光照射設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光照射設(shè)備，并且更明確地說(shuō)涉及能夠抑制透射窗溫度升高的光照射設(shè)備，所述溫度升高是由于從襯底反射的光造成的透射窗溫度失衡所致。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示器和光伏裝置的制造中，涉及到用于使非晶多晶薄膜(例如，非晶多晶硅薄膜)結(jié)晶的熱處理工藝。此處，如果使用玻璃作為襯底，那么可通過(guò)使用激光來(lái)使非晶多晶薄膜結(jié)晶。然而，當(dāng)非晶多晶薄膜與氧氣(O2)反應(yīng)時(shí)，非晶多晶薄膜可能會(huì)被氧化而產(chǎn)生氧化物薄膜并且還被雜質(zhì)污染或者造成性質(zhì)改變。
[0003]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的激光襯底處理設(shè)備包含:處理室10，具有對(duì)襯底I進(jìn)行處理的內(nèi)部空間；臺(tái)2，設(shè)置在處理室10中以沿工藝進(jìn)行方向來(lái)移動(dòng)置于其上的襯底；透射窗40，設(shè)置在處理室10的上方部分上以允許激光透射穿過(guò)；光源30，在處理室10的外部設(shè)置在透射窗40的上方部分處以輸出激光；以及收集器50，在處理室10的外部設(shè)置在透射窗40上方以吸收從襯底I反射并透射穿過(guò)透射窗40的反射光(見圖8)。
[0004]從光源30輸出并接著照射到襯底I中的激光61可沿與激光61入射的方向?qū)ΨQ的相反方向(即，沿向上方向(激光62))反射并再透射穿過(guò)透射窗40，并且接著入射到設(shè)置在透射窗40上方的收集器50中。此處，激光可能會(huì)通過(guò)收集器50而部分偏移，但是不會(huì)完全耗散。激光可能會(huì)被收集器50再反射并接著入射到透射窗40中。因?yàn)榉瓷涔庵貜?fù)地入射到透射窗40中而使透射窗40的溫度不斷升高，所以透射窗40可能會(huì)具有不均勻的溫度。因此，當(dāng)激光透射穿過(guò)透射窗40并接著照射到襯底I上以進(jìn)行結(jié)晶工藝時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生不均(Mura)。
[0005]并且，因?yàn)榧す獗恢貜?fù)地吸收到收集器50中，所以收集器50可能會(huì)溫度升高。因此，收集器50的周邊部分可能會(huì)溫度升高并且可能會(huì)熱變形。這可能是使照射到襯底I上的激光束移位的因素。
[0006](專利文件I)第2011-0071591號(hào)韓國(guó)專利公開

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種能夠抑制透射窗溫度升高的光照射設(shè)備，所述溫度升高是由于從襯底反射的光造成的透射窗溫度失衡所致。
[0008]本發(fā)明還提供一種用于防止從襯底反射的光再反射到透射窗中的光照射設(shè)備。
[0009]根據(jù)示范性實(shí)施例，一種用于將光照射到襯底上以處理所述襯底的光照射設(shè)備包含:透射窗，所述光透射穿過(guò)所述透射窗；第一收集器，設(shè)置在所述透射窗上方并且向上傾斜到所述透射窗的外部，所述第一收集器使在從所述襯底反射之后透射穿過(guò)所述透射窗的反射光一次偏移；以及第二收集器，設(shè)置在所述第一收集器與所述透射窗之間并且設(shè)置在相對(duì)于所述透射窗的中心軸比所述第一收集器更向外處，所述第二收集器使從所述第一收集器一次偏移的所述反射光二次偏移以耗散所述二次偏移的反射光。
[0010]所述第一收集器可沿設(shè)置所述第二收集器的方向向上傾斜。
[0011]所述第一收集器的至少一底表面可向上傾斜以面向所述第二收集器。
[0012]所述第一收集器可包含:第一主體，設(shè)置在所述透射窗上方并且沿設(shè)置所述第二收集器的所述方向向上傾斜，以使得所述第一收集器的至少所述底表面面向所述第二收集器，所述第一主體使在從所述襯底反射之后透射穿過(guò)所述透射窗的所述反射光一次偏移；以及冷卻塊，設(shè)置在所述第一主體上以允許制冷劑在其中循環(huán)。
[0013]所述第一收集器的傾斜角可為銳角。
[0014]多個(gè)突出部可設(shè)置在所述第一主體的底表面上。
[0015]所述第一主體可包含散熱器。
[0016]所述第一收集器可包含:第一蓋，覆蓋所述第一主體的所述底表面以界定內(nèi)部空間，所述第一蓋允許所述光透射穿過(guò)；以及第一氣體管，經(jīng)設(shè)置以與所述第一主體與所述第一蓋之間的所述空間連通，所述第一氣體管將氣體供應(yīng)到所述第一主體與所述第一蓋之間的所述空間中或者將氣體排空。
[0017]所述第一收集器可延伸以使得所述第一收集器的所述底表面的一部分經(jīng)設(shè)置以與所述透射窗的頂表面的上側(cè)對(duì)應(yīng)，并且所述第一收集器的所述底表面的其余部分經(jīng)設(shè)置以與所述第二收集器的上側(cè)對(duì)應(yīng)。
[0018]所述第二收集器可包含設(shè)置在所述第一收集器之下的第二主體并且在其一個(gè)表面上具有面向所述第一收集器的所述底表面的多個(gè)突出部。
[0019]所述第二主體可包含:下方主體，設(shè)置在所述第一收集器之下，所述下方主體在其一個(gè)表面上具有面向所述第二收集器的底表面的多個(gè)突出部；以及上方主體，設(shè)置在所述第一收集器與所述下方主體之間，所述上方主體具有朝所述下方主體突出的多個(gè)突出部。
[0020]所述第二主體可包含將所述下方主體連接到所述上方主體并且在其內(nèi)側(cè)表面上具有多個(gè)突出部的連接主體。
[0021]所述下方主體可具有比所述上方主體的左/右長(zhǎng)度大的左/右長(zhǎng)度。
[0022]當(dāng)所述下方主體和所述上方主體中的每一者的兩端中的相對(duì)鄰近于所述透射窗的一者被界定為一端，并且另一者被界定為另一端時(shí)，所述上方主體的所述另一端可經(jīng)設(shè)置以與所述下方主體的所述另一端的上側(cè)對(duì)應(yīng)，并且所述下方主體的所述一端可比所述上方主體更鄰近于所述透射窗以在設(shè)置所述第一收集器的方向上的所述下方主體的所述一端與所述上方主體的所述一端之間界定開口。
[0023]所述連接主體可將所述下方主體的所述另一端連接到所述上方主體的所述另一端。
[0024]所述光照射設(shè)備可還包含第二蓋，其覆蓋所述下方主體的所述一端與所述上方主體的所述一端之間的空間以允許所述光透射穿過(guò)。
[0025]所述光照射設(shè)備可還包含第二氣體管，其經(jīng)設(shè)置以與所述下方主體與所述上方主體之間的所述空間連通，由此將所述氣體供應(yīng)到所述下方主體與所述上方主體之間的所述空間中或者將所述氣體排空。
[0026]設(shè)置在所述第二收集器上的所述多個(gè)突出部中的每一者可具有比設(shè)置在所述第一收集器上的所述多個(gè)突出部中的每一者的直徑小的直徑。
[0027]所述下方主體的頂表面可包含從所述下方主體的所述一端朝所述下方主體的所述另一端向下傾斜的向下傾斜部分。
[0028]所述上方主體的底表面可包含從所述上方主體的所述一端朝所述上方主體的所述另一端向上傾斜的向上傾斜部分。
【附圖說(shuō)明】
[0029]可結(jié)合附圖從以下描述更詳細(xì)地理解示范性實(shí)施例。
[0030]圖1是根據(jù)實(shí)施例的襯底處理設(shè)備的截面圖。
[0031]圖2是從正面觀看時(shí)的根據(jù)實(shí)施例的襯底處理設(shè)備的光照射模塊的三維切開圖。
[0032]圖3是根據(jù)實(shí)施例的襯底處理設(shè)備的正視截面圖。
[0033]圖4是從上方觀看時(shí)的根據(jù)實(shí)施例的第一和第二收集器的三維視圖。
[0034]圖5是沿圖4中的A' -A"線截取的第一和第二收集器的截面圖。
[0035]圖6是從下側(cè)觀看時(shí)的根據(jù)實(shí)施例的第一收集器的一部分的三維視圖。
[0036]圖7是根據(jù)實(shí)施例的第二收集器的一部分的放大三維視圖。
[0037]圖8是一般襯底處理設(shè)備的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下文中，將參看附圖詳細(xì)描述特定實(shí)施例。然而，本發(fā)明可按不同形式體現(xiàn)且不應(yīng)視為限于本文中闡述的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例以使得本發(fā)明將為詳盡且完整的，且將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。
[0039]圖1是根據(jù)實(shí)施例的襯底處理設(shè)備的截面圖，圖2是從正面觀看時(shí)的根據(jù)實(shí)施例的襯底處理設(shè)備的光照射模塊的三維切開圖，圖3是根據(jù)實(shí)施例的襯底處理設(shè)備的正視截面圖，圖4是從上方觀看時(shí)的根據(jù)實(shí)施例的第一和第二收集器的三維視圖，圖5是沿圖4中的A' -A"線截取的第一和第二收集器的截面圖，圖6是從下側(cè)觀看時(shí)的根據(jù)實(shí)施例的第一收集器的一部分的三維視圖，圖7是根據(jù)實(shí)施例的第二收集器的一部分的放大三維視圖，以及圖8是一般襯底處理設(shè)備的框圖。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底處理設(shè)備可為用于將光照射到襯底S上以對(duì)襯底S進(jìn)行熱處理由此使形成在襯底S上的薄膜11結(jié)晶的熱處理設(shè)備或光照射設(shè)備。
[0041]參看圖1到圖3，根據(jù)實(shí)施例的襯底處理