專利名稱：具有調(diào)節(jié)裝置的帶電粒子多射束光刻系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶電粒子多射束光刻系統(tǒng)，其使用多個射束將圖案傳送到目標(biāo)表面上。本發(fā)明進(jìn)一步涉及在帶電粒子多射束光刻系統(tǒng)中使用的調(diào)節(jié)裝置，并且涉及制造這樣的調(diào)節(jié)裝置的方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)例如US 6，958，804，帶電粒子多射束光刻系統(tǒng)是公知的。在此專利中描述的系統(tǒng)優(yōu)選地使用了多個電子射束，將圖案傳送到目標(biāo)表面上。由放射源生成的電子射束在調(diào)節(jié)裝置中通過依據(jù)圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行的靜電偏轉(zhuǎn)而被調(diào)節(jié)。經(jīng)調(diào)節(jié)的射束然后被傳送到目標(biāo)表面上。為了使圖案能夠被高速傳送到目標(biāo)表面上，用于控制靜電偏轉(zhuǎn)的圖案數(shù)據(jù)至少部分地使用光學(xué)傳輸被傳送，利用了經(jīng)調(diào)節(jié)的光束。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種帶電粒子光刻系統(tǒng)，其用于將圖案傳送到目標(biāo)表面上。該系統(tǒng)包括用于生成多個帶電粒子射束的波束產(chǎn)生器(多個射束定義柱體)，具有阻擋射束到達(dá)目標(biāo)表面的表面和在該表面中用于允許射束達(dá)到目標(biāo)表面的孔隙陣列的波束停止陣列，以及調(diào)節(jié)裝置。該調(diào)節(jié)裝置通過偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)射束，使得射束被或不被波束停止陣列阻擋，來將射束調(diào)節(jié)成阻止一個或更多射束到達(dá)目標(biāo)表面或允許射束中的一個或更多到達(dá)目標(biāo)表面。該調(diào)節(jié)裝置包括被布置成陣列用于讓射束通過調(diào)節(jié)裝置的多個孔隙、被布置成陣列的多個調(diào)節(jié)器，以及被布置成陣列的多個光敏元件。其中每ー個調(diào)節(jié)器配備有在孔隙的相對側(cè)上延伸用于生成橫跨孔隙的電壓差的電極；所述光敏元件用于接收經(jīng)調(diào)節(jié)的光束，并將這些光束轉(zhuǎn)換成用于激勵調(diào)節(jié)器的電信號。其中，光敏元件被設(shè)置在柱體中。其中，調(diào)節(jié)裝置被再劃分成多個交替的波束區(qū)域和非波束區(qū)域，調(diào)節(jié)器的陣列位于波束區(qū)域中，而光敏元件的陣列位于非波束區(qū)域中，并且與在相鄰的波束區(qū)域中的調(diào)節(jié)器通信。在另ー個方面本發(fā)明還提供了 ー種用于在帶電粒子光刻系統(tǒng)中使用的調(diào)節(jié)裝置，該帶電粒子光刻系統(tǒng)用于依據(jù)ー種圖案來將多個帶電粒子射束圖案化，這些射束定義柱體。調(diào)節(jié)裝置用于調(diào)節(jié)射束，通過是偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)射束，來阻止射束中的一個或多個到達(dá)目標(biāo)表面或允許射束中的ー個或多個到達(dá)目標(biāo)表面。調(diào)節(jié)裝置包括布置成陣列用于讓射束通過調(diào)節(jié)裝置的多個孔隙、布置成陣列的多個調(diào)節(jié)器以及布置成陣列的多個光敏元件。其中每ー個調(diào)節(jié)器配備有在孔隙的相對側(cè)上延伸用于生成橫跨孔隙的電壓差的電極，光敏元件用于接收經(jīng)調(diào)節(jié)的光束并將這些光束轉(zhuǎn)換成用于激勵這些調(diào)節(jié)器的電信號，其中，光敏元件被設(shè)置在柱體中。調(diào)節(jié)裝置被再劃分成多個交替的波束區(qū)域和非波束區(qū)域。調(diào)節(jié)器的陣列被設(shè)置在波束區(qū)域中，而光敏元件陣列被設(shè)置在非波束區(qū)域中并與相鄰波束區(qū)域中的調(diào)節(jié)器通信。系統(tǒng)或調(diào)節(jié)裝置可具有位于射束柱體內(nèi)的多個非波束區(qū)域，在這種情況下，帶電粒子射束被布置成僅在調(diào)節(jié)裝置的波束區(qū)域中與該裝置相交叉。在波束區(qū)域中的調(diào)節(jié)器優(yōu)選地由被布置在位于波束區(qū)域的多于ー個側(cè)上的非波束區(qū)域中的光敏元件控制。在波束區(qū)域中的這些調(diào)節(jié)器可以比在非波束區(qū)域中的光敏元件更密集地封裝在一起?？蓪⑦@些射束布置成組，并且，可將這些調(diào)節(jié)器布置成組，每個調(diào)節(jié)器組用于使這些射束組中的一組射束偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)，并且其中，每個調(diào)節(jié)器組被設(shè)置在調(diào)節(jié)裝置的單個波束區(qū)域中。每組射束可被布置成匯聚在共同點(diǎn)處。射束組的共同匯聚點(diǎn)可以在射束組的光軸上。每組調(diào)節(jié)器中的各個調(diào)節(jié)器可被旋轉(zhuǎn)，用于沿從這些射束組的匯聚點(diǎn)延伸的輻射線偏轉(zhuǎn)射束組中的射束。

每個射束組可被布置成，被引導(dǎo)向在波束停止陣列中的單個孔隙，并且，每個調(diào)節(jié)器組可被布置成在這些波束區(qū)域中的一個波束區(qū)域中，形成矩形陣列，并通過在相鄰非波束區(qū)域中的單個光敏元件來控制。備選地，每個調(diào)節(jié)器組可被布置成圍繞相應(yīng)波束組的中心軸的輻射狀布置。該系統(tǒng)或調(diào)節(jié)裝置可具有細(xì)長的條帶(slit)形式的波束區(qū)域和非波束區(qū)域。這些條帶可延伸過基本上射束柱體的整個寬度，并且，非波束區(qū)域具有比波束區(qū)域更寬的寬度。這些條帶的定向基本上橫切該光刻系統(tǒng)的晶圓定位系統(tǒng)的相對移動方向，或者基本平行于射束的掃描偏轉(zhuǎn)方向。每個光敏元件可提供用于控制多個調(diào)節(jié)器的信號。這些由光敏元件接收的經(jīng)調(diào)節(jié)的光線信號可被復(fù)用，以提供用于控制多于ー個的調(diào)節(jié)器的信號，并且每個光敏元件可與解復(fù)用器通信，用于對所接收到的控制多個調(diào)節(jié)器的信號進(jìn)行解復(fù)用。用于相應(yīng)的光敏元件的解復(fù)用器優(yōu)選地置于光敏元件和包括由該光敏元件接收到的信號控制的調(diào)節(jié)器的波束區(qū)域之間。調(diào)節(jié)器優(yōu)選地包括被設(shè)置在波束區(qū)域中的多個存儲元件，每個存儲元件存儲了用于控制這些調(diào)節(jié)器中的一個調(diào)節(jié)器的信號。這些調(diào)節(jié)器可被布置成ニ維陣列，其中的行和列通過比特線(bitline)或字線(wordline)來定址(address)。光敏元件中的姆一個可提供用于控制至少25個調(diào)節(jié)器的信號。該調(diào)節(jié)裝置的非波束區(qū)域優(yōu)選地具有比波束區(qū)域更長的結(jié)構(gòu)長度。在本發(fā)明的另ー個方面中還提供了ー種使用尤其依據(jù)前述聲稱的裝置中的任一種的帶電粒子光刻系統(tǒng)將圖案傳送到目標(biāo)表面上的方法。該方法包括以下步驟生成定義柱體的多個射束、在控制單元的控制下，為了完全地或部分地避免射束到達(dá)目標(biāo)表面的目的，通過使射束偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)來調(diào)節(jié)射束，以及將已經(jīng)過的射束傳送到目標(biāo)表面上。該調(diào)節(jié)進(jìn)ー步包括以下步驟將數(shù)據(jù)作為承載圖案的經(jīng)調(diào)節(jié)波束光學(xué)發(fā)射到光敏元件、將光敏元件接收到的經(jīng)調(diào)節(jié)的光束轉(zhuǎn)換成電信號，以及，基于這些電信號激勵一個或多個調(diào)節(jié)器，以通過在電場中進(jìn)行偏轉(zhuǎn)擇性地偏轉(zhuǎn)射束，用于阻擋或不阻擋射束到達(dá)目標(biāo)表面。


本發(fā)明的不同方面將參考附圖中所示出的實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步解釋，其中圖I示意性地示出了可被用在本發(fā)明的實(shí)施例中的無掩模光刻系統(tǒng)；圖2示意性地示出了在圖I中的光刻系統(tǒng)的射束阻斷器陣列的實(shí)施例的操作；圖3A和圖3B示意性地示出了在射束阻斷器陣列內(nèi)電極的不同布置的俯視圖；圖4示意性地示出了在射束阻斷器陣列內(nèi)電極的另ー個實(shí)施例的俯視圖5示意性地示出了可在依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的射束阻斷器陣列中使用的部件拓?fù)洳贾玫母┮晥D；圖6示意性地示出了可在本發(fā)明的實(shí)施例中使用的具有可定址的字線和比特線陣列的拓?fù)洳贾玫母┮晥D；圖7示意性地示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的射束阻斷器陣列的橫截面視圖；圖8A至圖8F示意性地示出了在制造圖7中的射束阻斷器陣列的一部分的步驟的橫截面視圖；圖9A至圖9B示意性地示出了在制造圖7中的阻斷器布置的進(jìn)ー步的步驟的橫截 面視圖；圖10示意性地示出了包括屏蔽的阻斷器布置的橫截面視圖；圖11示意性地示出了另ー個包括屏蔽的阻斷器布置的橫截面視圖；圖12示意性地示出了裝配有波束保護(hù)器的阻斷器布置的實(shí)施例的橫截面視圖；圖13示意性地示出了裝配有波束保護(hù)器的阻斷器布置的備選實(shí)施例的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式以下是僅通過示例的方式并參考附圖給出的，對本發(fā)明的不同實(shí)施例的說明。附圖未按比例描繪，而是僅打算用于說明的目的。在本申請的上下文中使用的表達(dá)“中間連接結(jié)構(gòu)(interconnect structure)”指的是諸如典型地應(yīng)用于臨界尺寸為O. 25 μ m或更小的集成電路的結(jié)構(gòu)。其通常包括4個到10個層級(level)的連接層級，各個層級通過使用垂直的連接(也稱為通路(via))被相互互連。如以下所討論的中間連接可包括駐留在一個或多個連接層級之內(nèi)的一部分，以及包括對應(yīng)于ー個或多個通路的部分。圖I示出了帶電粒子多射束光刻系統(tǒng)I的實(shí)施例的簡化示意圖。這樣的光刻系統(tǒng)例如在第6，897，458和6，958，804和7，084，414和7，129，502號美國專利中有所描述，這些專利屬于本申請的申請人所有，并且在此結(jié)合其全部內(nèi)容作為參考。這樣的光刻系統(tǒng)I適當(dāng)?shù)匕óa(chǎn)生多個射束的射束產(chǎn)生器，將射束圖案化以形成經(jīng)調(diào)節(jié)的射束的射束調(diào)節(jié)器，以及，將經(jīng)調(diào)節(jié)的射束投射到目標(biāo)表面上的射束投射器。射束產(chǎn)生器典型地包括源和至少ー個分束器。圖I中的源是電子源3，被布置成產(chǎn)生基本上均勻的擴(kuò)展電子束4。電子束4的束能量優(yōu)選地被維持地相當(dāng)?shù)?，范圍為大約I至10千電子伏特(keV)。為了實(shí)現(xiàn)這種情形，加速電壓優(yōu)選為低，且相對于接地電位的目標(biāo)，電子源3可被保持在大約-I至-10千伏特(kV)之間的電壓，雖然其他設(shè)定亦可被使用。在圖I中，來自電子源3的電子束4通過準(zhǔn)直透鏡5，用于準(zhǔn)直電子束4。準(zhǔn)直透鏡5可以是任何類型的準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)。在準(zhǔn)直以前，電子束4可通過雙重八極(未顯示)。隨后，電子束撞擊在分束器上，在圖I的實(shí)施例中，孔隙陣列6?？紫蛾嚵?優(yōu)選地包括具有通孔的板。孔隙陣列6被布置成阻擋部分波束4。此外，陣列6允許多個射束7穿過，以便產(chǎn)生多個平行電子射束7。圖I的光刻系統(tǒng)I產(chǎn)生非常多的射束7，優(yōu)選地大約10，000至1，000, 000射束，
雖然當(dāng)然可能產(chǎn)生更多或更少的射束。要注意的是，亦可使用其他已知方法來產(chǎn)生準(zhǔn)直射束。第二孔隙陣列可被添加在該系統(tǒng)中，以便能夠從電子束4產(chǎn)生次束，并且從次束產(chǎn)生電子射束7。這允許在更下游處操縱次束，其證明是對系統(tǒng)操作有益的，尤其是當(dāng)在該系統(tǒng)中的射束數(shù)目是5000或更多時(shí)。射束調(diào)節(jié)器，在圖I中以調(diào)節(jié)系統(tǒng)8來表示，典型地包括射束阻斷器陣列9，以及射束停止陣列10，其中射束阻斷器陣列9包括多個阻斷器的配置。阻斷器能夠使ー個或更多電子射束7偏轉(zhuǎn)。在本發(fā)明實(shí)施例中，阻斷器更明確的是靜電偏轉(zhuǎn)器，配備有第一電極、第ニ電極和孔隙。這些電極則被設(shè)置在孔隙的相反側(cè)上，用來產(chǎn)生橫穿孔隙的電場。一般而言，第二電極是接地電極，即，連接到接地電位的電極。
為了將電子射束7聚焦在阻斷器陣列9的平面內(nèi)，該光刻系統(tǒng)可進(jìn)一歩包含聚光器透鏡陣列(未顯示)。在圖I的實(shí)施例中，射束停止陣列10包含孔隙陣列，用來允許射束穿過。射束停止陣列10，以其基本形式，包含配備典型地為圓孔的通孔的基板，雖然其他形狀也可被使用。在一些實(shí)施例中，射束停止陣列10的基板由具有規(guī)則間隔的通孔陣列的硅晶圓形成，并且其可被涂以ー金屬表面層，以避免表面充電。在一些進(jìn)ー步實(shí)施例中，該金屬是不會形成自氧化表皮的類型，譬如鉻鑰(CrMo)。射束阻斷器陣列9與射束停止陣列10 —起操作，以阻擋射束7或使射束7通過。在一些實(shí)施例中，射束停止陣列10的孔隙對準(zhǔn)在射束阻斷器陣列9中靜電偏轉(zhuǎn)器的孔隙。如果射束阻斷器陣列9將ー射束偏轉(zhuǎn)，那么它將不會通過在射束停止陣列10中的相應(yīng)孔隙。反而，該射束將被射束阻擋陣列10的基板所阻擋。如果射束阻斷器陣列9沒有將射束偏轉(zhuǎn)，那么該射束將通過在射束停止陣列10中的相應(yīng)孔隙。在一些替代實(shí)施例中，射束阻斷器陣列9與射束停止陣列10之間的合作是為了在阻斷器陣列9中的偏轉(zhuǎn)器所引起的射束偏轉(zhuǎn)，能夠造成射束穿過在射束停止陣列10中的對應(yīng)孔隙，而未偏轉(zhuǎn)則會導(dǎo)致射束停止陣列10的基板的阻擋。調(diào)節(jié)系統(tǒng)8被布置成基于控制単元60所提供的輸入將圖案加到射束7?？刂茊卧?0可包含數(shù)據(jù)儲存単元61、讀取單元62和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器63?？刂茊卧?0可以被放置到遠(yuǎn)離該系統(tǒng)剩下部份的位置，例如在清潔室內(nèi)部的外面。由于使用光纖64，包含圖案數(shù)據(jù)的調(diào)節(jié)光束14可被發(fā)送到投射器65，其將光線從纖維陣列(以板15示意性地描述)內(nèi)的纖維端投射入光刻系統(tǒng)I的電子光學(xué)部份內(nèi)，其由虛線范圍與參考編號18示意性地表示。在圖I的實(shí)施例中，調(diào)節(jié)光束被投射到射束阻斷器陣列9上。更特別地，來自光纖端的調(diào)節(jié)光束14被投射在位于射束阻斷器陣列9上的相應(yīng)光敏元件上。光敏元件可被布置成將光信號轉(zhuǎn)換成不同類型的信號，例如電信號。調(diào)節(jié)光束14攜帯一部份的圖案數(shù)據(jù)，用來控制被耦合到對應(yīng)光敏元件的一或更多個阻斷器。適宜地，為了將光束14投射到對應(yīng)光敏元件上，譬如投射器65的光學(xué)元件可被使用。此外，為了允許以適當(dāng)入射角來投射光束14，鏡子可被包括在內(nèi)，例如被適當(dāng)?shù)胤胖迷谕渡淦?5與射束阻斷器陣列9之間。在控制單元60的控制之下，投射器65可通過投射器放置裝置17適當(dāng)?shù)貙?zhǔn)板15。結(jié)果，在射束阻斷器陣列9內(nèi)投射器65與光敏元件之間的距離也可改變。在一些實(shí)施例中，通過光波導(dǎo)(optical waveguide),光束可從板至少部分地傳送向光敏元件。光學(xué)波導(dǎo)可將光線引導(dǎo)到非?？拷饷粼奈恢?，該位置與光敏元件相距適當(dāng)?shù)匦∮谝还诌h(yuǎn)，優(yōu)選地大約數(shù)毫米遠(yuǎn)。在光學(xué)波導(dǎo)與相應(yīng)光敏元件之間的短距離減少光損耗。另ー方面，使用位置遠(yuǎn)離可能被帶電粒子射束占據(jù)的空間的板15和投射器65，具有射束干擾被最小化且射束阻斷器陣列9的架構(gòu)較不復(fù)雜的優(yōu)點(diǎn)。來自射束調(diào)節(jié)器的調(diào)節(jié)射束通過射束投射器被投射到目標(biāo)24的目標(biāo)表面13上，成為一點(diǎn)。射束投射器典型地包含用來掃描在目標(biāo)表面13上方的調(diào)節(jié)射束的掃描偏轉(zhuǎn)器，以及用來將調(diào)節(jié)射束聚焦到目標(biāo)表面13上的投射透鏡系統(tǒng)。這些部件可存在于單一端點(diǎn)模塊內(nèi)。 此末端模塊被優(yōu)選地構(gòu)造成為可插入、可替代單元。該末端模塊因此可包含偏轉(zhuǎn)器陣列11和投射透鏡配置12。該可插入、可替代單元還可包括射束停止陣列10，如以上關(guān)于射束調(diào)節(jié)器所討論。在離開該末端模塊以后，射束7撞擊在位于目標(biāo)平面上的目標(biāo)表面13。就光刻應(yīng)用而言，該目標(biāo)通常包含配備有帶電粒子敏感層或抗蝕層的圓晶。偏轉(zhuǎn)器陣列11可采用掃描偏轉(zhuǎn)器陣列的形式，被布置成將通過射束停止陣列10的姆個射束7偏轉(zhuǎn)。偏轉(zhuǎn)器陣列11可包含多個靜電偏轉(zhuǎn)器，其能夠使用相對小的驅(qū)動電壓。雖然偏轉(zhuǎn)器陣列11被繪制成在投射透鏡配置12的上游，但是偏轉(zhuǎn)陣列11還可被定位在投射透鏡配置12和目標(biāo)表面13之間。投射透鏡配置12被布置成在偏轉(zhuǎn)器陣列11的偏轉(zhuǎn)以前或以后將射束7聚焦。優(yōu)選地，該聚焦導(dǎo)致幾何點(diǎn)尺寸為直徑大約10至30納米。在此優(yōu)選實(shí)施例中，投射透鏡配置12優(yōu)選地被布置成提供大約100至500倍的縮小，更優(yōu)選地，盡可能大的縮小，例如在300至500倍的范圍內(nèi)。在此優(yōu)選實(shí)施例中，投射透鏡配置12被有利地靠近目標(biāo)表面13地放置。在一些實(shí)施例中，波束防護(hù)器(未顯示)可被放置于目標(biāo)表面13與投射透鏡配置12之間。波束防護(hù)器可以是配備有多個位置適當(dāng)?shù)目紫兜谋∑虬?。波束防護(hù)器被布置成在被釋放的抗蝕劑顆粒能達(dá)到光刻系統(tǒng)I中的任一敏感元件以前將其吸收。投射透鏡配置12因而可確保在目標(biāo)表面13上單個像素的光點(diǎn)尺寸正確，同時(shí)偏轉(zhuǎn)器陣列11可藉由適當(dāng)掃描操作來確保就微尺度而言在目標(biāo)表面13上像素的位置正確。尤其是，偏轉(zhuǎn)器陣列11的操作使得像素能夠適合最終構(gòu)成目標(biāo)表面13上圖案的像素柵格。將令人理解的是，在目標(biāo)表面13上像素的大尺度放置是通過存在于目標(biāo)24以下的晶圓放置系統(tǒng)適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)的。一般而言，目標(biāo)表面13包含在基板頂部上的抗蝕劑薄膜?？刮g劑薄膜的多個部分將藉由施加帶電粒子(即，電子)射束而被化學(xué)修改。結(jié)果，該薄膜的經(jīng)輻射部份或多或少可溶于顯影劑中，從而產(chǎn)生晶圓上的抗蝕劑圖案。晶圓上的抗蝕劑圖案隨后可被傳送到下層，即藉由在半導(dǎo)體制造技術(shù)中令人熟知的實(shí)施方式、蝕刻與/或沈積步驟。顯然，如果輻射并非均勻，那么抗蝕劑可能就無法以均勻的方式被顯影，這會造成圖案的差錯。因此高投影質(zhì)量是與獲得可再生結(jié)果的光刻系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的。在輻射中沒有任何差異應(yīng)該起源于偏轉(zhuǎn)步驟。圖2示意性地示出了在圖I的光刻系統(tǒng)中射束阻斷器陣列9的實(shí)施例的操作。尤其是，圖2示意性地示出了射束調(diào)節(jié)器的一部分的截面圖，該射束調(diào)節(jié)器包括射束阻斷器陣列9和波束停止陣列10。射束阻斷器陣列9配備有多個孔隙35。為了參考的目的，還指出了目標(biāo)24。該附圖沒有按比例繪制。所示出的射束調(diào)節(jié)器的部分被布置成調(diào)節(jié)三個射束7a、7b與7c。射束7a、7b與7c可形成部份的單組射束，其可從起源于單ー來源或單一次束的波束產(chǎn)生。圖2的射束調(diào)節(jié)器被布置成用來將射束組向著每個組的共同會聚點(diǎn)P會聚。此共同會聚點(diǎn)P優(yōu)選地設(shè)置在該射束組的光軸O上?？紤]圖2所顯示的射束7a、7b與7c，射束7a、7c具有在射束與光軸O之間延伸的入射角。射束7b的定向基本上平行于光軸。藉由射束停止陣列10基板來建立偏轉(zhuǎn)射束的阻擋的射束偏轉(zhuǎn)方向，對于每個射束可以是不同的。射束7a向左偏轉(zhuǎn)(即，向圖2中通過虛線7a_指示的“-”-方向)而被阻擋。另ー方面，射束7a、7c被向右偏轉(zhuǎn)(B卩，向“ + ”-方向)，以建立對相應(yīng)的射束的阻擋。這些阻擋方向分別通過虛線7b+和7c+指示。注意對偏轉(zhuǎn)方向的選擇可能不是任意性的。例如，對于射束7a、虛線7a+示出了對射束7a向右的偏轉(zhuǎn)將導(dǎo)致其通過射束停止陣列10。因此，沿著線7a+對射束7a的偏轉(zhuǎn)將是不適當(dāng)?shù)摹Ａ愆`方面，通過虛線7b_指示的對射束7b向左偏轉(zhuǎn)將成為ー種選擇。圖3A示意性地示出了在射束阻斷器陣列中的電極布置的俯視圖，其中，射束阻斷器陣列被布置成將射束組向共同匯聚點(diǎn)匯聚。在該實(shí)施例中，射束阻斷器采用了靜電調(diào)節(jié)器30的形式，每個調(diào)節(jié)器30包括第一電極32、第二電極34，以及延伸穿過射束阻斷器陣列主體的孔隙35。電極32、34被放置在孔隙35的相對側(cè)上，用于生成橫穿孔隙35的電場。各個調(diào)節(jié)器30圍繞著位于中心的光軸O形成輻射狀的布置。在圖3A中示出的實(shí)施例，電·極32、34均具有凹形形狀，這使得電極32、34的形狀符合柱狀孔隙35。這種柱狀孔隙形狀本身可適合于阻止某些光學(xué)像差(諸如，像散現(xiàn)象)的引入。在該實(shí)施例中，各個調(diào)節(jié)器30的電極32、34被旋轉(zhuǎn)，使得在被偏轉(zhuǎn)時(shí)，射束仍然被引導(dǎo)成沿著匯聚到光軸上的匯聚點(diǎn)的線。這種沿從光軸延伸的輻射線的偏轉(zhuǎn)，證明是有利于防止其它射束的干擾，和/或，經(jīng)偏轉(zhuǎn)射束的任何不被期望地通過射束停止陣列10。尤其是，如果相比于射束阻斷器陣列9和射束停止陣列10之間的縱向距離，射束之間以及射束組之間的橫向距離較小，則這樣的干擾和/或不期望的通過可能是顯著的。雖然圖3A暗示出在光軸O附近沒有調(diào)節(jié)器30的區(qū)域，但這不是該實(shí)施例的必要特征。圖3B示出了在射束阻斷器陣列內(nèi)電極的可替換布置，其中，射束阻斷器陣列被布置成，使射束組向共同匯聚點(diǎn)匯聚。在這種布置中，各個調(diào)節(jié)器30再次圍繞位于中心的光軸O形成輻射狀的布置。但是，這些各個調(diào)節(jié)器30未放置成圍繞光軸的同心圓，而是放置成由彼此基本上正交的行和列形成的陣列。同時(shí)，各個調(diào)節(jié)器30的電極32、34的定向使得它們能夠使波束沿從光軸O延伸的輻射線偏轉(zhuǎn)。尤其地，當(dāng)通過如圖3A和3B示出的電極布置的射束被布置成，被引導(dǎo)向圖2中示出的射束停止陣列中的單個孔隙時(shí)，則偏轉(zhuǎn)方向優(yōu)選地使得將被射束停止陣列阻擋的射束被引導(dǎo)到射束停止陣列上的阻擋位置，該位置基本上均勻地散布在相應(yīng)光束停止孔隙周圍。通過均勻散布射束組中射束的阻擋位置，由于帶電粒子的撞擊，波束停止陣列造成的衰減被盡可能均勻地散布。圖4示意性地示出了在射束阻斷器陣列中電極的又另ー個實(shí)施例的俯視圖。在該實(shí)施例中，電極32、34同樣被設(shè)置在孔隙35周圍，但是若干調(diào)節(jié)器30的第二電極34被整合成單個條。調(diào)節(jié)器30被布置成行。在第一行37調(diào)節(jié)器30和第二行38調(diào)節(jié)器30之間適當(dāng)?shù)卮嬖诟綦x區(qū)39。隔離區(qū)39被設(shè)計(jì)成阻止非期望的放電。在許多應(yīng)用中，第二電極34的電位被設(shè)置在接地電位，S卩，0V。但是，若干調(diào)節(jié)器30的第二電極34共享的電位也可被設(shè)置成不同電位，例如，大概IkV或大概-IkV的參考電壓。圖5示意性地示出了可被用在依據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例的射束阻斷器陣列9中的部件的拓?fù)洳贾玫母┮晥D。射束阻斷器陣列被劃分成波束區(qū)域51和非波束區(qū)域52。波束區(qū)域51代表被布置成接收和調(diào)節(jié)射束的區(qū)域。非波束區(qū)域52是被布置成提供支持波束區(qū)域51內(nèi)的部件所需的部件區(qū)域的區(qū)域。存在于波束區(qū)域51內(nèi)的部件包括調(diào)節(jié)器30。調(diào)節(jié)器30可采用參考圖2_圖4所討論的靜電偏轉(zhuǎn)器的形式。在非波束區(qū)域52之內(nèi)的部件可包括光敏元件40，其被布置成例如以參考圖I所討論的方式接收經(jīng)調(diào)節(jié)的光信號。光敏元件40的適宜示例包括但不限于光敏ニ極管和光敏晶體管。在圖5所示實(shí)施例中的非波束區(qū)域進(jìn)ー步包括解復(fù)用器41。光敏元件40接收的光信號可以是復(fù)用信號，包括多于ー個調(diào)節(jié)器30的信號。因此，在光敏元件40接收光信號之后，光信號被傳送到解復(fù)用器41，在其中信號被解復(fù)用。在解復(fù)用之后，經(jīng)解復(fù)用的信號經(jīng)由專用電連接42被轉(zhuǎn)發(fā)到正確的調(diào)節(jié)器30。由于復(fù)用光信號的使用以及光敏元件40和解復(fù)用器41的布置，光敏元件40的數(shù)目低于調(diào)節(jié)器30的數(shù)目。具有有限數(shù)目的光敏元件40會促使非波束區(qū)域52的尺寸縮小。波束區(qū)域51于是可被更靠近地放在一起，以增加在阻斷器陣列中每單位面積的調(diào)節(jié)器30的數(shù)目。相較于非復(fù)用實(shí)施例，如果相同數(shù)目的調(diào)節(jié)器被使用，射束阻斷器陣列的布局因此會更緊湊。如果阻斷器陣列的尺寸仍基本上維持相同，那么能夠使用更多的調(diào)節(jié)器?；蛘撸娲遣ㄊ鴧^(qū)域122尺寸的減少，復(fù)用實(shí)施例的使用可達(dá)到具有更大光接收區(qū)域的光敏元件40的使用的目的。每ー光敏元件40的較大光接收區(qū)域的使用降低了向正確光敏元件40引導(dǎo)光信號所必需的光學(xué)器件的復(fù)雜度，并使得光接收結(jié)構(gòu)更加魯棒。調(diào)節(jié)器30可適當(dāng)?shù)夭贾贸闪泻托?，以允許經(jīng)由如圖6中示出的字線80和比特線90定址(addressing)。這樣的陣列式定址減少了從解復(fù)用器41延伸到調(diào)節(jié)器30的連接的數(shù)目。例如，在圖6中僅存在10個連接線，但是個別定址將導(dǎo)致25個連接線，為25個調(diào)節(jié)器30定址。連接線的這種減少改進(jìn)了射束阻斷器陣列9的可靠性，因?yàn)槠渥兊貌灰资艿接捎诮鈴?fù)用器41和調(diào)節(jié)器30之間的故障連接造成的故障的影響。而且，如果這些連接被放置成這樣的陣列式的定址布置，則可占用較少的空間。雖然在圖5中的實(shí)施例示出了針對每一光敏元件40有4個偏轉(zhuǎn)器30，且圖6示出了針對每一光敏元件40有25個偏轉(zhuǎn)器30，但是偏轉(zhuǎn)器30與光敏元件40之間的比率可增加到100或甚至更高，例如，250。減少解復(fù)用器41和相應(yīng)的調(diào)節(jié)器30之間的連接的優(yōu)點(diǎn)于是變得顯著，因?yàn)樯涫钄嗥麝嚵?的穩(wěn)健性和可靠性得到相當(dāng)大的改善。適宜地，解復(fù)用器41可向波束區(qū)域51移動，以縮短與相應(yīng)調(diào)節(jié)器30的連接。這在光敏元件40和偏轉(zhuǎn)器30之間的距離相對較大(例如,在大約100微米或更多)時(shí)尤其有用。為了保證在完全偏轉(zhuǎn)時(shí)間段期間，調(diào)節(jié)器30使通過的射束偏轉(zhuǎn)，波束區(qū)域51可進(jìn)一歩包括被耦接到相應(yīng)調(diào)節(jié)器30的存儲元件95，用于臨時(shí)存儲在預(yù)定時(shí)間段相應(yīng)調(diào)節(jié)器30專用的控制信號。預(yù)定時(shí)間段可對應(yīng)于或長于完全偏轉(zhuǎn)時(shí)間段，以保證在這樣的完全偏轉(zhuǎn)時(shí)間段內(nèi)控制信號有效。這種布置使得偏轉(zhuǎn)步驟與控制信號傳輸時(shí)間無關(guān)。而且，控制信號的傳輸可因此順序地完成，反之射束的偏轉(zhuǎn)是同時(shí)執(zhí)行的。圖7示意性地示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的射束阻斷器陣列或調(diào)節(jié)裝置的一部分的橫截面視圖。雖然未示出，但是應(yīng)該理解，消隱陣列以ニ維的方式(在圖7中進(jìn)出紙的方向上)延伸，例如依照將射束阻斷器陣列劃分成波束區(qū)域和非波束區(qū)域(如圖5中示意性地不出)的劃分。陣列9包括主體，其包括中間連接結(jié)構(gòu)100。中間連接結(jié)構(gòu)100配備有多個調(diào)節(jié)器。該中間連接結(jié)構(gòu)100提供了不同的連接層級，這些不同的連接層級能夠?qū)⑦@些調(diào)節(jié)器連接到一個或多個圖案數(shù)據(jù)接收元件上，例如，在圖5和圖6中示出的光敏元件40。在調(diào)節(jié)器和圖案數(shù)據(jù)接收元件之間的連接被稱為“中間連接”。每個調(diào)節(jié)器包括第一電極132、第二電極34，和延伸穿過主體的孔隙135。電極132、134位于孔隙35的相對側(cè)，用于生成橫穿孔隙135的電場。電極132、134是通過在中間連接結(jié)構(gòu)100的不同層級處的導(dǎo)電元件110形成的，在此處該傳導(dǎo)元件110通過ー個或 多個通路(via) 120彼此連接。中間連接結(jié)構(gòu)100可由基板101 (例如，硅基板)支持，用于提高射束阻斷器陣列結(jié)構(gòu)上的完整性。使用由在不同層級處通過通路120連接起來的傳導(dǎo)元件110形成的電極132、134具有的優(yōu)點(diǎn)是，射束阻斷器陣列可使用已知的半導(dǎo)體エ藝生產(chǎn)，例如，在CMOS技術(shù)中所使用的エ藝，此處CMOS是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal-OxideSemiconductor)。而且,使用在多個層級上的傳導(dǎo)元件110使調(diào)節(jié)器能夠連接到圖案數(shù)據(jù)接收元件，諸如早先描述的在不同層級上的光敏元件。例如，在如圖6所示出的布置中，字線可被連接到在中間連接結(jié)構(gòu)中與比特線不同的層級處的電極。因此，射束阻斷器陣列的每單位面積中連接線的密度可増大。這提供了這樣的機(jī)會，即與所有連接都被設(shè)置在同一層級內(nèi)的情況相比，能以更接近的節(jié)距來放置調(diào)節(jié)器。主體的頂層140可被用于定義屏蔽。該屏蔽可被設(shè)定成與第二電極134相同的電位，其可充當(dāng)接地電極。該屏蔽有助于達(dá)到防止相鄰調(diào)節(jié)器之間串?dāng)_(cross talk)的目的。正如以上提及的，中間連接結(jié)構(gòu)100可使用典型地應(yīng)用于臨界尺寸為0. 25μπι或更小的集成電路的技術(shù)。在一些這樣的技術(shù)(例如，CMOS)中，為了達(dá)到中間連接的目的，該結(jié)構(gòu)通常包括4-10個層級。各個層級通過使用垂直中間連接區(qū)域或通路相互連接。單個層級的層厚度典型地為大約I μ m。在本發(fā)明的實(shí)施例中可使用的中間連接結(jié)構(gòu)的類型中，中間連接結(jié)構(gòu)包括使用所謂的雙鑲嵌技術(shù)制成的銅(Cu)層級和銅通路。在可被使用的另ー種中間連接結(jié)構(gòu)中，中間連接結(jié)構(gòu)包括鋁(Al)層級和鎢(W)通路。所使用的材料可用合金元件被優(yōu)化。此外，正如那些技術(shù)人員將獲知的,可使用阻擋層(barrier layer)。這樣的阻擋層在Cu被用于中間結(jié)構(gòu)中的情況下尤其有用。Cu非常易于趨于遷移，并且可能污染結(jié)構(gòu)，Al較不趨于遷移,這歸因于在暴露的Al表面上會形成原生氧化物(native oxide)。然而，這種原生氧化物層的厚度通常較薄，可使用阻擋層改進(jìn)中間連接結(jié)構(gòu)的性能。阻擋層可包括從包括TiN、TaN和TiW的材料組中選出的材料。為獲得期望的功能，中間連接結(jié)構(gòu)內(nèi)的這些層級中的每ー個典型地具有其自身的不同圖案。中間連接結(jié)構(gòu)頂部可被覆蓋以鈍化層，以保護(hù)中間連接結(jié)構(gòu)免受潮濕和污染之害。在最上部的金屬層級或甚至在鈍化層頂部上可定義出提供中間連接結(jié)構(gòu)與外部元件的電接觸點(diǎn)的接合墊(bond pad)。接合墊可以適合于引線接合法(wire bonding)或撞擊焊(solder bumping)。而且，中間連接結(jié)構(gòu)的上面可適宜地配備金屬表面，以避免局部充電和吸引帶電粒子(例如電子)。注意，雖然在圖7中示出的定向可暗示否則，帶電粒子射束可向下以及向上通過孔隙135。陣列9的實(shí)際定向可取決于由在帶電粒子多射束光刻系統(tǒng)中其它部件導(dǎo)致的有效空間以及其它約束。圖8A至圖8F示意性示出制造圖7中的射束阻斷器陣列9的各步驟的截面圖。圖8A示出了制造過程的第一階段，其包括提供主體，該主體包括中間連接結(jié)構(gòu)100。該中間連接結(jié)構(gòu)包括層堆疊，其定義出層級136、137的堆疊。每個層級可包括ー個或多個層。用于在這樣的層之內(nèi)的結(jié)構(gòu)之間形成連接的層被定義成為金屬化層級136的一部分。被布置成實(shí)現(xiàn)堆疊內(nèi)不同層之間的連接的層，被定義成為通路層級137的一部分。中間連接結(jié)構(gòu)100配備有在中間連接結(jié)構(gòu)內(nèi)處于不同層級的多個調(diào)節(jié)器和中間連接。這些中 間連接使調(diào)節(jié)器能夠連接到一個或多個圖案數(shù)據(jù)接收元件，例如參考圖5所討論的光敏元件40。主體通常包括支撐基板101，其用于改進(jìn)結(jié)構(gòu)完整性，并提供進(jìn)ー步的電開關(guān)和連接能力。為了這個目的，諸如晶體管、ニ極管和電容器的有源元件可被適宜地定義在基板101內(nèi)。該基板101典型地包括娃,或絕緣體上的娃(silicon-on-insulator),或其它變化的硅基板，諸如SiGe。面向中間連接結(jié)構(gòu)的基板表面可被電介質(zhì)層105覆蓋，以避免擴(kuò)散到基板101中。電介質(zhì)層105在這樣的情況下可配備L0C0S(娃的局域氧化,Local oxidation of Silicon)或STI (淺溝槽_離，Shallow trench insulation),或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任意其它可適宜的技術(shù)。在基板101和可選擇的熱氧化層105的頂部上，定義了多層級中間連接結(jié)構(gòu)100。中間連接結(jié)構(gòu)100包括多個層，典型地以這樣的方式配置，即，使得金屬化層級136通過通路層級137耦接彼此。在不同的層級中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)依照絕緣材料145所包圍的預(yù)定圖案存在。在金屬化層級136中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)典型地采用了連接結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)線)的形式，同時(shí)在通路層級137中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)典型地采用了所謂的接觸孔或通路的形式。在金屬化層級內(nèi)導(dǎo)電材料的圖案和通路的位置和數(shù)目至少在中間連接結(jié)構(gòu)內(nèi)的ー些位置處對應(yīng)于將要形成的調(diào)節(jié)器的期望圖案。為了這個目的，孔隙區(qū)域135保持無金屬結(jié)構(gòu)，并且填充以絕緣材料145。此外，傳導(dǎo)元件110在ー個或多個金屬化層級內(nèi)圍繞著孔隙區(qū)域135周向放置，并且經(jīng)由在通路層級中的通路120被適當(dāng)?shù)乇舜诉B接。在金屬化層級136中使用的金屬，例如用于傳導(dǎo)元件110，典型地包括鋁(Al)。額外地或備選地，該金屬可包括銅(Cu)。為通路120使用的典型金屬為通過所謂的雙鑲嵌制造處理制造的鉍(Bismuth，W)或銅(Cu)。所使用的絕緣材料145典型地包括ニ氧化硅(SiO2)0雖然未示出，但是中間連接結(jié)構(gòu)100可適宜地被覆蓋以鈍化層，以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)。針對在帶電粒子光刻的應(yīng)用中所使用的，這樣的鈍化層優(yōu)選地覆蓋以導(dǎo)電涂層，以避免在系統(tǒng)中存在任意不期望的電荷積累。該主體可使用已知的半導(dǎo)體處理技術(shù)制造,例如制造CMOS芯片的技術(shù)。使用已知的半導(dǎo)體處理技術(shù)提供射束阻斷器陣列的基本構(gòu)件(basic building block),其顯著地降低了制造成本。而且，使用這樣的主體改進(jìn)了依據(jù)以下所描述的制造處理制造的射束阻斷器陣列的可靠性。在提供該主體之后，中間連接結(jié)構(gòu)100可被三層覆蓋，即，第一抗蝕層151、絕緣層153，和第二抗蝕層155。在圖8B中示出了在該步驟之后的最終結(jié)果。第一抗蝕層151典型地為光阻層(photo-resist layer)。第二抗蝕層155典型地為電子波束抗蝕層。絕緣層153典型地包括Si02。抗蝕層151、155可通過旋壓(spinning)的手段沉積。絕緣層153可通過派射(sputtering)沉積。第二抗蝕層155然后依照圖案被曝光，并且隨后被顯影，以獲得在圖SC中示出的結(jié)構(gòu)。依照圖案部分曝光可使用電子波束圖案發(fā)生器完成，在此第二抗蝕層155包括電子波束抗蝕劑。備選地，在第二抗蝕層155為光阻劑的情況下，按照圖案曝光可使用適宜的光源結(jié)合掩模執(zhí)行，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的。 現(xiàn)在，被圖案化的第二抗蝕層155被用作絕緣層153的蝕刻掩模。然后經(jīng)蝕刻的絕緣層153可被用作蝕刻第一抗蝕層151的蝕刻掩摸。蝕刻可包括使用適宜的等離子體(例如，氟等離子體和/或氧等離子體)進(jìn)行電感稱合等離子體(inductively coupled plasmaICP)蝕刻。在第一抗蝕層151的蝕刻過程中，可消耗第二抗蝕層155。在圖8D中示意性示出了以上描述的這種處理步驟的最終結(jié)果。接下來，第一抗蝕層151被用作用于除去絕緣材料的蝕刻掩摸。該蝕刻處理可同樣包括在適當(dāng)?shù)牡入x子體(例如，氟等離子體)中進(jìn)行的ICP蝕刻。在圖8E中示出了該蝕刻步驟的結(jié)果。然后，優(yōu)選地通過使用各向異性蝕刻エ藝在基板101中蝕刻出孔160?？蛇m宜的蝕刻エ藝是所謂的Bosch-蝕刻法，尤其是在基板為硅基板的情況下。Bosch蝕刻是在等離子體環(huán)境中通過循環(huán)蝕刻和沉積步驟進(jìn)行各向異性蝕刻的方法，并且在德國專利DE4241045和美國專利5，501, 893號中相對于硅的蝕刻進(jìn)行了詳細(xì)的描述。其它材料諸如GaAs、Ge，和SiGe可以類似的方式被蝕刻。此外，化學(xué)選擇性蝕刻エ藝可被用于通過除去絕緣材料，同時(shí)保持金屬結(jié)構(gòu)基本完整無缺，來加寬在中間連接結(jié)構(gòu)100中的空閑空間?？蛇m用的化學(xué)選擇性蝕刻エ藝包括濕蝕刻法。由于加寬中間連接結(jié)構(gòu)100中空閑空間，在不同金屬化層級中的傳導(dǎo)元件110，以及在通路層級中的ー個或多個通路120可被暴露出來。在圖8F中示意性示出了以上提及的蝕刻步驟的結(jié)果。在金屬化層級中暴露出傳導(dǎo)元件110，以及優(yōu)選地還暴露出在ー個或多個通路層級中的至少ー個通路120改進(jìn)了調(diào)節(jié)器的電極132、134的性能。由電極132、134提供的橫穿孔隙35的電場可更加均勻。而且，對在使用過程中可能面向電子射束的絕緣材料145的去除，阻止了在使用過程中由散射帶電粒子(諸如，電子)對該材料的充電。在射束阻斷器陣列的孔隙內(nèi)的電荷積累趨向于隨時(shí)間降低性能，并因此這是不期望的。雖然在圖8E中示出的結(jié)構(gòu)暗示除去絕緣材料145需要暴露出傳導(dǎo)元件110側(cè)面，但是暴露出一個或多個這樣的側(cè)面可能已經(jīng)在先前的蝕刻步驟中實(shí)現(xiàn)。雖然在附圖中沒有描繪出，但是至少傳導(dǎo)元件110的暴露的表面，以及優(yōu)選地還有暴露于孔隙135的內(nèi)部體積的ー個或多個通路120，可配備有基本上為惰性的傳導(dǎo)涂層，例如，不氧化或基本上不氧化的材料的涂層。這樣的涂層的示例包括但不限于CrMo、Au，和Pt的涂層。為了描繪進(jìn)ー步的處理步驟，在圖9A、圖9B中提供了射束阻斷器陣列的較大部分的橫截面視圖。在這種情況下，橫截面視圖包括三個孔隙135，正如參考圖8A至圖8F所討論的。在用于加寬中間連接結(jié)構(gòu)100之內(nèi)的空閑空間以及蝕刻基板101中的孔160的化學(xué)選擇性步驟之后，通過從背離中間結(jié)構(gòu)100的側(cè)(即，“背面”)進(jìn)行蝕刻，在半導(dǎo)體基板 101中形成大的孔隙170。對于這種蝕刻，第三抗蝕層157被選擇性地沉積在基板101的背面上(見圖9A)。第三抗蝕層157然后被用作用于導(dǎo)致圖9B中示出的結(jié)果的蝕刻的蝕刻掩摸。然后除去第三抗蝕層157將導(dǎo)致在圖7中示出的射束阻斷器陣列部分。背面蝕刻應(yīng)用可采用干燥蝕刻法進(jìn)行，例如，反應(yīng)離子蝕刻(reactive ion etching RIE),或者采用濕蝕刻法進(jìn)行，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。注意，化學(xué)選擇性除去絕緣材料以便將傳導(dǎo)材料暴露于孔隙的步驟，并不是必須在蝕刻半導(dǎo)體基板101中的一個或更多孔160之后進(jìn)行，而是還可以在參考圖9A、9B所討論的回蝕步驟之后應(yīng)用。而且，雖然參考圖9A、圖9B討論的回蝕步驟從背面產(chǎn)生了孔隙，其具有足以定義出通過多于一個調(diào)節(jié)器的整個結(jié)構(gòu)的通孔的尺寸，將理解的是，這樣的回蝕孔隙也可針對每調(diào)節(jié)器進(jìn)行布置。使用多個調(diào)節(jié)器的單個背面孔隙的優(yōu)點(diǎn)是簡化了制造過程，這歸因于在反面蝕刻步驟中使用的掩模的更低的復(fù)雜度，以及更低的準(zhǔn)直要求。圖10示出了射束阻斷器陣列的另一部分的簡化橫截面視圖。尤其是，圖10示意性地描繪了射束阻斷器陣列的一部分，其包括光敏元件。在所示出的實(shí)施例中，光敏元件包括ニ極管241，其具有第一和第二區(qū)241P、241N，以及在那些區(qū)241N、241P之間的結(jié)242。在ニ極管241頂部上存在抗反射涂層(antireflection coating)243。這樣的抗反射涂層243被布置成阻止由于反射引起的光強(qiáng)度降低。在所示出的實(shí)施例中，在ニ極管241頂部上的中間連接結(jié)構(gòu)100已經(jīng)被除去，以產(chǎn)生空穴250。這樣的去除可通過在完成中間連接結(jié)構(gòu)100之后進(jìn)行蝕刻來執(zhí)行。備選地，空穴250可在執(zhí)行蝕刻步驟以獲得圖8E中示出的結(jié)構(gòu)的過程中產(chǎn)生。在空穴250產(chǎn)生之前可沉積抗反射涂層243。通過選定選擇性蝕刻劑并且/或者為涂層提供適宜的且光學(xué)透明的蝕刻停止層，在蝕刻步驟中將不除去涂層243。備選地，抗反射涂層243可以在稍后沉積，即，在產(chǎn)生空穴250之后的沉積。如在圖10的實(shí)施例中所示出的，額外的導(dǎo)電層260可被添加到中間連接結(jié)構(gòu)100中。這樣的額外的中間連接層260可起到所謂的重新分配層和/或緩沖金屬化層的作用，正如芯片級封裝(chip scale packaging)領(lǐng)域技術(shù)人員將獲知的。在一些實(shí)施例中，額外的中間連接層260包括兩個子層，即，底部鈍化層和頂部傳導(dǎo)層。鈍化層被布置成保護(hù)中間連接結(jié)構(gòu)100免受由外部影響(例如，在制造過程中對主體的進(jìn)ー步的機(jī)械操作)導(dǎo)致的損害。頂部傳導(dǎo)層可被用于實(shí)現(xiàn)與其它結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)連接。而且，尤其是在所有處理步驟之后在主體頂部上濺射頂部傳導(dǎo)層時(shí)，頂部傳導(dǎo)層可覆蓋漫游穿過系統(tǒng)的絕緣粒子。覆蓋這樣的絕緣粒子會減少系統(tǒng)中雜散場源的數(shù)目。在另ー個適宜的實(shí)施方式中，在光敏ニ極管41和中間連接結(jié)構(gòu)100之間橫向地存在第一和第二邊區(qū)247、248。在此第一邊區(qū)247處于朝向未不出的偏轉(zhuǎn)器一側(cè)。第一邊區(qū)247在此比第二邊區(qū)248小。該實(shí)施例允許以稍微小于90度的入射角進(jìn)行光束傳輸。如圖10所示的在空穴250之內(nèi)提供光敏元件尤其是可適宜于直徑比空穴250的高度小或相當(dāng)?shù)墓饷粼Ｔ谶@種情況下，空穴250的側(cè)面有效地阻擋起源于光敏元件的電場，尤其是抗反射涂層243。該場是由于散射帶電粒子的聚集而存在的。角β的正切等于空穴的直徑和高度之比。可適宜地，角β大于約45度，更適宜地大于約60度。如果光敏元件開始起到帶電粒子源的作用，這可能干擾ー個或多個接近射束的清潔通道(clean passage)(圖10中未示出)。省去抗反射涂層243可減輕這種非期望的效果?？狗瓷渫繉?43通常是由絕緣材料制成，或主要包括絕緣材料，在其中散射帶電粒子可相對容易地聚集起來。但是，省略抗反射涂層243將降低光去耦合的效率。尤其是在要被光學(xué)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量被設(shè)計(jì)成大(其可能為每ー個偏轉(zhuǎn)器大約100MBit/S)的情況下，光去耦合效率是重要 的。高的效率能夠傳輸以高頻(例如，以IOMHz以上，優(yōu)選地在IOOMHz以上且適宜地在IGHz以上，的頻率)調(diào)節(jié)的光束。在圖10中示出的實(shí)施例中，在抗反射涂層頂部上存在光透明的導(dǎo)電涂層270，以起到波束保護(hù)器的作用。這樣的涂層270可替代波束保護(hù)器的其它實(shí)施例，或除其它實(shí)施例以外被額外使用，這些其它的實(shí)施例將在后面進(jìn)行描述。在空穴250中提供傳導(dǎo)涂層270可以本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法完成。例如，一種是在單個步驟中圖案化抗反射涂層243以及傳導(dǎo)涂層270。備選地，傳導(dǎo)涂層270可用適宜的印刷處理來提供。傳導(dǎo)涂層270可包括從以下材料組中選出的材料，該材料組包括銦錫氧化物(indium-tin-oxide) (ITO),以及結(jié)合多酸的導(dǎo)電聚合體，諸如聚_3，4-こ烯ニ氧噻吩(PED0T)。在圖10中示出的ニ極管241典型地為在支撐基板101中通過適宜的摻雜以獲得摻雜區(qū)241P、241N而形成的ニ極管。典型地，基板101主要包括硅，并且ニ極管241被稱為硅ニ極管。對于需要高速的操作的ー些應(yīng)用來說，硅ニ極管的反應(yīng)時(shí)間可能太慢。因此，尤其是針對較高速度的應(yīng)用，優(yōu)選地使用鍺-ニ極管。鍺ニ極管不必須集成在支撐基板101中，而是，它們可通過將鍺板接合在中間連接結(jié)構(gòu)100的頂部上(例如，通過使用陽極接合法)來形成。接合可通過將中間絕緣層(例如，ニ氧化硅層)沉積到中間連接結(jié)構(gòu)100的頂部上，然后采用可適宜的拋光步驟以獲得基本平坦的表面來執(zhí)行?；酒教沟谋砻嫒缓髮?shí)現(xiàn)接收用于接合的鍺板的目的。接合鍺板之后，該板可適宜地圖案化，以在預(yù)定的位置處獲得ニ極管，此后稱為鍺ニ極管。注意，通過這種方式形成的鍺ニ極管并不會像圖10中的硅ニ極管241那樣存在于空穴250中。起源于鍺ニ極管的電場因此并不會基本上被中間連接結(jié)構(gòu)100阻擋。對于這些實(shí)施例，使用波束保護(hù)器可能是令人期望的。這樣的波束保護(hù)器的實(shí)施例將參考圖11、圖12和圖13進(jìn)行描述。正如早前所提及的，該結(jié)構(gòu)的實(shí)施例可配備有波束保護(hù)器。這樣的波束保護(hù)器可采用基本平行于射束阻斷器陣列9的基板101的板組件的形式。備選地，其可實(shí)現(xiàn)成從這樣的板延伸出的側(cè)壁。參考圖11至圖13將討論波束保護(hù)器的不同實(shí)施例。圖11示出了在圖10中示出的結(jié)構(gòu)的進(jìn)ー步的實(shí)施例。在圖11的實(shí)施例中，主體280被組裝到中間連接結(jié)構(gòu)100。為了該組裝使用了焊料球275。焊料球275延伸穿過在IC制造過程中普遍使用的鈍化層265。主體280可適宜地用作波束保護(hù)器，以便于阻擋起源于光敏兀件的電場。在圖11中還不出了代表這樣的電場的場線290的不范性定向。
圖12示出了具有波束保護(hù)器300的射束阻斷器陣列309的示意性橫截面視圖。射束阻斷器陣列309可被再劃分成波束區(qū)域和非波束區(qū)域，正如圖5示意性地示出的。在此非波束區(qū)域包括多個光敏元件340，其被布置成接收光束317。波束區(qū)域包括多個相鄰的偏轉(zhuǎn)器330。在此通過點(diǎn)劃線箭頭描繪的光束317具有大致為90度的入射角。注意這并不是必須的。在圖12中示出的波束保護(hù)器300的實(shí)施例包括基板310，其配備有從其上延伸出的側(cè)壁320。側(cè)壁320位于基板310上鄰近與射束307的軌跡對準(zhǔn)的孔隙335。應(yīng)注意，雖然在圖12中的射束307垂直地通過射束陣列309，但是這并不是必須的。側(cè)壁320可適宜地由傳導(dǎo)材料構(gòu)成。在一些實(shí)施例中，側(cè)壁320被圍繞孔隙335周向布置。在一些其它實(shí)施例中，側(cè)壁320被圍繞由一個或更多光敏元件340定義出的橫向區(qū)域周向布置。在這樣的情況下，可提供側(cè)壁結(jié)構(gòu)320，其包括環(huán)繞光敏元件的橫向區(qū)域 延伸的側(cè)壁，和環(huán)繞孔隙335延伸的側(cè)壁。圖13示出了具有波束保護(hù)器300的射束消隱布置309的又另ー個實(shí)施例。該實(shí)施例的射束消隱布置309包括第一基板400和第二基板410。偏轉(zhuǎn)器330被定義成在第一基板400上。光敏元件340被定義成在第二基板410的表面處。焊料球420或其它類型的連接器提供了從第一基板400到第二基板410的機(jī)械連接，以及在光敏元件340和偏轉(zhuǎn)器330之間的電連接，和/或任意的中間電路。光束317從相反方向(例如，列的頂側(cè))到達(dá)光敏元件340。到那里，在第一基板400中存在徑向孔隙435。波束保護(hù)器300被實(shí)現(xiàn)成圍繞多個光敏元件340周向延伸的側(cè)壁。通過參考以上討論的特定實(shí)施例已經(jīng)描述了本發(fā)明。將認(rèn)識到的是，這些實(shí)施例易具有對于那些本領(lǐng)域技術(shù)人員來說熟知的各種變形和備選形式，而不背離本發(fā)明的精神和范圍。據(jù)此，雖然已經(jīng)說明了特定的實(shí)施例，但是這些僅是示例，并不對本發(fā)明的范圍構(gòu) 成限制，本發(fā)明的范圍在隨附的權(quán)利要求書中限定。
權(quán)利要求
1.ー種用于將圖案傳送到目標(biāo)表面上的帶電粒子光刻系統(tǒng)，包括 用于生成多個帶電粒子射束的波束產(chǎn)生器，所述多個射束定義柱體； 波束停止陣列，具有用于阻擋射束到達(dá)所述目標(biāo)表面的表面，以及在所述表面中用于允許所述射束到達(dá)所述目標(biāo)表面的孔隙陣列；以及 調(diào)節(jié)裝置，用于調(diào)節(jié)所述射束，通過使所述射束偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)，使得所述射束被或不被所述波束停止陣列阻擋，以阻止所述射束中的一個或多個到達(dá)所述目標(biāo)表面，或者允許所述射束中的一個或多個到達(dá)所述目標(biāo)表面，所述調(diào)節(jié)裝置包括 被布置成陣列的多個孔隙，用于讓所述射束通過所述調(diào)節(jié)裝置； 被布置成陣列的多個調(diào)節(jié)器，每個調(diào)節(jié)器配備有在孔隙的相對側(cè)上延伸的電極，用于生成跨越所述孔隙的電壓差；以及 被布置成陣列的多個光敏元件，用于接收經(jīng)調(diào)節(jié)的光束，并將所述光束轉(zhuǎn)換成用于激勵所述調(diào)節(jié)器的電信號，其中，所述光敏元件被設(shè)置在所述柱體中； 其中，所述調(diào)節(jié)裝置被再劃分成多個交替的波束區(qū)域和非波束區(qū)域，所述調(diào)節(jié)器的陣列被設(shè)置在所述波束區(qū)域中，并且所述光敏元件的陣列被設(shè)置在所述非波束區(qū)域中，并且與相鄰的波束區(qū)域中的調(diào)節(jié)器通信。
2.如權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，其中，多個所述非波束區(qū)域被設(shè)置于所述射束柱體內(nèi)，并且所述帶電粒子射束被布置成僅在所述裝置的所述波束區(qū)域中與所述調(diào)節(jié)裝置相交叉。
3.如權(quán)利要求I或2所述的系統(tǒng)，其中，在波束區(qū)域中的所述調(diào)節(jié)器是通過被布置在位于所述波束區(qū)域的多于ー側(cè)上的非波束區(qū)域中的光敏元件來控制的。
4.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，在所述波束區(qū)域中的所述調(diào)節(jié)器比在所述非波束區(qū)域中的所述光敏元件更密集地封裝在一起。
5.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述射束被布置成組，并且所述調(diào)節(jié)器被布置成組，每組調(diào)節(jié)器用于使所述射束組中的一組偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)，并且其中，每組調(diào)節(jié)器被設(shè)置在所述調(diào)節(jié)裝置的所述波束區(qū)域中的單個區(qū)域中。
6.如權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中，每組射束被布置成匯聚在共同點(diǎn)處。
7.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，一組射束的共同匯聚點(diǎn)在所述射束組的光軸上。
8.如權(quán)利要求6或7所述的系統(tǒng)，其中，使每組調(diào)節(jié)器中的各個調(diào)節(jié)器旋轉(zhuǎn)，用于沿從所述射束組的匯聚點(diǎn)延伸的輻射線偏轉(zhuǎn)射束組中的所述射束。
9.如權(quán)利要求5至8中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，每組射束被布置成被弓I導(dǎo)向所述波束停止陣列中的單個孔隙。
10.如權(quán)利要求5至9中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，每組調(diào)節(jié)器被布置在所述波束區(qū)域中的一個波束區(qū)域中形成矩形陣列，并且由相鄰非波束區(qū)域中的單個光敏元件控制。
11.如權(quán)利要求5至9中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，每組調(diào)節(jié)器被布置成圍繞相應(yīng)射束組的中心軸的輻射狀布置。
12.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述波束區(qū)域和所述非波束區(qū)域?yàn)榧?xì)長條帶的形式。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，所述條帶延伸過所述射束柱體的基本上整個寬度。
14.如權(quán)利要求12或13所述的系統(tǒng)，其中，所述非波束區(qū)域具有比所述波束區(qū)域更寬的寬度。
15.如權(quán)利要求12至14中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述條帶的定向基本橫切所述光刻系統(tǒng)的圓晶定位系統(tǒng)的相對移動方向，或者基本平行于所述射束的掃描偏轉(zhuǎn)方向。
16.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述光敏元件中的每ー個提供用于控制多個所述調(diào)節(jié)器的信號。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，由所述光敏元件接收的所述經(jīng)調(diào)制的光信號被復(fù)用，以提供用于控制多于ー個調(diào)節(jié)器的信息，并且其中，每個光敏元件與解復(fù)用器通信，該解復(fù)用器用于將用于控制多個調(diào)節(jié)器的所述接收信號解復(fù)用。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中，用于相應(yīng)的光敏元件的解復(fù)用器被設(shè)置在所述光敏元件和包括由所述光敏元件接收到的所述信號控制的所述調(diào)節(jié)器的波束區(qū)域之間。
19.如權(quán)利要求16至18中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述調(diào)節(jié)裝置包括置于所述波束區(qū)域中的多個存儲元件，每個存儲元件存儲用于控制所述調(diào)節(jié)器的其中之一的信號。
20.如權(quán)利要求16至19中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述調(diào)節(jié)器被布置成ニ維陣列，并且其中，所述行和列通過比特線和字線定址。
21.如權(quán)利要求16至20中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，每個所述光敏元件提供用于控制至少25個調(diào)節(jié)器的信號。
22.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中，所述調(diào)節(jié)裝置的所述非波束區(qū)域具有比所述波束區(qū)域更長的結(jié)構(gòu)長度。
23.ー種在帶電粒子光刻系統(tǒng)中使用的調(diào)節(jié)裝置，用于依據(jù)圖案來圖案化多個帶電粒子射束，所述射束定義柱體，所述調(diào)節(jié)裝置用于調(diào)節(jié)所述射束，通過使所述射束偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)，阻止一個或多個所述射束到達(dá)所述目標(biāo)表面，或允許ー個或多個所述射束到達(dá)所述目標(biāo)表面，所述調(diào)節(jié)裝置包括 被布置成陣列的多個孔隙，用于讓所述射束通過所述調(diào)節(jié)裝置； 被布置成陣列的多個調(diào)節(jié)器，每個調(diào)節(jié)器配備有在孔隙的相對側(cè)上延伸的電極，用于生成跨越所述孔隙的電壓差；以及 被布置成陣列的多個光敏元件，用于接收經(jīng)調(diào)節(jié)的光束，并將所述光束轉(zhuǎn)換成用于激勵所述調(diào)節(jié)器的電信號，其中，所述光敏元件被設(shè)置在所述柱體中； 其中，所述調(diào)節(jié)裝置被再劃分成多個交替的波束區(qū)域和非波束區(qū)域，所述調(diào)節(jié)器的陣列被設(shè)置在所述波束區(qū)域中，并且所述光敏元件的陣列被設(shè)置在所述非波束區(qū)域中，并且與相鄰的波束區(qū)域中的所述調(diào)節(jié)器通信。
24.如權(quán)利要求23所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，多個所述非波束區(qū)域被設(shè)置在所述射束柱體內(nèi)，并且所述帶電粒子射束被布置成僅在所述裝置的所述波束區(qū)域中與所述調(diào)節(jié)裝置相交叉。
25.如權(quán)利要求23或24所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，在波束區(qū)域中的所述調(diào)節(jié)器是通過被布置在位于所述波束區(qū)域的多于ー側(cè)上的非波束區(qū)域中的光敏元件來控制的。
26.如權(quán)利要求23至25中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，在所述波束區(qū)域中的所述調(diào)節(jié)器比在所述非波束區(qū)域中的所述光敏元件更密集地封裝在一起。
27.如權(quán)利要求23至26中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述射束被布置成組，并且所述調(diào)節(jié)器被布置成組，每組調(diào)節(jié)器用于使所述射束組中的一組偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)，并且其中，每組調(diào)節(jié)器被設(shè)置在所述調(diào)節(jié)裝置的所述波束區(qū)域中的單個區(qū)域中。
28.如權(quán)利要求27所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，每組射束被布置成匯聚在共同點(diǎn)處。
29.如權(quán)利要求28所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，用于ー組射束的共同匯聚點(diǎn)在所述射束組的光軸上。
30.如權(quán)利要求28或29所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，使每組調(diào)節(jié)器中的各個調(diào)節(jié)器旋轉(zhuǎn)，用于沿從所述射束組的所述匯聚點(diǎn)延伸的輻射線偏轉(zhuǎn)射束組中的所述射束。
31.如權(quán)利要求23至30中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，每組射束被布置成被引導(dǎo)向所述波束停止陣列中的單個孔隙。
32.如權(quán)利要求23至31中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，每組調(diào)節(jié)器被布置在所述波束區(qū)域中的一個波束區(qū)域中，形成矩形陣列，并且由相鄰非波束區(qū)域中的單個光敏元件控制。
33.如權(quán)利要求23至31中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，每組調(diào)節(jié)器被布置成，圍繞相應(yīng)射束組的中心軸的輻射狀布置。
34.如權(quán)利要求23至32中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述波束區(qū)域和所述非波束區(qū)域?yàn)榧?xì)長條帶的形式。
35.如權(quán)利要求34所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述條帶延伸過所述射束柱體的基本上整個寬度。
36.如權(quán)利要求34或35所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述非波束區(qū)域具有比所述波束區(qū)域更寬的寬度。
37.如權(quán)利要求34至36中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，其中，所述條帶的定向基本橫切所述光刻系統(tǒng)的圓晶定位系統(tǒng)的相對移動方向，或者基本平行于所述射束的掃描偏轉(zhuǎn)方向。
38.如權(quán)利要求23至37中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述光敏元件中的每ー個提供用于控制多個所述調(diào)節(jié)器的信號。
39.如權(quán)利要求38所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，由所述光敏元件接收的所述經(jīng)調(diào)制的光信號被復(fù)用，以提供用于控制多于ー個調(diào)節(jié)器的信息，并且其中，每個光敏元件與解復(fù)用器通信，該解復(fù)用器用于將用于控制多個調(diào)節(jié)器的所述接收信號解復(fù)用。
40.如權(quán)利要求39所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，用于相應(yīng)的光敏元件的解復(fù)用器被設(shè)置在所述光敏元件和包括由所述光敏元件接收到的所述信號控制的所述調(diào)節(jié)器的波束區(qū)域之間。
41.如權(quán)利要求38至40中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述調(diào)節(jié)裝置包括置于所述波束區(qū)域中的多個存儲元件，每個存儲元件存儲用于控制所述調(diào)節(jié)器的其中之一的信號。
42.如權(quán)利要求38至41中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述調(diào)節(jié)器被布置成ニ維陣列，并且其中，所述行和列通過比特線和字線定址。
43.如權(quán)利要求38至42中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，每個所述光敏元件提供用于控制至少25個調(diào)節(jié)器的信號。
44.如權(quán)利要求38至43中的任一項(xiàng)所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述調(diào)節(jié)裝置的所述非波束區(qū)域具有比所述波束區(qū)域更長的結(jié)構(gòu)長度。
45.ー種使用如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的帶電粒子光刻系統(tǒng)，將圖案傳送到目標(biāo)表面上的方法，其包括以下步驟 生成定義柱體的多個射束； 在控制單元的控制下，為了完全或部分地阻止所述射束到達(dá)所述目標(biāo)表面的目的，通過使所述射束偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)，調(diào)節(jié)所述射束；將已通過的射束傳送到所述目標(biāo)表面上； 其中，所述調(diào)節(jié)進(jìn)ー步包括以下步驟 將數(shù)據(jù)作為攜帶所述圖案的經(jīng)調(diào)節(jié)光束光學(xué)發(fā)射到光敏元件； 將通過所述光敏元件接收的所述經(jīng)調(diào)節(jié)光束轉(zhuǎn)換成電信號； 基于所述電信號，激勵一個或多個調(diào)節(jié)器，以通過電場中的偏轉(zhuǎn)選擇性地偏轉(zhuǎn)所述射束，用于阻擋或不阻擋所述射束到達(dá)所述目標(biāo)表面。
全文摘要
一種用于將圖案傳送到目標(biāo)表面上的帶電粒子光刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括用于生成多個帶電粒子射束的波束產(chǎn)生器(3)、定義柱體的多個射束、具有用于阻擋射束到達(dá)目標(biāo)表面的表面和在表面中的用于允許射束到達(dá)目標(biāo)表面的孔隙陣列的波束停止陣列(10)，以及，用于調(diào)節(jié)射束，以通過使射束偏轉(zhuǎn)或不偏轉(zhuǎn)使得射束被或不被波束停止陣列阻擋，來阻止一個或更多射束到達(dá)目標(biāo)表面或允許一個或更多射束到達(dá)目標(biāo)表面的調(diào)節(jié)裝置(9)。調(diào)節(jié)裝置包括布置成陣列的用于讓射束通過調(diào)節(jié)裝置的多個孔隙、布置成陣列的多個調(diào)節(jié)器(30)，每個調(diào)節(jié)器配備有在孔隙的相對側(cè)上延伸用于生成跨越孔隙的電壓差的電極(32、34)，以及，布置成陣列的多個光敏元件(40)，用于接收經(jīng)調(diào)節(jié)的光束并將光束轉(zhuǎn)換成用于激勵調(diào)節(jié)器的電信號，其中，光敏元件被放置在柱體中，其中，調(diào)節(jié)裝置被再劃分成多個備選的波束區(qū)域(51)和非波束區(qū)域(52)，調(diào)節(jié)器的陣列置于波束區(qū)域中，而光敏元件的陣列置于非波束區(qū)域中，并與相鄰的波束區(qū)域中的調(diào)節(jié)器通信。
文檔編號H01J37/04GK102687233SQ201080059454
公開日2012年9月19日 申請日期2010年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月26日
發(fā)明者A.H.V.范維恩, M.J-J.維蘭德, R.賈格爾, S.W.H.K.斯蒂恩布林克 申請人:邁普爾平版印刷Ip有限公司