納米鉆石薄膜pcb微鉆的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種納米鉆石薄膜PCB微鉆，包括柄部和鉆頭，在所述鉆頭的四周外依次涂覆有四層薄膜：導熱層、基礎層、過渡層和表層，所述導熱層為鈦層，所述基礎層為鈦鋁合金層，所述過渡層為氮碳化鈦層，所述表層為氮鋁化鈦鍍膜層。其中，導熱層起熱傳導的作用，基礎層起提高鍍層附著力作用，過渡層起連接支撐作用，表層具有高硬度(3300HV)、耐高溫、化學穩(wěn)定性高等特性。微鉆的鉆頭涂覆該四層鍍層后，結構更加致密，表面更加光潔，厚度均勻，內(nèi)應力減少，同時切削時摩擦小，耐高溫、耐磨損，從而保證微鉆在各種苛刻工作條件下，具有更好的切削力和較高的使用壽命。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及一種PCB微鉆，尤其涉及一種納米鉆石薄膜PCB微鉆。 納米鉆石薄膜PCB微鉆
【背景技術】
[0002] 目前，隨著無鹵素印刷電路板和柔性電路板等難加工材料的應用，普通硬質(zhì)合金 微鉆在加工此類電路板時，常常出現(xiàn)排屑不暢，橫刃磨損加劇，孔壁粗糙，易斷刀，壽命短等 現(xiàn)象。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 為了克服上述缺陷，本實用新型提供了一種納米鉆石薄膜PCB微鉆，在使用過程 中，溫度低，無粘結，排屑通暢，使用壽命大大提高。
[0004] 本實用新型為了解決其技術問題所采用的技術方案是：一種納米鉆石薄膜PCB微 鉆，包括柄部和鉆頭，在所述鉆頭的四周外依次涂覆有四層薄膜：導熱層、基礎層、過渡層和 表層，所述導熱層為鈦層，所述基礎層為鈦鋁合金層，所述過渡層為氮碳化鈦層，所述表層 為氮鋁化鈦鍍膜層。
[0005] 作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述導熱層厚度為100-200納米，所述基礎層厚度 為100-300納米，所述過渡層的厚度100-300納米，所述表層的厚度為500-1000納米。
[0006] 本實用新型的有益效果是：該納米鉆石薄膜PCB微鉆采用在其鉆頭上涂覆四層不 同薄膜作為涂層，其中，導熱層起熱傳導的作用，基礎層起提高鍍層附著力作用，過渡層起 連接支撐作用，表層具有高硬度（3300HV)、耐高溫、化學穩(wěn)定性高等特性。微鉆的鉆頭涂覆 該四層鍍層后，結構更加致密，表面更加光潔，厚度均勻，內(nèi)應力減少，同時切削時摩擦小， 耐高溫、耐磨損，從而保證微鉆在各種苛刻工作條件下，具有更好的切削力和較高的使用壽 命，并且切削時，溫度低、無粘結、精度高，排屑通暢，相對以前使用壽命可提高5-12倍。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007] 圖1為本實用新型剖面結構示意圖。
[0008] 結合附圖，作以下說明：
[0009] 1--柄部 2--鉆頭
[0010] 3--導熱層4--基礎層
[0011] 5--過渡層6--表層
【具體實施方式】
[0012] 以下結合附圖，對本實用新型的一個較佳實施例作詳細說明。但本實用新型的保 護范圍不限于下述實施例，即但凡以本實用新型申請專利范圍及說明書內(nèi)容所作的簡單的 等效變化與修飾，皆仍屬本實用新型專利涵蓋范圍之內(nèi)。
[0013] 如圖1所示，一種納米鉆石薄膜PCB微鉆，包括柄部1和鉆頭2,在所述鉆頭的四周 外依次涂覆有四層薄膜：導熱層3、基礎層4、過渡層5和表層6,所述導熱層為鈦層（Ti)，所 述基礎層為鈦鋁合金層（TiAl)，所述過渡層為氮碳化鈦層（TiCN)，所述表層為氮鋁化鈦鍍 膜層（AlTiN)。
[0014] 所述導熱層厚度為100-200納米，所述基礎層厚度為100-300納米，所述過渡層的 厚度100-300納米，所述表層的厚度為500-1000納米。
[0015] 其中，導熱層起熱傳導的作用，基礎層起提高鍍層附著力作用，過渡層起連接支撐 作用，表層具有高硬度（3300HV)、耐高溫、化學穩(wěn)定性高等特性。微鉆的鉆頭涂覆該四層鍍 層后，結構更加致密，表面更加光潔，厚度均勻，內(nèi)應力減少，同時切削時摩擦小，耐高溫、耐 磨損，從而保證微鉆在各種苛刻工作條件下，具有更好的切削力和較高的使用壽命。
【權利要求】
1. 一種納米鉆石薄膜PCB微鉆，包括柄部（1)和鉆頭（2)，其特征在于：在所述鉆頭 的四周外依次涂覆有四層薄膜：導熱層（3)、基礎層（4)、過渡層（5)和表層（6)，所述導熱 層為鈦層，所述基礎層為鈦鋁合金層，所述過渡層為氮碳化鈦層，所述表層為氮鋁化鈦鍍膜 層。
2. 根據(jù)權利要求1所述的納米鉆石薄膜PCB微鉆，其特征在于：所述導熱層厚度為 100-200納米，所述基礎層厚度為100-300納米，所述過渡層的厚度100-300納米，所述表層 的厚度為500-1000納米。
【文檔編號】B23B51/00GK203900569SQ201420327374
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年6月18日 優(yōu)先權日:2014年6月18日
【發(fā)明者】周樹法 申請人:昆山立特納米電子科技有限公司