專利名稱：研磨用組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于研磨諸如磁盤基片等的研磨用組合物。
背景技術(shù)：
當(dāng)使用磁盤基片制造磁盤時(shí)，通常要研磨去除基片表面的起伏以及使表面光滑。一般使用包括研磨劑和研磨促進(jìn)劑的研磨用組合物來研磨基片表面。
然而，當(dāng)使用常規(guī)研磨用組合物研磨基片表面時(shí)，與外周部分之外的其他表面部分相比，基片表面的外周部分被過度研磨。這阻礙了磁盤容量的增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供一種研磨用組合物，當(dāng)使用這種研磨用組合物來研磨磁盤基片表面時(shí)，可以防止基片表面的外周部分被過度研磨。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種包含研磨劑、研磨促進(jìn)劑和水的研磨用組合物。該研磨用組合物進(jìn)一步包括表示為下述通式的化合物 字母X表示聚醚多元醇的殘基。字母m表示相等于一個(gè)聚醚多元醇分子中的羥基數(shù)的數(shù)字。字母Y表示二價(jià)烴基。字母Z表示具有活性氫原子的單價(jià)化合物的殘基。字母n表示相等于或者大于3的整數(shù)。
本發(fā)明還提供一種包括研磨劑、研磨促進(jìn)劑和水的研磨用組合物。該研磨用組合物進(jìn)一步包括一種衍生自異戊二烯磺酸或其鹽的單體單元的聚合物。
結(jié)合附圖、以實(shí)施例方式的闡述以及本發(fā)明的原理，本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)將從以下的描述中變得明顯。


本發(fā)明以及其目的和優(yōu)點(diǎn)可以通過參考下面對現(xiàn)有優(yōu)選實(shí)施例的描述以及下述附圖得以最好的理解，其中圖1(a)是解釋軋去(roll-off)圖；和圖1(b)是解釋垂平(dub-off)圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在描述本發(fā)明的第一實(shí)施方式。
依照本發(fā)明的第一實(shí)施方式的研磨用組合物由表示為下面通式(1)的化合物、研磨劑、研磨促進(jìn)劑和水構(gòu)成。 在通式(1)中，字母X表示聚醚多元醇的殘基。聚醚多元醇優(yōu)選由包括活性氫原子和環(huán)氧烷烴的化合物引發(fā)合成制得的。聚醚多元醇的聚醚鏈優(yōu)選包含20～90重量％的氧乙撐基團(tuán)。字母m等于一個(gè)聚醚多元醇分子中的羥基數(shù)。字母m優(yōu)選為2～8的整數(shù)。字母Y表示二價(jià)烴基。字母Z表示具有活性氫原子的單價(jià)化合物的殘基。字母Y和Z的具體例子是由環(huán)氧乙烷和環(huán)氧丙烷中的至少一個(gè)與碳原子數(shù)小于或者等于8的低級醇或者烴基通過加聚形成的加聚物。字母n表示至少為3的整數(shù)。
首先，對表示為上面通式(1)的化合物進(jìn)行描述。
通式(1)表示的化合物是一種抑制劑，當(dāng)使用依照本發(fā)明的第一實(shí)施方式的研磨用組合物來研磨磁盤基片的表面時(shí)，與外周部分以外的其他表面部分相比，該抑制劑可防止基片表面的外周部分被過度研磨。
由通式(1)表示的化合物的具體實(shí)例是聚氨酯表面活性劑，如AKZO NOBEL制造的UHBERMODE PUR系列，ASAHI DENKA CO.，LTD.制造的ADEKA NOL系列，以及Rohmand Hass公司制造的Primal系列。
依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中包含的通式(1)表示的化合物的量優(yōu)選在0.001～1重量％之間，更優(yōu)選在0.005～0.5重量％之間，最優(yōu)選在0.005～0.3重量％之間。
現(xiàn)在描述研磨劑。
當(dāng)使用依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物研磨磁盤基片表面時(shí)，研磨劑機(jī)械地研磨基片的表面。
研磨劑地具體實(shí)例為氧化鋁，如α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ-氧化鋁和鍛制氧化鋁；二氧化硅，如膠體二氧化硅和鍛制二氧化硅；氧化鈰，如二氧化鈰，三氧化二鈰、六方晶體二氧化鈰、立方二氧化鈰和面心立方二氧化鈰；氧化鋯，如鍛制氧化鋯，單斜氧化鋯，四方晶氧化鋯和無定形氧化鋯；氧化鈦，如一氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦、和鍛制鈦；氮化硅，如α-氮化硅、β-氮化硅和無定形氮化硅；以及碳化硅，如α-碳化硅、β-碳化硅和無定形碳化硅。依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中包含的研磨劑的種類數(shù)可以是一種、兩種或者更多。
當(dāng)研磨劑是二氧化硅時(shí)，由基于BET方法測得的來自表面區(qū)域的研磨劑的平均粒徑優(yōu)選在0.005～0.5μm之間，更優(yōu)選在0.01～0.3μm之間。當(dāng)研磨劑是氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或者碳化硅時(shí)，通過激光衍射粒徑分析儀(例如Beckman Coulter公司制造的LS-230)測得的研磨劑的平均粒徑(D50％)優(yōu)選在0.05～2μm之間，更優(yōu)選在0.1～1.5μm之間。當(dāng)研磨劑是氧化鈰時(shí)，通過掃描電鏡測得的研磨劑的平均粒徑優(yōu)選在0.01～0.5μm之間，更優(yōu)選在0.05～0.45μm之間。
依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中包含的研磨劑量優(yōu)選在0.1～40重量％，更優(yōu)選在1～25重量％。
現(xiàn)在描述研磨促進(jìn)劑。
當(dāng)使用依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物研磨磁盤基片表面時(shí)，研磨促進(jìn)劑化學(xué)地研磨基片表面。
研磨促進(jìn)劑的具體實(shí)例為蘋果酸、羥基乙酸、丁二酸、檸檬酸、馬來酸、衣康酸、丙二酸、亞氨二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、苦杏仁酸、丁烯酸、煙堿酸、乙酸、甘氨酸、丙氨酸、硫代乙酸、氫硫基丁二酸、硫代丁二酸羧乙基酯、硝酸鋁、硫酸鋁和硝酸鐵(III)。優(yōu)選的研磨促進(jìn)劑為蘋果酸、羥基乙酸、丁二酸和檸檬酸。特別優(yōu)選的研磨促進(jìn)劑是丁二酸。依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物種含有的研磨促進(jìn)劑種類數(shù)量可以僅為一種，或者兩種或更多。
依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的研磨促進(jìn)劑的量優(yōu)選在0.01～25重量％之間，更優(yōu)選在0.1～20重量％之間，最優(yōu)選在0.2～10重量％之間。
現(xiàn)對水進(jìn)行描述。
依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中，水用來作為通式(1)表示的化合物、研磨劑和研磨促進(jìn)劑的分散介質(zhì)和溶劑。優(yōu)選水不含有雜質(zhì)。更具體地講，水優(yōu)選為經(jīng)過濾的離子交換水和蒸餾水。
依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物是通過將通式(1)表示的化合物、研磨劑和研磨促進(jìn)劑與水混合后溶解分散制得的。在混合中可以使用葉片式攪拌器或者超聲波分散器。
依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物的pH值優(yōu)選在2～7之間。
第一實(shí)施方式提供下面的優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)使用依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物研磨磁盤基片的表面時(shí)，與外周部分以外的其他表面部分相比，可以防止基片表面的外周部分被過度研磨。這使磁盤的容量得以增加。由于研磨用組合物含有通式(1)表示的化合物，依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物抑制過度研磨基片表面的外周部分。通式(1)表示的化合物充分地減少基片和用來研磨基片的研磨墊之間的摩擦。因此認(rèn)為摩擦的減少抑制了基片表面的外周部分的過度研磨。
當(dāng)依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的通式(1)表示的化合物量大于或等于0.001重量％時(shí)，所提供的研磨用組合物能充分抑制基片表面的外周部分被過度研磨。當(dāng)通式(1)表示的化合物的量大于或等于0.005重量％時(shí)，能有效抑制對基片表面的外周部分的過度研磨。
當(dāng)包含在研磨用組合物中的通式(1)表示的化合物的量小于或者等于1重量％時(shí)，可以防止因加入過多的化合物而引起的研磨速度的極度降低和成本的增加。當(dāng)通式(1)表示的化合物的含量小于或者等于0.5重量％時(shí)，可以更可靠地防止研磨速度的極度降低。當(dāng)通式(1)表示的化合物小于或者等于0.3重量％時(shí)，可以實(shí)質(zhì)上必然地防止研磨速度的極度降低。
當(dāng)研磨劑為二氧化硅時(shí)，研磨劑的平均粒徑大于或者等于0.005μm、當(dāng)研磨劑為氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或者碳化硅時(shí)，平均粒徑大于或者等于0.05μm、研磨劑為氧化鈰時(shí)，平均粒徑大于或者等于0.01μm時(shí)，可以防止由于研磨劑的過度小粒徑引起的研磨速度的極度降低。當(dāng)研磨劑為二氧化硅時(shí)，研磨劑的平均粒徑大于或者等于0.01μm、研磨劑為氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或者碳化硅時(shí)，平均粒徑大于或者等于0.1μm、研磨劑為氧化鈰時(shí)，平均粒徑大于或者等于0.05μm時(shí)，可以更可靠地防止研磨速度的極度降低。
當(dāng)研磨劑為二氧化硅或者氧化鈰時(shí)，研磨劑的平均粒徑小于或者等于0.5μm、研磨劑為氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或者碳化硅時(shí)，平均粒徑小于或者等于2μm時(shí)，可以防止由于過大的研磨劑的平均粒徑引起的研磨表面的表面粗糙度的增加和劃痕的形成。當(dāng)研磨劑為二氧化硅時(shí)，研磨劑的平均粒徑小于或者等于0.3μm、研磨劑為氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或者碳化硅時(shí)，平均粒徑小于或者等于1.5μm，研磨劑為氧化鈰的情形，研磨劑的平均粒徑小于或者等于0.45μm時(shí)，可以更可靠地防止研磨表面的表面粗糙度的增加。
當(dāng)依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的研磨劑的量大于或者等于0.1重量％時(shí)，可以防止由于研磨劑含量不足而引起的研磨速度的降低。當(dāng)研磨劑的含量大于或者等于1重量％時(shí)，可以更可靠的防止研磨速度的降低。
當(dāng)依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的研磨劑的量小于或者等于40重量％時(shí)，可以防止由于過多的研磨劑含量而引起的粘度增加、研磨墊堵塞和研磨表面的表面缺陷。當(dāng)含量小于或者等于25重量％時(shí)，可以更可靠地防止粘度增加、研磨墊堵塞和研磨表面的表面缺陷。粘度的增加使研磨用組合物的可操作性降低。
當(dāng)研磨促進(jìn)劑為蘋果酸、羥基乙酸、丁二酸、或檸檬酸時(shí)，研磨速度增加且抑制了研磨表面上表面缺陷的形成。當(dāng)研磨促進(jìn)劑為丁二酸時(shí)，研磨速度進(jìn)一步增加，可以更可靠地抑制研磨表面上的表面缺陷的形成。
當(dāng)依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的研磨促進(jìn)劑的量大于或者等于0.01重量％時(shí)，可以防止由于研磨促進(jìn)劑含量不足而引起的研磨速度下降。當(dāng)含量大于或者等于0.1重量％時(shí)，可以更可靠地防止研磨速度的降低。當(dāng)含量大于或者等于0.2重量％時(shí)，可以實(shí)質(zhì)上必然地防止研磨速度的降低。
當(dāng)依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的研磨促進(jìn)劑的量小于或者等于25重量％時(shí)，可以防止由于過量研磨促進(jìn)劑引起的成本增加。當(dāng)含量低于或者等于20重量％時(shí)，更可靠地防止成本增加。當(dāng)含量小于或者等于10重量％時(shí)，可以實(shí)質(zhì)上必然地防止成本增加。
當(dāng)依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物的pH值大于或者等于2時(shí)，可以防止研磨用研磨機(jī)被研磨用組合物腐蝕。
當(dāng)依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物的pH值小于或者等于7時(shí)，可以防止由于研磨用組合物為堿性而引起的研磨速度的降低、研磨表面的表面粗糙度增加和研磨表面的劃痕形成。
現(xiàn)在將描述本發(fā)明的第二實(shí)施方式。
依照第二實(shí)施方式由具有衍生自異戊二烯磺酸或其鹽的單體單元的聚合物、研磨劑、研磨促進(jìn)劑和水。
聚合物用作抑制劑，當(dāng)使用依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物研磨磁盤的基片的表面時(shí)，與外周部分以外的其他表面部分相比，可防止基片表面的外周部分被過度研磨。
聚合物可以包括不是衍生自異戊二烯磺酸或其鹽的單體單元。不是衍生自異戊二烯磺酸或其鹽的單體單元的例子為該單體單元衍生自異戊二烯或者丙烯酸。
依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的聚合物量優(yōu)選在0.001～1重量％之間，更優(yōu)選在0.005～0.5重量％之間，最優(yōu)選在0.005～0.3重量％之間。
依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物是通過將聚合物、研磨劑和研磨促進(jìn)劑與水混合后溶解和分散后制得的。
依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物的pH值優(yōu)選在2～7之間。
依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的通式(1)表示的化合物被依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物中的聚合物代替。因此，依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物除了第一實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)以外還有以下優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)使用依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物來研磨磁盤基片表面時(shí)，與除外周部分以外的其他部分相比，可以防止基片表面的外周部分被過度研磨。由于研磨用組合物中含有聚合物，第二實(shí)施方式的研磨用組合物可以抑制對基片表面外周部分的過度研磨。與通式(1)表示的化合物相同的方式，聚合物減少了在基片和用來研磨基片的研磨墊之間產(chǎn)生的摩擦力。因此認(rèn)為摩擦力的減少抑制了基片表面的外周部分的過度研磨。
當(dāng)依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的聚合物量大于或者等于0.001重量％，可以提供能夠充分地抑制基片表面的外周部分過度研磨的研磨用組合物。該研磨用組合物還允許以一個(gè)充分的速度來研磨基片的表面。當(dāng)聚合物的含量大于或者等于0.005重量％時(shí)，可以有效地抑制基片表面的外周部分的過度研磨。
當(dāng)依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物中含有的聚合物量小于或者等于1重量％時(shí)，可以防止因加入聚合物引起的研磨速度的極度降低和成本的增加。當(dāng)聚合物含量小于或者等于0.5重量％時(shí)，可以更可靠地防止研磨速度極度降低。當(dāng)聚合物含量小于或者等于0.3重量％時(shí)，可以實(shí)質(zhì)上必然地防止研磨速度的極度降低。
本發(fā)明可以以其他具體的形式來體現(xiàn)而不脫離本發(fā)明的精神和范圍，這對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是明顯的。尤其是應(yīng)該理解成本發(fā)明可以表現(xiàn)為下面的形式。
依照第一實(shí)施方式的研磨用組合物可以進(jìn)一步包括具有衍生自異戊二烯磺酸或其鹽的單體單元的聚合物。
依照第二實(shí)施方式的研磨用組合物可以進(jìn)一步包括由通式(1)表示的化合物。
依照第一和第二實(shí)施方式的研磨用組合物可以進(jìn)一步包括通常包含在常用研磨用組合物中的添加劑。添加劑的例子為纖維素類，如纖維素、羧甲基纖維素和羥乙基纖維素；水溶性醇類，如乙醇、丙醇和乙二醇；表面活性劑，如烷基苯磺酸鈉和萘磺酸的福爾馬林冷凝物；聚合有機(jī)陰離子材料，如木質(zhì)素磺酸鹽和聚丙烯酸鹽；水溶性聚合物(乳化劑)，如聚乙烯醇；螯合劑，如二甲基乙二肟、雙硫腙、8-羥基喹啉鹽、乙酰丙酮、EDTA和NTA；消毒劑，如藻酸鈉和重碳酸鉀；無機(jī)鹽，如硫酸鋁，硫酸鎳、硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鐵和鉬酸氨；高脂肪酸胺；磺酸鹽；防銹劑；和水溶性乳化油。
依照第一和第二實(shí)施方式的研磨用組合物可以是原液，該原液包括高濃度的通式(1)表示的化合物或者聚合物、研磨劑和研磨促進(jìn)劑。原液在用于研磨之前用水進(jìn)行稀釋。在這種情形下，提高了貯存和運(yùn)輸中的研磨用組合物的可操作性。
依照第一和第二實(shí)施方式的研磨用組合物除了用來研磨磁盤外還可以用來研磨研磨元件。在該種情形下，與除了邊緣鄰接部分以外的其他研磨表面相比，可以防止研磨表面邊緣鄰接部分被過度研磨。
現(xiàn)在將參考實(shí)施例和對比例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
將20重量％的氧化鋁(平均粒徑為0.8μm)研磨劑、示于下表1中的研磨促進(jìn)劑和抑制劑與離子交換水混合后制備實(shí)施例1～31以及對比例1～4的研磨用組合物。在下面的研磨條件下使用各例子中的研磨用組合物研磨磁盤基片的頂表面和底表面。
基片鍍有無電鍍鎳磷鍍層的φ3.5英寸(約95mm)基片研磨機(jī)具有尺寸為φ720mm的上、下機(jī)器壓板的雙面研磨機(jī)研磨墊Kanebo公司制造的BELLATRIX N0048研磨負(fù)荷100g/cm2(約10kPa)上壓板轉(zhuǎn)速24rpm下壓板轉(zhuǎn)速16rpm研磨用組合物供給量150ml/min研磨量在整個(gè)基片的兩個(gè)表面上3μm在基片被研磨后通過ADE Phase Shift(美國)制造的MicroXAM在基片的外周部分來測試軋去(roll-off)的Vr值。所測得的值Vr被代入下面的公式(2)中以得到軋去(roll-off)的下降率。如果軋去(roll-off)的下降率大于20％，將該下降率評價(jià)為◎，如果軋去(roll-off)的下降率大于10％并且小于或者等于20％，將其評價(jià)為○，如果軋去(roll-off)的下降率大于0％并且小于或者等于10％，將其評價(jià)為△，如果軋去(roll-off)的下降率小于或者等于0％，將其評價(jià)為×。結(jié)果表示于下表1中的“軋去(roll-off)”欄里。
軋去(roll-off)的下降率[％]＝(1-Vr/對比例1的Vr)×100……(2)軋去(roll-off)是表示在基片表面的外周部分處的過度研磨程度的參數(shù)之一。在本說明書中軋去(roll-off)定義如下。如圖1(a)所示，在基片表面上位于從基片的外周邊緣處向內(nèi)0.3mm的點(diǎn)假定為點(diǎn)A，在基片表面上位于從基片邊緣處向內(nèi)3.8mm的點(diǎn)假定為點(diǎn)B。軋去(roll-off)被定義為在連接點(diǎn)A和點(diǎn)B的橫截面曲線與連接點(diǎn)A和點(diǎn)B之間的直線之間的最大距離。
在研磨基片之后通過MicroXAM在基片的外周部分測試垂平(dub-off)的值Vd。將所測得的值Vd代入下面的公式(3)中得到垂平(dub-off)的下降率。如果垂平(dub-off)的下降率大于20％，將該下降率評價(jià)為◎，如果垂平(dub-off)的下降率大于10％并且小于或者等于20％，將其評價(jià)為○，如果垂平(dub-off)的下降率大于0％并且小于或者等于10％，將其評價(jià)為△，如果垂平(dub-off)的下降率小于或者等于0％，將其評價(jià)為×。結(jié)果表示于下表1中的“垂平(dub-off)”欄里。
垂平(dub-off)的下降率[％]＝(1-Vd/對比例1的Vd)×100……(3)垂平(dub-off)是表示在基片表面的外周部分處的過度研磨程度的參數(shù)之一。在本說明書中垂平(dub-off)定義如下。如圖1(b)所示，在基片表面上位于從基片的外周邊緣處向內(nèi)4.30mm的點(diǎn)假定為點(diǎn)C，在基片表面上位于從基片邊緣處向內(nèi)3.30mm的點(diǎn)假定為點(diǎn)D，在基片表面上位于從基片邊緣處向內(nèi)0.30mm的點(diǎn)假定為點(diǎn)E。線L通過最小二乘法從連接點(diǎn)C和點(diǎn)D的橫截面曲線處描繪。一個(gè)位于線L上的從基片外周邊緣向內(nèi)0.30mm的點(diǎn)假定為點(diǎn)E’。垂平(dub-off)被定義為點(diǎn)E和點(diǎn)E’之間的距離。
研磨基片時(shí)的研磨速度根據(jù)下面的公式(4)得到。如果所得到的研磨速度大于或者等于0.70μm/min，將該研磨速度評價(jià)為◎，如果研磨速度大于或者等于0.65μm/min且小于0.70μm/min，將其評價(jià)為○，如果研磨速度大于或者等于0.60μm/min且小于0.65μm/min，將其評價(jià)為△，如果研磨速度小于0.60μm/min，將其評價(jià)為×。結(jié)果表示于下表1中的“研磨速度”欄里。
研磨速度[μm/min]＝因研磨基片的重量減少[g]÷(基片的研磨面積[cm2]×鎳磷鍍層的密度[g/cm3]×研磨時(shí)間[min]×10000……(4)表1


如表1中所示的抑制劑種類欄中，字母A表示通式(1)所表達(dá)的化合物，字母B1表示異戊二烯磺酸和丙烯酸的共聚物，字母B2表示異戊二烯磺酸和異戊二烯的共聚物。
抑制劑的粘度欄中所示的值為使用BH型旋轉(zhuǎn)粘度計(jì)通過在25攝氏度時(shí)測量所制備的含有30重量％的活性組分的抑制劑水溶液得到的粘度值。當(dāng)測量通式(1)表示的化合物的粘度時(shí)，使用6號轉(zhuǎn)子以及6號轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)速度為10rpm。當(dāng)測量異戊二烯磺酸和丙烯酸的共聚物以及異戊二烯磺酸和異戊二烯的共聚物的粘度時(shí)，使用3號轉(zhuǎn)子，3號轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)速度為62.5rpm。
因此，現(xiàn)有實(shí)施例和實(shí)施方式應(yīng)被認(rèn)為是示例性的和非限制性的，本發(fā)明不受在此給出的細(xì)節(jié)的限制，而是在權(quán)利要求及其等同范圍內(nèi)可以變動本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種研磨用組合物，其中該研磨組合物包括研磨劑、研磨促進(jìn)劑和水，其特征在于所述的研磨用組合物進(jìn)一步包括由下面的通式所表示的化合物 其中字母X表示聚醚多元醇的殘基，字母m表示與一個(gè)聚醚多元醇分子中的羥基數(shù)相等的數(shù)字，字母Y表示二價(jià)烴基，字母Z表示具有活性氫原子的單價(jià)化合物的殘基，字母n表示等于或者大于3的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其特征在于研磨用組合物中含有的所述化合物的量在0.001～1重量％之間。
3.一種研磨用組合物，其中該研磨用組合物包括研磨劑、研磨促進(jìn)劑和水，該研磨用組合物的特征在于所述的研磨用組合物進(jìn)一步包括具有衍生自異戊二烯磺酸或其鹽的單體單元的聚合物。
4.如權(quán)利要求3所述的研磨用組合物，其特征在于，所述研磨用組合物中含有的該聚合物的量在0.001～1重量％之間。
5.如權(quán)利要求3所述的研磨用組合物，其特征在于，該聚合物是異戊二烯磺酸和丙烯酸的共聚物或者異戊二烯磺酸和異戊二烯的共聚物。
6.一種研磨用組合物，其中該研磨用組合物包括研磨劑、研磨促進(jìn)劑和水，該研磨用組合物的特征在于所述的研磨用組合物進(jìn)一步包括 其中其中字母X表示聚醚多元醇的殘基，字母m表示與一個(gè)聚醚多元醇分子中的羥基數(shù)相等的數(shù)字，字母Y表示二價(jià)烴基，字母Z表示具有活性氫原子的單價(jià)化合物的殘基，字母n表示等于或者大于3的整數(shù)；和具有衍生自異戊二烯磺酸或其鹽的單體單元的聚合物。
7.如權(quán)利要求1～6的任意一項(xiàng)所述的研磨用組合物，其特征在于所述研磨用組合物是用來研磨磁盤基片的表面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠防止磁盤基片表面的外周部分被過度研磨的研磨用組合物。依照本發(fā)明的第一研磨用組合物包括由上面的通式表示的化合物字母X表示聚醚多元醇的殘基，字母m表示與一個(gè)聚醚多元醇分子中的羥基數(shù)相等的數(shù)字，字母Y表示二價(jià)烴基，字母Z表示具有活性氫原子的單價(jià)化合物的殘基，字母n表示等于或者大于3的整數(shù)。依照本發(fā)明的第二研磨用組合物包括具有衍生自異戊二烯磺酸或其鹽的單體單元的聚合物。
文檔編號B24B37/00GK1461766SQ03140710
公開日2003年12月17日 申請日期2003年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月30日
發(fā)明者石橋智明, 杉山博保, 大脇壽樹 申請人:不二見株式會社