本發(fā)明涉及通過將激光聚光于加工對象物而沿著切斷預定線在加工對象物形成改質區(qū)域的激光加工裝置及激光加工方法。
背景技術：
：一直以來，已知有一種激光加工方法，其對激光進行調制以使激光被分支成多個加工光并且各加工光分別被聚光于多個聚光點，在加工對象物上對應于各聚光點的多個區(qū)域分別形成改質區(qū)域(例如，參照專利文獻1)?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2011-051011號公報技術實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的課題然而，關于在表面設置有多個功能元件的加工對象物，會有以通過相鄰的功能元件之間的區(qū)域的方式設定切斷預定線并從背面使激光入射到加工對象物而沿著切斷預定線在加工對象物形成改質區(qū)域的情況。然而，可知，在這樣的情況下，若實施上述那樣的激光加工方法，則例如會有在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上在沿著切斷預定線的區(qū)域(即，相鄰的功能元件之間的區(qū)域)產生損傷的擔憂。因此，本發(fā)明的目的在于，提供在將激光分支成多個加工光并通過各加工光形成改質區(qū)域的情況下能夠抑制在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上發(fā)生損傷的激光加工裝置及激光加工方法。解決課題的技術手段本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置，是通過將激光聚光于加工對象物從而沿著切斷預定線在加工對象物形成改質區(qū)域的激光加工裝置，具備：射出激光的激光光源、將通過激光光源射出的激光聚光于加工對象物的聚光光學系統(tǒng)、對通過激光光源射出的激光進行調制以使激光被分支成至少包含第1加工光及第2加工光的0次光及±n次光(n為自然數)并且通過聚光光學系統(tǒng)第1加工光被聚光于第1聚光點且第2加工光被聚光于第2聚光點的空間光調制器、以及將被聚光于加工對象物的0次光及±n次光中相對于第1加工光及第2加工光而被聚光于外側的光遮斷的光遮斷部，0次光及±n次光的各個的聚光點具有，在加工對象物中，表示次數的數值變得越大或者數值變得越小，越是位于與激光的入射側相反側的加工對象物的第1表面?zhèn)?，并且越是位于沿著切斷預定線的激光的相對移動方向上的前側的位置關系。在該激光加工裝置中，由于被聚光于加工對象物的0次光及±n次光中相對于第1加工光及第2加工光而被聚光于外側的光被遮斷，因此可防止該光被聚光于加工對象物的第1表面附近。因而，根據該激光加工裝置，在將激光分支成多個加工光并通過各加工光形成改質區(qū)域的情況下，能夠抑制在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上(即，第1表面)發(fā)生損傷。另外，所謂加工光，是指具有能夠在對應于聚光點的區(qū)域形成改質區(qū)域的能量的光(以下，相同)。此外，表示次數的數值，是指0及±n(n為自然數)，+的數值時絕對值越大，數值越是表現(xiàn)為大，-的數值時絕對值越大，數值越是表現(xiàn)為小(以下，相同)。本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置，是通過將激光聚光于加工對象物從而沿著切斷預定線在加工對象物形成改質區(qū)域的激光加工裝置，具備：射出激光的激光光源、將通過激光光源射出的激光聚光于加工對象物的聚光光學系統(tǒng)、對通過激光光源射出的激光進行調制以使激光被分支成至少包含第1加工光及第2加工光的0次光及±n次光(n為自然數)并且通過聚光光學系統(tǒng)第1加工光被聚光于第1聚光點且第2加工光被聚光于第2聚光點的空間光調制器、以及將被聚光于加工對象物的0次光及±n次光中相對于第1加工光及第2加工光而被聚光于與激光的入射側相反側的加工對象物的第1表面?zhèn)鹊墓庹跀嗟墓庹跀嗖浚?次光及±n次光的各個的聚光點具有，在加工對象物中，表示次數的數值變得越大或者數值變得越小，越是位于與激光的入射側相反側的加工對象物的第1表面?zhèn)?，并且越是位于沿著切斷預定線的激光的相對移動方向上的前側的位置關系。在該激光加工裝置中，由于被聚光于加工對象物的0次光及±n次光中相對于第1加工光及第2加工光而被聚光于加工對象物的第1表面?zhèn)鹊墓獗徽跀啵虼丝煞乐乖摴獗痪酃庥诩庸ο笪锏牡?表面附近。因而，根據該激光加工裝置，在將激光分支成多個加工光并通過各加工光形成改質區(qū)域的情況下，能夠抑制在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上(即，第1表面)發(fā)生損傷。在本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置中，光遮斷部也可以還將被聚光于加工對象物的0次光及±n次光中相對于第1加工光及第2加工光而被聚光于激光的入射側的加工對象物的第2表面?zhèn)鹊墓庹跀?。據此，能夠抑制在激光的入射側的加工對象物的表面?即，第2表面)發(fā)生損傷。在本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置中，也可以是第1加工光及第2加工光從被聚光于加工對象物的0次光及±n次光中的0次光及±1次光中被選擇，光遮斷部將被聚光于加工對象物的±n次光中的+3次光遮斷。據此，可將具有相對較大的能量的0次光及±1次光作為第1加工光及第2加工光而有效率地利用。另一方面，能夠抑制因具有相對較大的能量的+3次光而在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上發(fā)生損傷。在本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置中，光遮斷部也可以還將被聚光于加工對象物的±n次光中的±2次光及-3次光遮斷。據此，可更可靠地抑制在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面、及激光的入射側的加工對象物的表面上發(fā)生損傷。在本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置中，光遮斷部也可以具有使第1加工光及第2加工光通過的開口。依此，能以簡單的構造實現(xiàn)使至少第1加工光及第2加工光通過且用于遮斷第1加工光及第2加工光以外的規(guī)定的光的光遮斷部。本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置，也可以還具備：調整光學系統(tǒng)，其具有作為透鏡而發(fā)揮功能的第1光學元件及第2光學元件，第1光學元件及第2光學元件被配置成，空間光調制器與第1光學元件之間的光路的距離成為第1光學元件的第1焦點距離，聚光光學系統(tǒng)與第2光學元件之間的光路的距離成為第2光學元件的第2焦點距離，第1光學元件與第2光學元件之間的光路的距離成為第1焦點距離與第2焦點距離的和，第1光學元件及第2光學元件成為兩側遠心光學系統(tǒng)，光遮斷部被設置于第1光學元件與第2光學元件之間的傅立葉面上。據此，可可靠地遮斷第1加工光及第2加工光以外的規(guī)定的光。在本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置中，光遮斷部也可以被設置于聚光光學系統(tǒng)的光入射部。據此，可可靠地遮斷第1加工光及第2加工光以外的規(guī)定的光。在本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置中，空間光調制器也可以對激光進行調制以使遮斷的光的至少一部分通過開口的外側。據此，可更可靠地遮斷第1加工光及第2加工光以外的規(guī)定的光。在本發(fā)明的一個方面的激光加工裝置中，在第1表面，也可以設置有配置成2維狀的多個功能元件及配置于相鄰的功能元件之間的區(qū)域的金屬圖案，切斷預定線被設定為，在從與第1表面垂直的方向觀察的情況下通過相鄰的功能元件之間的區(qū)域。若在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上在相鄰的功能元件之間的區(qū)域配置有金屬圖案，則在金屬圖案引起第1加工光及第2加工光以外的規(guī)定的光的吸收而容易在該表面發(fā)生損傷。但是，即使是在這樣的情況下，也可抑制在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上發(fā)生損傷。本發(fā)明的一個方面的激光加工方法，是通過將激光聚光于加工對象物從而沿著切斷預定線在加工對象物形成改質區(qū)域的激光加工方法，具備：對激光進行調制以使激光被分支成至少包含第1加工光及第2加工光的0次光及±n次光(n為自然數)，并且第1加工光被聚光于第1聚光點且第2加工光被聚光于第2聚光點，將被聚光于加工對象物的0次光及±n次光中相對于第1加工光及第2加工光而被聚光于外側的光遮斷，在加工對象物中與第1聚光點及第2聚光點分別對應的多個區(qū)域分別形成改質區(qū)域的工序，0次光及±n次光的各個的聚光點具有，在加工對象物中，表示次數的數值變得越大或者數值變得越小，越是位于與激光的入射側相反側的加工對象物的第1表面?zhèn)龋⑶以绞俏挥谘刂袛囝A定線的激光的相對移動方向上的前側的位置關系。本發(fā)明的一個方面的激光加工方法，是通過將激光聚光于加工對象物從而沿著切斷預定線在加工對象物形成改質區(qū)域的激光加工方法，具備：對激光進行調制以使激光被分支成至少包含第1加工光及第2加工光的0次光及±n次光(n為自然數)，并且第1加工光被聚光于第1聚光點且第2加工光被聚光于第2聚光點，將被聚光于加工對象物的0次光及±n次光中相對于第1加工光及第2加工光而被聚光于與激光的入射側相反側的加工對象物的第1表面?zhèn)鹊墓庹跀?，在加工對象物中與第1聚光點及第2聚光點分別對應的多個區(qū)域分別形成改質區(qū)域的工序，0次光及±n次光的各個的聚光點具有，在加工對象物中，表示次數的數值變得越大或者數值變得越小，越是位于與激光的入射側相反側的加工對象物的第1表面?zhèn)?，并且越是位于沿著切斷預定線的激光的相對移動方向上的前側的位置關系。根據這些激光加工方法，基于與上述的激光加工裝置相同的理由，在將激光分支成多個加工光并通過各加工光形成改質區(qū)域的情況下，能夠抑制在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上(即，第1表面)發(fā)生損傷。發(fā)明的效果根據本發(fā)明，能夠提供在將激光分支成多個加工光并通過各加工光形成改質區(qū)域的情況下能夠抑制在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上發(fā)生損傷的激光加工裝置及激光加工方法。附圖說明圖1是在改質區(qū)域的形成中所使用的激光加工裝置的概略構成圖。圖2是成為改質區(qū)域的形成的對象的加工對象物的平面圖。圖3是沿著圖2的加工對象物的III-III線的截面圖。圖4是激光加工后的加工對象物的平面圖。圖5是沿著圖4的加工對象物的V-V線的截面圖。圖6是沿著圖4的加工對象物的VI-VI線的截面圖。圖7是本發(fā)明的一個實施方式的激光加工裝置的概略構成圖。圖8是圖7的激光加工裝置的反射型空間光調制器的部分截面圖。圖9是成為本發(fā)明的一個實施方式的激光加工方法的對象的加工對象物的(a)平面圖以及(b)部分擴大截面圖。圖10是用于對本發(fā)明的一個實施方式的激光加工方法進行說明的加工對象物的截面圖。圖11是用于對本發(fā)明的一個實施方式的激光加工方法進行說明的加工對象物的截面圖。圖12是用于對圖8的反射型空間光調制器中的光柵像素數進行說明的圖。圖13是用于對與本發(fā)明相關的實驗結果進行說明的圖。圖14是用于對在圖7的激光加工裝置中所使用的光遮斷部進行說明的圖。圖15是用于對在圖7的激光加工裝置中所使用的光遮斷部進行說明的圖。圖16是用于對在圖7的激光加工裝置中所使用的光遮斷部進行說明的圖。圖17是用于對與本發(fā)明相關的實驗結果進行說明的圖。圖18是用于對本發(fā)明的比較例進行說明的圖。圖19是用于對圖18的比較例的情況下的結果進行說明的圖。圖20是用于對本發(fā)明的實施例進行說明的圖。圖21是用于對圖20的實施例的情況下的結果進行說明的圖。圖22是用于對本發(fā)明的實施例進行說明的圖。圖23是用于對圖22的實施例的情況下的結果進行說明的圖。圖24是用于對與本發(fā)明相關的實驗結果進行說明的圖。具體實施方式以下，關于本發(fā)明的實施方式，參照附圖進行詳細的說明。另外，在各圖中，對相同或者相當部分附加相同符號，省略重復的說明。在本發(fā)明的一個實施方式的激光加工裝置以及激光加工方法中，通過將激光聚光于加工對象物而沿著切斷預定線在加工對象物形成改質區(qū)域。因此，首先，關于改質區(qū)域的形成，參照圖1～圖6來進行說明。如圖1所示，激光加工裝置100具備使激光L脈沖振蕩的激光光源101、配置成使激光L的光軸(光路)的方向改變90°的分色鏡(dichroicmirror)103、用于將激光L聚光的聚光用透鏡105。另外，激光加工裝置100具備用于支承被由聚光用透鏡105聚光了的激光L照射的加工對象物1的支承臺107、用于使支承臺107移動的平臺111、為了調節(jié)激光L的輸出或脈沖寬度、脈沖波形等而控制激光光源101的激光光源控制部102、控制平臺111的移動的平臺控制部115。在該激光加工裝置100中，從激光光源101射出的激光L通過分色鏡103而使其光軸的方向改變90°，并通過聚光用透鏡105而被聚光于被載置在支承臺107上的加工對象物1的內部。與此同時，使平臺111移動，從而使加工對象物1相對于激光L而沿著切斷預定線5相對移動。由此，在加工對象物1形成沿著切斷預定線5的改質區(qū)域。還有，在此，為了使激光L相對地移動而使平臺111移動，但是，可以使聚光用透鏡105移動，也可以使它們的雙方移動。作為加工對象物1，使用包含由半導體材料形成的半導體基板或由壓電材料形成的壓電基板等的板狀的構件(例如，基板，晶圓等)。如圖2所示，在加工對象物1設定有用于切斷加工對象物1的切斷預定線5。切斷預定線5是延伸為直線狀的假想線。在加工對象物1的內部形成改質區(qū)域的情況下，如圖3所示，在使聚光點(激光位置)P對準加工對象物1的內部的狀態(tài)下，使激光L沿著切斷預定線5(即，沿著圖2的箭頭A方向)相對地移動。由此，如圖4、圖5以及圖6所示，改質區(qū)域7沿著切斷預定線5而被形成于加工對象物1的內部，沿著切斷預定線5形成的改質區(qū)域7成為切斷起點區(qū)域8。在此，所謂聚光點P，是指激光L聚光的地方。另外，切斷預定線5不限于直線狀，可以是曲線狀，也可以是它們被組合的三維狀，也可以是被坐標指定的線。另外，切斷預定線5不限于假想線，也可以是在加工對象物1的表面3上實際引出的線。另外，改質區(qū)域7可以被連續(xù)地形成，也可以被間斷地形成。另外，改質區(qū)域7可以是列狀也可以是點狀，主要是改質區(qū)域7至少被形成于加工對象物1的內部即可。另外，存在以改質區(qū)域7為起點而形成有龜裂的情況，龜裂以及改質區(qū)域7也可以露出于加工對象物1的外表面(表面3、背面21、或者外周面)。另外，在形成改質區(qū)域7的時候的激光入射面不限定于加工對象物1的表面3，也可以是加工對象物1的背面21。此外，在此的激光L透過加工對象物1并且在加工對象物1的內部的聚光點P附近被特別吸收，由此，在加工對象物1形成改質區(qū)域7(即，內部吸收型激光加工)。因而，由于在加工對象物1的表面3激光L幾乎不被吸收，因此加工對象物1的表面3不會熔融。一般而言，在通過從表面3被熔融而被除去從而形成有孔或槽等的除去部(表面吸收型激光加工)的情況下，加工區(qū)域從表面3側逐漸地向背面?zhèn)冗M展。然而，通過本實施方式所形成的改質區(qū)域7是指成為密度、折射率、機械強度或者其它的物理特性與周圍不同的狀態(tài)的區(qū)域。作為改質區(qū)域7，例如存在熔融處理區(qū)域(是指暫時熔融后再固化的區(qū)域、熔融狀態(tài)中的區(qū)域以及從熔融再固化的狀態(tài)中的區(qū)域中的至少任一者)、裂紋區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域等，也存在混合存在這些區(qū)域的區(qū)域。再有，作為改質區(qū)域7，存在在加工對象物1的材料中改質區(qū)域7的密度與非改質區(qū)域的密度相比較發(fā)生變化的區(qū)域、或形成有晶格缺陷的區(qū)域(將它們統(tǒng)稱為高密度轉移區(qū)域)。另外，存在熔融處理區(qū)域或折射率變化區(qū)域、改質區(qū)域7的密度與非改質區(qū)域的密度相比較變化了的區(qū)域、形成有晶格缺陷的區(qū)域進一步在這些區(qū)域的內部或改質區(qū)域7和非改質區(qū)域的界面內包(包含)龜裂(割裂、微裂紋)的情況。被內包的龜裂會有遍及改質區(qū)域7的整個面的情況或僅在一部分形成或在多個部分形成的情況。作為加工對象物1，例如可以舉出包含硅(Si)、玻璃、碳化硅(SiC)、LiTaO3或藍寶石(Al2O3)、或者由它們構成的加工對象物。另外，在本實施方式中，通過沿著切斷預定線5形成多個改質點(spot)(加工痕)，從而形成改質區(qū)域7。所謂改質點，是指通過脈沖激光的1個脈沖的擊射(shot)(即，1個脈沖的激光照射：激光擊射)所形成的改質部分，通過改質點集合而成為改質區(qū)域7。作為改質點，可以舉出裂紋點、熔融處理點或折射率變化點、或者混合存在它們中的至少1個的改質點等。關于該改質點，能夠考慮所要求的切斷精度、所要求的切斷面的平坦性、加工對象物1的厚度、種類、結晶方位等，適當控制其大小或所產生的龜裂的長度。接著，對本發(fā)明的一個實施方式的激光加工裝置以及激光加工方法進行說明。如圖7所示，激光加工裝置300在框體231內具備激光光源202、反射型空間光調制器(空間光調制器)203、4f光學系統(tǒng)(調整光學系統(tǒng))241、光遮斷部220、以及聚光光學系統(tǒng)204。激光加工裝置300通過將激光L聚光于加工對象物1從而沿著切斷預定線5在加工對象物1形成改質區(qū)域7。激光光源202例如為射出具備1000nm～1500nm的波長的激光L的光源，例如為光纖激光。在此的激光光源202以向水平方向射出激光L的方式通過螺釘等固定在框體231的頂板236。反射型空間光調制器203對從激光光源202所射出的激光L進行調制，例如為反射型液晶(LCOS：LiquidCrystalonSilicon(硅基液晶))的空間光調制器(SLM：SpatialLightModulator)。在此的反射型空間光調制器203對從水平方向入射的激光L進行調制，并且相對于水平方向向斜上方反射。如圖8所示，反射型空間光調制器203將硅基板213、驅動電路層914、多個像素電極214、電介質多層膜鏡等的反射膜215、取向膜999a、液晶層216、取向膜999b、透明導電膜217、以及玻璃基板等的透明基板218按照該順序層疊來構成。透明基板218具備沿著XY平面的表面218a，該表面218a構成反射型空間光調制器203的表面。透明基板218例如由玻璃等的光透過性材料所構成，并使從反射型空間光調制器203的表面218a入射的規(guī)定波長的激光L向反射型空間光調制器203的內部透過。透明導電膜217被形成于透明基板218的背面上，由使激光L透過的導電性材料(例如ITO)所構成。多個像素電極214沿著透明導電膜217以矩陣狀排列在硅基板213上。各像素電極214例如由鋁等的金屬材料所構成，這些表面214a被加工為平坦且平滑。多個像素電極214通過被設置在驅動電路層914處的主動矩陣電路而被驅動。主動矩陣電路被設置在多個像素電極214和硅基板213之間，對應于欲從反射型空間光調制器203輸出的光像，控制對各像素電極214的施加電壓。這樣的主動矩陣電路例如具備未圖示的控制在X軸方向上排列的各像素列的施加電壓的第1驅動電路、控制在Y軸方向上排列的各像素列的施加電壓的第2驅動電路，并構成為通過控制部250(參考圖7)對通過雙方的驅動電路指定的像素的像素電極214施加規(guī)定電壓。取向膜999a、999b被配置在液晶層216的兩端面，使液晶分子群排列在一定方向。取向膜999a、999b例如由聚酰亞胺等的高分子材料所構成并且對與液晶層216的接觸面施以摩擦(rubbing)處理等。液晶層216被配置在多個像素電極214和透明導電膜217之間，對應于通過各像素電極214和透明導電膜217所形成的電場，調制激光L。即，若通過驅動電路層914的主動矩陣電路對各像素電極214施加電壓，則在透明導電膜217和各像素電極214之間形成有電場，對應于被形成于液晶層216的電場的大小，液晶分子216a的排列方向改變。再有，若激光L透過透明基板218以及透明導電膜217而入射至液晶層216，則該激光L在通過液晶層216的期間，通過液晶分子216a而被調制，在反射膜215被反射，之后，再次通過液晶層216而被調制，并進行射出。此時，通過控制部250(參考圖7)對被施加于各像素電極214的電壓進行控制，對應于該電壓，在液晶層216上被透明導電膜217和各像素電極214夾持的部分的折射率改變(與各像素相對應的位置的液晶層216的折射率改變)。通過該折射率的改變，能夠對應于所施加的電壓來使激光L的相位在液晶層216的每個像素改變。即，能夠將與全息圖圖案相對應的相位調制通過液晶層216對每個像素進行賦予(即，將賦予調制的作為全息圖圖案的調制圖案顯示于反射型空間光調制器203的液晶層216)。其結果，入射至調制圖案并透過的激光L，其波面被調整，在構成該激光L的各光線中的與行進方向相正交的規(guī)定方向的成分的相位中產生偏移。因此，通過對顯示在反射型空間光調制器203的調制圖案進行適宜設定，能夠調制激光L(例如，調制激光L的強度、振幅、相位、偏光等)?；氐綀D7，4f光學系統(tǒng)241對通過反射型空間光調制器203調制的激光L的波面形狀進行調整，具備第1透鏡(第1光學元件)241a以及第2透鏡(第2光學元件)241b。第1透鏡241a以及第2透鏡241b以反射型空間光調制器203和第1透鏡241a之間的光路的距離成為第1透鏡241a的第1焦點距離f1，聚光光學系統(tǒng)204和第2透鏡241b之間的光路的距離成為第2透鏡241b的第2焦點距離f2，第1透鏡241a和第2透鏡241b之間的光路的距離成為第1焦點距離f1和第2焦點距離f2的和(即，f1+f2)，第1透鏡241a和第2透鏡241b成為兩側遠心光學系統(tǒng)的方式，配置在反射型空間光調制器203和聚光光學系統(tǒng)204之間的光路上。根據該4f光學系統(tǒng)241，能夠抑制通過反射型空間光調制器203調制的激光L由于空間傳播而使波面形狀改變并使像差增大。光遮斷部220為具備使下述的第1加工光L1以及第2加工光L2通過的開口220a的光圈構件。光遮斷部220被設置在第1透鏡241a和第2透鏡241b之間的傅立葉面(即，包含共焦點O的面)上。聚光光學系統(tǒng)204將通過激光光源202所射出并通過反射型空間光調制器203調制的激光L聚光于加工對象物1的內部。該聚光光學系統(tǒng)204包含多個透鏡而構成，并經由包含壓電元件等構成的驅動單元232而被設置在框體231的底板233。在如以上所述構成的激光加工裝置300中，從激光光源202所射出的激光L在框體231內在水平方向上行進后，通過鏡205a而向下方被反射，并通過衰減器207而使光強度被調整。之后，通過鏡205b而向水平方向被反射，通過光束均勻器260而使激光L的強度分布被均勻化并入射至反射型空間光調制器203。入射至反射型空間光調制器203的激光L通過透過被顯示在液晶層216的調制圖案，從而對應于該調制圖案而被調制，之后，通過鏡206a而向上方被反射，通過λ/2波長板228而使偏光方向被變更，通過鏡206b而向水平方向被反射并入射至4f光學系統(tǒng)241。入射至4f光學系統(tǒng)241的激光L，以為平行光并且入射至聚光光學系統(tǒng)204的方式使波面形狀被調整。具體而言，激光L透過第1透鏡241a并收斂，通過鏡219而向下方被反射，并經共焦點O而發(fā)散，并且透過第2透鏡241b，以成為平行光的方式再次被收斂。之后，激光L依序透過分色鏡210、238并入射至聚光光學系統(tǒng)204，通過聚光光學系統(tǒng)204被聚光于被載置在平臺111上的加工對象物1內。另外，激光加工裝置300在框體231內具備用于對加工對象物1的激光入射面進行觀察的表面觀察單元211、用于對聚光光學系統(tǒng)204和加工對象物1的距離進行微調整的AF(AutoFocus(自動聚集))單元212。表面觀察單元211具備射出可見光VL1的觀察用光源211a、對在加工對象物1的激光入射面被反射的可見光VL1的反射光VL2進行受光并檢測的檢測器211b。在表面觀察單元211，從觀察用光源211a所射出的可見光VL1在鏡208以及分色鏡209、210、238被反射、透過，并通過聚光光學系統(tǒng)204朝向加工對象物1被聚光。另外，在加工對象物1的激光入射面被反射的反射光VL2在通過聚光光學系統(tǒng)204被聚光并且在分色鏡238、210被透過、反射之后，透過分色鏡209并在檢測器211b被受光。AF單元212射出AF用激光LB1，并通過對被激光入射面所反射的AF用激光LB1的反射光LB2進行受光并檢測，從而取得沿著切斷預定線5的激光入射面的位移數據。然后，AF單元212在形成改質區(qū)域7時，根據所取得的位移數據對驅動單元232進行驅動，以沿著激光入射面的起伏的方式使聚光光學系統(tǒng)204在其光軸方向上往返移動。再有，激光加工裝置300，作為用于對該激光加工裝置300進行控制的構件，具備由CPU、ROM、RAM等所構成的控制部250。該控制部250對激光光源202進行控制，并對從激光光源202所射出的激光L的輸出或脈沖寬度等進行控制。另外，控制部205在形成改質區(qū)域7時，以激光L的聚光點P位于從加工對象物1的表面3或者背面21離開規(guī)定距離的位置，并且激光L的聚光點P沿著切斷預定線5相對移動的方式，對框體231、平臺111的位置以及驅動單元232的驅動的至少一者進行控制。另外，控制部205在形成改質區(qū)域7時，對反射型空間光調制器203中的各像素電極214施加規(guī)定電壓，并在液晶層216顯示規(guī)定的調制圖案，由此，通過反射型空間光調制器203按所期望地調制激光L。在此，被顯示在液晶層216的調制圖案，例如，基于想要形成改質區(qū)域7的位置、所照射的激光L的波長、加工對象物1的材料、以及聚光光學系統(tǒng)204或加工對象物1的折射率等預先被導出，并存儲在控制部250。該調制圖案包含用于對在激光加工裝置300所產生的個體差(例如，在反射型空間光調制器203的液晶層216產生的形變)進行修正的個體差修正圖案、用于對球面像差進行修正的球面像差修正圖案等。成為在如以上所述構成的激光加工裝置300中所實施的激光加工方法的對象的加工對象物1，如圖9所示，具備例如由硅等的半導體材料所構成的基板11、被形成在基板11的表面11a的功能元件層15。功能元件層15包含沿著基板11的表面11a被排列為矩陣狀的多個功能元件15a(例如，光電二極管等的受光元件、激光電二極管等的發(fā)光元件、或者作為電路所形成的電路元件等)、被形成于相鄰的功能元件15a之間的街道區(qū)域(區(qū)域)17的金屬圖案16(例如，TEG(TestElementGroup(測試元件組))等)。這樣，在加工對象物1的表面(第1表面)3，設置有被配置為2維狀的多個功能元件15a、以及被配置在相鄰的功能元件15a之間的街道區(qū)域17的金屬圖案16。另外，功能元件層15包含遍及基板11的表面11a的全體而形成的層間絕緣膜(例如，Low-k膜等)。在激光加工裝置300中所實施的激光加工方法作為通過將加工對象物1切斷為各功能元件15a來制造多個芯片的芯片的制造方法來使用。因此，在該激光加工方法中，相對于加工對象物1，以在從與表面3垂直的方向觀察的情況下通過相鄰的功能元件15a之間的街道區(qū)域17的方式(例如，在從加工對象物1的厚度方向觀察的情況下以通過街道區(qū)域17的寬度的中心的方式)，以格子狀設定有多個切斷預定線5。之后，從基板11的背面11b即加工對象物1的背面(第2表面)21入射的激光L，被聚光于加工對象物1，并沿著各切斷預定線5在加工對象物1形成改質區(qū)域7。另外，在由硅等的半導體材料所構成的基板11，作為改質區(qū)域7，會有在激光L的聚光點P的位置形成有微小空洞7a，相對于聚光點P在激光L的入射側形成有熔融處理區(qū)域7b的情況。以下，對在激光加工裝置300中所實施的激光加工方法進行說明。首先，將包含在沿著切斷預定線5的方向上將激光L分支為0次光以及±n次光(n為自然數)的衍射功能的調制圖案顯示在反射型空間光調制器203的液晶層216。這樣，在反射型空間光調制器203中，液晶層216起到作為顯示調制圖案的多個像素的作用。如圖10所示，0次光以及±n次光的各個的聚光點具備，在加工對象物1上，表示次數的數值(為0以及±n，+的數值時絕對值越大，數值越是表現(xiàn)為大，－的數值時絕對值越大，數值越是表現(xiàn)為小)越是變大，越是位于與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3側，并且越是位于沿著切斷預定線5的激光L的相對移動方向上的前側的位置關系。在該激光加工方法中，如圖10(a)所示，將+1次光以及－1次光分別作為第1加工光L1以及第2加工光L2(加工光：具備能夠在與聚光點相對應的區(qū)域形成改質區(qū)域的能量的光)來利用。由此，第1聚光點P1以及第2聚光點P2具有，在加工對象物1中，第1聚光點P1相對于第2聚光點P2位于與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3側，并且第1聚光點P1相對于第2聚光點P2位于沿著切斷預定線5的激光L的相對移動方向上的前側的位置關系。另外，如圖10(b)所示，也可以將+1次光、0次光以及－1次光分別作為第1加工光L1、第2加工光L2以及第3加工光L3來利用。即，第1加工光L1以及第2加工光L2從被聚光于加工對象物1的0次光以及±n次光中的0次光以及±1次光中進行選擇。如以上所述，反射型空間光調制器203以激光L至少被分支為包含第1加工光L1以及第2加工光L2的0次光以及±n次光并且通過聚光光學系統(tǒng)204，第1加工光L1被聚光于第1聚光點P1且第2加工光L2被聚光于第2聚光點P2的方式，對從激光光源202所射出的激光L進行調制。在此，將在從與加工對象物1的表面3垂直的方向觀察的情況下的第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離(在從與加工對象物1的表面3垂直的方向觀察的情況下在沿著切斷預定線5的方向上相鄰的加工光的聚光點之間的距離)定義為D。然后，如圖11所示，若將表面3上的第1加工光L1的半徑設為W1，將表面3上的第2加工光L2的半徑設為W2，則反射型空間光調制器203以滿足D＞W1+W2的方式對激光L進行調制。由此，防止了到達加工對象物1的表面3的第1加工光L1的漏光(在與聚光點相對應的區(qū)域上未被加工對象物所吸收的光)以及第2加工光L2的漏光在表面3干涉而加強。作為一個例子，作為加工對象物1而準備厚度300μm、結晶方位(100)、電阻值1Ω·cmUP的硅晶圓，通過圖11以及下述的表1所示的條件進行激光L的照射的情況下，在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3上第1加工光L1的漏光和第2加工光L32的漏光相接時的第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D(＝W1+W2)成為31.32641μm。另外，所謂激光L的掃描速度，是指沿著切斷預定線5的第1聚光點P1以及第2聚光點P2的相對移動速度。[表1]實驗的結果，如下述的表2所示，若第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D為30μm以下(若該距離D小于31.32641μm)，則在表面3發(fā)生損傷，若第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D為40μm以上(若該距離D大于31.32641μm)，則在表面3未發(fā)生損傷。根據該結果，可知，通過以滿足D＞W1+W2的方式調制激光L，防止了到達加工對象物1的表面3的第1加工光L1的漏光以及第2加工光L2的漏光在表面3干涉而加強，表面3上的損傷的發(fā)生被抑制。[表2]距離D(μm)2030405060表面3上的損傷發(fā)生發(fā)生未發(fā)生未發(fā)生未發(fā)生另外，在起到作為顯示調制圖案的多個像素的作用的液晶層216，若將相鄰的像素間的距離設為d，將4f光學系統(tǒng)241的倍率設為m，將聚光光學系統(tǒng)204的焦點距離設為f，將激光L的波長設為λ，則反射型空間光調制器203以滿足D＜2×f×tan[asin{λ/(d×4×m)}]的方式調制激光L。在上述的式中，“4”表示反射型空間光調制器203的調制圖案中的光柵像素數，光柵像素數：4，是圖12的(a)的情況。另外，作為參考，光柵像素數：2，是圖12的(b)的情況。為了使上述的第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D增大，有必要在反射型空間光調制器203的調制圖案中將光柵像素數縮小。但是，若將光柵像素數過度縮小，則會有在激光L中無法進行波面控制的成分增加而使漏光增加的擔憂。因此，作為加工對象物1而準備厚度300μm、結晶方位(100)、電阻值1Ω·cmUP的硅晶圓，通過圖11以及下述的表3所示的條件進行激光L的照射，由此，對光柵像素數和表面3上的損傷的發(fā)生的有無的關系進行了調查。另外，第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D可通過D＜2×f×tan[asin{λ/(d×光柵像素數×m)}]而計算出。[表3]數值激光L的波長(nm)1080激光L的反復頻率(kHz)80激光L的脈沖寬度(ns)500激光L的掃描速度(mm/s)300激光L的出口輸出(W)3.2激光L的分支數2激光L的分支比例50：50表面3和第1聚光點P1的距離H1(μm)46表面3和第2聚光點P2的距離H2(μm)96第1加工光L1和第2加工光L2的數值孔徑NA0.754周圍氣氛的折射率n11加工對象物1的折射率n23.5相鄰的像素間的距離d(μm)204f光學系統(tǒng)241的倍率m0.485437聚光光學系統(tǒng)204的焦點距離f(mm)1.83實驗的結果，如下述的表4所示，若光柵像素數為4以下(換言之，若第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D為102μm以上)，則在表面3發(fā)生損傷，若光柵像素數為5以上(換言之，若第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D為80μm以下)，則在表面3未發(fā)生損傷。根據該結果，可知，通過以滿足D＜2×f×tan[asin{λ/(d×4×m)}]的方式調制激光L，能夠抑制在激光L中無法進行波面控制的成分增加并使漏光增加，能夠抑制表面3上的損傷的發(fā)生。[表4]光柵像素數23456距離D(μm)2041361028066表面3上的損傷發(fā)生發(fā)生發(fā)生未發(fā)生未發(fā)生再有，根據表2以及表4的結果，可知，通過以第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離成為40μm～80μm的方式調制激光L，能夠抑制表面3上的損傷的發(fā)生。如圖13所示，若第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D為20μm，則確認到，到達加工對象物1的表面3的第1加工光L1的漏光以及第2加工光L2的漏光在表面3干涉而加強(上段)，在表面3發(fā)生損傷(下段)。另外，若第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D為102μm，則確認到，在－1次光漏光增加(上段)，在表面3發(fā)生損傷(下段)。相對于這些情況，若第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D為40μm，則未確認到到達加工對象物1的表面3的第1加工光L1的漏光以及第2加工光L2的漏光在表面3干涉而加強以及在－1次光中漏光增加(上段)，在表面3未發(fā)生損傷(下段)。另外，圖13的上段的圖，為從表面3側對表面3上的0次光以及±n次光的狀態(tài)進行了觀察的照片，并且是未形成改質區(qū)域時的圖。另外，圖13的下段的圖，為沿著切斷預定線5切斷的加工對象物1的切斷面的照片。另外，光遮斷部220將被聚光于加工對象物1的±n次光中的±2次光以上的高次光(在此，±2次光以及±3次光)遮斷。基于此，可以說光遮斷部220將被聚光于加工對象物1的0次光以及±n次光中的相對于第1加工光L1以及第2加工光L2而被聚光于外側的光遮斷?；蛘?，可以說光遮斷部220將被聚光于加工對象物1的0次光以及±n次光中的相對于第1加工光L1以及第2加工光L2而被聚光于與激光L的入射側相反側的加工對象物的表面3側的光、以及相對于第1加工光L1以及第2加工光L2而被聚光于激光L的入射側的加工對象物1的背面21側的光遮斷。另外，反射型空間光調制器203也可以以使所遮斷的光的至少一部分通過光遮斷部220的開口220a的外側的方式，調制激光L。如圖14的(a)所示，若將位于4f光學系統(tǒng)241的傅立葉面上的光遮斷部220的開口220a的半徑設為X，如以上所述，將在從與加工對象物1的表面3垂直的方向觀察的情況下的第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離設為D，將第2透鏡241b的第2焦點距離設為f2，將聚光光學系統(tǒng)204的焦點距離設為f，則為了使光遮斷部220將±2次光以上的高次光(針對±2次光而言較中心更外側的部分)遮斷，需要滿足D×f2/f＜2X＜2D×f2/f。即，反射型空間光調制器203，若以滿足(X×f)/(2×f2)＜D/2＜(X×f)/f2的方式調制激光L，則光遮斷部220能夠將±2次光以上的高次光(針對±2次光而言較中心更外側的部分)遮斷。另外，如圖14的(b)所示，為了使光遮斷部220將±3次光以上的高次光(針對±3次光而言較中心更外側的部分)遮斷，需要滿足D×f2/f＜2X＜3D×f2/f。即，反射型空間光調制器203，若以滿足(X×f)/(3×f2)＜D/2＜(X×f)/f2的方式調制激光L，則光遮斷部220能夠將±3次光以上的高次光(針對±3次光而言較中心更外側的部分)遮斷。作為一個例子，若D＝50μm、f2＝150mm、f＝1.8mm，則若以滿足4166.7μm＜2X＜8333μm的方式，決定光遮斷部220的開口220a的半徑X，則光遮斷部220能夠將±2次光以上的高次光(針對±2次光而言較中心更外側的部分)遮斷。換言之，若2X＝10000μm、f2＝150mm、f＝1.8mm，則若以滿足30μm＜D/2＜60μm的方式，決定第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D，則光遮斷部220能夠將±2次光以上的高次光(針對±2次光而言較中心更外側的部分)遮斷。另外，若D＝50μm、f2＝150mm、f＝1.8mm，則若以滿足4166.7μm＜2X＜12500μm的方式，決定光遮斷部220的開口220a的半徑X，則光遮斷部220能夠將±3次光以上的高次光(針對±3次光而言較中心更外側的部分)遮斷。換言之，若2X＝10000μm、f2＝150mm、f＝1.8mm，則若以滿足20μm＜D/2＜60μm的方式，決定第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D，則光遮斷部220能夠將±3次光以上的高次光(針對±3次光而言較中心更外側的部分)遮斷。另外，為了抑制在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3產生損傷，光遮斷部220也可以為將+n次光遮斷的構件。在此情況下，如圖15的(a)所示，若在4f光學系統(tǒng)241的傅立葉面上將從共焦點O起直到光遮斷部220(光遮斷部220的共焦點O側的邊)為止的距離設為X，則為了使光遮斷部220將+2次光以上的高次光(針對+2次光而言較中心更外側的部分)遮斷，需要滿足D×f2/f＜2X＜2D×f2/f。即，反射型空間光調制器203，若以滿足(X×f)/(2×f2)＜D/2＜(X×f)/f2的方式調制激光L，則光遮斷部220能夠將+2次光以上的高次光(針對+2次光而言較中心更外側的部分)遮斷。另外，如圖15的(b)所示，為了使光遮斷部220將+3次光以上的高次光(針對+3次光而言較中心更外側的部分)遮斷，需要滿足D×f2/f＜2X＜3D×f2/f。即，反射型空間光調制器203，若以滿足(X×f)/(3×f2)＜D/2＜(X×f)/f2的方式調制激光L，則光遮斷部220能夠將+3次光以上的高次光(針對+3次光而言較中心更外側的部分)遮斷。再有，光遮斷部220也能夠以對聚光光學系統(tǒng)204的透鏡視野進行限制的方式，設置在聚光光學系統(tǒng)204的光入射部。如圖16的(a)所示，若將位于聚光光學系統(tǒng)204的光入射部的光遮斷部220的開口220a的半徑設為X，如上所述，將在從與加工對象物1的表面3相垂直的方向觀察的情況下的第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離設為D，則反射型空間光調制器203，若以滿足X/2＜D/2＜X的方式調制激光L，則光遮斷部220能夠將±2次光以上的高次光(針對±2次光而言較中心更外側的部分)遮斷。另外，如圖16的(b)所示，反射型空間光調制器203，若以滿足X/3＜D/2＜X的方式調制激光L，則光遮斷部220能夠將±3次光以上的高次光(針對±3次光而言較中心更外側的部分)遮斷。作為一個例子，若2X＝150μm，則若以滿足37.5μm＜D/2＜75μm的方式，決定第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D，則光遮斷部220能夠將±2次光以上的高次光(針對±2次光而言較中心更外側的部分)遮斷。另外，若2X＝150μm，則若以滿足25μm＜D/2＜75μm的方式，決定第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D，則光遮斷部220能夠將±3次光以上的高次光(針對±3次光而言較中心更外側的部分)遮斷。在此，作為加工對象物1而準備厚度300μm、結晶方位(100)、電阻值1Ω·cmUP的硅晶圓，通過圖11以及上述的表3所示的條件進行激光L的照射，由此，對3次光和表面3上的損傷的發(fā)生的有無的關系進行了調查。另外，為了易于判別表面3上的損傷的發(fā)生的有無，在表面3形成感熱性膜而進行了實驗。實驗的結果，如圖17的(d)所示，可知，至少由于3次光的影響，在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3產生損傷。圖17的(a)為對沿著切斷預定線5切斷的加工對象物1的切斷面上的0次光以及±n次光的各個的聚光點的位置關系進行展示的圖。圖17的(b)為從表面3側對表面3上的0次光以及±n次光的狀態(tài)進行了觀察的照片，并且為未形成改質區(qū)域時的圖。圖17的(c)為從表面3側對表面3上的0次光以及±n次光的狀態(tài)進行了觀察的照片，并且為形成改質區(qū)域時的圖。圖17的(d)為從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片，并且為形成改質區(qū)域時的圖。圖18為用于對本發(fā)明的比較例進行說明的圖，(a)為對在傅立葉面附近的激光L的狀態(tài)進行展示的模擬圖，(b)為對在聚光點附近的激光L的狀態(tài)進行展示的模擬圖。這樣，若不將+3次光遮斷，則如圖19所示，可知，由于+3次光的影響，在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3產生最強的損傷。另外，圖19的上段為在向與使0次光以及±n次光的各個的聚光點分支的方向相平行的方向使激光L相對地進行了移動的情況下從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片，圖19的下段為在向與使0次光以及±n次光的各個的聚光點分支的方向相垂直的方向使激光L相對地進行了移動的情況下從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片。圖20為用于對本發(fā)明的實施例進行說明的圖，(a)為對在傅立葉面附近的激光L的狀態(tài)進行展示的模擬圖，(b)為對在聚光點附近的激光L的狀態(tài)進行展示的模擬圖。這樣，若通過光遮斷部220將+3次光的一部分遮斷，則如圖21所示，可知，由于+3次光的影響，在加工對象物1的表面3產生的損傷減弱。另外，圖21的上段為在向與使0次光以及±n次光的各個的聚光點分支的方向相平行的方向使激光L相對地進行了移動的情況下從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片，圖21的下段為在向與使0次光以及±n次光的各個的聚光點分支的方向相垂直的方向使激光L相對地進行了移動的情況下從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片。圖22為用于對于本發(fā)明的實施例進行說明的圖，(a)為對在傅立葉面附近的激光L的狀態(tài)進行展示的模擬圖，(b)為對在聚光點附近的激光L的狀態(tài)進行展示的模擬圖。這樣，若通過光遮斷部220而將+3次光的全部遮斷，則如圖23所示，可知，由于+3次光的影響，在加工對象物1的表面3產生的損傷大致消失。另外，圖23的上段為在向與使0次光以及±n次光的各個的聚光點分支的方向相平行的方向使激光L相對地進行了移動的情況下從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片，圖23的下段為在向與使0次光以及±n次光的各個的聚光點分支的方向相垂直的方向使激光L相對地進行了移動的情況下從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片。圖24為用于對與本發(fā)明相關的實驗結果進行說明的圖。在此情況下，以對聚光光學系204的透鏡視野進行限制的方式，將光遮斷部220設置在聚光光學系204的光入射部，成為在第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離D為50μm以上時能夠將+3次光遮斷的透鏡視野。如根據圖24所示的實驗結果而可知的那樣，若通過光遮斷部220而將+3次光遮斷，則由于+3次光的影響而在加工對象物1的表面3產生的損傷大致消失。另外，圖24的上段為在向與使0次光以及±n次光的各個的聚光點分支的方向相平行的方向使激光L相對地進行了移動的情況下從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片，圖24的下段為在向與使0次光以及±n次光的各個的聚光點分支的方向相垂直的方向使激光L相對地進行了移動的情況下從表面3側對感熱性膜進行了觀察的照片。根據上述內容，在激光加工裝置300中所實施的激光加工方法中，以激光L被分支為包含第1加工光L1以及第2加工光L2的0次光以及±n次光并且第1加工光L1被聚光于第1聚光點P1且第2加工光L2被聚光于第2聚光點P2的方式，調制激光L，在加工對象物1，在與第1聚光點P1以及第2聚光點P2的各個相對應的多個區(qū)域的各個，形成改質區(qū)域7。此時，若將表面3上的第1加工光L1的半徑設為W1，將表面3上的第2加工光L2的半徑設為W2，將在從與表面3相垂直的方向觀察的情況下的第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離設為D，則以滿足D＞W1+W2的方式調制激光L?；蛘?，以在從與表面3相垂直的方向觀察的情況下的第1聚光點P1和第2聚光點P2的距離成為40μm～80μm的方式，調制激光L。另外，將被聚光于加工對象物1的0次光以及±n次光中的相對于第1加工光L1以及第2加工光L2而被聚光于外側的光遮斷?；蛘?，將被聚光于加工對象物1的0次光以及±n次光中的相對于第1加工光L1以及第2加工光L2而被聚光于與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3側的光、以及相對于第1加工光L1以及第2加工光L2而被聚光于激光L的入射側的加工對象物1的背面21側的光遮斷。再有，在加工對象物1形成了改質區(qū)域7之后，在加工對象物1的背面21貼附擴展膠帶，并使該擴展膠帶擴張。由此，使從沿著切斷預定線5所形成的改質區(qū)域7向加工對象物1的厚度方向伸展了的龜裂，到達加工對象物1的表面3以及背面21，并通過沿著切斷預定線5將加工對象物1切斷為各個的功能元件15a而得到多個芯片。如以上所說明的那樣，在激光加工裝置300及激光加工裝置300中所實施的激光加工方法中，將被聚光于加工對象物1的0次光及±n次光中相對于第1加工光L1及第2加工光L2而被聚光于外側的光遮斷?；蛘?，將被聚光于加工對象物1的0次光及±n次光中相對于第1加工光L1及第2加工光L2而被聚光于與激光L的入射側相反側的加工對象物的表面3側的光、及相對于第1加工光L1及第2加工光L2而被聚光于激光L的入射側的加工對象物的背面21側的光遮斷。由此，可防止該光被聚光于加工對象物1的表面3附近及背面21附近。因而，在將激光L分支成多個加工光并通過各加工光形成改質區(qū)域7的情況下，能夠抑制在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3、及激光L的入射側的加工對象物的背面21發(fā)生損傷。此外，第1加工光L1及第2加工光L2可從被聚光于加工對象物1的0次光及±n次光中的0次光及±1次光中被選擇，光遮斷部220將被聚光于加工對象物1的±n次光中的±n2次光及±3次光遮斷。由此，可將具有相對較大的能量的0次光及±1次光作為第1加工光L1及第2加工光L2而有效率地利用，并且可更可靠地抑制在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3、及激光L的入射光的加工對象物1的背面21發(fā)生損傷。特別是將具有相對較大的能量的+3次光遮斷，對于抑制在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3上發(fā)生損傷而言，是重要的。此外，光遮斷部220具有使第1加工光L1及第2加工光L2通過的開口220a。由此，能夠以簡單的構造實現(xiàn)使至少第1加工光L1及第2加工光L2通過且用于遮斷第1加工光L1及第2加工光L2以外的規(guī)定的光的光遮斷部220。此外，光遮斷部220被設置于第1透鏡241a與第2透鏡241b之間的傅立葉面上。由此，可可靠地遮斷第1加工光L1及第2加工光L2以外的規(guī)定的光。另外，即使光遮斷部220設置于聚光光學系統(tǒng)204的光入射部，也可可靠地遮斷第1加工光L1及第2加工光L2以外的規(guī)定的光。此外，反射型空間光調制器203可對激光L進行調制以使遮斷的光的至少一部分通過開口220a的外側。由此，可可靠地遮斷第1加工光L1及第2加工光L2以外的規(guī)定的光。此外，在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3，設置有配置成2維狀的多個功能元件15a及配置于相鄰的功能元件15a之間的街道區(qū)域17的金屬圖案16，切斷預定線5被設定為，在從與表面3垂直的方向觀察的情況下通過相鄰的功能元件15a之間的街道區(qū)域17。若在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3，在相鄰的功能元件15a之間的街道區(qū)域17配置有金屬圖案16，則在金屬圖案16引起漏光的吸收而容易在該表面3上發(fā)生損傷。但，即使在這樣的情況下，也可抑制在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3上發(fā)生損傷。特別是在遍及基板11的表面11a的全體而形成有層間絕緣膜(例如，Low-k膜等)的情況下，由于能夠抑制該層間絕緣膜的剝離等，因此是有效的。此外，若將表面3上的第1加工光L1的半徑設為W1，將表面3上的第2加工光L2的半徑設為W2，將從與表面3垂直的方向觀察時的第1聚光點P1與第2聚光點P2的距離設為D，則以滿足D＞W1+W2的方式調制激光L。由此，可防止到達加工對象物1的表面3的第1加工光L1的漏光及第2加工光L2的漏光在表面3上干涉而加強。因而，在將激光L分支成多個加工光并通過各加工光形成改質區(qū)域7的情況下，能夠抑制在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3上發(fā)生損傷。此外，若將在反射型空間光調制器203中相鄰的像素間的距離設為d，將4f光學系統(tǒng)241的倍率設為m，將聚光光學系統(tǒng)204的焦點距離設為f，將激光L的波長設為λ，則反射型空間光調制器203以滿足D<2×f×tan[asin{λ/(d×4×m)}]的方式調制激光L。為了加大從與表面3垂直的方向觀察時的第1聚光點P1與第2聚光點P2的距離D，需要使反射型空間光調制器203的調制圖案中的光柵像素數縮小。但是，若光柵像素數過度縮小，則會有激光L中無法進行波面控制的成分增加而使漏光增加的擔憂。通過以滿足D<2×f×tan[asin{λ/(d×4×m)}]的方式調制激光L，可抑制激光L中無法進行波面控制的成分增加而使漏光增加，且可抑制在與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3發(fā)生損傷。以上，對本發(fā)明的一個實施方式進行說明，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式。例如，加工對象物1的構造及材料并不限定于上述的構造及材料。作為一個例子，基板11也可為硅基板以外的半導體基板、藍寶石基板、SiC基板、玻璃基板(強化玻璃基板)、透明絕緣基板等。此外，0次光及上述±n次光的各個的聚光點也可以具有，在上述加工對象物1上，表示次數的數值變得越小，越是位于與激光L的入射側相反側的加工對象物1的表面3側，并且越是位于沿著切斷預定線5的激光L的相對移動方向上的前側的位置關系。此外，也可使激光L從加工對象物1的表面3側入射。在此情況下，背面21成為與激光L的入射側相反側的加工對象物1的第1表面，表面3成為激光L的入射側的加工對象物1的第2表面。此外，光遮斷部220也可具有將+n次光遮斷的構件、與將-n次光遮斷的構件，且在相對的構件之間的區(qū)域使第1加工光L1及第2加工光L2通過。此外，光遮斷部220也可僅將被聚光于加工對象物1的±n次光中相對于第1加工光L1及第2加工光L2而被聚光于與激光L的入射側相反側的加工對象物的表面3側的光遮斷、或者僅將+3次光遮斷等、選擇性地遮斷±2次光以上的高次光。產業(yè)上的可利用性根據本發(fā)明，可提供在將激光分支成多個加工光并通過各加工光形成改質區(qū)域的情況下能夠抑制在與激光的入射側相反側的加工對象物的表面上發(fā)生損傷的激光加工裝置及激光加工方法。符號的說明1…加工對象物、3…表面(第1表面)、5…切斷預定線、7…改質區(qū)域、15a…功能元件、16…金屬圖案、17…街道區(qū)域(區(qū)域)、21…背面(第2表面)、202…激光光源、203…反射型空間光調制器(空間光調制器)、204…聚光光學系統(tǒng)、220…光遮斷部、220a…開口、241…4f光學系統(tǒng)(調整光學系統(tǒng))、241a…第1透鏡(第1光學元件)、241b…第2透鏡(第2光學元件)、300…激光加工裝置、L…激光、L1…第1加工光、L2…第2加工光、P1…第1聚光點、P2…第2聚光點。當前第1頁1 2 3