專利名稱：有機(jī)發(fā)光器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法。
背景技術(shù)：
作為對包括構(gòu)成有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)射層的有機(jī)化合物層進(jìn)行圖案化的方法，近年來，一種采用光刻法的方法引起了人們的注意，因?yàn)榕c諸如采用金屬掩模的圖案化過程之類的其他圖案化過程相比，該方法能夠執(zhí)行高精確度的圖案化。例如，日本專利N0.4578026公開了一種利用光刻法對有機(jī)化合物層進(jìn)行圖案化的方法。具體地，在日本專利N0.4578026中，根據(jù)下述方法制造一種包括多個(gè)有機(jī)場致發(fā)光元件的發(fā)光器件。首先，在基底上形成將成為在光致抗蝕劑材料中不可溶解的第一發(fā)射層的薄膜層，在所述薄膜層上 形成光致抗蝕劑層，之后對所述光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案化，從而使所述光致抗蝕劑層留在將形成第一發(fā)光部分的部分中。接下來，在去除了設(shè)置在未保留光致抗蝕劑層的區(qū)域內(nèi)的薄膜層之后，在具有第一發(fā)射層和保留在所述第一發(fā)射層的表面上的光致抗蝕劑層的基底上形成第二發(fā)射層。爾后，使脫模劑與其余的光致抗蝕劑層接觸，從而使所述光致抗蝕劑層連同形成于所述光致抗蝕劑層上的第二發(fā)射層剝離。因此，獲得了以預(yù)期圖案形狀形成的第一發(fā)光部分和第二發(fā)光部分。日本專利N0.4544811也描述了一種與日本專利N0.4578026基本類似的制造過程。此外，日本專利N0.4544811公開了在有機(jī)化合物層和抗蝕劑層之間提供脫模層。這里，脫模層是指所提供的用于容易地剝離諸如光致抗蝕劑層之類的構(gòu)件的層，具體而言，在難以將諸如光致抗蝕劑層的構(gòu)件從包括發(fā)射層的有機(jī)化合物層上剝離下來的情況下采用脫模層。在如日本專利N0.4578026和4544811中所述從有機(jī)化合物層上直接或者利用脫模層剝離圖案化的光致抗蝕劑層的過程中，采用利用使預(yù)定層的構(gòu)成材料溶解的溶液來使所述構(gòu)成材料溶解并剝離的方法。具體地，使光致抗蝕劑層和脫模層與用于使所述光致抗蝕劑層和脫模層溶解的溶液(脫模劑)接觸，從而使所述光致抗蝕劑層和脫模層溶解。在這種情況下，采用用于使光致抗蝕劑層或脫模層(下文統(tǒng)稱為“脫模層”)選擇性地溶解的液體作為脫模劑。在這種情況下，必須使所述溶液充分滲透所述脫模層。然而，問題在于，將在脫模層上形成的層相對于脫模劑具有低溶解速率，因而脫模劑不能容易地從脫模層的上部滲透到脫模層內(nèi)。因此，脫模劑從脫模層的端部向脫模層內(nèi)滲透。在所要?jiǎng)冸x的區(qū)域大的情況下，所述溶液不能充分地滲透脫模層，因此出現(xiàn)了形成脫模層的殘余的問題。一般而言，通過在脫模層上形成掩模圖案而對所述脫模層圖案化，所述掩模圖案具有能夠通過光刻法形成圖案的層。在這種情況下，能夠通過光刻法形成圖案的層是指由至少一個(gè)層形成的并且在脫模層的圖案形成過程中表現(xiàn)出阻力的層。盡管日本專利N0.4578026和4544811沒有特別提到所述有機(jī)化合物層的具體圖案形狀，但是可認(rèn)為所述有機(jī)化合物層的圖案形狀取決于脫模層的圖案形狀。一般將設(shè)置于發(fā)光區(qū)內(nèi)的脫模層圖案化至幾μ m到幾百μ m的尺寸，但是其取決于屏幕尺寸，因而脫模劑將從每一圖案的端部充分地滲透整個(gè)脫模層。相反，除了發(fā)光區(qū)以外的部分則不具有或者具有較少的上文描述的微細(xì)圖案。因此，即使在試圖使脫模劑從圖案的端部滲透到脫模層內(nèi)時(shí)，脫模劑也無法容易地滲透到脫模層的圖案中心部分，因而不能使脫模層充分地剝離，結(jié)果可能形成殘余。例如，在提供了用于從外面密封發(fā)光區(qū)的密封構(gòu)件或者密封膜的情況下，當(dāng)形成了從外面連接至發(fā)光區(qū)的脫模層的殘余，所述殘余將起到水侵路徑的作用，從而引起密封缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
做出本發(fā)明以便解決上述問題，并且本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制由脫模層的殘余引起的密封缺陷的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，提供了一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光器件包括:其上設(shè)置有第一區(qū)和第二區(qū)的襯底，所述第一區(qū)是具有多個(gè)發(fā)光部分的發(fā)光區(qū)，所述第二區(qū)設(shè)置在所述第一區(qū)的周圍；以及分別在對應(yīng)于所述多個(gè)發(fā)光部分的區(qū)域內(nèi)形成的第一電極，所述方法包括:至少在所述第一區(qū)內(nèi)形成包括第一發(fā)射層的第一有機(jī)化合物層的第一有機(jī)化合物層形成步驟；在其上形成了第一有機(jī)化合物層的襯底的整個(gè)表面上形成包括脫模層的第一保護(hù)層的第一保護(hù)層形成步驟；在所述第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層的第二保護(hù)層形成步驟；去除所述第二保護(hù)層的一部分以獲得圖案化的第二保護(hù)層的第二保護(hù)層處理步驟；根據(jù)所述第二保護(hù)層的圖案去除所述第一保護(hù)層和所述第一有機(jī)化合物層的一部分以獲得圖案化的第一保護(hù)層和圖案化的第一有機(jī)化合物層的第一保護(hù)層和第一有機(jī)化合物層處理步驟；在其上形成了圖案化的第一有機(jī)化合物層的襯底的整個(gè)表面上形成包括第二發(fā)射層的第二有機(jī)化合物層的第二有機(jī)化合物層形成步驟；以及使所述脫模層與用于選擇性地去除所述脫模層的脫模劑接觸，從而至少將所述脫模層連同形成于所述脫模層之上的層一起去除的剝離步驟，其中，還在所述第二區(qū)中設(shè)置在所述第二保護(hù)層處理步驟中從其中去除所述第二保護(hù)層的區(qū)域，并且其中，所述第二區(qū)中從其中去除所述第二保護(hù)層的區(qū)域之間的間隔的最小值小于或等于第一區(qū)中從其中去除所述第二保護(hù)層的區(qū)域之間的間隔的最小值的100倍。根據(jù)本發(fā)明，提供·了一種能夠抑制由脫模層的殘余導(dǎo)致的圖案化缺陷，并且能夠以高可靠性實(shí)現(xiàn)密封的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法。也就是說，根據(jù)本發(fā)明，通過在圍繞發(fā)光區(qū)的區(qū)域內(nèi)按照預(yù)定間隔去除形成于所述第一保護(hù)層上的第二保護(hù)層的一部分，使脫模劑充分地滲透，以溶解第一保護(hù)層中包含的脫模層。因此，能夠形成其內(nèi)未形成脫模層之上的層的殘余的區(qū)域以圍繞發(fā)光區(qū)，并且能夠執(zhí)行令人滿意的密封。通過下文參考附圖對示范性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的其他特征將變得清楚。


圖1A和IB是說明通過本發(fā)明的制造方法制造的有機(jī)發(fā)光器件的示例的示意圖:圖1A是平面圖；圖1B是不出了沿圖1A的1B-1B線取得的截面的圖不。圖2A和2B是示出了圖1A的α部分的示意圖:圖2Α是平面圖；圖28是示出了沿圖2Α的2Β-2Β線取得的截面的圖示。
圖3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G、3H、31、3J、3K、3L、3M和 3N是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的示意性截面圖。圖4是示出了在圖1A的β部分中形成的第二保護(hù)層的圖案的示例的示意性平面圖。圖5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H、51、5J、5K、5L、5M和 5Ν是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二
實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的示意性截面圖。圖6A和6B是示出了第二區(qū)內(nèi)的第二保護(hù)層的處理區(qū)域的示例的示意性平面圖:圖6A是示出了圖1A中的Y部分中的第二保護(hù)層的處理區(qū)域的圖示；圖1B是示出了圖1A中的β部分中的第二保護(hù)層的處理區(qū)域的圖示。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光器件包括處于襯底上的第一區(qū)和在所述第一區(qū)的周圍提供的第二區(qū)，所述第一區(qū)是包括多個(gè)發(fā)光部分的發(fā)光區(qū)，所述發(fā)光區(qū)具有分別在對應(yīng)于所述發(fā)光部分的區(qū)域內(nèi)形成于其上的第一電極。在本發(fā)明中，第一區(qū)是指用于顯示圖像的區(qū)域，其中，將多個(gè)發(fā)光部分布置到襯底上的平坦區(qū)域內(nèi)，因而又將所述第一區(qū)稱為發(fā)光區(qū)。此外，第二區(qū)是指所述襯底上的所述平坦區(qū)域內(nèi)除了所述發(fā)光區(qū)以外的區(qū)域，其大體上對應(yīng)于所述第一區(qū)(發(fā)光區(qū))周圍的區(qū)域。在第二區(qū)內(nèi)形成驅(qū)動(dòng)電路、電極接觸部分、柔性印刷電路(FPC)連接部分、密封部分等。本發(fā)明的制造方法包括下述步驟(A) IlJ(H):(A)形成至少包括第一發(fā)射層的第一有機(jī)化合物層的第一有機(jī)化合物層形成步驟；

(B)在所述第一有機(jī)化合物層上形成至少包括脫模層的第一保護(hù)層的第一保護(hù)層形成步驟；(C)在所述第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層的第二保護(hù)層形成步驟；(D)去除所述第二保護(hù)層的一部分以獲得圖案化的第二保護(hù)層的第二保護(hù)層處理步驟；(E)根據(jù)所述第二保護(hù)層的圖案去除所述第一保護(hù)層的一部分以獲得圖案化的第一保護(hù)層的第一保護(hù)層處理步驟；(F)根據(jù)所述第二保護(hù)層的圖案去除所述第一有機(jī)化合物層的部分以獲得圖案化的第一有機(jī)化合物層的第一有機(jī)化合物層處理步驟；(G)至少在所述第一有機(jī)化合物層上形成包括第二發(fā)射層的第二有機(jī)化合物層的第二有機(jī)化合物層形成步驟；以及(H)用于使所述第一保護(hù)層與用于選擇性地去除所述第一保護(hù)層的脫模劑接觸，從而至少去除所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層以及形成于所述第一保護(hù)層上的第二有機(jī)化合物層的剝離步驟?？梢允共襟E(E)和步驟(F)處于一個(gè)步驟當(dāng)中，在該步驟中連續(xù)執(zhí)行步驟(E)和步驟(F)。在步驟(B)中形成的第一保護(hù)層至少包括脫模層，在使所述脫模層與在步驟(H)中采用的脫模劑接觸時(shí)，將所述脫模層從襯底上去除。在步驟(C)中形成的第二保護(hù)層保護(hù)在第二保護(hù)層之下形成的層(第一保護(hù)層、第一有機(jī)化合物層等)，提供其的目的在于將這些層處理成期望的圖案形狀。因此，在對第二保護(hù)層之下形成的層進(jìn)行處理時(shí)，必須根據(jù)第一有機(jī)化合物層的預(yù)期圖案形狀預(yù)先形成第二保護(hù)層的圖案。對第二保護(hù)層圖案化的方法的示例是利用光敏材料的光刻法。但是，本發(fā)明不限于此。稍后將描述具體的圖案化過程。此外，在本發(fā)明中，可以包含形成具有第一保護(hù)層的功能和第二保護(hù)層的功能的單個(gè)層的步驟以替代步驟(B)和(C)。在步驟(G)中形成的第二有機(jī)化合物層是單個(gè)層或者是由多個(gè)層形成的疊層，其至少包括不同于所述第一發(fā)射層的第二發(fā)射層。這里，“不同于所述第一發(fā)射層的第二發(fā)射層”是指在發(fā)射層的材料、成分和厚度、發(fā)射層的膜形成方法以及膜形成條件的至少一個(gè)方面不同于所述第一發(fā)射層的發(fā)射層。此外，在本發(fā)明中，在圍繞第一區(qū)的第二區(qū)內(nèi)形成這樣一個(gè)區(qū)域，在該區(qū)域中去除通過在上述步驟(D)中描述的第二保護(hù)層的處理步驟獲得的第二保護(hù)層。稍后將詳細(xì)描述步驟(A)到(H)。接下來將參考附圖詳細(xì)描述通過本發(fā)明的制造方法制造的有機(jī)發(fā)光器件。注意，可以向圖中未示出的或者本說明書中未說明的部分應(yīng)用所屬技術(shù)領(lǐng)域公知或已知的技術(shù)。此外，下文描述的實(shí)施例只是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法的示例，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。(有機(jī)發(fā)光器件)圖1A和 IB是示出了通過本發(fā)明的制造方法制造的有機(jī)發(fā)光器件的示例的示意性圖示。圖1A是平面圖，圖1B是示出了沿圖1A的1B-1B線取得的截面的圖示。圖2A和2B是示出了圖1A的封閉部分(α部分)的示意圖。圖2Α是平面圖，圖2Β是示出了沿圖2Α的2Β-2Β線取得的截面的圖示。圖1A中的封閉部分α對應(yīng)于圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光區(qū)。圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I包括在襯底10上的第一區(qū)11 (發(fā)光區(qū))和設(shè)置在第一區(qū)11周圍的第二區(qū)12。在這種情況下，第一區(qū)11也是如下文所述提供了多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的區(qū)域。此外，圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I包括處于第二區(qū)12中的用于從外部接收電力供應(yīng)和信號的外部連接端子14以及用于將作為有機(jī)發(fā)光元件的組成構(gòu)件的第二電極連接至與外部連接端子14連接的布線(未示出)的接觸部分13。注意，在圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I中，提供接觸部分13，從而使其被密封構(gòu)件所覆蓋。例如，如圖2Α和2Β所不,在圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I的第一區(qū)11 (發(fā)光區(qū))中，以矩陣提供三種具有不同發(fā)射顏色的有機(jī)發(fā)光兀件(第一有機(jī)發(fā)光兀件20a、第二有機(jī)發(fā)光元件20b、第三有機(jī)發(fā)光元件20c)。圖2A和2B中所示的第一有機(jī)發(fā)光元件20a是在襯底10上依次提供第一電極21a、第一有機(jī)化合物層22a和第二電極23的電子兀件。第二有機(jī)發(fā)光兀件20b是在襯底10上依次提供第一電極21b、第二有機(jī)化合物層22b和第二電極23的電子元件。第三有機(jī)發(fā)光元件20c是在襯底10上依次提供第一電極21c、第三有機(jī)化合物層22c和第二電極23的電子元件。此外，利用處于上部的密封構(gòu)件30覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)并對其密封。
在圖2A和2B所示的有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)中，在襯底10上形成對應(yīng)于下電極的第一電極(21a，21b，21c)，這些第一電極以元件為基礎(chǔ)并且在平面圖中以矩陣分開。注意，可以將第一電極形成為多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件共用的電極。這使得具有公共的第一電極的多個(gè)有機(jī)發(fā)光兀件同時(shí)發(fā)光，并輸出通過混合由相應(yīng)的發(fā)光兀件發(fā)射的多種光束而獲得的顏色的光。此外，將第一電極(21a，21b，21c)電連接至嵌入在襯底10內(nèi)的電路層(未示出)。在圖2A和2B所示的有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)中，相應(yīng)有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)射層(第一發(fā)射層、第二發(fā)射層、第三發(fā)射層)發(fā)射不同顏色的光。例如，通過依次形成第一發(fā)射層、第二發(fā)射層和第三發(fā)射層作為紅色發(fā)射層(R發(fā)射層)、綠色發(fā)射層(G發(fā)射層)和藍(lán)色發(fā)射層(B發(fā)射層)，能夠執(zhí)行全色顯示。此外，在圖2A和2B所示的有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)中，對應(yīng)于上電極的第二電極23是被形成為相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)共用的層的公共層。但是，本發(fā)明不限于這一實(shí)施例。例如，可以對于所述有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)單獨(dú)形成第二電極23。水和氧氣將使得構(gòu)成有機(jī)化合物層(22a，22b，22c)的有機(jī)材料顯著劣化。因此，為了避免水從外部侵入到發(fā)光區(qū)11內(nèi)，提供密封構(gòu)件30，以便覆蓋有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)。在圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I中，提供密封構(gòu)件30以使之覆蓋發(fā)光區(qū)11。在提供密封構(gòu)件30時(shí)，為了阻斷通往有機(jī)發(fā)光元件的水侵入路徑，必須去除在襯底10上形成于第一區(qū)11 (發(fā)光區(qū))的周圍，即處于第二區(qū)12的預(yù)定區(qū)域內(nèi)的有機(jī)化合物層的至少一部分。所述預(yù)定區(qū)域具體是指圖1A和IB中的區(qū)域15。提供區(qū)域15，以使其圍繞發(fā)光區(qū)11，由此阻斷水從外部侵入到密封構(gòu)件30所覆蓋的發(fā)光區(qū)11內(nèi)，并且區(qū)域15具有至少在局部幾乎不會(huì)使水滲透的配置。盡管圖1A和IB所示 的密封構(gòu)件30是由具有高抗?jié)裥缘牟牧闲纬傻谋∧ば螤畹臉?gòu)件，但是本發(fā)明不限于此。通過利用具有低滲水性的粘合劑替代圖1A和IB所示的具有薄膜形狀的密封構(gòu)件30將玻璃帽等固定到襯底10，可以阻止水從外面侵入。在這種情況下，優(yōu)選在區(qū)域15的外面提供用于將玻璃帽等固定到襯底10的粘合劑。在所述粘合劑與區(qū)域15重疊時(shí)，希望所述粘合劑的施用不會(huì)掩埋區(qū)域15。(有機(jī)發(fā)光器件的制造方法)接下來描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法。本發(fā)明的制造方法包括下述步驟(A) IlJ(H):(A)形成至少包括第一發(fā)射層的第一有機(jī)化合物層的第一有機(jī)化合物層形成步驟；(B)在所述第一有機(jī)化合物層上形成至少包括脫模層的第一保護(hù)層的第一保護(hù)層形成步驟；(C)在所述第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層的第二保護(hù)層形成步驟；(D)去除所述第二保護(hù)層的一部分以獲得圖案化的第二保護(hù)層的第二保護(hù)層處理步驟；(E)根據(jù)所述第二保護(hù)層的圖案去除所述第一保護(hù)層的一部分以獲得圖案化的第一保護(hù)層的第一保護(hù)層處理步驟；(F)根據(jù)所述第二保護(hù)層的圖案去除所述第一有機(jī)化合物層的一部分以獲得圖案化的第一有機(jī)化合物層的第一有機(jī)化合物層處理步驟；(G)至少在所述第一有機(jī)化合物層上形成包括第二發(fā)射層的第二有機(jī)化合物層的第二有機(jī)化合物層形成步驟；以及(H)用于使所述第一保護(hù)層與用于選擇性地去除所述第一保護(hù)層的脫模劑接觸，從而至少去除所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層以及形成于所述第一保護(hù)層上的第二有機(jī)化合物層的剝離步驟。(第一實(shí)施例)圖3A到3N是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的示意性截面圖。在下文中將基于圖3A到3N所示的制造過程描述每一步驟。圖3A到3N所示的制造過程是用于制造圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I的制造過程。(I)包括電極的襯底首先，描述將在圖3A到3N中所示的制造過程采用的襯底。如圖3A所示，襯底10具有在對應(yīng)于發(fā)光部分的區(qū)域內(nèi)預(yù)先提供的多個(gè)第一電極(21a，21b，21c)。襯底IO可以是透明的，也可以不是透明的。具體而言，襯底IO的示例包括由玻璃、合成樹脂等制成的絕緣襯底以及在正表面上形成諸如氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiN)膜或氮氧化硅(SiON)膜之類的由絕緣材料制成的薄膜的導(dǎo)電襯底或半導(dǎo)體襯底。在制造底部發(fā)射類型有機(jī)發(fā)光器件的情況下，采用透明襯底作為襯底10。此外，在襯底10內(nèi)，如果需要可以適當(dāng)?shù)靥峁┌ňw管(TFT)的驅(qū)動(dòng)電路(未示出)、平面化層(未示出)、像素分離層(未示出)等。在襯底10包括驅(qū)動(dòng)電路的情況下，驅(qū)動(dòng)電路中包含的TFT由例如半導(dǎo)體層形成，所述半導(dǎo)體層由多晶硅制成。但是，本發(fā)明不限于此，所述TFT可以是利用非晶硅、微晶硅等形成的構(gòu)件。提供平面化層，從而使其填充在形成包括TFT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)形成的不平坦性。所述平面化層由絕緣材料制成。具體地，所述平面化層由諸如光敏聚酰亞胺之類的有機(jī)材料或者諸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)的無機(jī)材料制成。如圖3A中所示，在對應(yīng)于發(fā)光區(qū)的第一區(qū)11中，提供將成為像素電極的多個(gè)第一電極(21a，21b，21c)。在制造頂部發(fā)射類型的有機(jī)發(fā)光器件的情況下，第一電極(21a，21b，21c)優(yōu)選由例如光反射材料制成，光反射材料例如諸如Al、Ag、Au、Pt或Cr之類的具有高反射率的金屬以及通過組合這些金屬中的至少兩種形成的合金。盡管可以將第一電極(21a，21b，21c)形成為由上述光反射材料制成的層，但是本發(fā)明不限于此。例如，所述第一電極(21a，21b，21c)可以由疊層構(gòu)成，所述疊層具有由上述光反射材料制成的層和在所述層上提供的由諸如ITO或IZO之類的透明導(dǎo)電材料制成的層。在制造底部發(fā)射類型的有機(jī)發(fā)光器件的情況下，第一電極(21a, 21b, 21c)由透明導(dǎo)電材料形成。所述第一電極(21a,21b,21c)可以是將成為陽極或陰極的電極。在采用第一電極(21a，21b，21c)作為陽極的情況下，第一電極(2 1a，21b，21c)優(yōu)選由具有大的功函數(shù)的構(gòu)成材料制成，從而使得空穴容易被注入。在形成第一電極(21a，21b，21c)時(shí)，例如通過形成導(dǎo)電層的步驟和處理導(dǎo)電層的步驟，在對應(yīng)于相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光部分的區(qū)域內(nèi)形成第一電極(21a，21b，21c)。在這種情況下，形成導(dǎo)電層的步驟具體為采用諸如濺射方法或氣相沉積方法之類的真空膜形成方法在襯底10的整個(gè)表面上形成導(dǎo)電層的步驟。處理導(dǎo)電層的步驟具體為通過諸如光刻法的已知光刻工藝對于每一發(fā)光部分將導(dǎo)電層圖案化的步驟。在形成所述第一電極(21a，21b，21c)之后，可以適當(dāng)?shù)靥峁┯糜谝栽榛A(chǔ)對相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)進(jìn)行分隔以確定將成為發(fā)光部分的區(qū)域的元件分離層。所述元件分離層是由絕緣材料制成的膜，并且是利用諸如光敏聚酰亞胺之類的有機(jī)材料或者諸如氮化硅(SiN)之類的無機(jī)材料形成的。在提供元件分離層的情況下，將所述元件分離層提供為至少在對應(yīng)于第一電極(21a，21b，21c)的區(qū)域內(nèi)具有開口。另一方面，如圖3A所示，在第二區(qū)12內(nèi)提供區(qū)域15，以使其圍繞第一區(qū)11。具體地，區(qū)域15是襯底10上的、在其最外層表面上具有由不透水材料制成的層的區(qū)域，所述不透水材料諸如為金屬、金屬氧化物或氮化物。此外，在形成不透水密封層(圖2B的30)作為后面的步驟中的密封構(gòu)件的情況下，區(qū)域15變成了這樣的區(qū)域，即在其內(nèi)密封層30和由不透水材料制成的層發(fā)生相互接觸，以包圍所述第一區(qū)11。在通過將諸如玻璃帽之類的密封構(gòu)件接合到襯底10上來執(zhí)行密封的情況下，在區(qū)域15的周圍提供處于密封構(gòu)件和襯底10之間的接合區(qū)域(向其施加用于密封的粘合劑的區(qū)域)。(2)形成有機(jī)化合物層的步驟(圖3A)在圖3A到3N所示的制造過程中，首先在其上形成作為下電極的第一電極(21a，21b, 21c)的襯底10上形成有機(jī)化合物層(第一有機(jī)化合物層22a)(圖3A)。所述有機(jī)化合物層(第一有機(jī)化合物層22a)至少包括發(fā)射層，如有必要除了包括所述發(fā)射層之外，還包括多個(gè)功能層，例如，空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子阻擋層、電子傳輸層和電子注入層。此外，通過將有機(jī)化合物層(第一有機(jī)化合物層22a)的厚度設(shè)置為特定波長的光學(xué)干涉距離，那么發(fā)光元件還能夠有效率地發(fā)射具有特定波長的光。在根據(jù)所述光學(xué)干涉距離確定有機(jī)化合物層的厚度的情況下，可以將所述有機(jī)化合物層的厚度設(shè)置為根據(jù)有機(jī)發(fā)光元件的種類而`發(fā)生變化，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光元件發(fā)射的光束的顏色根據(jù)有機(jī)發(fā)光元件的種類而變化。有機(jī)化合物層(第一有機(jī)化合物層22a)的厚度一般為幾十nm到幾百nm。作為每一有機(jī)發(fā)光元件中包含的發(fā)射層的構(gòu)成材料，可以采用低分子量材料或高分子量材料。此外，在形成發(fā)射層時(shí)，可以根據(jù)材料和應(yīng)用適當(dāng)?shù)剡x擇諸如真空氣相沉積方法之類的已知方法或者諸如旋涂方法或噴墨方法之類的涂覆方法。一般而言，在采用低分子量材料的情況下，采用真空氣相沉積方法等，在采用高分子量材料的情況下，采用利用旋涂方法或噴墨方法的涂覆方法。作為將被用作發(fā)射層的構(gòu)成材料的低分子量材料，可以采用三芳基胺衍生物、均二苯乙烯衍生物、聚芳烴、芳香族稠合多環(huán)化合物、芳香族雜環(huán)化合物、芳香族稠合雜環(huán)化合物、金屬絡(luò)合物以及所述材料的單低聚物或絡(luò)合低聚物。但是用于與本發(fā)明無關(guān)的部分的材料不限于這些材料。作為將被用作發(fā)射層的構(gòu)成材料的高分子量材料，可以采用聚對苯撐乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯撐衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔(PO lyacethy I ene )衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物以及上述低分子量材料的聚合物。然而，用于與本發(fā)明無關(guān)的部分的材料不限于這些材料。此外，這些材料并不限于被示出為本發(fā)明的構(gòu)成部分的材料。
此外，在圖3A中形成的第一有機(jī)化合物層22a是包括發(fā)射層和除發(fā)射層以外的功能層的疊層時(shí)，可以采用與形成發(fā)射層的方法類似的方法作為形成所述功能層的方法。此夕卜，可以采用已知材料作為所述功能層的構(gòu)成材料。可以將除了發(fā)射層以外的功能層的全部或部分形成為所有有機(jī)發(fā)光元件所共用的層。在這一實(shí)施例中，通過利用區(qū)域掩模僅在第一區(qū)11中形成第一有機(jī)化合物層22a，并且在包括區(qū)域15的第二區(qū)12中不形成第一有機(jī)化合物層22a。注意，在本發(fā)明中，其內(nèi)提供第一有機(jī)化合物層22a的區(qū)域不限于第一區(qū)11。(3)處理第一有機(jī)化合物層的步驟接下來，將第一有機(jī)化合物層22a處理成期望圖案。在采用光刻法處理第一有機(jī)化合物層22a時(shí)，首先在第一有機(jī)化合物層22a上形成抗蝕劑層，并采用光照射所述抗蝕劑層的預(yù)定區(qū)域。之后，執(zhí)行顯影，以形成圖案化的抗蝕劑層。沿抗蝕劑層的圖案執(zhí)行干蝕刻，以形成圖案化的第一有機(jī)化合物層22a。在這種情況下，在第一有機(jī)化合物層22a的構(gòu)成材料是在用于形成抗蝕劑層的抗蝕劑液體所含有的溶劑中不溶解或者幾乎不溶解的材料時(shí)，可以在第一有機(jī)化合物層22a上直接提供抗蝕劑層。對于可以選擇含有不溶解第一有機(jī)化合物層22a的構(gòu)成材料的溶劑的抗蝕劑液體的情況，這種方案同樣適用。另一方面，在第一有機(jī)化合物層22a的構(gòu)成材料是溶解于抗蝕劑液體中含有的溶劑的材料的情況下，在提供抗蝕劑層之前，在第一有機(jī)化合物層22a上形成用于保護(hù)第一有機(jī)化合物層22a的構(gòu)件(保護(hù)層)。在必須在第一有機(jī)化合物層22a上形成保護(hù)層的情況下，具體而言，這一步驟(處理第一有機(jī)化合物層22a的步驟)包括下述步驟:(3-1)形成第一保護(hù)層41的步驟(圖3B)；(3-2)形成第二保護(hù)層42的步驟(圖3C)；

(3-3)形成抗蝕劑層43的步驟(圖3D);(3-4)曝光步驟(圖 3D)；(3-5)顯影步驟(圖 3E)；(3-6)處理第二保護(hù)層42的步驟；(3-7)處理第一保護(hù)層41的步驟；以及(3-8)局部去除所述第一有機(jī)化合物層22a的步驟(圖3F)。步驟(3-1)到(3-7)只是具體的示例，并且可以根據(jù)第一有機(jī)化合物層22a和第一保護(hù)層41的構(gòu)成材料省略部分所述步驟。例如，在第一有機(jī)化合物層22a上直接提供抗蝕劑層的情況下，可以省略步驟(3-1)、( 3-2)、( 3-6)和(3-7)。此外，在執(zhí)行步驟(3-3)到(3-5)時(shí)，也可以在采用抗蝕劑層作為第二保護(hù)層的條件下省略步驟(3-2)和(3-6)，只要對第一保護(hù)層的損害是可容許的即可，也就是說，只要不損失第一保護(hù)層的功能即可。在這種情況下，對第一保護(hù)層的損害的示例包括由步驟(3-3)中執(zhí)行的熱處理、步驟(3-4)中執(zhí)行的曝光等導(dǎo)致的物理損害以及由步驟(3-3)中采用的抗蝕劑液體、步驟(3-5)中采用的顯影劑等導(dǎo)致的化學(xué)損害。此外，圖案精確度可能根據(jù)圖案化過程期間的側(cè)面蝕刻量等而發(fā)生變化，因而必須考慮上述幾點(diǎn)確定所要執(zhí)行的步驟。在下文中描述通過步驟(3-1)到(3-7)處理第一有機(jī)化合物層22a的情況。(3-1)形成第一保護(hù)層的步驟(圖3B)
首先，在第一有機(jī)化合物層22a上形成第一保護(hù)層41。在這一步驟中形成的第一保護(hù)層41是將用于形成第一有機(jī)化合物層22a的圖案的構(gòu)件，并且其至少包括脫模層。例如，第一保護(hù)層41可以包括脫模層和第一有機(jī)化合物層22a之間的用于去除脫模層的殘余的層。所述脫模層是選擇性地溶解于預(yù)定脫模劑內(nèi)的層，并且是被提供以容易地從第一有機(jī)化合物層22a去除形成在所述脫模層之上的層(例如，第二保護(hù)層(如下文所述))的層。此夕卜，所述脫模層是由相對于幾乎不溶解第一有機(jī)化合物層22a的構(gòu)成材料的溶劑具有高溶解度的材料制成的層?？紤]第一有機(jī)化合物層22a的構(gòu)成材料中的大部分是不可溶于水的有機(jī)材料，因而所述脫模層的構(gòu)成材料優(yōu)選是溶于水的聚合物材料。注意，在本發(fā)明當(dāng)中，脫模層的構(gòu)成材料不限于可溶于水的聚合物材料，并且其可以是可溶于水或者無機(jī)鹽水溶液的材料。作為被用作脫模層的構(gòu)成材料的可溶于水的聚合物材料，可以采用(例如)聚乙烯醇(PVA)、基于聚丙烯酸的聚合物、聚乙二醇(PEG)、聚環(huán)氧乙烷(ΡΕ0)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)以及其他公知材料。在采用這些可溶于水的材料形成脫模層的情況下，可以采用諸如涂覆方法或者印刷方法的已知方法。此外，作為將在下文描述的在去除第一保護(hù)層41的步驟中用于去除第一保護(hù)層41的脫模劑，采用不溶解或者幾乎不溶解第一有機(jī)化合物層22a的構(gòu)成材料的液體。從對基于第一保護(hù)層41的脫模劑的相對溶解度的觀點(diǎn)來看(第一保護(hù)層41的溶解度為1)，第一有機(jī)化合物層22a相對于脫模劑的溶解度優(yōu)選為1/10或更低，更優(yōu)選為1/50或更低。第一保護(hù)層41可以僅由上述脫模層形成，或者可以具有使其他層進(jìn)一步層疊在所述脫模層上的配置。此外，第一保護(hù)層41不僅在第一區(qū)11中形成，還在包括區(qū)域15的第二區(qū)12中形成，如圖3B所示。(3-2)形成第二保護(hù)層的步驟(圖3C)接下來，在第一保護(hù)層41上形成第二保護(hù)層42。作為第二保護(hù)層42的構(gòu)成材料，例如，優(yōu)選采用能夠 保護(hù)脫模層(第一保護(hù)層41)和有機(jī)化合物層(第一有機(jī)化合物層22a)免受諸如采用抗蝕劑材料的光刻步驟之類的濕法步驟的材料。例如，可以采用諸如氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiN)膜和氮氧化硅(SiON)膜之類的已知無機(jī)材料。但是，本發(fā)明不限于此。此外，第二保護(hù)層42還用于將在抗蝕劑層43中形成的圖案轉(zhuǎn)印到下層(第一保護(hù)層41，第一有機(jī)化合物層22a)，在下文中將對抗蝕劑層予以描述。如圖3C所示，第二保護(hù)層42不僅形成于第一區(qū)11內(nèi)，而且還形成于包括區(qū)域15的第二區(qū)12內(nèi)。(3-3)形成抗蝕劑層的步驟接下來，采用抗蝕劑材料涂覆第二保護(hù)層42，以形成抗蝕劑層43。作為將在這一步驟中采用的抗蝕劑材料，可以采用已知的抗蝕劑材料(光敏材料)。此外，作為形成抗蝕劑層43的方法，可以選擇諸如旋涂方法、縫涂方法、浸涂方法或者噴涂方法的已知方法。如圖3D所示，抗蝕劑層43不僅形成于第一區(qū)11內(nèi)，而且還形成于包括區(qū)域15的第二區(qū)12內(nèi)。(3-4)曝光步驟(圖3D)接下來，采用光51照射抗蝕劑層43的預(yù)定區(qū)域(圖3D)。將在這一步驟中采用的曝光裝置的示例包括MPA和步進(jìn)器。此外，當(dāng)在這一步驟中采用光51照射預(yù)定區(qū)域時(shí)，采用光掩模52,所述光掩模設(shè)有處于預(yù)定區(qū)域內(nèi)的遮蔽部分52a。盡管圖3D所不的光掩模52包括處于提供第一有機(jī)發(fā)光元件20a的區(qū)域內(nèi)以及處于第二區(qū)12中的局部區(qū)域內(nèi)的遮蔽部分52a，但是在本發(fā)明中用于提供遮蔽部分52a的區(qū)域不限于此。另一方面，這一步驟中采用的光掩模52設(shè)有處于區(qū)域15中的預(yù)定區(qū)域(15a)中的開口 52b。(3-5)顯影步驟(圖3E)接下來，采用顯影劑選擇性地去除在曝光步驟中采用光51照射的區(qū)域中的抗蝕劑層(圖3E)?？梢圆捎靡阎@影劑作為在這一步驟中采用的顯影劑。(3-6)處理第二保護(hù)層的步驟接下來，采用在顯影步驟之后剩余的抗蝕劑層43作為掩模，通過采用諸如CF4之類的化學(xué)反映蝕刻氣體的干蝕刻對第二保護(hù)層42進(jìn)行處理。作為干蝕刻方法，可以根據(jù)第二保護(hù)層42的材料采取采用氬氣的物理蝕刻方法或者采用氧的灰化法等。這一干蝕刻選擇性地去除設(shè)置在未被剩余抗蝕劑層43覆蓋的區(qū)域內(nèi)的第二保護(hù)層42。在采用干蝕刻處理第二保護(hù)層42時(shí)，有可能基本上垂直于襯底10地去除薄膜。因此，經(jīng)處理(圖案化)的第一有機(jī)化合物層22a的端部的傾斜角變?yōu)榻咏?0°。因此，在采用干蝕刻方法時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)精確度高于其他方法的精確度的圖案化。在這一步驟中，還對形成于第二區(qū)12中的第二保護(hù)層42進(jìn)行局部處理。在這種情況下，在將成為發(fā)光區(qū)的第一區(qū)11中，基本上以像素寬度為基礎(chǔ)對有機(jī)化合物層(第一有機(jī)化合物層22a等)圖案化，因而以像素寬度為基礎(chǔ)確保了脫模劑的滲透路徑。相反，就常規(guī)而言，在發(fā)光區(qū)以外的第二區(qū)12中，與第一區(qū)11不同，不執(zhí)行對有機(jī)化合物層(第一有機(jī)化合物層22a等)的精細(xì)圖案化。然而，為了使脫模劑滲透到包括區(qū)域15的第二區(qū)12內(nèi)，必須去除在第二區(qū)12的預(yù)定區(qū)域(圖3D的15a)中提供的第二保護(hù)層42，以確保脫模劑至少滲透到區(qū)域15內(nèi)的路徑。將參考附圖描述對將在第二區(qū)12內(nèi)形成的第二保護(hù)層42進(jìn)行處理的實(shí)施例。圖4是示出了將在圖1A的封閉部分(β部分)中形成的第二保護(hù)層42的圖案的示例的示意性平面圖。圖1A的β部分是包含在區(qū)域15中的區(qū)域。作為處理至少將在第二區(qū)12中的區(qū)域15內(nèi)形成的第二保護(hù)層42的實(shí)施例，如圖4所示，優(yōu)選提供第二保護(hù)層42的處理(去除)區(qū)域15a，使其在區(qū)域15內(nèi)按照預(yù)定的間隔散布。通過以這種方式設(shè)置第二保護(hù)層42的處理區(qū)域，在稍后將予以描述的第一保護(hù)層的去除步驟中采用的脫模劑 將從處理區(qū)域15a侵入第一保護(hù)層。這使得剝離設(shè)置于區(qū)域15中的第一保護(hù)層41尤其容易，因而在區(qū)域15中連續(xù)地形成不存在可能導(dǎo)致密封缺陷的作為第一保護(hù)層41等的構(gòu)成材料的有機(jī)化合物殘余的區(qū)域。因而，在提供密封膜或密封構(gòu)件時(shí)，能夠?qū)⒚芊饽ば纬蔀榕c不存在有機(jī)化合物殘余的區(qū)域接觸，并且能夠施加用于將所述密封構(gòu)件接合到不存在有機(jī)化合物殘余的區(qū)域之外的粘合劑，由此能夠防止由密封缺陷導(dǎo)致的圖像劣化。(3-7)處理第一保護(hù)層的步驟接下來，將采用在第二保護(hù)層的處理步驟之后剩余的第二保護(hù)層42作為掩模，通過采用化學(xué)反應(yīng)蝕刻氣體的干蝕刻處理第一保護(hù)層41。這一干蝕刻去除直到上一步驟(第二保護(hù)層的處理步驟)剩余的抗蝕劑層43，并選擇性地去除設(shè)置于未被剩余的第二保護(hù)層42覆蓋的區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)層41。在這一步驟中采用的干蝕刻方法的過程的示例包括采用氧的灰化方法、采用基于氟的氣體的化學(xué)反應(yīng)的方法以及采用氬氣的物理蝕刻方法，并且可以根據(jù)第一保護(hù)層41的構(gòu)成材料適當(dāng)?shù)剡x擇所述過程。例如，在將形成于第二區(qū)12中的第二保護(hù)層42處理成圖4所示的圖案的情況下，在這一步驟中還在第二區(qū)12內(nèi)去除形成于所述第二保護(hù)層42的處理區(qū)域15a中的第一保護(hù)層41。于是，脫模劑從第一保護(hù)層41的處理區(qū)域15a，即脫模層的端面，滲透到第一保護(hù)層41內(nèi)，由此剝離第一保護(hù)層41和形成于第一保護(hù)層41上的層。在這種情況下，實(shí)現(xiàn)從區(qū)域15無任何殘余地剝離脫模層之上的各層所需的第二保護(hù)層42中的去除區(qū)域之間的距離受到各種因素的影響。具體而言，所述距離受到諸如脫模劑溫度、脫模劑濃度、剝離時(shí)脫模劑的振動(dòng)、第一保護(hù)層相對于脫模劑的溶解度以及第一保護(hù)層的厚度的因素的影響。在本發(fā)明中，第一保護(hù)層41的圖案的最小間隔優(yōu)選等于或小于形成于第一區(qū)11內(nèi)的第一保護(hù)層41的圖案的最小間隔的100倍。因而，能夠在不導(dǎo)致第一保護(hù)層41的任何殘余的情況下實(shí)現(xiàn)令人滿意的剝離。(3-8)局部去除第一有機(jī)化合物層的步驟(圖3F)接下來，將采用在第一保護(hù)層的處理步驟之后剩余的第一保護(hù)層41和第二保護(hù)層42作為掩模通過干蝕刻處理第一有機(jī)化合物層22a (圖3F)。這一干蝕刻使第一有機(jī)化合物層22a僅留在將提供第一有機(jī)發(fā)光元件20a的區(qū)域內(nèi)，并且去除其他區(qū)域內(nèi)的第一有機(jī)化合物層22a。在這一步驟中執(zhí)行的干蝕刻可以與在處理第一保護(hù)層的步驟中利用的干蝕刻過程相同或不同。在去除第一保護(hù)層41的步驟中將第二保護(hù)層42連同下面的第一保護(hù)層41 一起去除，在下文中將對該步驟加以描述，因而即使在第二保護(hù)層42上仍然具有抗蝕劑層43的殘余時(shí)，也不存在問題。注意，如果在完成了這一步驟之后的階段內(nèi)在第一電極(21b和21c)的表面上仍然具有殘余，那么所述殘余對元件的特性具有很大影響。因此，在這一步驟中，執(zhí)行干蝕刻，直到從 第一電極(21b和21c)的表面去除了第一有機(jī)化合物層22a的殘余為止。 (4)形成第二有機(jī)化合物層的步驟(圖3G)接下來，在第一區(qū)11和第二區(qū)12之上形成第二有機(jī)化合物層22b (圖3G)。在這一步驟中，使在第一有機(jī)化合物層22a上提供的第一保護(hù)層41 (脫模層)的端面露出，而不被第二保護(hù)層42或第二有機(jī)化合物層22b覆蓋。因此，在接下來的步驟中，用于剝離和去除第一保護(hù)層41的脫模劑將容易地侵入。盡管脫模層優(yōu)選露出，但是即使在脫模通過被第二有機(jī)化合物層22b局部覆蓋層而未完全露出時(shí)，覆蓋脫模層的端面的第二有機(jī)化合物層22b也具有小的厚度。第二有機(jī)化合物層22b的薄部分在脫模劑中略微溶解，從而形成使脫模層露出的部分，并且溶液能夠從所述部分侵入。在形成第二有機(jī)化合物層22b時(shí)，能夠應(yīng)用各種制造方法，包括用于形成第一有機(jī)化合物層22a的方法。在通過涂覆方法形成第二有機(jī)化合物層22b的情況下，必須滿足下述要求(4-1)和(4-2):(4-1)將在上述涂覆方法中采用的溶劑不影響第二有機(jī)化合物層22a和第二保護(hù)層42 ;以及(4-2)第二有機(jī)化合物層22b的構(gòu)成材料在用于去除第一保護(hù)層41的脫模劑中不溶解或者幾乎不溶解。
另一方面，在通過真空氣相沉積方法形成第二有機(jī)化合物層22b的情況下，能夠連續(xù)地氣相沉積多個(gè)層。通過形成在用于去除第一保護(hù)層41的脫模劑中不溶解或者幾乎不溶解的層作為最上層，不必考慮上述要求(4-1)和(4-2)，這將增加材料的選擇。(5)去除第一保護(hù)層的步驟(圖3H)接下來，通過使脫模劑滲透到第一保護(hù)層41內(nèi)而去除直到上一步驟(形成第二有機(jī)化合物層的步驟)存在于第一區(qū)11和第二區(qū)12中的第一保護(hù)層41 (圖3H)。具體而言，在這一步驟中，將第一保護(hù)層41浸泡在溶劑內(nèi)，所述溶劑用于選擇性地溶解作為脫模層的第一保護(hù)層41的構(gòu)成材料，以去除第一保護(hù)層41。在第一保護(hù)層41的構(gòu)成材料是例如可溶于水的聚合物材料的情況下，所采用的溶劑基本上為純水。然而，為了增強(qiáng)溶劑相對于第一保護(hù)層41的溶解度，可以在需要時(shí)采用加熱的純水、含有純水和大約10%到50%的有機(jī)溶劑(例如異丙醇)的混合溶劑。此外，可以采用超聲波等促進(jìn)溶劑的侵入。在這一步驟結(jié)束時(shí)，在第一區(qū)11內(nèi)形成了兩種有機(jī)化合物層的圖案，即，由第一有機(jī)化合物層22a和第二有機(jī)化合物層22b形成的有機(jī)化合物層的圖案。另一方面，在這一步驟結(jié)束時(shí)，在第二區(qū)12內(nèi)形成了第二有機(jī)化合物層22b，其以與第二保護(hù)層42的圖案相同的方式被圖案化。(6)處理第二有機(jī)化合物層的步驟通過適當(dāng)?shù)刂貜?fù)與上文描述的有機(jī)化合物層的圖案化有關(guān)的步驟(第一有機(jī)化合物層的處理步驟)，能夠執(zhí)行對有機(jī)化合物層的預(yù)定圖案化。例如，如圖3H所示，通過執(zhí)行下述步驟從而在去除第一保護(hù)層41之后對第二有機(jī)化合物層22b進(jìn)行處理，能夠?qū)⒌诙袡C(jī)化合物層22b圖案化。

(6-1)形成第一保護(hù)層的步驟(6-2)形成第二保護(hù)層的步驟(圖31)(6-3)形成抗蝕劑層的步驟(圖3J)(6-4)曝光步驟(圖3J)(6-5)顯影步驟(6-6)處理第二保護(hù)層的步驟(圖3K)(6-7)處理第一保護(hù)層的步驟(6-8)局部去除所述第二有機(jī)化合物層的步驟(圖3L)可以通過與在步驟(3-1)到(3-8)中采用的方法相同的方法執(zhí)行步驟(6-1)到(6-8)。(7)形成第三有機(jī)化合物層的步驟接下來，在第一區(qū)11和第二區(qū)12之上形成第三有機(jī)化合物層22c (圖3M)。在這一步驟中，使在第一有機(jī)化合物層22a和第二有機(jī)化合物層22b上提供的第一保護(hù)層41(脫模層)的端面露出，而不被第二保護(hù)層42或第三有機(jī)化合物層22c覆蓋。因此，用于剝離和去除第一保護(hù)層41的脫模劑將在后續(xù)步驟中容易地侵入所述端面。盡管脫模層優(yōu)選露出，但是即使在脫模層被第三有機(jī)化合物層22c局部覆蓋并且未完全露出時(shí)，覆蓋脫模層的端面的第二有機(jī)化合物層22b也將具有小的厚度。這里，第三有機(jī)化合物層22c的薄部分在脫模劑中略微溶解，從而形成了使脫模層露出的部分，并且溶液能夠從所述部分侵入。在形成第三有機(jī)化合物層22c時(shí)，可以應(yīng)用各種制造方法，包括用于形成第一有機(jī)化合物層22a和第二有機(jī)化合物層22b的方法。這里，可以按照與第二有機(jī)化合物層22b中使用的方式相同的方式采用涂覆方法、真空氣相沉積方法等作為形成第三有機(jī)化合物層22c的具體方法。此外，可以考慮第三有機(jī)化合物層22c的形成方法適當(dāng)選擇第三有機(jī)化合物層22c的構(gòu)成材料。(8)去除第一保護(hù)層的步驟(圖3N)接下來，通過使脫模劑滲透到第一保護(hù)層41內(nèi)，去除直到上一步驟(形成第三有機(jī)化合物層的步驟)仍然存在于第一區(qū)11和第二區(qū)12中的第一保護(hù)層41 (圖3N)。在這一步驟結(jié)束時(shí)，在第一區(qū)11中形成了由三種有機(jī)化合物層，即第一有機(jī)化合物層22a、第二有機(jī)化合物層22b和第三有機(jī)化合物層22c形成的有機(jī)化合物層的圖案。另一方面，在這一步驟結(jié)束時(shí)，在第二區(qū)12中形成了具有圖4所示的區(qū)域15a的形狀的第三有機(jī)化合物層22c。在形成第二有機(jī)化合物層22b的步驟中，在對第二有機(jī)化合物層22b進(jìn)行處理的步驟中去除處于上述在第二區(qū)12中形成的圖案位置以外的位置處的第二有機(jī)化合物層22b (圖3L)。(9)形成電子注入層的步驟在將三種有機(jī)化合物層(22a，22b和22c)分別圖案化成上述預(yù)期形狀之后，如有必要在第一區(qū)11中形成諸如電子 注入層之類的功能層。作為電子注入層，為了增強(qiáng)電子注入特性，采用具有低功函數(shù)的堿金屬或堿土金屬、其化合物或者摻有任何這些金屬的有機(jī)層或金屬層。但是，所述電子注入材料具有高反應(yīng)性，其在空氣中與水和氧發(fā)生反應(yīng)，從而喪失電子注入特性。因此，在采用電子注入材料制造元件時(shí)，電壓升高。因此，在本發(fā)明中的浸泡到溶液中的步驟中不優(yōu)選采用電子注入材料。相應(yīng)地，在本發(fā)明中，通過采用溶液去除有機(jī)層，其后繼之以充分的干燥，來形成電子注入層。所述電子注入層涉及下述情況:采用堿金屬或堿土金屬或者其化合物作為大約
0.5nm到5nm的單層薄膜；通過與有機(jī)材料的共同蒸發(fā)形成摻有堿金屬或堿土金屬或者其化合物的有機(jī)層?？梢栽诓徊捎秒娮幼⑷雽拥那闆r下直接在上電極中包含堿金屬或堿土金屬或者其化合物。在這種情況下，可以采用已知的方法，例如，諸如Ag的陰極材料與諸如Mg的具有低功函數(shù)的金屬的共同蒸發(fā)。(10)形成第二電極的步驟接下來，形成作為上電極的第二電極23。作為上電極，可以采用由ITO或IZO制成的透明導(dǎo)電膜，或者由Ag或Al或者包括這些金屬的合金制成的反射膜。一般而言，形成上電極的方法的示例包括氣相沉積方法和濺射方法。此外，在顯示區(qū)域內(nèi)提供陰極接觸的情況下，如圖1A所示，可以在去除了脫模層的區(qū)域的一部分內(nèi)提供接觸部分13。(11)密封步驟在本發(fā)明中，對密封不存在具體的限制，可以采用吸濕劑或者玻璃帽執(zhí)行密封。在采用氮化硅(SiN)膜等作為密封構(gòu)件30 (防濕層)的情況下，將密封構(gòu)件30的厚度設(shè)置為大約 I μ m 至Ij 10 μ m。在本發(fā)明中，通過上述方法制造有機(jī)發(fā)光器件。然而，除了本發(fā)明所涉及的部分以外的部分不限于上文在實(shí)施例中描述的過程，并且可以采取已知的制造方法。(第二實(shí)施例)
圖5A到5N是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的示意性截面圖。在下文中將基于圖5A到5N所示的制造過程描述每一步驟。圖5A到5N所示的制造過程是用于制造圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I的制造過程。在下文中將主要描述第一實(shí)施例和第二實(shí)施例之間的差別。(I)包括電極的襯底在這一實(shí)施例中，可以采用其上形成了在第一實(shí)施例中描述的下電極(21a，21b，21c)的襯底10。(2)形成第一有機(jī)化合物層的步驟(圖5A)可以通過在第一實(shí)施例中描述的方法形成第一有機(jī)化合物層22a。在本發(fā)明中，如這一實(shí)施例中所示， 具體地，在圖5A中，在不采用區(qū)域掩模的情況下在包括區(qū)域15的第二區(qū)12內(nèi)以及第一區(qū)11內(nèi)形成第一有機(jī)化合物層22a。(3)處理第一有機(jī)化合物層的步驟(圖5B到5F)可以通過在第一實(shí)施例中描述的方法處理第一有機(jī)化合物層22a。在這一步驟中，通過使第一保護(hù)層41和第二保護(hù)層42層疊的方式分別將在第一區(qū)11和第二區(qū)12中提供的第一有機(jī)化合物層22a處理成預(yù)期形狀。在這一實(shí)施例中，將設(shè)置于第二區(qū)12中的第一有機(jī)化合物層22a圖案化成例如圖6A和6B中所示的形狀。圖6A示出了圖1A的作為區(qū)域15的角部分的、部分的圖案，圖6B示出了除了區(qū)域15的角部分以外的圖1A的β部分的圖案。這里，圖6Α和6Β所示的第一有機(jī)化合物層22a的處理(去除)區(qū)域15a也是第二保護(hù)層42的處理(去除)區(qū)域，并且按照與圖4所示的實(shí)施例中的方式相同的方式在區(qū)域15內(nèi)提供這一區(qū)域。通過以這種方式設(shè)置處理區(qū)域，在區(qū)域15內(nèi)形成不存在引起密封缺陷的有機(jī)化合物殘余的區(qū)域，以使得所述區(qū)域連續(xù)包圍所述第一區(qū)11。因而，在提供密封膜或密封構(gòu)件時(shí)，將密封膜形成為使所述密封膜與不存在有機(jī)化合物殘余的區(qū)域接觸，或者通過施加將密封構(gòu)件接合到不存在有機(jī)化合物殘余的區(qū)域之外的粘合劑，能夠提供具有令人滿意的密封的有機(jī)發(fā)光器件。(4)形成第二有機(jī)化合物層的步驟(圖5G)與第一有機(jī)化合物層22a類似，可以通過在第一實(shí)施例中描述的方法形成第二有機(jī)化合物層22b。(5)去除第一保護(hù)層的步驟(圖5H)可以通過在第一實(shí)施例中描述的方法，具體而言，可以采用脫模劑去除第一保護(hù)層41。(6)處理第二有機(jī)化合物層的步驟(圖51到5L)與第一有機(jī)化合物層22a類似，可以通過第一實(shí)施例中描述的方法處理第二有機(jī)化合物層22b。在這一步驟中，通過使第一保護(hù)層41和第二保護(hù)層42層疊的方式分別將在第一區(qū)11和第二區(qū)12中提供的第二有機(jī)化合物層22b處理成預(yù)期形狀。(7)形成第三有機(jī)化合物層的步驟(圖5M)與第一有機(jī)化合物層22a和第二有機(jī)化合物層22b類似，可以通過第一實(shí)施例中描述的方法形成第三有機(jī)化合物層22c。(8)去除第一保護(hù)層的步驟(圖5N)可以通過在第一實(shí)施例中描述的方法，具體而言，可以采用脫模劑去除第一保護(hù)層41。(9)形成電子注入層的步驟、形成第二電極的步驟和密封步驟在完成了如上文所述的對三種有機(jī)化合物層(22a，22b，22c)的圖案化之后，形成了有機(jī)發(fā)光元件，并且形成了所有有機(jī)發(fā)光元件共用的層(電子注入層等)。在形成了第二電極23之后，提供了用于密封有機(jī)發(fā)光元件的密封層或密封構(gòu)件。通過上述步驟獲得了一種有機(jī)發(fā)光器件。采用如上文所述的本發(fā)明的制造方法，甚至在除了發(fā)光區(qū)以外的區(qū)域內(nèi)，溶液也能夠有效地滲透到脫模層，并且將脫模層剝離，從而避免形成殘余。因此，避免了由密封缺陷導(dǎo)致的劣化等，結(jié)果能夠獲得令人滿意的有機(jī)發(fā)光器件。(示例I)基于圖3A到3N所示的制造過程制造圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I。(I)包括電極的襯底首先，在由玻璃制成的基底構(gòu)件上制備其上設(shè)置有包括晶體管的電路層和覆蓋所述電路層的絕緣層的玻璃襯底(襯底10)。在襯底10上，如圖1A所示，在處于第二區(qū)12內(nèi)并且處于區(qū)域15的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中提供接觸部分13，并且在處于第二區(qū)12內(nèi)并且處于區(qū)域15的外側(cè)的區(qū)域中提供外部連接端子14。接下來，通過下述方法在對應(yīng)于發(fā)光部分的區(qū)域中形成第一電極(21a, 21b, 21c)。首先，通過濺射方法在襯底10的整個(gè)表面上依次將Al合金和ITO形成為膜，從而形成由Al合金膜和ITO膜制成的導(dǎo)電薄膜層。接下來通過光刻法對所述導(dǎo)電薄膜層圖案化，并以發(fā)光部分為基礎(chǔ)對其進(jìn)行劃分，從而沿行和列方向形成多個(gè)第一電極(21a，21b，21c)。
·
接下來，使其上形成了第一電極(21a，21b，21c)的襯底10受到UV臭氧處理，以清洗相應(yīng)的第一電極(21a，21b，21c)的表面。將通過上述步驟制造的襯底10用作下述步驟中的包括電極的襯底。(2)形成第一有機(jī)化合物層的步驟(圖3A)采用在第一區(qū)11內(nèi)具有開口的區(qū)域掩模通過真空氣相沉積方法形成包括依次層疊的空穴傳輸層、第一發(fā)射層和電子傳輸層的第一有機(jī)化合物層22a (圖3A)。首先，在襯底10上和第一電極(21a，21b，21c)上將a-NPD形成為膜，從而形成空穴傳輸層。在這種情況下，將空穴傳輸層的厚度設(shè)置為200nm。接下來，通過蒸氣將CBP(主)和Ir(Piq)3 (客)共同沉積在空穴傳輸層上，以形成第一發(fā)射層(紅色發(fā)射層)。在這種情況下，將第一發(fā)射層的厚度設(shè)置為80nm。之后，在第一發(fā)射層上將基于苯并菲的材料形成為膜，從而形成具有阻擋空穴的功能的電子傳輸層。在這種情況下，將電子傳輸層的厚度設(shè)置為10nm。(3)處理第一有機(jī)化合物層的步驟(圖3B到3F)接下來，通過下述過程處理第一有機(jī)化合物層22a。首先，制備PVP溶液，在所述溶液中使聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)溶解于純水，從而使其按重量占5%。接下來，通過旋涂方法在襯底10的整個(gè)表面上(在提供了第一有機(jī)化合物層22a的一側(cè))施加PVP溶液，由此形成第一保護(hù)層41 (圖3B)。在這種情況下，第一保護(hù)層的厚度為0.5 μ m。
接下來，通過CVD方法在第一保護(hù)層41上形成氮化硅膜，從而形成第二保護(hù)層42(圖3C)。在這種情況下，將第二保護(hù)層42的厚度設(shè)置為0.3 μ m。接下來，將正的光致抗蝕劑材料(Tokyo Ohka Kogyo有限公司制造的0FPR-800)形成為膜，以形成抗蝕劑層43。之后，對于第一區(qū)11，在除了第一有機(jī)發(fā)光元件20a之外的區(qū)域中，以及對于第二區(qū)12，在第二保護(hù)層42和第一保護(hù)層41的處理區(qū)域中，通過使用具有開口的掩模利用光照射抗蝕劑層43 (圖3D)。接下來,通過采用顯影劑(Tokyo Ohka Kogyo有限公司制造的NMD-3)使抗蝕劑層43顯影(圖3E)。接下來，通過采用經(jīng)顯影的抗蝕劑層43作為掩模，通過采用氟碳?xì)怏w的干蝕刻方法去除在不被由抗蝕劑層43制成的掩模覆蓋的區(qū)域內(nèi)提供的第二保護(hù)層42，對第二保護(hù)層42進(jìn)行處理。在這一示例中，如圖4所示，選擇性地去除設(shè)置于區(qū)域15內(nèi)的第二保護(hù)層42中的部分15a。圖4示出了第二區(qū)12內(nèi)的第二保護(hù)層42的相應(yīng)處理區(qū)域(15a)之間的最短距離L11到L16。在這一示例中，將第一區(qū)11中的第二保護(hù)層42的相應(yīng)處理區(qū)域(15a)之間的最短距離設(shè)置為30 μ m。另一方面,將區(qū)域15的寬度設(shè)置為700 μ m,將第二區(qū)12中的第二保護(hù)層42的相應(yīng)處理區(qū)域(15a)形成為150 μ mX40 μ m的基本矩形形狀。將圖4所示的L11到L16全部設(shè)置為50 μ m。接下來，通過采用氟碳?xì)怏w的干蝕刻方法，根據(jù)分別設(shè)置于第一區(qū)11和第二區(qū)12中的第二保護(hù)層42的相應(yīng)處理區(qū)域，依次蝕刻第一保護(hù)層41和第一有機(jī)化合物層22a (圖3F)。(4)形成第二有機(jī)化合物層的步驟(圖3G)形成包括依次·層疊的空穴傳輸層、第二發(fā)射層和電子傳輸層的第二有機(jī)化合物層22b (圖 3G)。首先，在襯底10和第一電極(21a，21b，21c)上通過真空氣相沉積方法將a-NTO形成為膜，以形成空穴傳輸層。在這種情況下，將空穴傳輸層的厚度設(shè)置為200nm。接下來，將作為發(fā)光材料的四苯基丁二烯添加到含有聚對苯撐乙烯衍生物聚合物材料(MEH-PPV )作為主要成分的二甲苯溶液當(dāng)中，使其按重量達(dá)到1%，并將其施加到空穴傳輸層上，以形成第二發(fā)射層(藍(lán)色發(fā)射層)。在這種情況下，將第二發(fā)射層的厚度設(shè)置為40nm。接下來，在第二發(fā)射層上通過真空氣相沉積方法將基于苯并菲的材料形成為膜，從而形成具有阻擋空穴的功能的電子傳輸層。在這種情況下，將電子傳輸層的厚度設(shè)置為10nm。(5)去除第一保護(hù)層的步驟(圖3H)接下來，將其上形成了第二有機(jī)化合物層22b的襯底浸泡到水中，從而去除第一保護(hù)層(圖3H)。(6)處理第二有機(jī)化合物層的步驟(圖31到3L)接下來，通過與第一有機(jī)化合物層22a的處理步驟相同的處理步驟對第二有機(jī)化合物層22b進(jìn)行處理(圖31到3L)。在這一步驟中，在第一區(qū)11中，去除在其內(nèi)提供了第三有機(jī)發(fā)光元件20c的區(qū)域內(nèi)形成的第二有機(jī)化合物層22b，并且在第二區(qū)12中，去除在對應(yīng)于圖3J和圖4中的部分15a的區(qū)域內(nèi)形成的第二有機(jī)化合物層22b。(7)形成第三有機(jī)化合物層的步驟(圖3M)形成包括依次層疊的空穴傳輸層、第三發(fā)射層和電子傳輸層的第三有機(jī)化合物層22c (圖 3M)。首先，在襯底10和第一電極(21a，21b，21c)上通過真空氣相沉積方法將a-NTO形成為膜，以形成空穴傳輸層。在這種情況下，將空穴傳輸層的厚度設(shè)置為200nm。接下來，將作為發(fā)光材料的香豆素6添加到含有聚對苯撐乙烯衍生物聚合物材料(MEH-PPV)作為主要成分的二甲苯溶液當(dāng)中，使其按重量達(dá)到1%，并將其施加到空穴傳輸層上，以形成第三發(fā)射層(綠色發(fā)射層)。在這種情況下，將第三發(fā)射層的厚度設(shè)置為50nm。接下來，在第三發(fā)射層上通過真空氣相沉積方法將基于苯并菲的材料形成為膜，從而形成具有阻擋空穴的功能的電子傳輸層。在這種情況下，將電子傳輸層的厚度設(shè)置為10nm。(8)去除第一保護(hù)層的步驟(圖3N)通過與上述步驟(5)相同的方法去除第一保護(hù)層41。(9)形成公共層的步驟、形成第二電極的步驟和密封步驟將其上形成了三種有機(jī)化合物層(22a，22b，22c)的襯底10放到真空環(huán)境中，并在100° C上對其加熱30分鐘，從而使熱量充分散發(fā)。接下來，通過真空膜形成方法形成所有發(fā)光部分所共用的公共層(未示出)。注意，所述公共層是包括電子傳輸層和電子注入層的置層。首先，將紅菲繞啉形成為膜，由此形成電子傳輸層。在這種情況下，將電子傳輸層的厚度設(shè)置為10nm。接下來，由蒸氣共同沉積紅菲繞啉和碳酸銫(Cs2CO3),從而使紅菲繞啉和Cs2CO3之間的比例在體積比上為7:3，由此形成電子注入層。在這種情況下，將電子注入層的厚度設(shè)置為60nm。接下來，通過濺射方法將Ag形成為膜，由此形成第二電極23。在這種情況下，將第二電極23的厚度設(shè)為12nm。最后，在其內(nèi)形成了襯底10的發(fā)光部分的整個(gè)表面上通過CVD方法形成氮化硅膜，由此形成密封膜。在這種情況下，將密封膜的厚度設(shè)為6 μ m。通過這種方式獲得了設(shè)有三種有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)的有機(jī)發(fā)光器件I。向通過上述方法獲得的多個(gè)有機(jī)發(fā)光器件提供電流，并檢查每一發(fā)光部分的光發(fā)射，結(jié)果獲得了令人滿意的光發(fā)射。(示例2)基于圖5A到5N所示的制造過程制造圖1A和IB的有機(jī)發(fā)光器件I。(I)包括電極的襯底通過與示例I中的方法相同的方制造其內(nèi)形成了多個(gè)第一電極(21a，21b，21c)的包括電極的襯底。(2)形成第一有機(jī)化合物層的步驟(圖5A)首先，通過旋涂方法將聚(3,4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(Bayer AG制造的PEDT/PSS，Baytron P)施加到其上形成了第一電極(21a，21b，21c)的整個(gè)襯底表面，以形成涂覆膜。接下來，使所述涂覆膜干燥，以形成空穴注入層。在這種情況下，將空穴注入層的厚度設(shè)為lOOnm。接下來，向通過使含有聚乙烯咔唑作為主要成分的發(fā)光材料與甲苯混合而制備的甲苯溶液中添加Ir(Piq)3，使其按重量達(dá)到2%，通過旋涂方法將由此獲得的溶液施加到空穴注入層的整個(gè)表面上，由此形成涂覆膜。接下來，使所述涂覆膜干燥，以形成第一發(fā)射層(紅色發(fā)射層)。在這種情況下，將第 一發(fā)射層的厚度設(shè)為80nm。通過上文描述的過程形成由空穴注入層和第一發(fā)射層制成的第一有機(jī)化合物層22a (圖5A)。
(3)處理第一有機(jī)化合物層的步驟(圖5B到5F)。接下來，混合聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)和純水，以制備按重量為5%的PVP水溶液。之后，通過旋涂方法向其上形成了第一有機(jī)化合物層22a的整個(gè)表面施加所述PVP水溶液，以獲得涂覆膜。接下來，在100° C下對所述涂覆膜加熱10分鐘，以形成第一保護(hù)層41(圖5B)。在這種情況下,將第一保護(hù)層41的厚度設(shè)為0.5μηι。接下來，將其上形成了第一保護(hù)層41的襯底10放到CVD膜形成裝置內(nèi)。之后，通過CVD在第一保護(hù)層41上將氮化硅形成為膜，以形成第二保護(hù)層42 (圖5C)。在這種情況下，將第二保護(hù)層42的厚度設(shè)為I μ m。接下來，將正的光致抗蝕劑材料(Tokyo Ohka Kogyo有限公司制造的0FPR-800)形成為膜，以形成抗蝕劑層43。之后，對于第一區(qū)11，在除了第一有機(jī)發(fā)光元件20a的區(qū)域中，以及對于第二區(qū)12，在第二保護(hù)層42和第一保護(hù)層41的處理區(qū)域中，通過使用具有開口的掩模利用光照射抗蝕劑層43(圖3D)。接下來,采用顯影劑(Tokyo Ohka Kogyo有限公司制造的NMD-3)使抗蝕劑層43顯影(圖3E)。接下來，將包括經(jīng)顯影的抗蝕劑層43的襯底10放到干蝕刻裝置內(nèi)。接下來，采用經(jīng)顯影的抗蝕劑層43作為掩模，通過采用氟碳?xì)怏w的干蝕刻方法去除在不被由抗蝕劑層43制成的掩模覆蓋的區(qū)域內(nèi)提供的第二保護(hù)層42，由此對第二保護(hù)層42進(jìn)行處理。在這一示例中，如圖6A和6B所示，局部去除在區(qū)域15內(nèi)提供的第二保護(hù)層42。圖6A和6B示出了第二區(qū)12內(nèi)的第二保護(hù)層42的相應(yīng)處理區(qū)域(15a)之間的最短距離L21到L24。在這一示例中，將區(qū)域15的寬度設(shè)為800 μ m，將第二區(qū)12中的第二保護(hù)層42的每一處理區(qū)域形成為具有10 μ m的寬度的條狀，并且將圖6A和6B中所示的L21到L24全部設(shè)為50 μ m。接下來，通過采用氧等離子體的干蝕刻方法，沿分別設(shè)置于第一區(qū)11和第二區(qū)12中的第二保護(hù)層42的相應(yīng)處理區(qū)域，依次蝕刻第一保護(hù)層41和第一有機(jī)化合物層22a。在采用氧等離子體蝕刻抗蝕劑層43并且完成了對第一保護(hù)層41和第一有機(jī)化合物層22a的局部去除時(shí)，完全去除了殘留在提供了第一有機(jī)發(fā)光元件20a的區(qū)域內(nèi)的抗蝕劑層43 (圖5F)。(4)形成第二有機(jī)化合物層的步驟(圖5G)通過真空氣相沉積方法形成包括依次層疊的空穴傳輸層、第二發(fā)射層和空穴阻擋層的第二有機(jī)化合物層22b (圖5G)。首先，將氧化鑰形成為膜，以形成空穴注入層。在這種情況下，將空穴注入層的厚度設(shè)為lnm。接下來，在空穴注入層上將α _ΝΗ)形成為膜，以形成空穴傳輸層。在這種情況下，將空穴傳輸層的厚度設(shè)為160nm。接下來，由蒸氣將Alq3 (主)和香豆素6 (客)共同沉積在空穴傳輸層上，以形成第二發(fā)射層(綠色發(fā)射層)。在這種情況下，將第二發(fā)射層的厚度設(shè)為50nm。之后，在第二發(fā)射層上將基于苯并菲的材料形成為膜，以形成空穴阻擋層。在這種情況下，將空穴阻擋層的厚度設(shè)為10nm。(5)去除第一保護(hù)層的步驟(圖5H)接下來，將其上形成了第二有機(jī)化合物層22b的襯底浸泡到純水中，并使其受到超聲波振動(dòng)，以去除第一保護(hù)層41 (圖5H)。在這種情況下，還將形成于第一保護(hù)層41上的第二保護(hù)層42和第二有機(jī) 化合物層22b連同第一保護(hù)層41 一起去除。
(6)處理第二有機(jī)化合物層的步驟(圖51到5L)接下來，通過與第一有機(jī)化合物層22a的處理步驟相同的處理步驟對第二有機(jī)化合物層22b進(jìn)行處理(圖51到5L)。在這一步驟中，在第一區(qū)11中，去除在其內(nèi)提供了第三有機(jī)發(fā)光元件20c的區(qū)域內(nèi)形成的第二有機(jī)化合物層22b，在第二區(qū)12中，去除在對應(yīng)于圖6A的部分15a的區(qū)域內(nèi)形成的第二有機(jī)化合物層22b。(7)形成第三有機(jī)化合物層的步驟(圖5M)通過真空氣相沉積方法形成包括依次層疊的空穴傳輸層、第三發(fā)射層和空穴阻擋層的第三有機(jī)化合物層22c(圖5M)。在形成第三有機(jī)化合物層22c時(shí)，采用在第一區(qū)11中的其內(nèi)提供了第三有機(jī)發(fā)光元件20c的區(qū)域內(nèi)具有開口的區(qū)域掩模。首先，將氧化鑰形成為膜，以形成空穴注入層。在這種情況下，將空穴注入層的厚度設(shè)為lnm。接下來，在空穴注入層上將α _ΝΗ)形成為膜，以形成空穴傳輸層。在這種情況下，將空穴傳輸層的厚度設(shè)為lOOnm。接下來，將蒽衍生物(主)和二萘嵌苯(客)由蒸氣共同沉積在所述空穴傳輸層上，以形成第三發(fā)射層(藍(lán)色發(fā)射層)。在這種情況下，將第三發(fā)射層的厚度設(shè)為30nm。之后，在第三發(fā)射層上將基于苯并菲的材料形成為膜，以形成空穴阻擋層。在這種情況下，將空穴阻擋層的厚度設(shè)為10nm。(8)去除第一保護(hù)層的步驟(圖5N)通過與上述步驟(5)的方法相同的方法去除第一保護(hù)層41。(9)形成公共層的步驟、形成第二電極的步驟和密封步驟將其上形成了三種有機(jī)化合物層(22a，22b，22c)的襯底10放到真空環(huán)境中，并在100° C上對其加熱30分 鐘，從而使熱量充分散發(fā)。接下來，通過真空膜形成方法形成所有發(fā)光部分所共用的公共層(未示出)。注意，所述公共層是包括電子傳輸層和電子注入層的置層。首先，將紅菲繞啉形成為膜，由此形成電子傳輸層。在這種情況下，將電子傳輸層的厚度設(shè)為10nm。接下來，將紅菲繞啉和碳酸銫(Cs2CO3)由蒸氣共同沉積，從而使紅菲繞啉和Cs2CO3之間的比例在體積比上為7:3，由此形成電子注入層。在這種情況下，將電子注入層的厚度設(shè)為60nm。接下來，通過濺射方法將Ag形成為膜，由此形成第二電極23。在這種情況下，將第二電極23的厚度設(shè)為12nm。最后，在其內(nèi)形成了襯底10的發(fā)光部分的整個(gè)表面上通過CVD方法形成氮化硅膜，由此形成密封膜。在這種情況下，將密封膜的厚度設(shè)為6 μ m。通過這種方式獲得了設(shè)有三種有機(jī)發(fā)光元件(20a，20b，20c)的有機(jī)發(fā)光器件I。向通過上述方法獲得的多個(gè)有機(jī)發(fā)光器件提供電流，并檢查每一發(fā)光部分的光發(fā)射，結(jié)果獲得了令人滿意的光發(fā)射。盡管已經(jīng)參考示范性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示范性實(shí)施例。下述權(quán)利要求的范圍應(yīng)遵循最寬泛的解釋，從而使其包含所有這樣的修改以及等同結(jié)構(gòu)和功能。(附圖標(biāo)記列表)1:有機(jī)發(fā)光器件，10:襯底，11:第一區(qū)(發(fā)光區(qū))，12:第二區(qū)，13:接觸部分，14:夕卜部連接端子，15:圍繞第一區(qū)的區(qū)域，15a:(第二區(qū)的第一保護(hù)層等的)處理區(qū)域，20a (20b,20c):有機(jī)發(fā)光兀件，21a (21b, 21c):第一電極,22a 第一有機(jī)化合物層，22b:第二有機(jī)化合物層，22c:第三有機(jī)化合物層，23:第二電極，30:密封構(gòu)件，41:第一保護(hù)層，42:第二保護(hù)層，43: 抗蝕劑層,52:光掩模。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法， 所述有機(jī)發(fā)光器件包括: 襯底，其上設(shè)置有第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)是具有多個(gè)發(fā)光部分的發(fā)光區(qū)，所述第二區(qū)設(shè)置在所述第一區(qū)的周圍；以及 分別在對應(yīng)于所述多個(gè)發(fā)光部分的區(qū)域中形成的第一電極， 所述制造方法包括: 至少在所述第一區(qū)中形成包括第一發(fā)射層的第一有機(jī)化合物層的第一有機(jī)化合物層形成步驟； 在其上形成了第一有機(jī)化合物層的襯底的整個(gè)表面上形成包括脫模層的第一保護(hù)層的第一保護(hù)層形成步驟； 在所述第一保護(hù)層上形成第 二保護(hù)層的第二保護(hù)層形成步驟； 去除所述第二保護(hù)層的一部分以獲得圖案化的第二保護(hù)層的第二保護(hù)層處理步驟；根據(jù)所述第二保護(hù)層的圖案去除所述第一保護(hù)層和所述第一有機(jī)化合物層的一部分以獲得圖案化的第一保護(hù)層和圖案化的第一有機(jī)化合物層的第一保護(hù)層和第一有機(jī)化合物層處理步驟； 在其上形成了圖案化的第一有機(jī)化合物層的襯底的整個(gè)表面上形成包括第二發(fā)射層的第二有機(jī)化合物層的第二有機(jī)化合物層形成步驟；以及 使所述脫模層與用于選擇性地去除所述脫模層的脫模劑接觸，從而至少將所述脫模層連同形成于所述脫模層之上的層一起去除的剝離步驟， 其中，還在所述第二區(qū)中設(shè)置在所述第二保護(hù)層處理步驟中從其中去除了所述第二保護(hù)層的區(qū)域，并且 其中，所述第二區(qū)中的從其中去除了所述第二保護(hù)層的區(qū)域之間的間隔的最小值小于或等于第一區(qū)內(nèi)的從其中去除了所述第二保護(hù)層的區(qū)域之間的間隔的最小值的100倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，其中，所述第二保護(hù)層處理步驟包括:形成從其中去除了所述第二保護(hù)層的區(qū)域，從而使所述區(qū)域圍繞所述第一區(qū)散布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，其中，所述第二保護(hù)層處理步驟包括:形成從其中去除了所述第二保護(hù)層的區(qū)域，從而使所述區(qū)域連續(xù)圍繞所述第一區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，還包括:在所述剝離步驟之后形成用于覆蓋所述第一區(qū)的密封層的密封步驟， 其中，所述密封步驟包括:形成所述密封層，以使所述密封層延伸至在所述第二保護(hù)層處理步驟中從其中去除了所述第二保護(hù)層的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，其在所述第二保護(hù)層形成步驟和所述第二保護(hù)層處理步驟之間還包括: 在所述第二保護(hù)層上形成抗蝕劑層的抗蝕劑層形成步驟；以及 通過光刻法對抗蝕劑層圖案化的圖案化步驟； 其中，所述第二保護(hù)層處理步驟包括:在未被所述抗蝕劑層覆蓋的區(qū)域中去除所述第二保護(hù)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，其中，通過干蝕刻執(zhí)行所述第二保護(hù)層處理步驟以及所述第一保護(hù)層和第一有機(jī)化合物層處理步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，其中，所述脫模層包括能夠溶于水的聚合物材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，其中，所述第二保護(hù)層包括無機(jī)材料 。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠抑制由脫模層的殘余引起的圖案化缺陷的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，所述方法包括第一有機(jī)化合物層形成步驟；第一保護(hù)層形成步驟；第二保護(hù)層形成步驟；第二保護(hù)層處理步驟；第一保護(hù)層處理步驟；第一有機(jī)化合物層處理步驟；第二有機(jī)化合物層形成步驟；以及剝離步驟，其中，還在第二區(qū)中形成在第二保護(hù)層處理步驟中獲得的第二保護(hù)層的圖案。
文檔編號H01L51/56GK103247763SQ201310049948
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月14日
發(fā)明者伏見正弘, 玉木順也, 大塚學(xué), 山崎拓郎 申請人:佳能株式會(huì)社