專利名稱:化學機械拋光裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種化學機械拋光裝置，包括壓板和拋光層，所述壓板具有承壓面和接觸面；所述拋光層具有拋光面，以及與所述壓板接觸面相粘結(jié)的非拋光面；所述拋光層包括從所述拋光層的拋光面延伸至所述壓板承壓面的中心通孔，與所述中心通孔同心并且通過十字通道連通的環(huán)形凹槽，從所述環(huán)形凹槽向所述拋光面邊緣延伸的輻射凹槽；其中，在所述壓板上具有與所述中心通孔連通的研磨漿料進口。本實用新型所述的化學機械拋光裝置，可以用于光學玻璃或樹脂鏡片，半導體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質(zhì)材料基片或金屬基片的拋光處理，而且有利于減少拋光表面的劃痕數(shù)量，且有利于拋光基片的轉(zhuǎn)移。
【專利說明】 化學機械拋光裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及化學機械拋光的【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，本實用新型涉及一種化學機械拋光裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]化學機械平坦化(CMP)是光學、半導體以及其它電子器件制造工藝中的常用技術(shù)，使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的玻璃基片、硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。在常規(guī)的CMP工藝中，待拋光的壓板被固定在載體組件上，并使襯底與CMP工藝中的拋光層接觸并提供受控的壓力，同時使拋光漿料在拋光層表面流動。在設(shè)計拋光層時，需要考慮的主要因素有拋光漿料在拋光層上的分布，新鮮拋光漿料進入拋光軌跡的流動，拋光漿料從拋光軌跡的流動，以及流過拋光區(qū)域基本未被利用的拋光漿料的量等等。為了減少基本未被利用的拋光漿料的量以及提高拋光效率和質(zhì)量，在現(xiàn)有技術(shù)中，需要在拋光層表面設(shè)計各種圖案，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道拋光速率、拋光漿料消耗以及拋光效果等很難兼得，現(xiàn)有技術(shù)中也公開了多種改進結(jié)構(gòu)以期降低拋光漿料消耗并使得拋光漿料在拋光層上的保持時間最長的結(jié)構(gòu)和圖案，然而需要在保證拋光速率、質(zhì)量的基礎(chǔ)上，進一步降低拋光層上拋光漿料的未利用量，減少拋光漿料的浪費。
實用新型內(nèi)容
[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問題，本實用新型的目的在于提供一種化學機械拋光裝置。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了以下技術(shù)方案:
[0005]—種化學機械拋光裝置，包括壓板和拋光層，所述壓板具有承壓面和接觸面；其特征在于:所述拋光層具有在拋光漿料存在的條件下對基片表面進行拋光的拋光面，以及與所述壓板接觸面相粘結(jié)的非拋光面；所述拋光層包括從所述拋光層的拋光面延伸至所述壓板承壓面的中心通孔，與所述中心通孔同心并且通過十字通道連通的環(huán)形凹槽，從所述環(huán)形凹槽向所述拋光面邊緣延伸的輻射凹槽；其中，在所述壓板上具有與所述中心通孔連通的研磨漿料進口。
[0006]其中，所述環(huán)形凹槽的深度大于所述輻射凹槽的深度。
[0007]其中，所述環(huán)形凹槽與所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
[0008]其中，所述環(huán)形凹槽與所述輻射凹槽的寬度為0.2^1.2 mm。
[0009]其中，所述壓板和所述拋光層為圓盤狀。
[0010]其中，所述拋光層的直徑為5(T800 mm，并且所述拋光層的厚度為1.5^5.0 mm。
[0011]其中，所述壓板的直徑大于或等于所述拋光層的直徑。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型所述的化學機械拋光裝置具有以下有益效果:
[0013]本實用新型所述的化學機械拋光裝置，可以通過中心通孔給所述拋光裝置的拋光面補充拋光漿料，并且通過環(huán)形凹槽和輻射凹槽的設(shè)置不僅提高了拋光漿料的有效使用率，而且有利于減少拋光基片(玻璃、硅晶圓以及金屬基片等)中心區(qū)域以及周邊區(qū)域拋光量的偏差，不僅保證了適當?shù)膾伖馑俾剩矣欣跍p少拋光表面的劃痕數(shù)量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進入到拋光基片與拋光層的界面中，從而有利于拋光基片的轉(zhuǎn)移。

【附圖說明】

[0014]圖1為實施例1所述化學機械拋光裝置橫截面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為實施例1所述化學機械拋光裝置的拋光面的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0016]以下將結(jié)合具體實施例對本實用新型所述的化學機械拋光裝置做進一步的闡述，以幫助本領(lǐng)域的技術(shù)人員對本實用新型的實用新型構(gòu)思、技術(shù)方案有更完整、準確和深入的理解。
[0017]實施例1
[0018]如圖f 2所示，本實施例所述的化學機械拋光裝置，其包括壓板10和拋光層20，根據(jù)需要，所述拋光層的直徑為5(T800 mm，并且所述拋光層的厚度為1.5?5.0 mm;通常的，所述壓板和所述拋光層為圓盤狀；而且所述壓板的直徑大于或等于所述拋光層的直徑；作為所述拋光層的材料，可以使用現(xiàn)有技術(shù)中已知的軟質(zhì)材料，例如常用的氨基樹脂、丙烯酸樹月旨、聚丙烯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚砜樹脂、ABS樹脂、聚碳酸樹脂或聚酰亞胺樹脂。所述壓板10具有承壓面11和接觸面12 ;所述拋光層20具有在拋光漿料存在的條件下對基片表面進行拋光的拋光面21，與所述壓板接觸面相粘結(jié)的非拋光面22，以及限定所述拋光面和所述非拋光面的側(cè)表面；所述拋光層20包括從所述拋光層的拋光面21延伸至所述壓板承壓面11的中心通孔23，與所述中心通孔23同心并且通過十字通道24連通的環(huán)形凹槽25，從所述環(huán)形凹槽25向所述拋光面邊緣延伸的輻射凹槽26 ;而且在所述壓板上具有與所述中心通孔連通的研磨漿料進口 27。所述環(huán)形凹槽的深度大于所述曲線形凹槽27的深度，所述環(huán)形凹槽與所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形，所述環(huán)形凹槽與所述輻射凹槽的寬度為0.2?1.2 _。本實施例所述的化學機械拋光裝置，可以用于光學玻璃或樹脂鏡片，半導體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質(zhì)材料基片或金屬基片的拋光處理，而且所述裝置通過中心通孔給所述拋光裝置的拋光面補充拋光漿料，通過環(huán)形凹槽和曲線形凹槽的設(shè)置不僅提高了拋光漿料的有效使用率，而且有利于減少拋光基片中心區(qū)域以及周邊區(qū)域拋光量的偏差，不僅保證了適當?shù)膾伖馑俾?，而且有利于減少拋光表面的劃痕數(shù)量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進入到拋光基片與拋光層的界面中，從而有利于拋光基片的轉(zhuǎn)移。
[0019]對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，具體實施例只是對本實用新型進行了示例性描述，顯然本實用新型具體實現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進行的各種非實質(zhì)性的改進，或未經(jīng)改進將本實用新型的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的，均在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種化學機械拋光裝置，包括壓板和拋光層，所述壓板具有承壓面和接觸面；其特征在于:所述拋光層具有在拋光漿料存在的條件下對基片表面進行拋光的拋光面，以及與所述壓板接觸面相粘結(jié)的非拋光面；所述拋光層包括從所述拋光層的拋光面延伸至所述壓板承壓面的中心通孔，與所述中心通孔同心并且通過十字通道連通的環(huán)形凹槽，從所述環(huán)形凹槽向所述拋光面邊緣延伸的輻射凹槽；其中，在所述壓板上具有與所述中心通孔連通的研磨漿料進口。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學機械拋光裝置，其特征在于:所述環(huán)形凹槽的深度大于所述輻射凹槽的深度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學機械拋光裝置，其特征在于:所述環(huán)形凹槽與所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學機械拋光裝置，其特征在于:所述環(huán)形凹槽與所述輻射凹槽的寬度為0.2^1.2 mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學機械拋光裝置，其特征在于:所述壓板和所述拋光層為圓盤狀。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學機械拋光裝置，其特征在于:所述拋光層的直徑為50^800 mm，并且所述拋光層的厚度為1.5^5.0 mm。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化學機械拋光裝置，其特征在于:所述壓板的直徑大于或等于所述拋光層的直徑。
【文檔編號】B24B37-04GK204277741SQ201420630427
【發(fā)明者】張海龍, 靳愛軍, 王紅艷 [申請人]安陽方圓研磨材料有限責任公司