具有實(shí)時(shí)熱區(qū)調(diào)節(jié)能力的高溫靜電夾具的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的實(shí)施例提供用于在升高的溫度下操作的靜電夾具。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供用于靜電夾具的介電夾具體。介電夾具體包括基板支撐板、電極及軸，該基板支撐板具有用于接收基板的頂表面及與頂表面相對(duì)的背表面，該電極嵌入基板支撐板中，該軸具有第一端及與該第一端相對(duì)的第二端，該第一端附接于基板支撐板的背表面。第二端經(jīng)設(shè)置以接觸冷卻底座及提供溫度控制至基板支撐板。軸為中空的，具有包圍中心開口的側(cè)壁及兩個(gè)或兩個(gè)以上通路，該兩個(gè)或兩個(gè)以上通路穿過(guò)側(cè)壁形成且自第一端延伸至第二端。
【專利說(shuō)明】具有實(shí)時(shí)熱區(qū)調(diào)節(jié)能力的高溫靜電夾具
[0001]背景
[0002]領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實(shí)施例大體而言關(guān)于用于在高溫下處理基板的設(shè)備及方法。特定言之，本發(fā)明的實(shí)施例關(guān)于用于在高溫下操作的處理腔室中支撐基板的設(shè)備及方法。
[0004]相關(guān)技術(shù)描述
[0005]靜電夾具通常被用于在處理腔室中支撐及固定基板。靜電夾具大體上具有非導(dǎo)電體(諸如陶瓷體)，該非導(dǎo)電體具有用于產(chǎn)生夾緊力的嵌入式DC電極。一或更多個(gè)加熱組件可包括在基板支撐件中以在處理期間提供加熱。RF電極可嵌入非導(dǎo)電體內(nèi)部。RF電極傳遞偏壓功率以產(chǎn)生等離子體，同時(shí)DC電極產(chǎn)生夾緊力用于將基板固定于該DC電極上。加熱器可嵌入非導(dǎo)電體中以提供加熱。冷卻底座可附接于非導(dǎo)電體以冷卻非導(dǎo)電體。加熱器及冷卻底座共同工作以控制靜電夾具及支撐于該靜電夾具上的基板的溫度。
[0006]現(xiàn)有靜電夾具大體上具有金屬夾緊裝置以固定非導(dǎo)電體及冷卻底座，并使用有機(jī)O形環(huán)以提供密封。然而，金屬夾緊裝置及有機(jī)O形環(huán)在升高的溫度下無(wú)法正常工作，諸如在高于350°C的溫度下。在350°C下，操作溫度超過(guò)高溫有機(jī)O形環(huán)的效能限制。在升高的溫度下，金屬夾緊裝置限制非導(dǎo)電體及冷卻底座的熱膨脹。此外，大體上由耐火金屬(諸如鈦)制造的金屬夾緊裝置也將在處理化學(xué)下引起金屬污染。
[0007]因此，存在對(duì)于在升高的溫度下操作的靜電夾具的需要。
[0008]概要
[0009]本發(fā)明的實(shí)施例關(guān)于用于在高溫下操作的處理腔室中支撐基板的設(shè)備及方法。特定言之，本發(fā)明的實(shí)施例提供用于在升高的溫度下操作的靜電夾具。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供用于靜電夾具的介電夾具體。介電夾具體包括基板支撐板、電極及軸，該基板支撐板具有用于接收基板的頂表面及與頂表面相對(duì)的背表面，該電極嵌入基板支撐板內(nèi)且經(jīng)設(shè)置以產(chǎn)生用于固定頂表面上的基板的夾緊力及/或以產(chǎn)生用于處理的等離子體，該軸具有第一端及與第一端相對(duì)的第二端，該第一端附接于基板支撐板的背表面。第二端經(jīng)設(shè)置以接觸冷卻底座及提供溫度控制至基板支撐板。軸為中空的，具有包圍中心開口的側(cè)壁及兩個(gè)或兩個(gè)以上通路，該兩個(gè)或兩個(gè)以上通路穿過(guò)側(cè)壁形成且自第一端延伸至第二端。
[0011]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供靜電夾具組件。靜電夾具組件包括根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的介電夾具體及冷卻底座，該冷卻底座經(jīng)設(shè)置以提供溫度控制至介電夾具體。冷卻底座及介電夾具體在介電夾具體的軸的第二端處耦接在一起。在基板支撐板的背表面與冷卻底座的頂表面之間形成縫隙。
[0012]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供用于處理基板的設(shè)備。設(shè)備包括腔室外殼組件及根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的靜電夾具組件，該腔室外殼組件界定內(nèi)部容積，該靜電夾具組件安置于內(nèi)部容積中且經(jīng)設(shè)置以于處理期間在內(nèi)部容積中固定及支撐基板。設(shè)備進(jìn)一步包括氣體注入組件，該氣體注入組件經(jīng)設(shè)置以在安置于靜電夾具組件上的基板的上方傳遞一或更多種處理氣體。
[0013]附圖簡(jiǎn)述
[0014]因此，以可詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征結(jié)構(gòu)的方式，上文簡(jiǎn)要概述的本發(fā)明的更特定描述可參照實(shí)施例獲得，該等實(shí)施例中的一些實(shí)施例圖示于附圖中。然而，應(yīng)注意，附圖僅圖示本發(fā)明的典型實(shí)施例，且因此不欲將附圖視為本發(fā)明范疇的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其它同等有效的實(shí)施例。
[0015]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有靜電夾具組件的等離子體處理腔室的截面?zhèn)纫晥D。
[0016]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的夾具體的分解透視截面圖。
[0017]圖3為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的靜電夾具組件的分解透視截面圖。
[0018]為了促進(jìn)理解，已在可能的情況下使用相同組件符號(hào)指代諸圖中共享的相同組件。預(yù)期在一個(gè)實(shí)施例中揭示的組件可有利地用于其它的實(shí)施例，而無(wú)需特定詳述。
[0019]詳細(xì)描述
[0020]本發(fā)明的實(shí)施例關(guān)于用于在高溫下操作的處理腔室中支撐基板的設(shè)備及方法。更特定言之，本發(fā)明的實(shí)施例提供用于在升高的溫度下操作的靜電夾具組件。一個(gè)實(shí)施例提供介電夾具體，該介電夾具體具有介電盤及自該介電盤延伸的軸。軸為中空的且軸具有中心開口，該中心開口提供用于至嵌入介電盤中的RF、DC或RF/DC組合電極及/或加熱組件的連接器的通道。軸還具有一或更多個(gè)通路，該一或更多個(gè)通路穿過(guò)側(cè)壁沿著軸向形成。一或更多個(gè)通路可用于提供用于冷卻流體及/或基板傳感器通道或連接的整合通道。藉由使用在軸的側(cè)壁中形成的通路，本發(fā)明的實(shí)施例避免了使用可能無(wú)法承受高溫的O形環(huán)來(lái)密封冷卻流體通道。
[0021]本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)一步提供冷卻底座，該冷卻底座在軸的遠(yuǎn)端處附接于介電夾具體以提供溫度控制至介電夾具體。在冷卻底座與介電夾具體的支撐盤的邊緣之間不施加夾緊。藉由將冷卻底座及介電夾具體附接在軸的遠(yuǎn)端處及避免夾緊至支撐盤的邊緣，本發(fā)明的實(shí)施例消除了對(duì)結(jié)構(gòu)上的熱膨脹的限制，且亦減少由已知夾緊結(jié)構(gòu)引起的粒子產(chǎn)生。
[0022]本發(fā)明的實(shí)施例包括以下步驟:使得靜電夾具能夠在高溫下執(zhí)行。舉例而言，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的靜電夾具可在維持于高達(dá)約400攝氏度的溫度下的蝕刻環(huán)境中操作。本發(fā)明的某些實(shí)施例還提供雙區(qū)域溫度控制以達(dá)成目標(biāo)基板溫度輪廓。本發(fā)明的實(shí)施例還消除與來(lái)自用于傳統(tǒng)靜電夾具中的金屬夾緊結(jié)構(gòu)有關(guān)的金屬污染，該金屬夾緊結(jié)構(gòu)將介電夾具體固定至冷卻底座。本發(fā)明的實(shí)施例還提供用于冷卻流體及/或至傳感器的導(dǎo)線的整合通道及消除使用可能無(wú)法承受高溫的密封O形環(huán)。本發(fā)明的某些實(shí)施例還提供晶圓溫度監(jiān)視(wafer temperature monitoring ；WTM)系統(tǒng)，該 WTM 系統(tǒng)改良工藝質(zhì)量。
[0023]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有靜電夾具組件120的等離子體處理腔室100的截面?zhèn)纫晥D。等離子體處理腔室100包括腔室外殼組件101，該腔室外殼組件101界定內(nèi)部容積110。腔室外殼組件101包括腔室壁104、安置于腔室壁104上方的腔室蓋102及腔室底部105。
[0024]靜電夾具組件120安置于外殼組件101的內(nèi)部容積110中以支撐在該靜電夾具組件120上的基板112。靜電夾具組件120可經(jīng)由接口板108附接于外殼組件101，且靜電夾具組件120可經(jīng)由穿過(guò)腔室底部105形成的底部開口 106延伸于等離子體處理腔室100外部。
[0025]襯墊130可安置于腔室側(cè)壁104內(nèi)圍繞靜電夾具組件120上方的一部分內(nèi)部容積110，以在基板112的上方建立處理容積132。狹縫閥開口 104a穿過(guò)腔室壁104形成，且穿過(guò)襯墊130形成對(duì)應(yīng)的開口 130a以允許基板及基板移送機(jī)構(gòu)的通過(guò)，該基板移送機(jī)構(gòu)用于自靜電夾具組件120置放及取回基板。
[0026]氣體注入組件134安置于靜電夾具組件120上方，以提供來(lái)自氣體源136的一或更多種處理氣體至處理容積132。真空泵140可耦接至內(nèi)部容積110以經(jīng)由氣室138來(lái)將處理氣體泵抽出等離子體處理腔室100，該氣室138安置于處理容積132的邊緣區(qū)域中。
[0027]在一個(gè)實(shí)施例中，天線組件142可安置于腔室蓋102外部以促進(jìn)等離子體處理。天線組件142可經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)144 f禹接至射頻(rad1-frequency ；RF)等離子體電源146。在處理期間，使用由電源146提供的RF功率激勵(lì)天線組件142以點(diǎn)燃處理容積132內(nèi)部的處理氣體的等離子體并維持該等離子體。
[0028]靜電夾具組件120包括介電夾具體121及冷卻底座126，該介電夾具體121經(jīng)設(shè)置以固定及支撐基板112，且該冷卻底座126經(jīng)設(shè)置以提供對(duì)介電夾具體121的溫度控制。介電夾具體121包括基板支撐板122，該基板支撐板122具有用于支撐基板112的頂表面123，及與頂表面123相對(duì)的背表面125。介電夾具體121還包括自基板支撐板122的背表面125延伸的軸124。軸124在第一端124a處固定地附接于基板支撐板122，且在第二端124b處附接于冷卻底座126。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，除了在軸124的第二端124b處的連接以外，介電夾具體121及冷卻底座126不具有額外的固定連接，諸如圍繞基板支撐板122的夾緊組件。此設(shè)置允許介電夾具體121及冷卻底座126在熱膨脹下相對(duì)于彼此移動(dòng)，從而避免了介電夾具體121與冷卻底座126之間的熱應(yīng)力。由于介電夾具體121及冷卻底座126在介電夾具體121的中心處連接，故介電夾具體121自由地相對(duì)于冷卻底座126在所有方向徑向膨脹。第二端124b與冷卻底座126之間的接觸提供冷卻底座126與介電夾具體121之間的主要熱交換。
[0029]基板支撐板122大體上實(shí)質(zhì)上為平面的且經(jīng)成形以支撐整個(gè)基板112?；逯伟?22可為用于支撐圓形基板、矩形基板或其它形狀基板的圓形、矩形或其它適當(dāng)形狀?；逯伟?22可由陶瓷(諸如氮化鋁、氧化鋁)或摻雜陶瓷(諸如摻雜有氮化鈦或氮化鉻的氧化鋁、摻雜氧化鋁、摻雜氮化硼等等)制造。在一個(gè)實(shí)施例中，基板支撐板122可由純度為約95%的氮化鋁形成以提高基板支撐板122的導(dǎo)熱性。
[0030]介電夾具體121進(jìn)一步包括嵌入基板支撐板122中的電極156。電極156可為薄金屬板或金屬網(wǎng)格。電極156可足夠大以實(shí)質(zhì)上包圍基板112的整個(gè)區(qū)域。電極156可率禹接至電源(諸如DC電壓源)以產(chǎn)生用于吸引及固定頂表面123上的基板112的靜電夾緊力。視情況地，電極156還可耦接至RF電源，用于在處理腔室100中產(chǎn)生電容性耦接的等離子體。
[0031]在一個(gè)實(shí)施例中，介電夾具體121進(jìn)一步包括嵌入基板支撐板122中的一或更多個(gè)加熱組件160。一或更多個(gè)加熱組件160可為電阻式加熱器。一或更多個(gè)加熱組件160使得基板支撐板122能夠加熱基板112至所要溫度，例如，約200攝氏度至約400攝氏度之間的溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，一或更多個(gè)加熱組件160可形成二個(gè)獨(dú)立控制的溫度區(qū)域。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，三個(gè)或三個(gè)以上升舉銷116可藉由升舉銷驅(qū)動(dòng)114移動(dòng)穿過(guò)基板支撐板122、冷卻底座126及界面板108。三個(gè)或三個(gè)以上升舉銷116經(jīng)設(shè)置以自基板支撐板122拾取基板112。
[0033]軸124可由陶瓷(諸如氮化鋁、氧化鋁)或摻雜陶瓷(諸如摻雜有氮化鈦或氮化鉻的氧化鋁、摻雜氧化鋁、摻雜氮化硼等等)制造。在一個(gè)實(shí)施例中，軸124可由純度為約95%的氮化鋁形成以提高導(dǎo)熱性。在一個(gè)實(shí)施例中，軸124及基板支撐板122可由相同材料制造。軸124可藉由接合連接至基板支撐板122以形成整合的介電夾具體。在一個(gè)實(shí)施例中，軸124可藉由爆炸接合連接至基板支撐板122。在一個(gè)實(shí)施例中，軸124可藉由擴(kuò)散接合連接至基板支撐板124。或者，軸124可藉由銅焊或可形成整合介電夾具體的其它適當(dāng)接合方法連接至基板支撐板124。
[0034]軸124為中空的，具有界定中心開口 172的側(cè)壁170，該中心開口 172自第一端124a延伸至第二端124b。在一個(gè)實(shí)施例中，中心開口 172經(jīng)設(shè)置以提供用于連接器157、159、161的通道，該等連接器連接電極156至電源158以及連接一或更多個(gè)加熱組件160至加熱電源162。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一或更多個(gè)通路174、176可穿過(guò)軸124的側(cè)壁170形成。一或更多個(gè)通路174、176可自第一端124a延伸至第二端124b。當(dāng)軸124連接至基板支撐板122時(shí)，一或更多個(gè)通路174、176連接基板支撐板122中的通路178、180且一或更多個(gè)通路174、176與通路178、180變得整合，形成用于冷卻流體及/或傳感器導(dǎo)線的一或更多個(gè)通道。軸124與基板支撐板122之間的接合性質(zhì)提供通路174、176與通路178、180之間的無(wú)泄漏接口。在一個(gè)實(shí)施例中，通路176可為用于接收傳感器(諸如熱電偶)的盲孔，無(wú)需使傳感器暴露于處理容積132中的處理環(huán)境。
[0036]如圖1所圖示，通路174連接基板支撐板122中的通路178至冷卻流體源182。通路178在基板支撐板122的頂表面123處打開。通路174及通路178形成用于支援冷卻流體(諸如氦)自冷卻流體源182至基板112的背側(cè)以控制基板的溫度的通道。軸124中的通路176連接至基板支撐板122中的通路180以形成用于傳感器186的通道。傳感器186可在基板支撐板122中接近頂表面123定位。傳感器186可經(jīng)由安置于通路176及通路180中的傳感器導(dǎo)線185連接至控制器184。視情況地，傳感器可定位于軸124的端部124b處。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器186為溫度傳感器，該溫度傳感器經(jīng)設(shè)置以量測(cè)安置于基板支撐板122上方的基板112的溫度。
[0037]軸124及基板支撐板122可接合在一起以形成防漏密封。在一個(gè)實(shí)施例中，軸124及基板支撐板122可經(jīng)爆炸接合。通路174、176在不使用任何O形環(huán)的情況下藉由整合連接至通路178、180，O形環(huán)可能無(wú)法承受高溫。因此，經(jīng)整合的通路174、176、178、180使得靜電夾具體120能夠在高于O形環(huán)的最大使用溫度限制的溫度下操作。
[0038]冷卻底座126在內(nèi)部容積110中安置于介電夾具體120下方。在一個(gè)實(shí)施例中，冷卻底座126安裝在安置于腔室底部105上的接口板108上。冷卻底座126可具有主體188，該主體188具有實(shí)質(zhì)上平面的頂表面187及與頂表面187相對(duì)的圓柱形延伸部190。凹部189自頂表面187形成，用于接收介電夾具體120的軸124且延伸進(jìn)入圓柱形延伸部190中。圓柱形延伸部190可延伸穿過(guò)腔室底部105的底部開口 106。
[0039]多個(gè)冷卻通路194形成在冷卻底座126中，用于冷卻流體的循環(huán)。冷卻通路194可與冷卻流體源196流體連通。在一個(gè)實(shí)施例中，冷卻底座126可由導(dǎo)熱材料制造，且在一個(gè)實(shí)施例中，冷卻底座126由金屬(諸如鋁或不銹鋼)制造。
[0040]冷卻底座126與軸124的接觸表面例如使用多個(gè)螺釘133夾緊在一起。在一個(gè)實(shí)施例中，可在軸124與冷卻底座126之間安置墊圈131，以確保冷卻底座126與軸124之間的實(shí)體接觸及良好的熱交換。
[0041]當(dāng)裝配時(shí)，軸124的第二端124b位于冷卻底座126的凹部189的底表面192上，同時(shí)冷卻底座126的頂表面187與基板支撐板122的背表面125不進(jìn)行直接接觸。類似地，凹部189的側(cè)壁191也不直接接觸軸124。在冷卻底座126與介電夾具體120之間形成縫隙127以允許相對(duì)熱膨脹。
[0042]視情況地，冷卻底座126與介電夾具體120之間的次要熱接觸可藉由安置于冷卻底座126與介電夾具體120之間的接觸組件128及彈簧組件129來(lái)建立。在一個(gè)實(shí)施例中，凹槽135可形成于冷卻底座126的頂表面187中?？蓪疾?35對(duì)應(yīng)于基板支撐板122的邊緣區(qū)域置放及成形以提供基板支撐板122的邊緣區(qū)域的溫度控制。彈簧組件129安置于凹槽135中。接觸組件128安置于彈簧組件129上方。彈簧組件129推動(dòng)接觸組件128抵靠基板支撐板122的背表面125。彈簧組件129及接觸組件128在不于基板支撐板122與冷卻底座126之間施加任何橫向及垂直運(yùn)動(dòng)限制的情況下，在冷卻底座126與基板支撐板122之間提供傳導(dǎo)路徑。接觸組件128及彈簧組件129可由導(dǎo)熱材料形成。在一個(gè)實(shí)施例中，接觸組件128由諸如氧化鋁或氮化鋁的陶瓷材料形成。彈簧組件129可由諸如鋁或不銹鋼的金屬形成。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，邊緣環(huán)組件150可安置于縫隙127的周圍以將縫隙127及189與處理容積132隔離。邊緣環(huán)組件150可包括下環(huán)151及上環(huán)152。下環(huán)151可圍繞縫隙127安置于冷卻底座126上方。上環(huán)152可由基板支撐板122的邊緣支撐且上環(huán)152可懸置在下環(huán)151上方。可在上環(huán)152的下表面152a與下環(huán)151的上表面151a之間形成縫隙150a以允許冷卻底座126及介電夾具體120的熱膨脹。上環(huán)152的下表面152a及下環(huán)151的上表面151a可具有交錯(cuò)特征結(jié)構(gòu)，諸如肋部及凹槽，該肋部及該凹槽在縫隙150a中形成曲徑式密封。縫隙150a中的曲徑式密封在縫隙127與處理容積132之間提供分離。曲徑式密封實(shí)質(zhì)上防止處理容積132中的處理氣體進(jìn)入縫隙127、189，從而減少不良的污染。下環(huán)151及上環(huán)152可由適合于處理化學(xué)的材料形成。在一個(gè)實(shí)施例中，下環(huán)151及上環(huán)152可由陶瓷或石英制造。遮蔽環(huán)154可在邊緣區(qū)域周圍安置于基板支撐板122上方以覆蓋基板112的外部區(qū)域及防止經(jīng)覆蓋的區(qū)域暴露于處理化學(xué)。
[0044]圖2為介電夾具體120的分解透視截面圖。側(cè)壁170中的通路174、176形成用于冷卻流體及/或傳感器導(dǎo)線的整合通道。即使在圖2中圖示兩個(gè)通路174、176，可形成更多通路以適應(yīng)額外的需要。軸124具有凸緣202，該凸緣202提供用于增強(qiáng)與冷卻底座126的熱交換的增加的表面面積。
[0045]圖3為包括冷卻底座126及介電夾具體120的靜電夾具組件的分解透視截面圖，該圖圖示上述部件。
[0046]雖然前述內(nèi)容針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例，但是可在不脫離本發(fā)明的基本范疇的情況下設(shè)計(jì)本發(fā)明的其它及進(jìn)一步實(shí)施例，且本發(fā)明的范疇藉由隨附的權(quán)利要求界定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于靜電夾具的介電夾具體，包含: 基板支撐板，所述基板支撐板具有用于接收基板的頂表面及與所述頂表面相對(duì)的背表面； 電極，所述電極嵌入所述基板支撐板中；以及 軸，所述軸具有第一端及與所述第一端相對(duì)的第二端，所述第一端附接于所述基板支撐板的所述背表面，所述第二端經(jīng)設(shè)置以接觸冷卻底座及提供溫度控制至所述基板支撐板，所述軸為中空的且所述軸具有包圍中心開口的側(cè)壁及兩個(gè)或兩個(gè)以上通路，所述兩個(gè)或兩個(gè)以上通路穿過(guò)所述側(cè)壁形成且自所述第一端延伸至所述第二端。
2.如權(quán)利要求1所述的介電夾具體，其特征在于，進(jìn)一步包含一或更多個(gè)加熱組件，所述一或更多個(gè)加熱組件嵌入所述基板支撐板中且經(jīng)設(shè)置以加熱安置于所述頂表面上的所述基板。
3.如權(quán)利要求2所述的介電夾具體，其特征在于，所述一或更多個(gè)加熱組件形成兩個(gè)或兩個(gè)以上獨(dú)立的加熱區(qū)域。
4.如權(quán)利要求2所述的介電夾具體，其特征在于，進(jìn)一步包含安置于所述軸的所述中心開口中的連接器，其中所述連接器耦接至所述一或更多個(gè)加熱組件及所述電極且所述連接器經(jīng)調(diào)適以連接所述一或更多個(gè)加熱組件及所述電極至外部電源。
5.如權(quán)利要求1所述的介電夾具體，其特征在于，所述基板支撐板及所述軸接合在一起以在所述基板支撐板與所述軸之間形成防漏通路。
6.如權(quán)利要求1所述的介電夾具體，其特征在于，所述基板支撐板具有冷卻通路，所述冷卻通路經(jīng)設(shè)置以提供冷卻流體至所述基板。
7.如權(quán)利要求6所述的介電夾具體，其特征在于，進(jìn)一步包含安置于所述基板支撐板中的溫度傳感器，其中所述溫度傳感器經(jīng)設(shè)置以量測(cè)安置于所述基板支撐板上的所述基板的溫度，且傳感器導(dǎo)線通過(guò)穿過(guò)所述軸的所述側(cè)壁形成的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上通路中的一者。
8.如權(quán)利要求5所述的介電夾具體，其特征在于，所述基板支撐板及所述軸由陶瓷制造。
9.如權(quán)利要求1所述的介電夾具體，其特征在于，所述軸具有凸緣，所述凸緣形成在所述第二端上用于與所述冷卻底座有效熱交換。
10.一種靜電夾具組件，包含: 如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的介電夾具體:以及 冷卻底座，所述冷卻底座經(jīng)設(shè)置以提供溫度控制至所述介電夾具體，其中所述冷卻底座及所述介電夾具體在所述介電夾具體的所述軸的所述第二端處耦接在一起，且在所述基板支撐板的所述背表面與所述冷卻底座的頂表面之間形成縫隙。
11.如權(quán)利要求10所述的靜電夾具組件，其特征在于，所述冷卻底座包含主體，所述主體具有形成于所述主體中的凹部，且所述凹部的底表面接觸所述介電夾具體的所述軸。
12.如權(quán)利要求11所述的靜電夾具組件，其特征在于，進(jìn)一步包含: 接觸組件；以及 彈簧組件，其中所述接觸組件及所述彈簧組件跨越所述冷卻底座與所述基板支撐板之間的所述縫隙，并在所述冷卻底座與所述基板支撐板的所述背表面之間提供傳導(dǎo)路徑。
13.如權(quán)利要求12所述的靜電夾具組件，其特征在于，進(jìn)一步包含邊緣環(huán)組件，其中所述邊緣環(huán)組件包含: 下環(huán)，所述下環(huán)安置于所述冷卻底座的上方；以及 上環(huán)，所述上環(huán)藉由所述基板支撐板支撐，其中所述上環(huán)懸置在所述下環(huán)上方，所述上環(huán)的下表面面對(duì)所述下環(huán)的上表面，在所述上環(huán)的所述下表面及所述下環(huán)的所述上表面中形成交錯(cuò)特征結(jié)構(gòu)，且所述交錯(cuò)特征結(jié)構(gòu)在所述下環(huán)及所述上環(huán)之間形成曲徑式密封。
14.一種用于處理基板的設(shè)備，包含: 腔室外殼組件，所述腔室外殼組件界定內(nèi)部容積； 如權(quán)利要求10所述的靜電夾具組件，所述靜電夾具組件安置于所述內(nèi)部容積中并經(jīng)設(shè)置以于處理期間在所述內(nèi)部容積中固定及支撐基板；以及 氣體注入組件，所述氣體注入組件經(jīng)設(shè)置以在安置于所述靜電夾具組件上的所述基板上方傳遞一或更多種處理氣體。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包含襯墊，所述襯墊安置于所述腔室外殼組件內(nèi)圍繞所述靜電夾具組件上方的所述內(nèi)部容積的一部分，以在所述基板上方建立處理容積。
【文檔編號(hào)】B23Q3/15GK104205321SQ201380016503
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月26日
【發(fā)明者】D·盧博米爾斯基, J·Y·孫, X·林, M·D·威爾沃斯, K·馬赫拉切夫 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司