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      等離子功率供給裝置的制作方法

      文檔序號:2952901閱讀:193來源:國知局
      專利名稱:等離子功率供給裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種具有多個功率供給單元的等離子功率供給裝置以及一種用于運行具有多個功率供給單元的等離子功率供給裝置的方法。
      背景技術(shù)
      在平板顯示器(FPD)制造工藝中,在多個步驟中對襯底——例如玻璃板的較大表面均勻地進行鍍膜。由建筑玻璃鍍膜已知的是,在等離子工藝中借助于濺射/陰極濺射對較大的玻璃表面進行鍍膜,更確切地說,既反應(yīng)地又常規(guī)地進行鍍膜。為此,借助電流源或者電壓源產(chǎn)生等離子體,所述等離子體從目標(biāo)材料中脫離,所述目標(biāo)材料沉積在襯底—— 例如玻璃板上。在沉積之前,原子還可以根據(jù)所期望的鍍膜在反應(yīng)過程中與氣體原子或分
      丁纟口口。在建筑玻璃鍍膜中,使玻璃板在等離子室(鍍膜室)中連續(xù)地從濺射源旁邊通過, 并且因此鍍膜被均勻地鍍敷。為此,等離子分布必然在僅僅一個軸線上(即一維地,也就是說與襯底的運動方向垂直地)是均勻的。在建筑玻璃鍍膜中,既使用DC濺射工藝也使用中頻(MF)濺射工藝。后者以(MF) 功率供給單元運行。在此,由單相電壓或多相電壓產(chǎn)生經(jīng)調(diào)節(jié)的或未經(jīng)調(diào)節(jié)的中間電路電壓。借助逆變器電路(例如,橋式電路)將中間電路電壓轉(zhuǎn)換成中頻(MF)交變電壓 (10-500kHz)。將MF輸出功率信號連接到振蕩回路上,所述振蕩回落被激勵以產(chǎn)生振蕩。所述振蕩回路可以是串聯(lián)振蕩回路或者是并聯(lián)振蕩回路。借助具有電壓源特性的輸出功率信號激勵串聯(lián)振蕩回路,而借助具有電流源特性的輸出功率信號激勵并聯(lián)回路。通常,將MF功率——也就是說由功率供給單元生成的具有10_500kHz范圍內(nèi)的頻率的交變信號耦合輸出給振蕩回路的線圈以及連接到鍍膜設(shè)備的鍍膜室中的兩個電極上, 從而在鍍膜室中可以產(chǎn)生等離子體。所述電極在MF激勵系統(tǒng)中交替地作為陽極和陰極工作。在FPD制造工藝中,由于其尺寸,在不移動襯底的情況下對襯底進行平面地鍍膜。因為從幾平方米至幾十平方米的相對較大的襯底在整個表面上被同時鍍膜并且故障率必須非常小——因為FDP不可以由多個部分組裝而成,所以對設(shè)備、等離子室、電極、目標(biāo)以及最后對等離子功率供給裝置提出新的要求。為了在一個工作步驟中對整個表面進行鍍膜,每工作步驟需要比在建筑玻璃鍍膜的情況下高得多的功率。為了產(chǎn)生等離子體,F(xiàn)PD制造工藝需要具有50至200kW以及更高功率的功率供給單元。在此,功率供給單元應(yīng)當(dāng)可在不造成高耗費的情況下在各個功率等級之間重新配置,即例如從50kW重新配置為100kW。等離子室中的多個目標(biāo)往往由多個功率供給單元供電。在此,具有挑戰(zhàn)的是,在各個功率供給單元的短時間中斷或功率波動的情況下也將功率均勻地輸送到整個表面上。在等離子鍍膜時可能出現(xiàn)電弧,在出現(xiàn)電弧的情況下電流在等離子中尋找導(dǎo)電通道。其原因是除了襯底本身以外等離子室的部件、諸如其內(nèi)壁也以導(dǎo)電性特別差的材料涂覆,所述材料隨后充電到擊穿電壓。必須避免這樣的電弧或者在其出現(xiàn)時盡可能快地熄滅這樣的電弧。因此,已知的是,設(shè)置電弧識別裝置。如果現(xiàn)在對于與磁控管連接的功率供給單元確定已經(jīng)出現(xiàn)電弧或者有出現(xiàn)電弧的危險,則必須采取相應(yīng)的應(yīng)對措施,例如中斷功率輸送。但是如果在大的等離子室中使用多個磁控管,則此外還須注意,盡可能均勻地進行襯底的鍍膜。因此,由各個功率供給單元饋給的等離子工藝應(yīng)盡可能均勻地進行。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的任務(wù)是,提供一種等離子功率供給裝置,借助所述等離子功率供給裝置能夠?qū)崿F(xiàn)較大襯底的盡可能均勻的鍍膜。所述任務(wù)通過一種具有多個功率供給單元的等離子功率供給裝置解決,這些功率供給單元分別包括a)交變信號產(chǎn)生器;b)調(diào)制器,所述調(diào)制器以至少一個調(diào)制信號調(diào)制由所述交變信號產(chǎn)生器產(chǎn)生的交變信號;c)調(diào)制信號輸入端,所述調(diào)制信號輸入端與所述調(diào)制器連接;d)調(diào)制信號輸出端,所述調(diào)制信號輸出端與另一個功率供給單元的至少一個調(diào)制輸入端連接。通過所述措施,能夠以同一調(diào)制信號調(diào)制所有在每個功率供給單元中生成的交變信號。通過合適的調(diào)制信號,一方面可以調(diào)節(jié)或者控制功率供給單元的輸出功率,另一方面可以產(chǎn)生功率供給單元的輸出信號,所述輸出信號重復(fù)和/或在一確定的時間段內(nèi)不向所對應(yīng)的等離子工藝提供功率或者僅僅向所對應(yīng)的等離子工藝提供小的功率。因此,例如可以減少或者完全避免等離子室中電弧的產(chǎn)生。每個功率供給單元可以具有各自的調(diào)制信號產(chǎn)生器,所述調(diào)制信號產(chǎn)生器與調(diào)制信號輸出端和/或調(diào)制器連接。此外,通過功率供給單元彼此連接的方式,可以使由不同的功率供給單元生成的調(diào)制信號彼此疊加,并且因此以多個調(diào)制信號調(diào)制在一個功率供給單元中生成的交變信號。如果在一個功率供給單元中輸出功率波動(這可能具有不同原因),則功率供給單元的調(diào)制信號產(chǎn)生器可以使其他功率供給單元與所述功率波動同步??梢栽O(shè)置外部的調(diào)制信號生成器,其與至少一個功率供給單元的調(diào)制信號輸入端連接。通過預(yù)先給定外部的調(diào)制信號,可以控制功率供給單元中的至少一個的輸出功率、優(yōu)選控制所有功率供給單元的輸出功率。功率供給單元的調(diào)制信號輸出端和調(diào)制信號輸入端可以實現(xiàn)在一個共同的接口中。由此可以特別簡單地構(gòu)造和實現(xiàn)調(diào)制信號輸入端和調(diào)制信號輸出端。所述交變信號產(chǎn)生器可以被構(gòu)造為自由振蕩器(Freisctwinger)。這意味著,交變信號的頻率不是外部預(yù)先給定的,而是自動地基于振蕩回路的組件的大小產(chǎn)生。這還意味著,各個功率供給單元的交變信號不是彼此同步的。通過使用輸送給所有功率供給單元的調(diào)制信號可以進行同步。尤其是可以實現(xiàn)功率供給單元的輸出信號的經(jīng)同步的起振和衰減,這導(dǎo)致均勻的鍍膜。功率供給單元可以通過調(diào)制信號輸入端和調(diào)制信號輸出端串行地彼此連接。這意味著功率供給單元的簡單布線??梢詫Φ入x子工藝中的變化快速地進行反應(yīng)。功率供給單元可以具有直流電壓產(chǎn)生器,用于生成中間電路電壓,交變信號產(chǎn)生器連接到所述中間電路電壓上。每個功率供給單元都可以連接到雙陰極單元上。雙陰極單元特別適于對較大的襯底表面進行鍍膜。此外,至少一個調(diào)制信號產(chǎn)生器還可以包括電弧識別裝置或者與電弧識別裝置連接。由此可以根據(jù)識別到的電弧或者即將產(chǎn)生的電弧產(chǎn)生調(diào)制信號并且將所述調(diào)制信號傳遞給至少一個另外的功率供給單 元,從而可以相應(yīng)地調(diào)制所述功率供給單元或兩個功率供給單元的交變信號。此外,一種用于運行具有多個功率供給單元的等離子功率供給裝置的方法也在本發(fā)明的范圍內(nèi),其中,在每個功率供給單元中,a)產(chǎn)生交變信號;b)以至少一個調(diào)制信號調(diào)制所產(chǎn)生的交變信號;c)其中,作為調(diào)制信號使用在相應(yīng)的功率供給單元中產(chǎn)生的調(diào)制信號和/或外部產(chǎn)生的調(diào)制信號。功率供給單元可以被如此連接在一起,使得一個功率供給單元可以將其調(diào)制信號強制地施加給另一個功率供給單元,并且可以附加地從外部疊加一個調(diào)制信號。因此,同步地并且以相同的調(diào)制信號調(diào)制功率供給單元的全部交變信號。在此,可以將在一個功率供給單元中產(chǎn)生的調(diào)制信號輸送給至少一個另外的功率供給單元。因此,能夠以同一調(diào)制信號調(diào)制產(chǎn)生調(diào)制信號的功率供給單元的交變信號以及另一個功率供給單元的交變信號,其中所述調(diào)制信號被輸送給所述另一個功率供給單元。 這導(dǎo)致均勻的等離子鍍膜工藝。此外可以規(guī)定將在一個功率供給單元中產(chǎn)生的調(diào)制信號輸送給所有其他的功率供給單元,從而以同一調(diào)制信號調(diào)制所有功率供給單元。此外可以規(guī)定每個功率供給單元產(chǎn)生一個調(diào)制信號,所述調(diào)制信號被分別輸送給所有其他的功率供給單元。因此,每個功率供給單元都可以對識別到的電弧做出反應(yīng),并且迫使其他的功率供給單元以相同的程度進行反應(yīng),以便使較大面積的襯底的鍍膜保持統(tǒng)
      ο在此可以規(guī)定在至少一個功率供給單元中產(chǎn)生經(jīng)調(diào)制的輸出信號,其方式是,以一個內(nèi)部生成調(diào)制信號和一個外部生成的調(diào)制信號調(diào)制交變信號。在每個功率供給單元中可以產(chǎn)生直流電壓,并且隨后從所述直流電壓出發(fā)產(chǎn)生交變信號。優(yōu)選地借助所謂的自由振蕩器產(chǎn)生交變信號。對于大面積的等離子鍍膜工藝,有利的是,由每個功率供給單元產(chǎn)生具有IOkHz 至500kHz范圍內(nèi)的頻率和> 50kW的功率的交變信號。在每個功率供給單元中可以產(chǎn)生具有另一頻率的交變信號。這尤其是可以通過在功率供給單元中使用自由振蕩器來實現(xiàn)。在至少一個功率供給單元中可以實施電弧識別,從而可以保護襯底免受電弧損害。如已經(jīng)提到的那樣,可以在功率供給單元以外產(chǎn)生調(diào)制信號,并且將所述調(diào)制信號輸送給至少一個功率供給單元。優(yōu)選地,將所述調(diào)制信號串行地輸送給所有功率供給單元,從而以同一調(diào)制信號調(diào)制所有交變信號并且由此進行同步。特別地,由此可以進行功率調(diào)節(jié)。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點由以下根據(jù)示出本發(fā)明重要細(xì)節(jié)的附圖對本發(fā)明的實施例進行的描述以及由權(quán)利要求書得出。各個特征可以單獨地或者以任意組合的形式在本發(fā)明的變型方案中實現(xiàn)。


      在附圖中示意性地示出本發(fā)明的優(yōu)選實施例并且以下參考附圖對其進行闡述。附圖示出圖1 等離子功率供給裝置的示意圖;圖2 兩個功率供給單元,它們的調(diào)制輸入端以及調(diào)制輸出端彼此連接;圖3a 第一功率供給單元的具有第一頻率的交變信號;圖北第二功率供給單元的具有第二頻率的交變信號;圖如一個調(diào)制信號;圖4b 已經(jīng)以圖如的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3a的交變信號;圖如已經(jīng)以圖如的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖北的交變信號;圖fe —個替代的調(diào)制信號;圖恥已經(jīng)以圖fe的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3a的交變信號;圖5c 已經(jīng)以圖fe的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖北的交變信號;圖6a —個替代的調(diào)制信號;圖6b 已經(jīng)以圖6a的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3a的交變信號;圖6c 已經(jīng)以圖6a的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖北的交變信號;圖7a —個替代的調(diào)制信號;圖7b 已經(jīng)以圖7a的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3a的交變信號;圖7c 已經(jīng)以圖7a的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖北的交變信號;圖通過圖如和圖fe的調(diào)制信號的疊加組成的調(diào)制信號;圖8b :以圖8a的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3a的交變信號;圖8c 以圖8a的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖北的交變信號;圖9a 通過圖如和圖6a的調(diào)制信號的疊加組成的調(diào)制信號;圖9b 以圖9a的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3a的交變信號;圖9c 以圖9a的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖北的交變信號;圖IOa 通過圖如和圖7a的調(diào)制信號的疊加組成的調(diào)制信號;圖IOb 以圖IOa的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3a的交變信號;圖IOc 以圖IOa的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖北的交變信號;圖Ila:第一調(diào)制信號;圖lib 第二調(diào)制信號;圖lie 通過圖Ila和圖lib的調(diào)制信號的疊加產(chǎn)生的調(diào)制信號;圖Ild 以圖Ilc的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3a的交變信號;
      圖lie 以圖lie的調(diào)制信號進行調(diào)制的圖3b的交變信號。
      具體實施例方式
      圖1以示意圖示出等離子供電裝置10。在等離子室11中設(shè)置有襯底12,所述襯底12由多個磁控管13、14、15鍍膜。磁控管可以由具有磁體的雙陰極裝置構(gòu)成。襯底12的鍍膜由此盡可能均勻地進行。基本上,通過每個磁控管13、14、15實施各自的等離子工藝。 磁控管13、14、15分別由功率供給單元16、17、18供給功率。功率供給單元16、17、18是所謂的MF供電裝置。這意味著,它們產(chǎn)生交變信號,所述交變信號產(chǎn)生10至500kHz范圍內(nèi)的頻率。如果交變信號沒有通過調(diào)制信號進行調(diào)制,則在輸出端上提供所述交變信號并且由此控制磁控管13、14、15。在各個功率供給單元16-18中生成的交變信號可以具有不同的頻率。但是這些交變信號可以通過一個或多個調(diào)制信號進行調(diào)制,使得在功率供給單元 16、17、18的輸出端上施加經(jīng)調(diào)制的交變信號。通過調(diào)制信號,可以使施加在功率供給單元
      16、17、18的輸出端上的經(jīng)調(diào)制的交變信號同步。功率供給單元16、17、18分別具有調(diào)制信號接口 19、20、21。通過調(diào)制信號接口 19、 20、21,功率供給單元16、17、18彼此連接,使得在功率供給單元16、17、18中生成的調(diào)制信號也可以被傳輸給其它的功率供給單元16、17、18。此外,可選地設(shè)置有外部的調(diào)制信號生成器22,其可以產(chǎn)生調(diào)制信號并且可以將所述調(diào)制信號輸送給至少一個功率供給單元16、
      17、18。由于功率供給單元16、17、18通過調(diào)制接口19、20、21的串聯(lián),在調(diào)制信號產(chǎn)生器22 中產(chǎn)生的調(diào)制信號也可被提供給所有的功率供給單元16、17、18。圖2以詳細(xì)示圖示例性地示出功率供給單元16、17。每個功率供給單元16、17包括一個交變信號產(chǎn)生器30、31,所述交變信號產(chǎn)生器30、31分別連接到直流供電裝置32、33 上并且具有逆變器34、35以及用于產(chǎn)生交變信號的振蕩回路36、37。此外,每個功率供給單元16、17具有調(diào)制信號產(chǎn)生器38、39,所述調(diào)制信號產(chǎn)生器38、39可以包括電弧識別裝置。 交變信號以及調(diào)制信號被提供給調(diào)制器40、41,在所述調(diào)制器40、41中產(chǎn)生輸出信號,尤其是經(jīng)調(diào)制的交變信號。此外,調(diào)制信號產(chǎn)生器38、39分別與調(diào)制信號輸出端42、43連接,其中,調(diào)制信號輸出端42、43分別與另一個功率供給單元16、17的至少一個調(diào)制信號輸入端 44,45連接。調(diào)制信號輸入端44、45又與調(diào)制器40、41連接,從而能夠以兩個調(diào)制信號產(chǎn)生器38、39的調(diào)制信號調(diào)制通過交變信號產(chǎn)生器30、31生成的交變信號。調(diào)制信號輸入端44 和調(diào)制信號輸出端42形成接口 19并且調(diào)制信號輸入端45和調(diào)制信號輸出端43形成接口 20。在圖3a中示出了交變信號50,所述交變信號50例如由交變信號產(chǎn)生器30產(chǎn)生并且具有第一頻率。在圖3b中示出了第二頻率的交變信號51,所述交變信號51例如由交變信號生成器31產(chǎn)生。如果不存在調(diào)制信號,則信號50、51作為輸出信號提供給磁控管13、14。在圖4a中示出了調(diào)制信號,所述調(diào)制信號例如由外部的調(diào)制信號生成器22產(chǎn)生。 在此情況中,調(diào)制信號52是脈沖信號。通過以信號52調(diào)制信號50產(chǎn)生在圖4b中示出的信號53。通過以調(diào)制信號52調(diào)制交變信號51產(chǎn)生在圖4c中示出的信號54??梢钥闯?, 在位置55、56處在短時間間隔內(nèi)沒有向磁控管13、14提供功率。這同時進行,因為通過調(diào)制信號52實現(xiàn)同步。
      在圖fe中示出了替代的、正弦形的調(diào)制信號57。所述信號例如也可以是外部預(yù)先給定的。以調(diào)制信號57調(diào)制信號50產(chǎn)生圖恥的經(jīng)調(diào)制的交變信號58。相應(yīng)地以調(diào)制信號57調(diào)制交變信號51產(chǎn)生圖5c的信號59。在此也可以看出,通過調(diào)制信號57使具有不同的頻率的交變信號50、51同步。因此,同步地以類似方式給向磁控管13、14輸送功率。圖6a示出另一調(diào)制信號60。通過以調(diào)制信號60調(diào)制交變信號50產(chǎn)生圖6b的信號61。通過以調(diào)制信號60調(diào)制交變信號51產(chǎn)生圖6c的信號62。在圖7a中示出了調(diào)制信號63的另一示例。如果以調(diào)制信號63調(diào)制交變信號50,則產(chǎn)生在圖7b中示出的信號 64。通過以調(diào)制信號63調(diào)制交變信號51產(chǎn)生圖7c的信號65。如從圖2的描述中可以得出的,也可以向調(diào)制器40、41輸送多個調(diào)制信號。通過調(diào)制信號52、57的疊加產(chǎn)生在圖8a中示出的調(diào)制信號66。通過以調(diào)制信號66調(diào)制交變信號50產(chǎn)生在圖8b中示出的信號67。相應(yīng)地通過以調(diào)制信號66調(diào)制交變信號51產(chǎn)生圖8c的信號68。調(diào)制信號52和60的疊加產(chǎn)生圖9a的調(diào)制信號69。以所述信號調(diào)制交變信號50產(chǎn)生圖9b的信號70,并且以信號61調(diào)制交變信號51產(chǎn)生圖9c的信號71。圖IOa繪出通過調(diào)制信號52和63的疊加而產(chǎn)生的調(diào)制信號72。以所述信號調(diào)制交變信號50產(chǎn)生圖IOb的信號73,并且以信號72調(diào)制信號51產(chǎn)生圖IOc的信號74。圖Ila示出例如由調(diào)制信號生成器38產(chǎn)生的并且用附圖標(biāo)記75表示的調(diào)制信號。圖lib示出例如由調(diào)制信號生成器39產(chǎn)生的調(diào)制信號。所述信號用附圖標(biāo)記76 表示。信號75、76既輸送給調(diào)制器40也輸送給調(diào)制器41,從而產(chǎn)生最終得到的調(diào)制信號 77。以調(diào)制信號77調(diào)制交變信號50產(chǎn)生信號78,并且以信號77調(diào)制交變信號51產(chǎn)生信號79。在此也可看出,信號78、79是彼此同步的。此外,圖Ila至lie示出功率供給單元 16,17可以將其調(diào)制信號強制地施加給其它的功率供給單元16、17。
      權(quán)利要求
      1.等離子功率供給裝置(10),具有多個功率供給單元(16-18),這些功率供給單元分別包括a)交變信號產(chǎn)生器(30,31);b)調(diào)制器(40,41),所述調(diào)制器以至少一個調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76) 調(diào)制由所述交變信號產(chǎn)生器(30,31)產(chǎn)生的交變信號(50,51);c)調(diào)制信號輸入端G4,45),所述調(diào)制信號輸入端與所述調(diào)制器(40,41)連接;d)調(diào)制信號輸出端G2,43),所述調(diào)制信號輸出端與另一個功率供給單元的至少一個調(diào)制輸入端(44,4 連接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子功率供給裝置,其特征在于,設(shè)有外部的調(diào)制信號生成器(22),所述外部的調(diào)制信號生成器與至少一個功率供給單元的調(diào)制信號輸入端04, 45)連接。
      3.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的等離子功率供給裝置,其特征在于,在每個功率供給單元(16-18)中設(shè)有調(diào)制信號產(chǎn)生器(38,39,22),所述調(diào)制信號產(chǎn)生器與所述調(diào)制器 (40,41)和/或所述調(diào)制輸出端(40,41)連接。
      4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的等離子功率供給裝置,其特征在于,一個功率供給單元(16-18)的所述調(diào)制信號輸出端(42,4 和所述調(diào)制信號輸入端(44,4 是實現(xiàn)在一個接口(19-21)中的。
      5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的等離子功率供給裝置,其特征在于,所述交變信號產(chǎn)生器(30,31)被構(gòu)造為自由振蕩器。
      6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的等離子功率供給裝置,其特征在于,所述功率供給單元(16-18)通過所述調(diào)制信號輸入端和調(diào)制信號輸出端02-45)串行地彼此連接。
      7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的等離子功率供給裝置,其特征在于,所述功率供給單元(16-18)具有用于產(chǎn)生中間電路電壓的直流電壓產(chǎn)生器(32,33),所述交變信號產(chǎn)生器(30,31)連接到所述中間電路電壓上。
      8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的等離子功率供給裝置,其特征在于,每個功率供給單元(16-18)都連接到雙陰極單元(13-15)上。
      9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的等離子功率供給裝置,其特征在于,至少一個調(diào)制信號產(chǎn)生(38,39)包括電弧識別裝置或者與電弧識別裝置連接。
      10.用于運行具有多個功率供給單元(16-18)的等離子功率供給裝置(10)的方法,其中,在每個功率供給單元(16-18)中,a)產(chǎn)生交變信號(50,51);b)以至少一個調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76)調(diào)制所產(chǎn)生的交變信號(50,51);c)其中,作為調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76)使用在相應(yīng)的功率供給單元中產(chǎn)生的調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76)和/或外部產(chǎn)生的調(diào)制信號(52,57, 60,63,66,69,72,75,76)。
      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,將在一個功率供給單元(16-18)中產(chǎn)生的調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76)輸送給至少一個另外的功率供給單元 (16-18)。
      12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法,其特征在于,將在一個功率供給單元(16-18) 中產(chǎn)生的調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76)輸送給所有其他的功率供給單元 (16-18)。
      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,每個功率供給單元(16-18)產(chǎn)生一個調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76),所述調(diào)制信號被分別輸送給所有其他的功率供給單元(16-18)。
      14.根據(jù)以上權(quán)利要求10至13中任一項所述的方法,其特征在于,在至少一個功率供給單元(16-18)中產(chǎn)生經(jīng)調(diào)制的輸出信號,其方式是,以內(nèi)部生成的調(diào)制信號和外部生成的調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76)調(diào)制所述交變信號(50,51)。
      15.根據(jù)以上權(quán)利要求10至14中任一項所述的方法,其特征在于,在每個功率供給單元(16-18)中產(chǎn)生直流電壓。
      16.根據(jù)以上權(quán)利要求10至15中任一項所述的方法,其特征在于,由每個功率供給單元(16-18)產(chǎn)生具有IOkHz至500kHz范圍內(nèi)的頻率和>50kW的功率的交變信號(50,51)。
      17.根據(jù)以上權(quán)利要求10至16中任一項所述的方法,其特征在于,在每個功率供給單元(16-18)中產(chǎn)生具有另一頻率的交變信號(50,51)。
      18.根據(jù)以上權(quán)利要求10至17中任一項所述的方法,其特征在于,在至少一個功率供給單元(16-18)中實施電弧識別。
      19.根據(jù)以上權(quán)利要求10至18中任一項所述的方法,其特征在于,在所述功率供給單元(16-18)以外產(chǎn)生調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76),并且將所述調(diào)制信號輸送給至少一個功率供給單元(16-18)。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種具有多個功率供給單元(16-18)的等離子功率供給裝置(10),這些功率供給單元(16-18)分別包括a)交變信號產(chǎn)生器(30,31);b)調(diào)制器(40,41),所述調(diào)制器以至少一個調(diào)制信號(52,57,60,63,66,69,72,75,76)調(diào)制由所述交變信號產(chǎn)生器(30,31)產(chǎn)生的交變信號(50,51);c)調(diào)制信號輸入端(44,45),所述調(diào)制信號輸入端與所述調(diào)制器(40,41)連接;d)調(diào)制信號輸出端(42,43),所述調(diào)制信號輸出端與另一個功率供給單元的至少一個調(diào)制輸入端(44,45)連接。
      文檔編號H01J37/32GK102160140SQ200880131189
      公開日2011年8月17日 申請日期2008年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月20日
      發(fā)明者P·維德穆特 申請人:許廷格電子兩合公司
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