透明導(dǎo)電保護層 228的作用其一是防止熒光層210被離子轟擊導(dǎo)致燒壞熒光體,因此可以增 加熒光層210的壽命。透明導(dǎo)電保護層228的作用較著重于保護的作用,因 此只要薄層即可,例如幾個nm。另外,透明陰極結(jié)構(gòu)206上例如也同時設(shè) 置有易放電材料層224。
      前述實施例的熒光層是以面狀的方式設(shè)置,但是也允許其他的變化。圖 9繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。參閱圖9, 二個透明基板290、 298以及間隙側(cè)壁296的設(shè)置如先前的描述,可以成一 空間,以填入低壓氣體。本實施例的差異在于電極與熒光層的安排。陰極結(jié) 構(gòu)292與陽極結(jié)構(gòu)294是在相同的基板290上。由于陽極結(jié)構(gòu)292與陰極結(jié) 構(gòu)294的面積小,其可采用透明導(dǎo)電材料或是不透明的導(dǎo)電材料皆可,其中 仍以透明導(dǎo)電材料較佳。熒光結(jié)構(gòu)層是設(shè)置在透明基板290上且位于陰極結(jié) 構(gòu)292與陽極結(jié)構(gòu)294之間。
      熒光結(jié)構(gòu)層例如包括多個熒光單體所組成,每一個熒光單體表面有熒光 材料層。熒光單體295例如由球面狀的熒光單體,每一個熒光單體295表面有熒光材料層。又例如,熒光單體295是由柱面狀的熒光單體,每一個熒光 單體表面有熒光材料層。于本實施例,電子(e)的移動方向如箭頭所示,是橫 向移動。由于二個透明基板290、 298是透明的,產(chǎn)生的光是以雙面發(fā)出。 圖10繪示依據(jù)本發(fā)明另一實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。 參閱圖10,雙面發(fā)光面光源裝置更也可以設(shè)置間隙側(cè)壁232在電極206與熒 光層210之間,以達到容置低壓氣體的空間。換句話說,在基板之間之間隙 側(cè)壁232可以無需提供支撐基板的效過果。這些都是達成空間隔離一些設(shè)計 的變化實施例。
      根據(jù)圖3的相同原則,也可以對電及結(jié)構(gòu)做一些改變。圖11繪示依據(jù) 本發(fā)明另一實施例,雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。參閱圖11,透明基板 300、 302以及間隙側(cè)壁304,如先前描述可以構(gòu)成容置〗氐壓氣體的空間。以 下描述本實施例的變化。至少一條陰極線結(jié)構(gòu)310設(shè)置在透明基板300上方 的空間。本實施例以多條陰極線結(jié)構(gòu)310為例做說明。透明陽極結(jié)構(gòu)306是 面狀結(jié)構(gòu),形成于透明基板300上,且與該透明陽極結(jié)構(gòu)相互平行。熒光層 308位于陰極線結(jié)構(gòu)310與透明陽極結(jié)構(gòu)306之間。例如、熒光層308直接 形成在陰極線結(jié)構(gòu)310上。
      由于陰極線結(jié)構(gòu)310例如是細線結(jié)構(gòu),因此不會實質(zhì)上影響發(fā)光的品質(zhì)。 另外,根據(jù)相同的原則,可以有其他的變化。例如、圖12A與圖12B 是繪示依據(jù)本發(fā)明另 一實施例,雙面發(fā)光面光源裝置的側(cè)視與上視剖面示意 圖。參閱圖12A, 二個導(dǎo)電透明基板400以及間隙側(cè)壁406,如先前描述可 以構(gòu)成容置低壓氣體的空間。于此,導(dǎo)電透明基板400例如是導(dǎo)電玻璃,做 為陽極。在導(dǎo)電透明基板400上設(shè)置有熒光層402。在二個導(dǎo)電透明基板400 之間設(shè)置有至少一條陰極線結(jié)構(gòu)404。本實施例以多條陰極線結(jié)構(gòu)404為例 做說明,而條陰極線結(jié)構(gòu)404的分布如圖12B所示,是分布在二導(dǎo)電透明基 板之間的平面上。由于透明陽極結(jié)構(gòu)402是面狀結(jié)構(gòu),可以構(gòu)成雙面發(fā)光的 面板。
      在本發(fā)明提出的雙面發(fā)光面光源裝置,更可配合顯示技術(shù)的發(fā)展,進行 雙面影像顯示,或是曲面的影像顯示。
      雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例披露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,本領(lǐng) 域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當可作些許的更動與潤飾,因 此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權(quán)利要求所界定的為準。
      權(quán)利要求
      1. 一種雙面發(fā)光面光源裝置,包括透明陰極結(jié)構(gòu);透明陽極結(jié)構(gòu),其中該透明陰極結(jié)構(gòu)與該透明陽極結(jié)構(gòu)分別是面狀結(jié)構(gòu)且相互平行;熒光層,位于該透明陰極結(jié)構(gòu)與該透明陽極結(jié)構(gòu)之間;以及低壓氣體層,填充于該透明陰極結(jié)構(gòu)與該透明陽極結(jié)構(gòu)之間,有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用;其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。
      2. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置,還包括第一透明基板、第 二透明基板、以及間隙側(cè)壁,其中該透明陰才及結(jié)構(gòu)在該第一透明基4反上、該 透明陽極結(jié)構(gòu)在該第二透明基板上,該間隙側(cè)壁在該第一透明基板與該第二 透明基板之間構(gòu)成一空間,以容置該低壓氣體層,
      3. 如權(quán)利要求2所述的雙面發(fā)光面光源裝置, 第二透明基板包括硬質(zhì)透明材料。
      4. 如權(quán)利要求2所述的雙面發(fā)光面光源裝置, 第二透明基板包括可撓曲透明材料。
      5. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置, 在該透明陰才及結(jié)構(gòu)上。
      6. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置, 該透明陰極結(jié)構(gòu)與該透明陽極結(jié)構(gòu)的至少其一上
      7. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置, 表面結(jié)構(gòu),使達到易放電。
      8. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置, 該熒光層上,以保護該熒光層。
      9. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置, 是在8xl0"~l(T3torr的范圍內(nèi)。
      10. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該低壓氣體層包括鈍其中該第一透明基^1與該其中該第一透明基板與該還包括二次電子材料層,還包括易放電材料層,在其中該易放電材料層包括還包括透明導(dǎo)電保護層在其中該低壓氣體層的氣壓
      11. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該低壓氣體層包括大氣、He、 Ne、 Ar、 Kr、 Xe、 H2、或C02。
      12. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光層包含一單層 結(jié)構(gòu)。
      13. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光層包含疊層結(jié) 構(gòu)或是混層結(jié)構(gòu),包含有多種不同熒光材料。
      14. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光層包含有多區(qū) 域,分別產(chǎn)生對應(yīng)頻率的光。
      15. —種雙面發(fā)光面光源裝置,包括 至少一條陰極線結(jié)構(gòu);透明陽極結(jié)構(gòu),是面狀結(jié)構(gòu),其中該陰極線結(jié)構(gòu)與該透明陽極結(jié)構(gòu)相互 平行;焚光層,位于該陰極線結(jié)構(gòu)與該透明陽極結(jié)構(gòu)之間;以及 低壓氣體層,填充于該陰極線結(jié)構(gòu)與該透明陽極結(jié)構(gòu)之間,有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用;其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。
      16. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置,還包括第一透明基板、 第二透明基板、以及間隙側(cè)壁,該間隙側(cè)壁在該第一透明基板與該第二透明 基板之間構(gòu)成一空間,以容置該低壓氣體層,其中該陰極線結(jié)構(gòu)在該第一透 明基板上方的該空間中、該透明陽極結(jié)構(gòu)與該熒光層形成在該第一透明基板 上。
      17. 如權(quán)利要求16所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該第一透明基板與 該第二透明基板包括硬質(zhì)透明材料。
      18. 如權(quán)利要求16所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該第一透明基板與 該第二透明基板包括可撓曲透明材料。
      19. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置,還包括易放電材料層, 在該透明陽極結(jié)構(gòu)上。
      20. 如權(quán)利要求19所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該易放電材料層包 括表面結(jié)構(gòu),使達到易放電。
      21. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置,還包括透明專電保護層在該熒光層上,以保護該焚光層。
      22. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該低壓氣體層的氣 壓是在8xl0-1 l(T3torr的范圍內(nèi)。
      23. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光層包含一單 層結(jié)構(gòu)。
      24. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光層包含疊層 結(jié)構(gòu)或是混層結(jié)構(gòu),包含有多種不同熒光材料。
      25. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光層包含有多 區(qū)域,分別產(chǎn)生對應(yīng)頻率的光。
      26. —種雙面發(fā)光面光源裝置,包括 第一透明基板; 第二透明基板;間隙側(cè)壁,在該第 一 透明基板與該第二透明基板之間構(gòu)成 一 空間; 低壓氣體層,填充于該空間內(nèi),有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用; 陰極結(jié)構(gòu),在該第一透明基板上; 陽極結(jié)構(gòu),在該第一透明基板上;以及熒光結(jié)構(gòu)層,在該第 一透明基板上且位于該陰極結(jié)構(gòu)與該陽極結(jié)構(gòu)之間,其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的電子在 一操作電壓下橫向移動,直接撞擊該熒光結(jié)構(gòu)層。
      27. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該低壓氣體層的氣 壓是在8xl0" 10-3torr的范圍內(nèi)。
      28. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光結(jié)構(gòu)層包括 多個熒光單體所組成,每一個熒光單體表面有熒光材料層。
      29. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光結(jié)構(gòu)層是由 球面狀的多個焚光單體所組成,每一個熒光單體表面有熒光材料層。
      30. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光結(jié)構(gòu)層是由 柱面狀的多個焚光單體所組成,每一個熒光單體表面有熒光材料層。
      31. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光結(jié)構(gòu)層構(gòu)成 至少一發(fā)光區(qū)域
      32. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該熒光結(jié)構(gòu)層的熒光材料層包含一單層結(jié)構(gòu)。
      33. 如權(quán)利要求26所述的光源裝置,其中該熒光層包含有多區(qū)域,分別 產(chǎn)生對應(yīng)頻率的光。
      34. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該焚光結(jié)構(gòu)層的焚 光材料層包含疊層結(jié)構(gòu)或是混層結(jié)構(gòu),有多種不同熒光材料。
      35. —種雙面發(fā)光面光源裝置,包括第一導(dǎo)電透明基板與第二導(dǎo)電透明基板,面對面配置,做為一陽極結(jié)構(gòu); 熒光結(jié)構(gòu)層,在該第一與該第二透明基板上; 間隙側(cè)壁,在該第 一透明基板與該第二透明基板之間構(gòu)成一空間; 低壓氣體層,填充于該空間內(nèi),有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用;以及 線狀陰極結(jié)構(gòu),分布在該第 一與該第二透明基板之間的平面上, 其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的電子在 一操作電壓下橫向移動,直接撞擊該熒光結(jié)構(gòu)層。
      36. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置,其中該低壓氣體層的氣 壓是在8xl0" l(T3torr的范圍內(nèi)。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種雙面發(fā)光面光源裝置,包括透明陰極結(jié)構(gòu)、透明陽極結(jié)構(gòu)、熒光層、以及低壓氣體層。透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽極結(jié)構(gòu)相對且分別是面狀結(jié)構(gòu)。熒光層位于透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽極結(jié)構(gòu)之間。低壓氣體層填充于透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽極結(jié)構(gòu)之間,有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用。又、低壓氣體層有一電子平均自由路徑,允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。
      文檔編號H01J63/00GK101471224SQ200710305220
      公開日2009年7月1日 申請日期2007年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月29日
      發(fā)明者卓連益, 李中裕, 林依萍, 陳世溥 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院
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