專利名稱：一種混合照明白光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光源調(diào)色，具體涉及LED與OLED混合照明器件。
背景技術(shù)：
LED (Lighting Emitting Diode)即發(fā)光二極管，是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。其具有體積小(LED基本上是一塊很小的晶片被封裝在環(huán)氧樹脂里面，所以它非常的小，非常的輕)、耗電量低(LED耗電相當(dāng)?shù)?，一般來說LED的工作電壓是2-3.6V。工作電流是
0.02-0.03A。這就是說:它消耗的電能不超過0.1W)、使用壽命長(在恰當(dāng)?shù)碾娏骱碗妷合拢琇ED的使用壽命可達(dá)10萬小時(shí))、高亮度、低熱量(LED使用冷發(fā)光技術(shù)，發(fā)熱量比普通照明燈具低很多)、環(huán)保(LED 是由無毒的材料制成，不像熒光燈含水銀會(huì)造成污染，同時(shí)LED也可以回收再利用)等特點(diǎn)；但是LED光的顯色性差，白光光譜較窄，對(duì)光譜要求較高的場合并不適用。這也是有色的LED比普通的白熾燈做的有色燈顯的鮮艷的原因，顏色感覺比較脆。OLED (Organic light emitting diode)即有機(jī)發(fā)光二極管,具有自發(fā)性、廣視角、反應(yīng)時(shí)間快、發(fā)光效率高、工作電壓低、面板厚度薄、可制作大尺寸與可彎曲式面板及制程簡單等特性，且具有低成本的潛力。但是對(duì)于OLED來說，它存在色彩純度不夠的問題，不容易顯示出鮮艷、濃郁的色彩。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種顯色性更好、色純度更高、生產(chǎn)工藝簡單的混合照明白光器件，該白光器件解決了現(xiàn)有OLED的色彩純度不足和LED的顯色性差的問題。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案:包括紅綠摻雜的OLED器件以及若干個(gè)白光LED芯片，所述OLED器件與若干個(gè)白光LED芯片設(shè)置于同一個(gè)基板上,OLED器件以及白光LED芯片發(fā)出的光線經(jīng)過同一個(gè)燈罩進(jìn)行二次配光后形成用于照明的白光。所述OLED器件以及白光LED芯片采用串聯(lián)或并聯(lián)方式相互連接。所述OLED器件的結(jié)構(gòu)為:I T0/Mo03/NPB/TCTA/CBP: R-4B: GIRl/BCP/Alq3/LiF/Al。所述MoO3 的厚度為 30-60nm，NPB 的厚度為 30_60nm，Alq3 的厚度為 30_60nm，TCTA的厚度為8-12nm，CBP:R-4B: GIRl的厚度為20_50nm，BCP的厚度為8_12nm，R-4B的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的1-8%，GIRl的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的2-16%。所述MoO3的厚度為30-60nm，NPB的厚度為40nm，Alq3的厚度為40nm，TCTA的厚度為10nm，CBP:R-4B: GIRl的厚度為30nm，BCP的厚度為10nm，R-4B的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的1-8%，GIRl的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的14%。所述OLED器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/Mo03/NPB/TCTA/CBP: R-4B:GIRl/BCP/Alq3/LiF/Al, MoO3 的厚度為 40nm，NPB的厚度為40nm，Alq3的厚度為40nm，TCTA的厚度為10nm，CBP:R-4B:GIRl的厚度為30nm，BCP的厚度為10nm，R-4B的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的2%，GIR1的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的14%。本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明所述混合照明白光器件針對(duì)LED與OLED的優(yōu)缺點(diǎn)，把LED與OLED結(jié)合起來，形成一種混合照明器件，若干個(gè)白光LED芯片發(fā)射白光(點(diǎn)有黃色熒光粉的藍(lán)色LED芯片激發(fā)黃色熒光粉發(fā)射白光)，并與具有紅綠染料摻雜的OLED器件進(jìn)行搭配最終形成一種具有紅綠藍(lán)黃四波段的白光照明器件，此種混合方式使得出射的白光具有高顯色指數(shù)和高效率，色彩鮮艷，可以成為更加實(shí)用的背光源或照明光源。本發(fā)明通過對(duì)OLED器件中的若干結(jié)構(gòu)層的厚度等進(jìn)行優(yōu)化，并使用紅綠共蒸的方法，以R-4B為紅光染料，且加雙阻擋層(TCTA、BCP)提高其復(fù)合效率，使得本發(fā)明所述紅綠摻雜的OLED器件具有更高的亮度和發(fā)光效率，將其與白光LED芯片進(jìn)行組合，提高了照明器件的亮度和發(fā)光效率。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖之一；圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖之二；圖3為本發(fā)明實(shí)施例1所述OLED器件的光譜檢測圖；圖中:1為LE D芯片，2為基板，3為燈罩，4為金屬引線，5為OLED器件。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。參見圖1以及圖2，本發(fā)明所述混合照明白光器件包括紅綠摻雜的OLED器件以及若干個(gè)白光LED芯片,所述OLED器件與若干個(gè)白光LED芯片設(shè)置于同一個(gè)基板上,OLED器件以及白光LED芯片發(fā)出的光線經(jīng)過同一個(gè)燈罩進(jìn)行二次配光后形成用于照明的白光。所述OLED器件以及白光LED芯片采用串聯(lián)或并聯(lián)方式相互連接。所述OLED器件的結(jié)構(gòu)為:I T0/Mo03/NPB/TCTA/CBP: R-4B: GIRl/BCP/Alq3/LiF/Al。所述MoO3 的厚度為 30-60nm，NPB 的厚度為 30_60nm，Alq3 的厚度為 30_60nm，TCTA的厚度為8-12nm，CBP:R-4B: GIRl的厚度為20_50nm，BCP的厚度為8_12nm，R-4B的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的1-8%，GIRl的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的2-16%。R-4B的來源為西安瑞聯(lián)近代電子材料有限責(zé)任公司。實(shí)施例1一種新型混合照明白光器件，將4個(gè)白光LED芯片與I個(gè)紅綠摻雜的OLED器件在同一基板2上進(jìn)行安裝，由LED芯片I組成的陣列結(jié)構(gòu)的兩端與OLED器件5的兩端引出一對(duì)金屬引線4，這對(duì)金屬引線與直流電源相連。對(duì)LED芯片的陣列與所述OLED器件加電，各個(gè)LED芯片與所述OLED器件會(huì)被同時(shí)點(diǎn)亮，LED芯片發(fā)出的白光與OLED的黃光組合，然后由燈罩3實(shí)現(xiàn)二次配光，最后混合發(fā)出照明用的白光。所述混合照明白光器件的制作過程如下:
I)在襯底上裝四個(gè)白光LED芯片和一個(gè)紅綠摻雜的OLED器件；所述OLED器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/Mo03 (40nm)/NPB(40nm)/TCTA(IOnm)/CBP:R-4B(2%):GIRl(14%)/BCP(IOnm)/Alq3 (40nm) /LiF/Al) ;CBP:R_4B:GIR1 總厚度為 30nm。2)引線鍵合:利用金線或者鋁線焊接機(jī)對(duì)LED芯片、OLED器件的串并聯(lián)之間的引線以及引出的兩個(gè)正負(fù)極引腳進(jìn)行鍵合；3)將預(yù)制好的燈罩加在裝有LED芯片和OLED芯片的襯底上，用基板2對(duì)燈罩進(jìn)行固定。實(shí)施例2紅綠摻雜的OLED器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/Mo03 (60nm)/NPB(40nm)/TCTA(IOnm)/CBP:R-4B(2%):GIRl(14%)/BCP(IOnm)/Alq3(40nm)/LiF/Al) ；CBP:R-4B:GIR1 總厚度為 30nm，其他與實(shí)施例1 相同。實(shí)施例3紅綠摻雜的OLED器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/Mo03 (60nm)/NPB(40nm)/TCTA(IOnm)/CBP:R-4B(6%):GIRl(14%)/BCP(IOnm)/Alq3 (40nm) /LiF/Al ；CBP:R-4B:GIR1 總厚度為 30nm，其他與實(shí)施例1 相同。實(shí)施例1中，OLED器件的亮度達(dá)到34890cd/m2 (遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于現(xiàn)有的OLED器件)，與實(shí)施例2中的OLED器件相·比，亮度提高20% ；0LED器件的光譜組成檢測結(jié)果為具有紅綠發(fā)光光譜，表明其是一種紅綠摻雜的OLED器件(參見圖3);發(fā)光效率達(dá)到39cd/A。實(shí)施例2中，OLED器件的亮度達(dá)到24000cd/m2，與實(shí)施例3中的OLED器件相比，亮度提高了 40% ；0LED器件的光譜組成檢測結(jié)果為具有紅綠發(fā)光光譜(紅光比綠光光譜更強(qiáng)烈)；發(fā)光效率達(dá)到29cd/A。實(shí)施例3中，OLED器件的亮度為14800cd/m2，OLED器件的光譜組成檢測結(jié)果為具有紅綠發(fā)光光譜；發(fā)光效率為19cd/A。實(shí)施例1-3中，所用ITO為深圳南玻集團(tuán)提供、LiF厚度為lnm，Al的厚度為lOOnm?，F(xiàn)有LED顯色性指數(shù)不高，OLED的不夠鮮艷，本發(fā)明解決了 LED與OLED的這些缺陷，使所述混合照明白光器件的價(jià)值更高。
權(quán)利要求
1.一種混合照明白光器件，其特征在于:包括紅綠摻雜的OLED器件以及若干個(gè)白光LED芯片,所述OLED器件與若干個(gè)白光LED芯片設(shè)置于同一個(gè)基板上，OLED器件以及白光LED芯片發(fā)出的光線經(jīng)過同一個(gè)燈罩進(jìn)行二次配光后形成用于照明的白光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種混合照明白光器件，其特征在于:所述OLED器件以及白光LED芯片采用串聯(lián)或并聯(lián)方式相互連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種混合照明白光器件，其特征在于:所述OLED器件的結(jié)構(gòu)為:ITO/M0O3/NPB/TCTA/CBP:R-4B:GIRl/BCP/Alq3/LiF/Al。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種混合照明白光器件，其特征在于:所述MoO3的厚度為 30-60nm, NPB 的厚度為 30_60nm，Alq3 的厚度為 30_60nm，TCTA 的厚度為 8_12nm，CBP:R-4B:GIRl的厚 度為20-50nm，BCP的厚度為8_12nm，R-4B的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的1-8%，GIRl的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的2-16%。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種混合照明白光器件，其特征在于:所述MoO3的厚度為30-60nm, NPB 的厚度為 40nm，Alq3 的厚度為 40nm，TCTA 的厚度為 10nm，CBP:R-4B:GIRl 的厚度為30nm，BCP的厚度為10nm，R-4B的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的1_8%，GIRl的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的14%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種混合照明白光器件，其特征在于:所述OLED器件的結(jié)構(gòu)為:ITO/M0O3/NPB/TCTA/CBP: R-4B:GIRl/BCP/Alq3/LiF/Al, MoO3 的厚度為 40nm，NPB 的厚度為 40nm，Alq3 的厚度為 40nm，TCTA 的厚度為 10nm，CBP:R-4B:GIRl 的厚度為 30nm，BCP的厚度為10nm，R-4B的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的2%，GIRl的摻雜質(zhì)量為CBP質(zhì)量的14%。
全文摘要
本發(fā)明提供一種混合照明白光器件，在襯底之上設(shè)置了四個(gè)LED芯片和OLED器件，此陣列與器件之間通過串并聯(lián)方式連接，最終由引線連接電源的正極與負(fù)極，若干個(gè)白光LED芯片發(fā)射白光，并與具有紅綠染料摻雜的OLED器件進(jìn)行搭配最終形成一種具有紅綠藍(lán)黃四波段的白光照明器件，此種混合方式使得出射的白光具有高顯色指數(shù)和高效率，可以成為更加實(shí)用的背光源或照明光源。
文檔編號(hào)F21V23/00GK103236423SQ201310101928
公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月27日
發(fā)明者張方輝, 黃晉, 孫立蓉, 張麥麗, 馬穎, 牟強(qiáng), 張微, 張思璐 申請(qǐng)人:陜西科技大學(xué)