本發(fā)明屬于電子制造領(lǐng)域，涉及一種全金屬間化合物窄間距微焊點(diǎn)的制備方法及結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

在微電子器件及產(chǎn)品的制造過(guò)程中，通過(guò)釬焊回流工藝實(shí)現(xiàn)芯片與封裝載板或者封裝載板與印刷電路板之間的連接是電子封裝的核心技術(shù)之一。釬焊回流時(shí)，采用Sn基釬料與芯片和封裝載板上的焊盤(pán)發(fā)生釬焊反應(yīng)，并在兩側(cè)焊盤(pán)上生成界面金屬間化合物薄層，形成焊點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)芯片到封裝載板的互連。焊點(diǎn)由芯片焊盤(pán)-金屬間化合物-釬料-金屬間化合物-封裝載板焊盤(pán)組成。釬焊后所形成的焊點(diǎn)為芯片或者封裝體提供電能傳遞、信號(hào)傳遞、機(jī)械支撐、導(dǎo)熱通道等功能，因此焊點(diǎn)的制備和性能對(duì)電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要。通常，在釬焊反應(yīng)過(guò)程中界面金屬間化合物的生長(zhǎng)速率較慢，釬焊結(jié)束后焊點(diǎn)中釬料的厚度要遠(yuǎn)大于金屬間化合物的厚度，它們的厚度比為幾十比一，甚至是幾百比一。

目前，電子封裝器件不斷追求高頻高速、多功能、高性能和小體積，一方面導(dǎo)致工作電流密度持續(xù)增大，焦耳熱隨之增大，需要所述的器件在越來(lái)越高的溫度下服役，并保持長(zhǎng)時(shí)間可靠性；另一方面使得互連焊點(diǎn)的尺寸(間距)越來(lái)越小。在此情況下，現(xiàn)有互連技術(shù)存在的主要問(wèn)題是：1、傳統(tǒng)的芯片焊盤(pán)-金屬間化合物-釬料-金屬間化合物-封裝載板焊盤(pán)結(jié)構(gòu)包含多個(gè)連接界面，在較高溫度長(zhǎng)期服役時(shí)，由于金屬間化合物層會(huì)生長(zhǎng)粗化，引起焊盤(pán)/金屬間化合物和金屬間化合物/釬料的界面上形成柯肯達(dá)爾空洞等缺陷，在外力或熱應(yīng)力作用下界面上會(huì)形成裂紋或發(fā)生斷裂，導(dǎo)致焊點(diǎn)失效。2、傳統(tǒng)的釬料均為低熔點(diǎn)合金，如Sn-37Pb、Sn-3.5Ag、Sn-0.7Cu、Sn-3.5Ag-0.5Cu和Sn-9Zn等的熔點(diǎn)均低于230℃，釬料焊點(diǎn)不能在高溫環(huán)境下可靠工作，互連部位相對(duì)較差的高溫服役性能已成為制約高密度封裝發(fā)展的主要瓶頸之一。要想提高焊點(diǎn)的服役溫度必須選擇熔點(diǎn)更高的釬料，然而過(guò)高的釬焊連接溫度會(huì)造成元器件的損傷。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，出現(xiàn)了全金屬間化合物焊點(diǎn)的技術(shù)方案，即在一定條件下使界面反應(yīng)充分進(jìn)行，直至釬料全部轉(zhuǎn)化為金屬間化合物，形成芯片焊盤(pán)-金屬間化合物-封裝載板焊盤(pán)的結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)低溫連接高溫服役的要求。但缺點(diǎn)是常規(guī)釬焊、熱壓鍵合等方法所需釬焊反應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)，生產(chǎn)效率低，且會(huì)因?yàn)樵娱g的互擴(kuò)散而在金屬間化合物層中產(chǎn)生空洞；采用納米金屬間化合物顆粒制備全金屬間化合物焊點(diǎn)，工藝復(fù)雜，制作納米顆粒成本過(guò)高，生成渣滓不易清理；而低溫超聲鍵合方法缺點(diǎn)是工藝復(fù)雜，需要對(duì)生產(chǎn)設(shè)備作較大改動(dòng)，與現(xiàn)有封裝工藝技術(shù)兼容性低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種全金屬間化合物窄間距微焊點(diǎn)的制備方法，通過(guò)釬焊回流時(shí)在焊點(diǎn)內(nèi)形成一定的溫度梯度，加速微焊點(diǎn)兩側(cè)焊盤(pán)金屬原子向液態(tài)釬料中的溶解，從而顯著加速微焊點(diǎn)兩側(cè)界面金屬間化合物的生長(zhǎng)速率，最終得到致密的全金屬間化合物互連窄間距微焊點(diǎn)。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種全金屬間化合物窄間距微焊點(diǎn)的制備方法，包括以下步驟：

步驟一：提供芯片，所述芯片上制備至少一個(gè)第一金屬焊盤(pán)，所述第一金屬焊盤(pán)上制備釬料凸點(diǎn)或釬料層；提供載板，所述載板上制備至少一個(gè)第二金屬焊盤(pán)，所述第二金屬焊盤(pán)上制備可焊層；

所述第一金屬焊盤(pán)和第二金屬焊盤(pán)具有不同的材質(zhì)；

所述第一金屬焊盤(pán)和第二金屬焊盤(pán)具有相同的排布圖形；

所述第一金屬焊盤(pán)為Cu時(shí)，第二金屬焊盤(pán)為Ni；

所述第一金屬焊盤(pán)為Ni時(shí)，第二金屬焊盤(pán)為Cu；

所述釬料凸點(diǎn)或釬料層為Sn、SnCu、SnNi、SnCuNi中的一種；

所屬釬料凸點(diǎn)或釬料層的高度小于50μm；

所述可焊層由Ni、Au、Pd、Ag、OSP、Sn中的一種或幾種組成，且不同于所述第二金屬焊盤(pán)的材質(zhì)；

步驟二：在可焊層的表面涂覆焊劑；

步驟三：將釬料凸點(diǎn)或釬料層和可焊層一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：對(duì)步驟三形成的組合體加熱至所需溫度下進(jìn)行釬焊回流，并使第一金屬焊盤(pán)的溫度低于第二金屬焊盤(pán)的溫度，即在第一金屬焊盤(pán)和第二金屬焊盤(pán)之間形成溫度梯度，直至釬料凸點(diǎn)或釬料層熔化后發(fā)生釬焊反應(yīng)并全部轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匍g化合物；

所述溫度梯度定義為ΔT/Δd，所述ΔT為第二金屬焊盤(pán)上表面與第一金屬焊盤(pán)下表面之間的溫度差，所述Δd為第二金屬焊盤(pán)上表面與第一金屬焊盤(pán)下表面之間的距離；

所述溫度梯度不小于20℃/cm，優(yōu)選為30～300℃/cm；

所述金屬間化合物在第一金屬焊盤(pán)及第二金屬焊盤(pán)上同時(shí)形成生長(zhǎng)；

優(yōu)選的，所述釬料凸點(diǎn)或釬料層的高度為1～30μm；

優(yōu)選的，所述第二金屬焊盤(pán)為Cu；

所述第二金屬焊盤(pán)的厚度，根據(jù)釬料凸點(diǎn)和金屬焊盤(pán)的材質(zhì)，并使釬料在釬焊反應(yīng)中全部反應(yīng)形成金屬間化合物為準(zhǔn)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，優(yōu)選為2～50μm；所述的第二金屬焊盤(pán)的厚度優(yōu)選為2～50μm。

所述第一金屬焊盤(pán)和第二金屬焊盤(pán)在釬焊反應(yīng)后仍有剩余；

所述金屬間化合物為Cu-Sn-Ni三元化合物；

所述第一金屬焊盤(pán)和第二金屬焊盤(pán)之一或兩者同時(shí)可以為單晶或具有擇優(yōu)取向；在所述第一金屬焊盤(pán)和第二金屬焊盤(pán)之一或兩者同時(shí)為單晶或具有擇優(yōu)取向時(shí)，所述Cu-Sn-Ni三元金屬間化合物具有擇優(yōu)取向；

本發(fā)明在步驟四中，使第一金屬焊盤(pán)的溫度低于第二金屬焊盤(pán)的溫度以形成溫度梯度，由于焊點(diǎn)的尺寸微小，即使焊點(diǎn)內(nèi)存在較小的溫度差，仍然會(huì)形成較大的溫度梯度。例如，10μm焊點(diǎn)兩側(cè)焊盤(pán)之間的溫度差為0.1℃時(shí)，所形成的溫度梯度將達(dá)到100℃/cm。溫度梯度的存在引發(fā)焊盤(pán)金屬原子快速溶解到液態(tài)釬料中，從而顯著加速微焊點(diǎn)界面金屬間化合物的生長(zhǎng)速率。

本發(fā)明中的加熱裝置為可形成溫度梯度的加熱器。

本發(fā)明中，在溫度梯度存在的條件下進(jìn)行釬焊回流的過(guò)程中，金屬焊盤(pán)和釬料的材質(zhì)、金屬焊盤(pán)之間的距離、溫度梯度和回流溫度是影響金屬間化合物的生長(zhǎng)速率和結(jié)構(gòu)的最主要因素，其它因素影響較??；金屬間化合物的生長(zhǎng)速率隨溫度梯度的增大而增加。因此，本發(fā)明不限于上述技術(shù)方案中的結(jié)構(gòu)。

一種全金屬間化合物窄間距微焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括芯片上的至少一個(gè)第一金屬焊盤(pán)和載板上的至少一個(gè)第二金屬焊盤(pán)，所述第一金屬焊盤(pán)和第二金屬焊盤(pán)至少其一為單晶或具有擇優(yōu)取向，所述第一金屬焊盤(pán)和第二金屬焊盤(pán)通過(guò)金屬間化合物連接，所述金屬間化合物具有擇優(yōu)取向；

所述第一金屬焊盤(pán)為Cu時(shí)，第二金屬焊盤(pán)為Ni；

所述第一金屬焊盤(pán)為Ni時(shí)，第二金屬焊盤(pán)為Cu；

所述金屬間化合物為Cu-Sn-Ni三元化合物。

本發(fā)明的有益效果是：釬焊回流時(shí)引入溫度梯度促使金屬原子發(fā)生熱遷移，加速金屬焊盤(pán)的溶解及金屬間化合物的生長(zhǎng)；選取Cu和Ni搭配作為微焊點(diǎn)兩側(cè)金屬焊盤(pán)，在溫度梯度作用下使得大量的Cu和Ni原子被溶解進(jìn)入液態(tài)釬料中，被溶解的Cu和Ni原子發(fā)生Cu-Ni交互作用，不僅會(huì)加速金屬間化合物的生長(zhǎng)還進(jìn)一步促進(jìn)焊盤(pán)的溶解；設(shè)置第一和第二金屬焊盤(pán)的間距小于50μm，使Cu-Ni交互作用和熱遷移形成強(qiáng)烈的耦合作用，一方面使得微焊點(diǎn)兩端界面上均生成Cu-Sn-Ni三元金屬間化合物，另一方面不僅會(huì)顯著加速金屬間化合物在溫度相對(duì)較低的第一金屬焊盤(pán)上的形成生長(zhǎng)，而且還加速了金屬間化合物在溫度相對(duì)較高的第二金屬焊盤(pán)上的形成生長(zhǎng)，即大大提高了金屬間化合物總的生長(zhǎng)速率，進(jìn)而提高全金屬間化合物焊點(diǎn)的制作效率。同時(shí)，選取金屬焊盤(pán)為Cu和Ni搭配Sn基釬料，形成Cu-Sn-Ni三元金屬間化合物，消除了Cu₃Sn型金屬間化合物在界面上的形成，可避免微焊點(diǎn)服役過(guò)程中在金屬間化合物與金屬焊盤(pán)之間的界面上形成柯肯達(dá)爾空洞，提高了微焊點(diǎn)的可靠性。此外，金屬焊盤(pán)采用單晶或擇優(yōu)取向金屬材料時(shí)，形成的金屬間化合物具有擇優(yōu)取向，從而提高了微焊點(diǎn)的力學(xué)性能和服役可靠性。形成的全金屬間化合物微焊點(diǎn)融化溫度高，具有較好的熱穩(wěn)定性，采用傳統(tǒng)的回流溫度進(jìn)行釬焊，避免對(duì)元器件的高溫?fù)p傷，與現(xiàn)有半導(dǎo)體及封裝工藝兼容性好，工藝簡(jiǎn)單，制作效率高，實(shí)現(xiàn)低溫互連高溫服役。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明第一金屬焊盤(pán)上制備釬料凸點(diǎn)的組合體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為第一金屬焊盤(pán)上制備釬料層的組合體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明制備的全金屬間化合物微焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：10-芯片；20-第一金屬焊盤(pán)；22-釬料凸點(diǎn)；24-釬料層；30-載板；40第二金屬焊盤(pán)；42可焊層；44焊劑；50金屬間化合物。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

實(shí)施例1：

步驟一：提供芯片10，在所述芯片10上電鍍制備30×30個(gè)厚度為40μm的Cu第一金屬焊盤(pán)20的陣列，在所制得的Cu第一金屬焊盤(pán)20上電鍍純Sn并回流制得高度為30μm的Sn釬料凸點(diǎn)22；提供載板30，在所述載板30上電鍍制備30×30個(gè)厚度為20μm的Ni第二金屬焊盤(pán)40的陣列，在所制得的Ni第二金屬焊盤(pán)40上化學(xué)沉積Sn可焊層42；

步驟二：在Sn可焊層42的表面涂覆焊劑44；

步驟三：將Sn釬料凸點(diǎn)22和Sn可焊層42一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：加熱步驟三形成的組合體并進(jìn)行釬焊回流，使Cu第一金屬焊盤(pán)20的溫度達(dá)到250℃且低于Ni第二金屬焊盤(pán)40的溫度，即在Cu第一金屬焊盤(pán)20和Ni第二金屬焊盤(pán)40之間形成20℃/cm的溫度梯度，直至Sn釬料凸點(diǎn)22熔化后反應(yīng)完畢全部轉(zhuǎn)變?yōu)?Cu,Ni)₆Sn₅金屬間化合物50，制得全金屬間化合物微焊點(diǎn)。

實(shí)施例2：

步驟一：提供芯片10，在所述芯片10上電鍍制備20×30個(gè)厚度為2μm的Ni第一焊盤(pán)20的陣列，在所制得的Ni第一焊盤(pán)20濺射厚度為1μm的Sn釬料層24；提供載板30，在所述載板30上電鍍制備20×30個(gè)厚度為5μm的Cu第二金屬焊盤(pán)40的陣列，在所制得的Cu第二金屬焊盤(pán)40上化學(xué)沉積OSP可焊層42；

步驟二：在OSP可焊層42的表面涂覆焊劑44；

步驟三：將Sn釬料層24和OSP可焊層42一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：加熱步驟三形成的組合體并進(jìn)行釬焊回流，使Ni第一金屬焊盤(pán)20的溫度達(dá)到250℃且低于Cu第二金屬焊盤(pán)40的溫度，即在Cu第一金屬焊盤(pán)20和Cu第二金屬焊盤(pán)40之間形成30℃/cm的溫度梯度，直至Sn釬料層24熔化后反應(yīng)完畢全部轉(zhuǎn)變?yōu)?Cu,Ni)₆Sn₅金屬間化合物50，制得全金屬間化合物微焊點(diǎn)。

實(shí)施例3：

步驟一：提供芯片10，在所述芯片10上電鍍制備20×30個(gè)厚度為50μm的Cu第一焊盤(pán)20的陣列，在所制得的Cu第一焊盤(pán)20上植Sn0.5Cu釬料球并回流制得高度為30μm的Sn0.5Cu釬料凸點(diǎn)22；提供載板30，在所述載板30上電鍍制備20×30個(gè)厚度為15μm的Ni第二金屬焊盤(pán)40的陣列，在所制得的Ni第二金屬焊盤(pán)40上化學(xué)鍍Au可焊層42；

步驟二：在Au可焊層42的表面涂覆焊劑44；

步驟三：將Sn0.5Cu釬料凸點(diǎn)22和Au可焊層42一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：加熱步驟三形成的組合體并進(jìn)行釬焊回流，使Cu第一金屬焊盤(pán)20的溫度達(dá)到250℃且低于Ni第二金屬焊盤(pán)40的溫度，即在Cu第一金屬焊盤(pán)20和Ni第二金屬焊盤(pán)40之間形成50℃/cm的溫度梯度，直至Sn0.5Cu釬料凸點(diǎn)22熔化后反應(yīng)完畢全部轉(zhuǎn)變?yōu)?Cu,Ni)₆Sn₅金屬間化合物50，制得全金屬間化合物微焊點(diǎn)。

實(shí)施例4：

步驟一：提供芯片10，在所述芯片10上濺射制備40×30個(gè)厚度為2μm的單晶Ni第一焊盤(pán)20的陣列，在所制得的單晶Ni第一焊盤(pán)20上電鍍制備厚度為1μm的Sn釬料層24；提供載板30，在所述載板30上電鍍制備40×30個(gè)厚度為5μm的Cu第二金屬焊盤(pán)40的陣列，在所制得的Cu第二金屬焊盤(pán)40上電鍍制備N(xiāo)i/Pd/Au可焊層42；

步驟二：在Ni/Pd/Au可焊層42的表面涂覆焊劑44；

步驟三：將Sn釬料層24和Ni/Pd/Au可焊層42一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：對(duì)步驟三形成的組合體進(jìn)行釬焊回流，使單晶Ni第一金屬焊盤(pán)20的溫度達(dá)到280℃且低于Cu第二金屬焊盤(pán)40的溫度，即在單晶Ni第一金屬焊盤(pán)20和Cu第二金屬焊盤(pán)40之間形成100℃/cm的溫度梯度，直至Sn釬料層24熔化后反應(yīng)完畢全部轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂袚駜?yōu)取向的(Cu,Ni)₆Sn₅金屬間化合物50，制得擇優(yōu)取向金屬間化合物微焊點(diǎn)。

實(shí)施例5：

步驟一：提供芯片10，在所述芯片10上電鍍制備30×30個(gè)厚度為20μm的擇優(yōu)取向Cu第一焊盤(pán)20的陣列，在所制得的擇優(yōu)取向Cu第一焊盤(pán)20上電鍍制備12μm的SnCuNi釬料層24；提供載板30，在所述載板30上電鍍制備30×30個(gè)厚度為15μm的擇優(yōu)取向Ni第二金屬焊盤(pán)40的陣列，在所制得的擇優(yōu)取向Ni第二金屬焊盤(pán)40上電鍍制備Au可焊層42；

步驟二：在Au可焊層42的表面涂覆焊劑44；

步驟三：將SnCuNi釬料層24和Au可焊層42一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：對(duì)步驟三形成的組合體進(jìn)行釬焊回流，使擇優(yōu)取向Cu第一金屬焊盤(pán)20的溫度達(dá)到260℃且低于擇優(yōu)取向Ni第二金屬焊盤(pán)40的溫度，即在擇優(yōu)取向Cu第一金屬焊盤(pán)20和擇優(yōu)取向Ni第二金屬焊盤(pán)40之間形成150℃/cm的溫度梯度，直至SnCuNi釬料層24熔化后反應(yīng)完畢全部轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂袚駜?yōu)取向的(Cu,Ni)₆Sn₅金屬間化合物50，制得擇優(yōu)取向金屬間化合物微焊點(diǎn)。

實(shí)施例6：

步驟一：提供芯片10，在所述芯片10上濺射制備100×100個(gè)厚度為1μm的單晶Ni第一焊盤(pán)20的陣列，在所制得的單晶Ni第一焊盤(pán)20上濺射制備厚度為1μm的SnNi釬料層24；提供載板30，在所述載板30上濺射制備100×100個(gè)厚度為3μm的單晶Cu第二金屬焊盤(pán)40的陣列，在所制得的單晶Cu第二金屬焊盤(pán)40上化學(xué)沉積OSP可焊層42；

步驟二：在OSP可焊層42的表面涂覆焊劑44；

步驟三：將SnNi釬料層24和OSP可焊層42一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：對(duì)步驟三形成的組合體進(jìn)行釬焊回流，使單晶Ni第一金屬焊盤(pán)20的溫度達(dá)到260℃且低于單晶Cu第二金屬焊盤(pán)40的溫度，在單晶Ni第一金屬焊盤(pán)20和單晶Cu第二金屬焊盤(pán)40之間形成200℃/cm的溫度梯度，直至SnNi釬料層24熔化后反應(yīng)完畢全部轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂袚駜?yōu)取向的(Cu,Ni)₆Sn₅金屬間化合物50，制得擇優(yōu)取向全金屬間化合物微焊點(diǎn)。

實(shí)施例7：

步驟一：提供芯片10，在所述芯片10上電鍍制備50×50個(gè)厚度為10μm的Ni第一焊盤(pán)20的陣列，在所制得的Ni第一焊盤(pán)20上電鍍厚度為20μm的Sn釬料層24；提供載板30，在所述載板30上電鍍制備50×50個(gè)厚度為30μm的Cu第二金屬焊盤(pán)40的陣列，在所制得的Cu第二金屬焊盤(pán)40上電鍍Au可焊層42；

步驟二：在Au可焊層42的表面涂覆焊劑44；

步驟三：將Sn釬料層24和Au可焊層42一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：對(duì)步驟三形成的組合體進(jìn)行釬焊回流，使Ni第一金屬焊盤(pán)20的溫度達(dá)到270℃且低于Cu第二金屬焊盤(pán)40的溫度，在Ni第一金屬焊盤(pán)20和Cu第二金屬焊盤(pán)40之間形成250℃/cm的溫度梯度，直至Sn釬料層24熔化后反應(yīng)完畢全部轉(zhuǎn)變?yōu)?Cu,Ni)₆Sn₅金屬間化合物50，制得全金屬間化合物微焊點(diǎn)。

實(shí)施例8：

步驟一：提供芯片10，在所述芯片10上電鍍制備200×200個(gè)厚度為25μm的Cu第一焊盤(pán)20的陣列，在所制得的Cu第一焊盤(pán)20電鍍厚度為5μm的Sn釬料層24；提供載板30，在所述載板30上電鍍制備200×200個(gè)厚度為15μm的Ni第二金屬焊盤(pán)40的陣列，在所制得的Ni第二金屬焊盤(pán)40上電鍍Au可焊層42；

步驟二：在Au可焊層42的表面涂覆焊劑44；

步驟三：將Sn釬料層24和Au可焊層42一一對(duì)準(zhǔn)，并接觸放置，形成一個(gè)組合體；

步驟四：對(duì)步驟三形成的組合體進(jìn)行釬焊回流，使Cu第一金屬焊盤(pán)20的溫度達(dá)到180℃且低于Ni第二金屬焊盤(pán)40的溫度，在Cu第一金屬焊盤(pán)20和Ni第二金屬焊盤(pán)40之間形成300℃/cm的溫度梯度，直至Sn釬料層24熔化后反應(yīng)完畢全部轉(zhuǎn)變?yōu)?Cu,Ni)₆Sn₅金屬間化合物50，制得全金屬間化合物微焊點(diǎn)。

上述實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，并不用以限制本發(fā)明，所用材料和工藝條件僅限于上述實(shí)施例，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。