專(zhuān)利名稱:束流調(diào)節(jié)裝置及離子注入系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
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本發(fā)明涉及一種束流調(diào)節(jié)裝置,特別是涉及一種束流調(diào)節(jié)裝置以及一種包括有該束流調(diào)節(jié)裝置的離子注入系統(tǒng)。
背景技術(shù):
在離子注入系統(tǒng)中通常需要對(duì)離子束的狀態(tài)進(jìn)行調(diào)節(jié),以使其符合注入要求。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)工件的均勻注入,在大部分場(chǎng)合下都需要將離子束在整體上調(diào)節(jié)均勻,或是至少將離子束在會(huì)對(duì)注入均勻性產(chǎn)生關(guān)鍵影響的方向上調(diào)節(jié)均勻。例如,在采用帶狀離子束來(lái)執(zhí)行離子注入的情況下,則尤其需要將離子束在其橫截面的長(zhǎng)度方向上調(diào)節(jié)均勻,而離子束在其橫截面的寬度方向上的不均勻性則可以通過(guò)在工件上的掃描過(guò)程來(lái)彌補(bǔ)。其中,所謂帶狀離子束,其橫截面通常呈現(xiàn)為近似的長(zhǎng)橢圓形,該長(zhǎng)橢圓形的長(zhǎng)軸方向便為該離子束的橫截面的長(zhǎng)度方向,而該長(zhǎng)橢圓形的短軸方向便為該離子束的橫截面的寬度方向。在現(xiàn)有的離子注入系統(tǒng)中,一般都需要采用各種精密復(fù)雜的電磁元件來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)離子束的上述種種調(diào)節(jié)。然而,這些電磁元件卻往往有著結(jié)構(gòu)復(fù)雜、可靠性低并且成本高昂等諸多劣勢(shì)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的束流調(diào)節(jié)裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜、可靠性低并且成本高昂的缺陷,提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠且成本較低的束流調(diào)節(jié)裝置以及一種包括有該束流調(diào)節(jié)裝置的離子注入系統(tǒng)。本發(fā)明是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題的一種束流調(diào)節(jié)裝置,其特點(diǎn)在于,其包括至少一對(duì)磁性桿,每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿相互對(duì)置、且該兩個(gè)磁性桿的相互對(duì)置的兩端極性相反。也就是說(shuō),在本發(fā)明的該束流調(diào)節(jié)裝置中,每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿是以一個(gè)磁性桿的N極正對(duì)著另一個(gè)磁性桿的S極的方式相互對(duì)置的,這樣在該兩個(gè)磁性桿之間的空間中便會(huì)形成磁力線由該N極朝向該S極的磁場(chǎng)。要加以說(shuō)明的是,本發(fā)明中的“磁性桿”并不意味著用作該磁性桿的實(shí)際磁性體必須為嚴(yán)格的桿狀,此處的“桿”應(yīng)當(dāng)做廣義的理解1) “桿”意味著該磁性體的尺寸相對(duì)于離子束的尺寸而言較小,這樣每對(duì)磁性桿之間的相對(duì)小尺寸的磁場(chǎng)便可以對(duì)流經(jīng)的離子束起到局部的調(diào)節(jié)作用;2) “桿”還意味著只要每對(duì)磁性體中的兩個(gè)磁性體各自的N極-S極連線的方向均與該兩個(gè)磁性體之間的連線方向重合即可,而至于該磁性體是否為嚴(yán)格的長(zhǎng)方體形狀則不會(huì)影響到本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)。較佳地,該至少一對(duì)磁性桿均為永磁桿。永磁鐵不但性能可靠,而且無(wú)需像電磁鐵那樣依靠電力運(yùn)行,因此有利于節(jié)約成本。較佳地,各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性中的一種或多種可調(diào)。這可以賦予該束流調(diào)節(jié)裝置更大的靈活性,使其可以滿足各種應(yīng)用場(chǎng)合的調(diào)節(jié)需求。較佳地,該磁性桿的對(duì)數(shù)為兩對(duì)以上,且各對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的連線方向相互平行。當(dāng)離子束僅有一個(gè)方向會(huì)對(duì)注入均勻性產(chǎn)生關(guān)鍵影響時(shí),便可以將該兩對(duì)以上的磁性桿沿著該方向平行排列。本發(fā)明的目的還在于提供一種離子注入系統(tǒng),其包括一離子束,其特點(diǎn)在于,該離子注入系統(tǒng)包括一上述的束流調(diào)節(jié)裝置,各對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿均分別位于該離子束的兩側(cè)。離子束會(huì)從每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的空間中傳輸通過(guò),從而會(huì)在多處局部地受到各對(duì)磁性桿形成的磁場(chǎng)的作用。以一對(duì)磁性桿為例,當(dāng)離子束中的離子通過(guò)該磁 場(chǎng)時(shí),其會(huì)受到洛倫茲力F = qvXB(q為離子的電量,V為離子的速度,B為磁感應(yīng)強(qiáng)度)的影響,即離子會(huì)發(fā)生繞磁力線偏轉(zhuǎn)的現(xiàn)象,也就是說(shuō)傳輸通過(guò)該對(duì)磁性桿作用區(qū)域的子束流會(huì)在離子束的內(nèi)部發(fā)生一定程度的偏轉(zhuǎn)。當(dāng)多對(duì)磁性桿共同作用時(shí),便可以對(duì)離子束內(nèi)部的多處子束流的傳輸方向進(jìn)行調(diào)節(jié),從而在宏觀上調(diào)節(jié)整個(gè)離子束的狀態(tài)(強(qiáng)度分布以及角度分布)。另外,根據(jù)不同的離子束尺寸以及每個(gè)磁性桿的有效作用區(qū)域的尺寸,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以合理地選擇該束流調(diào)節(jié)裝置中包括的磁性桿對(duì)的數(shù)量,以使它們能夠?qū)﹄x子束產(chǎn)生足夠充分的調(diào)節(jié)作用。較佳地,該至少一對(duì)磁性桿均為永磁桿。較佳地,各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性中的一種或多種可調(diào)。針對(duì)每個(gè)磁性桿,所謂的“極性可調(diào)”指的是該磁性桿的極性可以反轉(zhuǎn),即可以從原本的此端為N極彼端為S極反轉(zhuǎn)為此端為S極彼端為N極。在永磁鐵的情況下,該反轉(zhuǎn)可以通過(guò)機(jī)械式地轉(zhuǎn)動(dòng)永磁桿來(lái)實(shí)現(xiàn),而在電磁鐵的情況下,該反轉(zhuǎn)則可以通過(guò)改變線圈電流的方向來(lái)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)改變各對(duì)磁性桿相對(duì)于離子束的位置,便可以改變離子束中因受磁場(chǎng)作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的子束流在整個(gè)離子束中的局部位置,通過(guò)改變某對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離,便可以增強(qiáng)(減小該距離)或減弱(增大該距離)該兩個(gè)磁性桿之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度,相應(yīng)地便可以增強(qiáng)或減弱離子束中因受該局部磁場(chǎng)作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的子束流的偏轉(zhuǎn)幅度,而通過(guò)同時(shí)反轉(zhuǎn)某對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性,便可以反轉(zhuǎn)離子束中因受該局部磁場(chǎng)作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的子束流的偏轉(zhuǎn)方向。由此通過(guò)單獨(dú)地或者結(jié)合地采用這三個(gè)調(diào)節(jié)手段,便可以在宏觀上改變?cè)撌髡{(diào)節(jié)裝置對(duì)同一離子束的整體調(diào)節(jié)效果,或者也可以在切換應(yīng)用場(chǎng)合時(shí),使該束流調(diào)節(jié)裝置適用于傳輸狀態(tài)不同的離子束。特別地,當(dāng)束流的不均勻模式較為簡(jiǎn)單,例如其束流強(qiáng)度分布呈現(xiàn)為簡(jiǎn)單的弱強(qiáng)弱依次相鄰的狀態(tài)時(shí),通過(guò)在束流強(qiáng)度較強(qiáng)的區(qū)域中設(shè)置一對(duì)磁性桿、并交替地反轉(zhuǎn)該對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性,便可以將束流強(qiáng)度較強(qiáng)的區(qū)域中的子束流交替地彌補(bǔ)向兩側(cè)的束流強(qiáng)度較弱的區(qū)域中,這樣便可以進(jìn)一步地減少需要采用的磁性桿的對(duì)數(shù),甚至有可能減少至采用單一的一對(duì)磁性桿即可完成離子束調(diào)節(jié),從而進(jìn)一步地降低束流調(diào)節(jié)的成本。較佳地,各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性為使得該離子束被調(diào)節(jié)均勻。
較佳地,該離子束為帶狀離子束,各對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的連線方向均沿著該離子束的橫截面的寬度方向,各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性為使得該離子束在橫截面的長(zhǎng)度方向上被調(diào)節(jié)均勻。無(wú)論是希望將整個(gè)離子束調(diào)節(jié)均勻,還是希望將離子束在橫截面的長(zhǎng)度方向上調(diào)節(jié)均勻,本領(lǐng)域技術(shù)人員均可以根據(jù)基本的電磁學(xué)原理合理地對(duì)各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性進(jìn)行設(shè)定,該設(shè)定過(guò)程僅涉及公知的電磁學(xué)計(jì)算,故在此不做贅述。 本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明能夠利用結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠且成本較低的束流調(diào)節(jié)裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)離子束的調(diào)節(jié),尤其是對(duì)離子束的均勻性調(diào)節(jié)。
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圖I為本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例中的離子束在調(diào)節(jié)前后的強(qiáng)度分布示意圖。圖2為本發(fā)明的該束流調(diào)節(jié)裝置在該第一實(shí)施例中的應(yīng)用狀態(tài)示意圖。圖3為本發(fā)明的該束流調(diào)節(jié)裝置在該第二實(shí)施例中的應(yīng)用狀態(tài)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實(shí)施例,以詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。實(shí)施例I在現(xiàn)有的離子注入系統(tǒng)中已有多種公知的測(cè)量裝置可以用來(lái)對(duì)離子束的狀態(tài)進(jìn)行測(cè)量。例如,在一采用帶狀離子束進(jìn)行注入的應(yīng)用場(chǎng)合中,利用一公知的測(cè)量裝置測(cè)得該離子束在其橫截面的長(zhǎng)度方向上的強(qiáng)度分布如圖I中的實(shí)線所示,從圖中可以看出,該離子束的強(qiáng)度分布在圖I中橫軸的左半側(cè)區(qū)域中存在一不規(guī)則的高強(qiáng)度區(qū)域,而在圖I中橫軸的右半側(cè)區(qū)域中則又存在一不規(guī)則的低強(qiáng)度區(qū)域,因此此時(shí)該離子束的強(qiáng)度分布并不夠均勻。接下來(lái)利用本發(fā)明的該束流調(diào)節(jié)裝置來(lái)提高該離子束的均勻性。根據(jù)圖I中的該離子束的強(qiáng)度分布情況,本領(lǐng)域技術(shù)人員例如可以采用4對(duì)永磁桿來(lái)構(gòu)成該束流調(diào)節(jié)裝置。圖2所示為該4對(duì)永磁桿相對(duì)于該離子束的設(shè)置方式,圖中兩條虛線之間的區(qū)域代表該離子束的流經(jīng)區(qū)域,而為了能夠更加清晰地描述該4對(duì)永磁桿的作用方式,在圖2中僅繪出了受到該4對(duì)永磁桿的偏轉(zhuǎn)作用的子束流,而其余的遠(yuǎn)離該4對(duì)永磁桿的作用區(qū)域的子束流則未在圖2中繪出(這些子束流將基本不受該4對(duì)永磁桿的作用)。該離子束的傳輸方向?yàn)橛上轮辽希撾x子束的橫截面的長(zhǎng)度方向即為圖2中的水平方向,該離子束的橫截面的寬度方向?yàn)榇怪庇趫D2紙面的方向,而該4對(duì)永磁桿Ia和lb、2a和2b、3a和3b、4a和4b則沿著圖2中的水平方向依次排列,圖2中可以看見(jiàn)各對(duì)永磁桿中位于該離子束上側(cè)的4個(gè)永磁桿(la、2a、3a、4a),而分別與該4個(gè)永磁桿相互對(duì)置的另4個(gè)永磁桿(lb、2b、3b、4b)則均位于該離子束的下側(cè)、并分別位于圖2中可見(jiàn)的該4個(gè)永磁桿的正下方、因此均在圖2中不可見(jiàn)。各對(duì)永磁桿中的兩個(gè)永磁桿所形成的磁力線方向均近似垂直于圖2紙面,因此若離子帶正電,當(dāng)磁力線近似垂直紙面向上時(shí),則離子便會(huì)向右偏轉(zhuǎn),而當(dāng)磁力線近似垂直紙面向下時(shí),則離子便會(huì)向左偏轉(zhuǎn)。
位于圖2中左半側(cè)區(qū)域中的這2對(duì)永磁桿Ia和lb、2a和2b的設(shè)置位置相應(yīng)于圖I中的高強(qiáng)度區(qū)域,它們用于降低該離子束在該區(qū)域中的傳輸密度,而位于圖2中右半側(cè)區(qū)域中的這2對(duì)永磁桿3a和3b、4a和4b的設(shè)置位置則相應(yīng)于圖I中的低強(qiáng)度區(qū)域,它們用于提高該離子束在該區(qū)域中的傳輸密度。在此基礎(chǔ)上,永磁桿2a和2b之間的距離還可以被設(shè)置為比其它各對(duì)永磁桿中的兩個(gè)永磁桿之間的距離更小,以加強(qiáng)該對(duì)永磁桿2a和2b對(duì)從它們之間傳輸通過(guò)的子束流的偏轉(zhuǎn)作用,從而更好地消除圖I中的最高峰值。經(jīng)過(guò)該4對(duì)永磁桿的調(diào)節(jié),該離子束沿其橫截面的長(zhǎng)度方向上的強(qiáng)度分布便可以在最理想情況下達(dá)到圖I中虛線所示的狀態(tài),即非常均勻。實(shí)施例2本實(shí)施例中的離子束的強(qiáng)度分布仍如圖I所示。由于圖I中的最高峰值僅有一處,且該最高峰值兩側(cè)的束流強(qiáng)度均偏低,因此也可以采用如圖3所示的永磁桿設(shè)置來(lái)實(shí)現(xiàn)該離子束的均勻性調(diào)節(jié),即僅設(shè)置一對(duì)永磁桿2a’和2b’。與圖2相同地,圖3中兩條虛線之 間的區(qū)域仍然代表該離子束的流經(jīng)區(qū)域,而為了能夠更加清晰地描述該對(duì)永磁桿的作用方式,在圖3中僅繪出了受到該對(duì)永磁桿的偏轉(zhuǎn)作用的子束流。在圖3中,該離子束的傳輸方向仍為由下至上,并且該離子束的橫截面的長(zhǎng)度方向仍為圖中的水平方向,而該離子束的橫截面的寬度方向則仍為垂直于圖中紙面的方向。圖3中可以看見(jiàn)該對(duì)永磁桿中位于該離子束上側(cè)的永磁桿2a’,而與該永磁桿2a’相互對(duì)置的另一個(gè)永磁桿2b’則位于該離子束的下側(cè)、并位于圖3中可見(jiàn)的該永磁桿2a’的正下方、因此在圖3中不可見(jiàn)。該對(duì)永磁桿2a’和2b’的設(shè)置位置相應(yīng)于圖I中的最高峰值所在的區(qū)域。特別的是,在該實(shí)施例中,該對(duì)永磁桿2a’和2b’的極性可以受控反轉(zhuǎn),而每次反轉(zhuǎn)之間的時(shí)間間隔可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)圖I中的具體強(qiáng)度分布情況進(jìn)行合理的設(shè)定,例如,在圖I中,最高峰值左側(cè)的束流強(qiáng)度的偏低程度較小,而最高峰值右側(cè)的束流強(qiáng)度的偏低程度較大,因此可以相應(yīng)地設(shè)置為在一較短的第一時(shí)間段內(nèi),該對(duì)永磁桿2a’和2b’的極性使得通過(guò)它們之間的子束流向左偏轉(zhuǎn)(由點(diǎn)劃線表示),而在一較長(zhǎng)的第二時(shí)間段內(nèi),該對(duì)永磁桿2a’和2b’的極性使得通過(guò)它們之間的子束流向右偏轉(zhuǎn)(由實(shí)線表示),并且該第一時(shí)間段與該第二時(shí)間段交替實(shí)施。這樣便可以較佳地實(shí)現(xiàn)削強(qiáng)補(bǔ)弱的調(diào)節(jié)效果??蛇x地,也可以將該第一時(shí)間段與該第二時(shí)間段的時(shí)長(zhǎng)設(shè)定為相等,但是將每當(dāng)處于該第一時(shí)間段內(nèi)時(shí)該對(duì)永磁桿2a’和2b’之間的距離設(shè)定為大于每當(dāng)處于該第二時(shí)間段內(nèi)時(shí)該對(duì)永磁桿2a’和2b’之間的距離,這樣也能夠同樣較佳地實(shí)現(xiàn)削強(qiáng)補(bǔ)弱的調(diào)節(jié)效果。類(lèi)似地,經(jīng)過(guò)該對(duì)永磁桿的調(diào)節(jié),該離子束沿其橫截面的長(zhǎng)度方向上的強(qiáng)度分布便可以在最理想情況下達(dá)到圖I中虛線所示的狀態(tài),即非常均勻。而與實(shí)施例I相比,實(shí)施例2可以利用更少對(duì)數(shù)的永磁桿實(shí)現(xiàn)基本相同的調(diào)節(jié)效果,因此束流調(diào)節(jié)的成本更低。以上兩個(gè)實(shí)施例中僅對(duì)采用帶狀離子束的情況作了例舉,而在其它的應(yīng)用場(chǎng)合下,本領(lǐng)域技術(shù)人員通過(guò)合理地選擇磁性桿對(duì)的數(shù)量、合理地選擇各對(duì)磁性桿的位置、合理地選擇每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及合理地選擇每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性,顯然將能夠滿足對(duì)離子束的各種調(diào)節(jié)要求。綜上所述,本發(fā)明能夠利用結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠且成本較低的束流調(diào)節(jié)裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)離子束的調(diào)節(jié),尤其是對(duì)離子束的均勻性調(diào)節(jié)。雖然以上描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,這些僅是舉例說(shuō)明,本發(fā)明的保護(hù)范圍是由所附權(quán)利要求書(shū)限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背 離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的前提下,可以對(duì)這些實(shí)施方式做出多種變更或修改,但這些變更和修改均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種束流調(diào)節(jié)裝置,其特征在于,其包括至少一對(duì)磁性桿,每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿相互對(duì)置、且該兩個(gè)磁性桿的相互對(duì)置的兩端極性相反。
2.如權(quán)利要求I所述的束流調(diào)節(jié)裝置,其特征在于,該至少一對(duì)磁性桿均為永磁桿。
3.如權(quán)利要求I或2所述的束流調(diào)節(jié)裝置,其特征在于,各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性中的一種或多種可調(diào)。
4.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的束流調(diào)節(jié)裝置,其特征在于,該磁性桿的對(duì)數(shù)為兩對(duì)以上,且各對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的連線方向相互平行。
5.一種離子注入系統(tǒng),其包括一離子束,其特征在于,該離子注入系統(tǒng)包括一如權(quán)利要求I所述的束流調(diào)節(jié)裝置,各對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿均分別位于該離子束的兩側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的離子注入系統(tǒng),其特征在于,該至少一對(duì)磁性桿均為永磁桿。
7.如權(quán)利要求5或6所述的離子注入系統(tǒng),其特征在于,各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性中的一種或多種可調(diào)。
8.如權(quán)利要求5-7中任意一項(xiàng)所述的離子注入系統(tǒng),其特征在于,各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性為使得該離子束被調(diào)節(jié)均勻。
9.如權(quán)利要求5-7中任意一項(xiàng)所述的離子注入系統(tǒng),其特征在于,該離子束為帶狀離子束,各對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的連線方向均沿著該離子束的橫截面的寬度方向,各對(duì)磁性桿的位置、每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿之間的距離以及每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿的極性為使得該離子束在橫截面的長(zhǎng)度方向上被調(diào)節(jié)均勻。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種束流調(diào)節(jié)裝置及離子注入系統(tǒng)。該束流調(diào)節(jié)裝置包括至少一對(duì)磁性桿,每對(duì)磁性桿中的兩個(gè)磁性桿相互對(duì)置、且該兩個(gè)磁性桿的相互對(duì)置的兩端極性相反。本發(fā)明能夠利用結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠且成本較低的束流調(diào)節(jié)裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)離子束的調(diào)節(jié),尤其是對(duì)離子束的均勻性調(diào)節(jié)。
文檔編號(hào)H01J37/317GK102983048SQ20111026280
公開(kāi)日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2011年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月6日
發(fā)明者洪俊華, 陳炯, 錢(qián)鋒 申請(qǐng)人:上海凱世通半導(dǎo)體有限公司