專利名稱：等離子顯示屏、等離子顯示屏的后基板組件及其制作工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及等離子顯示技術領域，具體而言，涉及一種等離子顯示屏、等離子顯示屏的后基板組件及其制作工藝。
背景技術：
現(xiàn)有技術中的交流氣體放電等離子顯示屏均采用表面放電型結構，包括一個前基板及與之封接在一起的后基板，前基板上配置有透明電極ITO和匯流電極，透明電極和匯流電極構成放電電極，放電電極包括維持放電電極X和掃描放電電極Y，在放電電極的表面覆蓋有一層介質層，介質層上覆蓋保護層，該保護層是氧化鎂膜。后基板上配置有與放電電極相互垂直的尋址電極，尋址電極上覆蓋一層介質層，介質層上配置有與其尋址電極平行的條狀障壁，且在條狀障壁的底部覆蓋有熒光粉層，前后基板用低熔點玻璃粉封接在一起， 并且在其間充有放電氣體。交流氣體放電等離子顯示屏隨著分辨率逐漸升高，功耗不斷增大，其原因之一是發(fā)光單元變小，尋址電極變窄，這樣，不可避免地增大了尋址電壓，從而降低了發(fā)光效率。

發(fā)明內容
本發(fā)明旨在提供一種等離子顯示屏、等離子顯示屏的后基板組件及其制作工藝， 以解決現(xiàn)有技術中功耗較大的問題。為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種等離子顯示屏的后基板組件，包括后基板；縱向障壁和與縱向障壁相垂直設置的橫向障壁，縱向障壁和橫向障壁均設置在后基板上，縱向障壁和橫向障壁圍成放電空間；尋址電極，從橫向障壁中穿過，并穿過放電空間，尋址電極與后基板之間具有距離。進一步地，尋址電極呈彎折形，包括第一尋址電極，位于每個放電空間內，與縱向障壁平行設置；第二尋址電極，位于每個放電空間內，從第一尋址電極的兩端分別沿橫向障壁向上延伸；第三尋址電極，連接相鄰的兩個放電空間內的相鄰的第二尋址電極。進一步地，橫向障壁包括位于第三尋址電極下方的第一橫向障壁和位于第三尋址電極上方的第二橫向障壁。進一步地，第一橫向障壁的高度與第二橫向障壁的高度的比值范圍為0.25至 0. 82。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種等離子顯示屏，具有后基板組件，后基板組件為上述的后基板組件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種等離子顯示屏的后基板組件的制作工藝，用于制作上述的后基板組件，包括以下步驟在后基板上制作縱向障壁和橫向障壁，使縱向障壁和橫向障壁圍成放電空間；制作尋址電極，使尋址電極穿過橫向障壁及放電空間，并使尋址電極與后基板之間具有距離。進一步地，在制作橫向障壁和尋址電極的步驟中進一步包括在后基板上制作第一橫向障壁；制作電極，使得電極位于第一橫向障壁的上方；制作介質；在第一橫向障壁上方制作第二橫向障壁。進一步地，制作第一橫向障壁和第二橫向障壁使用噴砂法或刻蝕法。進一步地，制作電極使用印刷法或顯影法。進一步地，在制作介質的步驟之前還包括干燥和燒結步驟。在本發(fā)明的技術方案中，等離子顯示屏的后基板組件包括后基板、縱向障壁、橫向障壁和尋址電極。其中，縱向障壁和與縱向障壁相垂直的設置在后基板上，縱向障壁和橫向障壁圍成放電空間，尋址電極從橫向障壁中穿過，并穿過放電空間，尋址電極與后基板之間具有距離。本發(fā)明的后基板組件中尋址電極從橫向障壁中穿過且與后基板之間具有距離，這樣，有效縮短了尋址電極和掃描電極之間的距離，因此，可以減小尋址電壓，從而提高發(fā)光率。


構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示屏的后基板組件的實施例一的結構示意圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示屏的后基板組件的實施例二的結構示意圖； 以及圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示屏的后基板組件的制作工藝的實施例的流程示意圖。
具體實施例方式需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發(fā)明。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示屏的后基板組件的實施例一的結構示意圖。 如圖1所示，從圖中可以看出，實施例一的等離子顯示屏的后基板組件包括后基板、縱向障壁11、橫向障壁13和尋址電極30。其中，縱向障壁11和與縱向障壁11相垂直設置的橫向障壁13均設置在后基板上，縱向障壁11和橫向障壁13圍成放電空間，尋址電極30從橫向障壁13中穿過，并穿過放電空間，尋址電極30與后基板之間具有距離。前基板組件的BUS電極即X和Y電極，由外界電源加一定電壓后產(chǎn)生放電，放電后產(chǎn)生的正離子和電子積累在介質表面上形成壁電荷。此時后基板組件上的某個放電空間的尋址電極即ADD電極如果被加上一定的電壓，此刻，該空間被點亮。當前基板組件的掃描電極，也就是Y電極與后基板組件上的被加電的尋址電極放電時，產(chǎn)生電子的數(shù)量多少，放電時間的長短，與整個器件的質量有很大關系。本實施例的后基板組件中尋址電極30從橫向障壁13中穿過且與后基板之間具有距離，這樣，有效縮短了尋址電極13和掃描電極之間的距離，因此，可以減小尋址電壓，從而提高發(fā)光率。在實施例二中，如圖2所示，尋址電極30呈彎折形，包括第一尋址電極31、第二尋址電極33和第三尋址電極35。其中，第一尋址電極31位于每個放電空間內，與縱向障壁11平行設置，第二尋址電極33位于每個放電空間內，從第一尋址電極31的兩端分別沿橫向障壁13向上延伸，第三尋址電極35連接相鄰的兩個放電空間內的相鄰的第二尋址電極33。實施例二的后基板組件中不僅使得尋址電極30和掃描電極之間的距離減小，而且放電面積增大，因此，可以減小尋址電壓，同時增大放電路徑，提高發(fā)光效率。優(yōu)選地，橫向障壁13包括位于第三尋址電極35下方的第一橫向障壁13a和位于第三尋址電極35上方的第二橫向障壁13b。第一橫向障壁13a的高度與第二橫向障壁1 的高度的比值范圍為0. 25至0. 82。這樣，一方面可以有效減小尋址電壓，另一方面又不會因為第二橫向障壁13b高度過小而影響顯示效果。本發(fā)明還提供了一種等離子顯示屏，具有后基板組件，后基板組件為上述的后基板組件。本等離子顯示屏可以減小尋址電壓，從而提高發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了一種等離子顯示屏的后基板組件的制作工藝，用于制作上述的后基板組件，如圖3所示，包括以下步驟SlO 在后基板上制作縱向障壁11和橫向障壁13，使縱向障壁11和橫向障壁13圍成放電空間。S20 制作尋址電極30，使尋址電極30穿過橫向障壁13及放電空間，并使尋址電極30與后基板之間具有距離。優(yōu)選地，在制作橫向障壁13和尋址電極30的步驟中進一步包括在后基板上制作第一橫向障壁13a ；制作電極30，使得電極30位于第一橫向障壁 13a的上方；制作介質；在第一橫向障壁13a上方制作第二橫向障壁13b。優(yōu)選地，制作第一橫向障壁13a和第二橫向障壁1 使用噴砂法或刻蝕法，制作電極30使用印刷法或顯影法。優(yōu)選地，在制作介質的步驟之前還包括干燥和燒結步驟。采用本發(fā)明的等離子顯示屏的后基板組件的制作工藝的技術方案進行后基板組件的制作，舉例如下例1 下基板使用噴砂法制作障壁，其高度為35um，形狀為口字型即橫縱兩個方向均有障壁。印刷法印刷電極。干燥溫度140°C，燒結溫度580°C。制作介質。涂覆障壁漿料后應用噴砂法增加障壁高度135um，即障壁總高度為170um。例2 下基板使用刻蝕法制作障壁，其高度為50um。顯影方法制作電極。干燥溫度155°C，燒結溫度580°C。制作介質。涂覆障壁漿料后應用刻蝕法制作障壁，增加障壁高度120um，即障壁總高為 170umo
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種等離子顯示屏的后基板組件，其特征在于，包括 后基板；縱向障壁(11)和與所述縱向障壁(11)相垂直設置的橫向障壁(13)，所述縱向障壁 (11)和橫向障壁(1 均設置在所述后基板上，所述縱向障壁(11)和橫向障壁(1 圍成放電空間；尋址電極(30)，從所述橫向障壁(13)中穿過，并穿過所述放電空間，所述尋址電極 (30)與所述后基板之間具有距離。
2.根據(jù)權利要求1所述的后基板組件，其特征在于，所述尋址電極(30)呈彎折形，包括第一尋址電極(31)，位于每個所述放電空間內，與所述縱向障壁(11)平行設置； 第二尋址電極(33)，位于每個所述放電空間內，從所述第一尋址電極(31)的兩端分別沿所述橫向障壁(13)向上延伸；第三尋址電極(35)，連接相鄰的兩個所述放電空間內的相鄰的所述第二尋址電極 (33)。
3.根據(jù)權利要求2所述的后基板組件，其特征在于，所述橫向障壁(1 包括位于所述第三尋址電極(3 下方的第一橫向障壁(13a)和位于所述第三尋址電極(3 上方的第二橫向障壁(13b) 0
4.根據(jù)權利要求3所述的后基板組件，其特征在于，所述第一橫向障壁(13a)的高度與所述第二橫向障壁(13b)的高度的比值范圍為0. 25至0. 82。
5.一種等離子顯示屏，具有后基板組件，其特征在于，所述后基板組件為權利要求1至 4中任一項所述的后基板組件。
6.一種等離子顯示屏的后基板組件的制作工藝，其特征在于，用于制作權利要求1至4 中任一項所述的后基板組件，包括以下步驟在后基板上制作縱向障壁(11)和橫向障壁(13)，使所述縱向障壁(11)和橫向障壁 (13)圍成放電空間；制作尋址電極(30)，使所述尋址電極(30)穿過所述橫向障壁(13)及所述放電空間，并使所述尋址電極(30)與所述后基板之間具有距離。
7.根據(jù)權利要求6所述的制作工藝，其特征在于，在制作所述橫向障壁(13)和尋址電極(30)的步驟中進一步包括在后基板上制作第一橫向障壁(13a)；制作電極(30)，使得電極(30)位于所述第一橫向障壁(13a)的上方； 制作介質；在所述第一橫向障壁(13a)上方制作第二橫向障壁(1 )。
8.根據(jù)權利要求7所述的制作工藝，其特征在于，制作所述第一橫向障壁(13a)和所述第二橫向障壁(13b)使用噴砂法或刻蝕法。
9.根據(jù)權利要求7所述的制作工藝，其特征在于，制作所述電極(30)使用印刷法或顯影法。
10.根據(jù)權利要求7所述的制作工藝，其特征在于，在所述制作介質的步驟之前還包括干燥和燒結步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子顯示屏、等離子顯示屏的后基板組件及其制作工藝。其中，等離子顯示屏的后基板組件，包括后基板；縱向障壁(11)和與縱向障壁(11)相垂直設置的橫向障壁(13)，縱向障壁(11)和橫向障壁(13)均設置在后基板上，縱向障壁(11)和橫向障壁(13)圍成放電空間；尋址電極(30)，從橫向障壁(13)中穿過，并穿過放電空間，尋址電極(30)與后基板之間具有距離。本發(fā)明的等離子顯示屏的后基板組件有效地縮短了尋址電極和掃描電極之間的距離，這樣，有效地解決現(xiàn)有技術中功耗較大的問題，從而提高了發(fā)光率。
文檔編號H01J9/24GK102361001SQ201110303390
公開日2012年2月22日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權日2010年9月30日
發(fā)明者曹瑞林 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司