專利名稱：氣體噴頭、成膜裝置及成膜方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對半導體晶片等基板供給氣體的氣體噴頭、使用該氣體噴頭，在上述基板表面上進行成膜的成膜裝置和成膜方法。
背景技術：
在半導體裝置的一個制造過程中，有利用CVD(Chemical vapordeposition)處理，在被處理體上進行成膜的過程。進行這種成膜過程的裝置中的一種，為單片式的成膜裝置。這種成膜裝置具有處理容器和氣體噴頭。該處理容器具有用來載置半導體晶片(以下簡稱晶片)的放置臺；該氣體噴頭則與該放置臺相對設置，向著晶片表面供給成膜氣體。在該噴頭內形成氣體流路，可將多種成膜氣體均勻地供給晶片表面，這些氣體互相不混合，而且在橫方向擴散。另外，噴頭是將金屬板(金屬制的擴散板)堆積成三層構成的。這些金屬板用螺釘互相固定，并安裝在處理容器中。從上面供給的成膜氣體，沿著貫通三層金屬板內的流路，向下方流動，通過在下端面上形成的多個孔，均勻地供給整個晶片的表面。多種成膜氣體同時供給至氣體噴頭。例如，為了形成氮化鈦(TiN)膜，將TiCl4氣體和NH3氣體互相不混合地通過氣體噴頭內，供給至處理容器內。
然而，上述供給多種成膜氣體用的氣體噴頭中存在以下的問題。
如圖7所示，在由緊固螺釘固定的各層金屬板的接觸面(接合面)P2上，具有用機械研磨不能去除的微小的凹凸。因此，即使擰緊螺釘也不能完全緊密貼合，如圖8所示，會產生數(shù)微米的微小的間隙。這樣，TiCl4氣體和NH3氣體，通過該間隙混合，在這種情況下，在氣體噴頭內產生不希望的生成物。
即由于熱能作用，使兩種成膜氣體起反應，通常在從背面加熱的晶片表面附近起反應，但由于氣體噴頭和晶片接近，晶片放射的熱，使氣體噴頭加熱，這樣，兩種成膜氣體的一部分在氣體噴頭內起反應。這樣生成的反應物可能成為顆粒產生的原因。
另一方面，還有在擴散板接合時，通過在該擴散板的接合面上涂敷焊料而防止上述間隙產生的方法。但是，當采用這種方法時，在擴散板內的流路附近部位上，焊料和成膜氣體起反應，其反應生成物也可能成為顆粒。具體地說，在上述結構的裝置中，例如，在使用Ag、Cu、Zn等氣體噴頭構成基本材料以外的焊料的情況下，成膜氣體中的Cl和F等，與焊料起反應，可能會生成反應生成物。另外，當使用焊料時，分解各擴散板困難。因此，在進行清洗作業(yè)時，不方便。

發(fā)明內容
本發(fā)明是基于上述問題而提出的，其目的是要提供一種在將多種金屬構件重合構成，可將多種成膜氣體供給基板的氣體噴頭中，可防止因存在著各個金屬構件的接觸面之間產生的間隙而使不同種類的成膜氣體混合的技術。本發(fā)明的另一個目的是將上述氣體噴頭用在成膜裝置中，抑制顆粒的產生。
本發(fā)明的一種氣體噴頭，它與基板的表面相對地設置，同時，在與上述基板相對的表面上設置多個孔，通過這些孔將從氣體供給通路送出的多種成膜氣體同時供給上述基板，該氣體噴頭具有噴頭本體和多個氣體流路，該噴頭本體有多個金屬構件，通過在將該多個金屬構件上下重合的狀態(tài)下，在給定的溫度條件下加熱，各金屬構件的接觸面彼此局部地金屬擴散接合，該多個氣體流路橫切貫通上述噴頭本體內的上述接觸面，而且按照每種成膜氣體均不混合的方式獨立地形成；其特征為，上述溫度條件是通過之后的再加熱，局部地金屬擴散接合的部分可分離的溫度條件。
根據(jù)本發(fā)明，由于通過加熱，可以局部地使構成氣體噴頭的金屬構件的接觸面化學結合，在該接合面上，可顯著減小以機械結合不能完全消除的微小的凹凸形成的微小間隙。因此，可以抑制各個氣體流路的氣體泄露，同時，可以防止在氣體噴頭內不同的成膜氣體彼此混合，產生不希望的反應生成物。
例如，多個金屬構件由鎳或鎳合金制成。特別是，多個金屬構件優(yōu)選由鎳制成。
本發(fā)明的成膜裝置，其特征為，它具備具有用于放置基板的載置臺的處理容器，用于加熱放置在上述載置臺上的基板的加熱部，和設在上述處理容器中的、具有上述特征的氣體噴頭。
另外，本發(fā)明的成膜方法，它可從與該基板相對的氣體噴頭，將成膜氣體供給載置在處理容器內的載置臺上的基板，進行成膜處理；該方法具有氣體噴頭的裝配工序和處理工序；該氣體噴頭裝配工序可在將構成氣體噴頭的多個金屬構件重合的狀態(tài)下，在給定溫度條件下，加熱金屬構件，使各金屬構件的接觸面彼此局部地金屬擴散接合；該處理工序可通過上述氣體噴頭，按照在該噴頭內不混合的方式將多種成膜氣體供給基板；其特征為，上述溫度條件是通過之后的再加熱，局部地金屬擴散接合的部分可分離的溫度條件。
上述裝配工序優(yōu)選包含使多個金屬構件重合，以給定的扭矩按壓的按壓工序；和之后將噴頭安裝在處理容器中的安裝工序。
上述按壓工序是通過螺釘固定進行的。上述給定的扭矩為15kg/cm2以下的扭矩。上述給定的扭矩，為大約30kg/cm2的扭矩。
在上述裝配工序中，利用加熱基板用的加熱部和設在氣體噴頭上的加熱部的至少一個對氣體噴頭進行加熱。
上述裝配工序的溫度條件優(yōu)選為500℃以上。特別在500℃～550℃。
在上述裝配工序中，上述溫度條件繼續(xù)大約12小時。
優(yōu)選還包含在上述處理工序后，加熱氣體噴頭，使多個金屬構件互相分離的分離工序。
在這種情況下，在上述分離工序中，利用加熱基板用的加熱部和設在氣體噴頭上的加熱部中的至少一個對氣體噴頭進行加熱。
在上述分離工序中，優(yōu)選將氣體噴頭加熱到550℃以上。


圖1為表示本發(fā)明的成膜裝置的一個實施方式的縱截面圖；圖2為表示設在上述成膜裝置中的噴頭本體的結構的縱截面圖；圖3為分解表示上述噴頭本體的縱截面圖；圖4為表示本實施方式的作用的工序圖；圖5為表示為了確認本實施方式的效果而進行試驗的結果的特性圖；圖6為表示本發(fā)明的成膜裝置的另一個實施方式的噴頭本體的結構的縱截面圖；圖7為表示現(xiàn)有技術的氣體噴頭的問題的概略說明圖；圖8為表示現(xiàn)有技術的氣體噴頭的問題的概略說明圖。
具體實施例方式
以下，參照圖1～圖3來說明采用本發(fā)明的氣體噴頭的成膜裝置的實施方式。11為構成用鋁制成的處理容器的腔。在該腔11內設有圓板形的載置臺12和在下面支承該載置臺12的支承體13。該載置臺12比放置作為基板的晶片W稍微大些。在載置臺12內埋入構成由電阻加熱體組成的加熱部的第一加熱器14。在成膜處理時，第一加熱器14，在整個表面上，使晶片W均等地升溫。或者，在后述的氣體噴頭裝配和分解的各個作業(yè)時，第一加熱器14將氣體噴頭加熱至給定溫度。為了這個目的，設在成膜裝置外面的電力供給部15，根據(jù)各種用途，控制第一加熱器14的溫度。
在腔11的頂部設有氣體噴頭本體30，所述氣體噴頭本體30由氣體噴頭本體30、支撐該氣體噴頭本體30的側面的蓋30a、絕緣密封件30c和石英填料30b構成。如后所述，氣體噴頭本體30由三塊金屬板3a，3b，3c構成。金屬板3a的外邊緣，通過絕緣密封件30c支承在蓋30a上。絕緣密封件30c為當供給高頻電力時，用于使腔11和氣體噴頭3絕緣的構件，它可由Al2O3等構成。另外，在氣體噴頭本體30的外周和腔11之間設有環(huán)形的石英填料30b。這樣，腔11的未利用空間被填補，可以進行良好的成膜處理。
該氣體噴頭3與構成氣體供給通路的氣體供給管21，22連接。在氣體噴頭3的下端面上形成多個孔33，34(參見圖2和圖3)。成膜氣體可通過這些孔，供給放置在上述載置臺12上的晶片W的表面上。另外，在氣體噴頭3的上表面上設有第二加熱器23。第二加熱器23，與上述第一加熱器14同樣，可由電力供給部15進行溫度控制。另外，高頻電源部20b，通過匹配器20a，與氣體噴頭3連接。這樣，成膜片理時，供給晶片W的成膜氣體等離子體化，可促進成膜方法。
在腔11的側面設置晶片W搬入搬出用的閘閥16。在載置臺12上設有可自由突出和縮入的升降銷(實際上為3根)，可以在通過閘閥16進入的圖中沒有示出的搬送臂之間，進行晶片W的交接。升降銷17的升降可通過支承其下端的支承構件17a，利用升降機構17b的動作來進行。另外，如圖1所示，在支承體13的周圍，形成排氣口11a。真空泵19通過排氣管18和閥V1與該排氣口11a連接。
其次，參照圖2和圖3來說明作為本實施方式主要部分的噴頭本體30。圖2為表示噴頭本體30的整個結構的縱截面圖。如圖2所示，噴頭本體30是將由鎳制成的作為三個金屬構件的金屬板3a，3b，3c上下堆積構成的。各個金屬板3a，3b，3c的接觸面(接合面)通過機械加工、機械研磨、化學研磨或電解研磨等加工制成。其表面粗糙度為Ra3.2～0.2左右。
圖3分解表示該三層金屬板3a，3b，3c。當方便地將各個金屬板稱為上層3a，中層3b，下層3c時，上層3a和中層3b的接合面P1，以及中層3b和下層3c的接合面P2，都利用擴散結合無間隙地接合。在上層3a和中層3b之間形成空間31；在中層3b和下層3c之間形成空間41。在中層上3b上形成從空間31向下層3c貫通的多個第一氣體流路32，以及與空間31不連通，而與空間41連通的第二氣體流路42。在下層3c上，形成與第一氣體流路32連通的多個第一孔33，以及與空間41連通的多個第二孔43。另外，上層3a和中層3b可用螺釘34a固定(擰緊)。同樣，中層3b和下層3c可用螺釘34b固定。
如上所述，氣體供給管21和氣體供給管22分別與上層3a的上表面連接。氣體供給管21與空間31連通，氣體供給管22通過第二氣體流路42與空間41連通。
再參照圖3來說明空間31和空間41的形狀?？臻g31為由在中層3b的上表面上形成的圓柱形的凹部35a，和上層3a的下表面35b圍成的圓柱形空間，它為在橫方向連通的一體的空間?？臻g41為由在中層3b的下表面36a上形成的多個圓柱形凸部41b構成。即與各個凸部41的相鄰的空隙(槽)在橫方向連通，空間41為在中層3b的下表面36a和下層3c的上表面36b之間，在橫方向連通的一體的空間。
這樣，從氣體供給管21送出的成膜氣體，在空間31中，在橫方向均勻地分散，通過第一氣體流路32，流向第一孔33。另一方面，從氣體供給管22送出的成膜氣體，通過第二氣體流路42，流入空間41，在空間41中在橫方向均勻地分散，流向第二孔43。即分別在氣體供給管21和22中流動的兩種成膜氣體，在噴頭本體30內不混合，而是獨立地流向晶片W，最初在處理室內混合。這種氣體噴頭3稱為矩陣式。
其次，說明氣體供給管21，22的上游。第一個成膜氣體(TiCl4)供給源21a，通過閥V2與氣體供給管21的上游連接。另外，第二個成膜氣體(NH3)供給源22a，通過閥V3與氣體供給管22的上游連接。作為各成膜成份的源氣體儲留在第一和第二成膜氣體供給源21a，22a中。在成膜處理時，第一成膜氣體供給源21a利用載體氣體，使各種液體源氣化，變成蒸氣，再將該蒸氣通過氣體供給管21，送至氣體噴頭3。第二成膜氣體供給源22a則在成膜處理時，將第二成膜氣體的蒸氣，通過氣體供給管22，送至氣體噴頭3。
其次，根據(jù)圖4所示的工序圖來說明本發(fā)明的上述實施方式的作用。首先，在對晶片W進行膜處理之前，要裝配氣體噴頭3。這是結合為了清洗等而分解的噴頭本體30的三塊金屬板的作業(yè)。首先，在腔11的外部，在給定的方向和位置上將上層3a，中層3b，下層3c貼緊。另外，在上層3a和中層3b之間，用螺釘34a，在中層3b和下層3c之間用螺釘34b，在各個部位以15kg/cm2以上(優(yōu)選大約為30kg/cm2)的扭矩擰緊(步驟S1)。將擰緊的氣體噴頭3安裝在腔11內的給定位置上，從圖中沒有示出的氮氣供給裝置，以3600cc/分鐘的流量，將氮氣供給至腔11內，同時，調節(jié)排氣流量，使壓力達到1.33322×102Pa(1Torr)。在這種狀態(tài)下，利用第一加熱器14和第二加熱器23，開始腔11內的加熱。這樣，在噴頭本體30內的上層3a(的下表面)和中層3b(的上表面)的接合面P1，以及中層3b的下表面36a的凸部41b的表面和下層3c的上表面36b的接合面P2上，鎳彼此結合，將該接合面P1，P2的微小間隙填埋起來，在最表層進行擴散結合。繼續(xù)加熱，直至得到即使取下螺釘34a，36b，接合面P1或接合面P2也不分離的結合力為止。這樣，完成了氣體噴頭3的裝配。具體地說，接合面P1，P2需要得到給定的結合力。例如，當接合面P2的面積(中層3b的下表面36a的凸部41b的表面的面積)在50cm2以上，優(yōu)選在為70cm2以上時，在500℃以上，優(yōu)選為500℃～550℃的范圍內(任何一個接合面的溫度)，加熱12個小時。
接著，對晶片W進行成膜處理。首先，打開閘閥16，圖中沒有示出的搬送臂進入腔11內，將晶片W從搬送臂轉移至升降銷17上。然后，升降銷下降，晶片W放置在載置臺12的中心，開始步驟S3的成膜處理工序。在這個工序中，首先，利用第一加熱器14和第二加熱器23，將晶片W的表面溫度升高至給定的處理溫度(例如450℃～700℃)。另外，打開閥V1，通過排氣口11a，從真空泵19進行排氣，以維持腔11內給定的真空度。然后，打開閥V2和V3，開始向氣體噴頭3供給成膜氣體。這時，圖中沒有示出的控制部分，通過圖中沒有示出的流量調節(jié)裝置調節(jié)各個成膜氣體的流量，使TiCl4氣體和NH3氣體，以給定的流量流向氣體噴頭3。
TiCl4氣體和NH3氣體，在氣體噴頭3內，不會在各流路內向著下游分別混合，而是均勻地分散，通過互相不同地配置的第一孔33和第二孔43，均勻地供給整個晶片W的表面。另外，各個成膜氣體，在晶片W的表面附近，接受和分解從該晶片W放出的熱能。這樣，在晶片W的表面上，熱能引起的化學氣相反應，使TiN薄膜成形。經(jīng)過給定時間后，關閉閥V2和V3，停止成膜氣體的供給；另外，第一加熱器14的加熱也停止，進行腔11內的給定的后續(xù)工序。然后，按照與搬入時相反的順序，將晶片W搬出。
氣體噴頭3，在進行給定次數(shù)的成膜處理后，將從圖中沒有示出的氣體供給源送出的清洗氣體例如ClF3供給腔11內，將腔11內成膜不需要的膜除去(清洗)(步驟S4)。
然后，為了進行內部清洗，再次將氣體噴頭3解體(分解)(步驟S5)。這個氣體噴頭3的解體工序，基本上按與步驟S1和S2中說明的安裝的工序相反的順序進行。最初，從腔11中取出氣體噴頭3，使螺釘34a，36b比步驟S1擰緊時松開大約1mm。當再次將氣體噴頭3放回腔11內加熱時，接合面P1和P2的結合力減弱，構成噴頭本體30的各塊金屬板彼此脫離。
這時的加熱條件，與步驟S2大致相同，但加熱溫度優(yōu)選與裝配時相同，或稍微高一點。在與上述例子相同的噴頭本體30裝配時的接合加熱溫度為500℃的情況下，分解時優(yōu)選為500℃以上，特別優(yōu)選是550℃以上。在加熱停止、冷卻后，上層3a，中層3b和下層3c分別分離，從腔11中取出，分別將螺釘34a和螺釘34b取出，這樣，解體工序完成。
這樣，采用本實施方式，由于構成氣體噴頭3(噴頭本體30)的多個金屬面，通過加熱以化學方式結合，因此，可以顯著減小用螺釘擰緊等機械結合所不能消除的金屬面(接合面)之間的間隙，即用機械研磨不能消除的金屬面(接合面)的微小凹凸構成的間隙。因此，在橫截各個金屬板的接合面形成的成膜氣體流路中，可以完全抑制上述接合面上的氣體泄漏。由于這樣，可以抑制在氣體噴頭3內不同種類的成膜氣體彼此混合，同時，可以完全抑制伴隨著混合而產生的反應生成物。
即利用本實施方式，可完全防止上述成膜氣體的混合，根據(jù)氣體噴頭3的孔32(32a，32b)的配置，各個成膜氣體可以高精度地均勻地供給整個晶片W的表面上。這樣，提高了薄膜的面內均勻性。另外，由于抑制了在氣體噴頭3內生成反應生成物，消滅了產生顆粒的原因。這樣，完全沒有由晶片W上的顆粒造成的污染，制品的合格率提高。
另外，在本實施方式中，由于在金屬面的結合中不必使用焊料或焊接等，因此，可以用與氣體噴頭3的裝配相同的順序，簡易地將接合面分離。這樣，容易進行在氣體噴頭3內形成的各個氣體流路的清洗等維修作業(yè)。
另外，在本實施方式中，氣體噴頭3的裝配和解體任一個工序都是在進行成膜處理的腔11內進行的，這些作業(yè)也可以在與腔11分開設置的加熱爐內進行。這樣，維修時間可以大大減小，裝置的驅動率提高，制品的合格率也提高。構成氣體噴頭3的金屬板，若為不與成膜氣體起反應，而且可以通過加熱進行金屬擴散接合及分離的金屬，則也可以用鎳以外的金屬構成。例如，利用鋁及其合金，或鎳、鉻系金屬等，也可得到同樣效果。另外，只要達到同樣的效果，多塊金屬板不需要全部都是相同種類的金屬。具體地說，例如可以采用鎳制的金屬板和鋁制的金屬板組合等。氣體噴頭3的裝配和解體加熱時所使用的加熱器，用第一加熱器14，和第二加熱器23中任何一個即可以。
另外，噴頭本體30的結構不是僅限于上述實施方式的結構。例如，利用Ti膜或TiN膜等的成膜所用的圖6所示的噴頭本體5，也可得到與上述實施方式同樣的效果。以下，來簡單地說明噴頭本體5的結構。噴頭本體5也由多個(例如三層)金屬板構成。這些金屬板，從上面起按順序稱為上層5a，中層5b和下層5c。在這種情況下，各個接合面Q1，Q2利用金屬擴散接合貼緊，除此以外，三層金屬板，還可利用從下層3c的下表面至上層3a貫通的螺釘50固定。在上層5a和中層5b之間形成空間51，該空間51在中層5b的上表面上形成凹部。在中層5b和下層5c之間形成空間61，該空間61在中層5b的下表面上形成凹部。
在中層5b上分別形成從空間51向著下層5c連通的多個第一氣體流路52；和不與空間51連通，而從空間61向著上層5a連通的第二氣體流路62。在下層5c上分別形成與第一氣體流路52連通的多個第1孔53，和與空間61連通的多個第2孔63。第一孔53和第2孔63彼此配置得不同。
供給第一成膜氣體的氣體供給管54，和供給第二成膜氣體的氣體供給管64，與上層5a的上表面連接。另外，在上層5a內形成連通氣體供給管54和空間51的第三氣體流路55；和連通氣體供給管64和第二流路62的第4氣體流路65。因此，第一成膜氣體按照氣體供給管54→第三氣體流路55→空間51→第1氣體流路52→第1孔53的路徑，向晶片W供給；而第二成膜氣體，按照氣體供給管64→第4氣體流路65→第二氣體流路62→空間61→第2孔63的路徑，向晶片W供給，它們各自在噴頭本體5內不混合。
噴頭本體5所用的金屬，與上述實施方式相同。因此，有關加熱產生的接合，分離的各個工序，也可在與上述實施方式同樣的條件下進行。
實施例為了確認上述實施方式的加熱條件和鎳彼此的結合力的關系，采用一組鎳制的試驗片，進行研究二者的結合力和加熱溫度的關系的試驗。這個試驗中所用的試驗片彼此之間的接觸面積為25cm2。作為加熱裝置，使用本實施方式的成膜裝置。另外，該成膜裝置腔內的壓力，在3600cc/分鐘的流量下供給氮氣時，維持在1.33322×102Pa(1Torr)，加熱時間取12個小時，進行試驗。
圖5為表示該試驗結果的特性圖。如圖5所示，鎳的結合力，在試驗片的溫度在450℃以上時，急劇升高。圖中點劃線所示的結合力α表示當本實施方式的氣體噴頭3中，接合面的面積在50cm2以上，優(yōu)選在70cm2以上時，接合面P1不分離的結合力。這樣，擴散接合的金屬面彼此以高的結合力結合，即可以確認，接合面的微小間隙大大減小。
權利要求
1.一種氣體噴頭，它與基板的表面相對地設置，同時，在與所述基板相對的表面上設置多個孔，通過這些孔將從氣體供給通路送出的多種成膜氣體同時供給所述基板，其特征為，該氣體噴頭具有噴頭本體和多個氣體流路，該噴頭本體有多個金屬構件，通過在將該多個金屬構件上下重合的狀態(tài)下，在給定的溫度條件下加熱，各金屬構件的接觸面彼此局部地金屬擴散接合，該多個氣體流路橫切貫通所述噴頭本體內的所述接觸面，而且按照每種成膜氣體的種類均不混合的方式獨立地形成，所述溫度條件是通過之后的再加熱，局部地金屬擴散接合的部分可分離的溫度條件。
2.如權利要求1所述的氣體噴頭，其特征為，多個金屬構件由鎳或鎳合金制成。
3.如權利要求2所述的氣體噴頭，其特征為，多個金屬構件由鎳制成。
4.一種成膜裝置，其特征為，它具備具有用于放置基板的載置臺的處理容器；用于加熱放置在所述載置臺上的基板的加熱部；以及設置在所述處理容器中、如權利要求1～3中任一項所述的氣體噴頭。
5.一種成膜方法，它可從與該基板相對的氣體噴頭，將成膜氣體供給載置在處理容器內的載置臺上的基板，進行成膜處理，其特征為，該方法具有氣體噴頭的裝配工序和處理工序，該氣體噴頭裝配工序可在將構成氣體噴頭的多個金屬構件重合的狀態(tài)下，在給定溫度條件下加熱金屬構件，使各金屬構件的接觸面彼此局部地金屬擴散接合，該處理工序可通過所述氣體噴頭，按照在該噴頭內不混合的方式將多種成膜氣體供給基板，在該基板表面上進行成膜處理，所述溫度條件是通過之后的再加熱，局部地金屬擴散接合的部分可分離的溫度條件。
6.如權利要求5所述的成膜方法，其特征為，所述裝配工序包括使多個金屬構件重合，以給定的扭矩按壓的按壓工序；以及之后將氣體噴頭安裝在處理容器中的安裝工序。
7.如權利要求6所述的成膜方法，其特征為，所述按壓工序是通過螺釘固定而進行的。
8.如權利要求6或7所述的成膜方法，其特征為，所述給定的扭矩為15kg/cm2以上的扭矩。
9.如權利要求8所述的成膜方法，其特征為，所述給定的扭矩，為大約30kg/cm2的扭矩。
10.如權利要求5～9中任一項所述的成膜方法，其特征為，在所述裝配工序中，使用加熱基板用的加熱部和設在氣體噴頭上的加熱部中的至少一個對氣體噴頭進行加熱。
11.如權利要求5～10中任一項所述的成膜方法，其特征為，所述裝配工序的溫度條件為500℃以上。
12.如權利要求11所述的成膜方法，其特征為，所述裝配工序的溫度條件為500℃～550℃。
13.如權利要求11或12所述的成膜方法，其特征為，在所述裝配工序中，所述溫度條件持續(xù)大約12小時。
14.如權利要求5～13中任一項所述的成膜方法，其特征為，它還包括在所述處理工序后，加熱氣體噴頭，使多個金屬構件互相分離的分離工序。
15.如權利要求14所述的成膜方法，其特征為，在所述分離工序中，使用加熱基板用的加熱部和設在氣體噴頭上的加熱部中的至少一個對氣體噴頭進行加熱。
16.如權利要求14或15所述的成膜方法，其特征為，在所述分離工序中，將氣體噴頭加熱到550℃以上。
全文摘要
本發(fā)明的氣體噴頭，它與基板的表面相對地設置，同時，在與上述基板相對的表面上設置多個孔，從氣體供給通路送出的多種成膜氣體可通過這些孔同時供給上述基板，該氣體噴頭具有噴頭本體和多個氣體流路，該噴頭本體有多個金屬構件，通過在將該多個金屬構件上下重合的狀態(tài)下，在給定的溫度條件下加熱，各個金屬構件的接觸面彼此可以在局部金屬擴散接合，該多個氣體流路橫切貫通上述噴頭本體內的上述接觸面，而且可使每種成膜氣體均不混合地獨立地形成，上述溫度條件是通過之后的再加熱，局部地金屬擴散接合的部分可分離的溫度條件。
文檔編號C23C16/44GK1533447SQ0380069
公開日2004年9月29日 申請日期2003年2月20日 優(yōu)先權日2002年2月20日
發(fā)明者村上誠志, 花田良幸, 幸 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社