專利名稱：濺射用靶、濺射裝置及濺射方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射靶、濺射裝置和濺射方法。
背景技術(shù)：
一般，半導(dǎo)體裝置是通過沉積多個導(dǎo)電層和多個絕緣層并且通過使用照相平版印刷術(shù)構(gòu)圖沉積層而形成的，并且導(dǎo)電層通常由濺射形成。
用于導(dǎo)電層的濺射工藝是在真空狀態(tài)下的濺射室中進行的，并包括下列步驟通過使用磁力擊打?qū)w靶來感應(yīng)轟擊粒子；從靶中釋放出導(dǎo)電粒子；和釋放出的粒子指向基底以在基底上形成導(dǎo)電層。
在濺射工藝期間靶固定在板上，并且為了感應(yīng)轟擊粒子提供了移動磁性陰極。
由于磁性陰極在兩個轉(zhuǎn)向位置之間往復(fù)運動，其中磁性陰極在此處要比在其它位置花費更長的時間，靠近轉(zhuǎn)向位置的靶的部分比其它部分遭到更多的腐蝕。這種不均勻的腐蝕降低了效率，靶的調(diào)換時間高達大約20％-30％。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種為解決上述缺點的濺射靶、濺射裝置和濺射方法。
提供了濺射導(dǎo)體靶，其包括中心部分；圍繞中心部分并且比中心部分具有更大厚度的邊緣部分；和安裝在中心部分與邊緣部分之間的傾斜部分，傾斜部分與垂直于邊緣部分頂表面的方向成一個大約30°-70°的角度。
靶可以安裝在諸如包括可移動磁性陰極的掃描類型濺射室的濺射裝置上。
提供了用于液晶顯示基底的濺射裝置，該裝置包括用于支撐基底的支撐件；用于安裝導(dǎo)體靶的板，該導(dǎo)體靶包括中心部分，圍繞中心部分并且具有比中心部分更大厚度的邊緣部分，和位于中心部分與邊緣部分之間的傾斜部分，傾斜部分與垂直于邊緣部分頂表面的方向成一個大約30°-70°的角度；以及相對于用于控制帶電粒子的板設(shè)置在支撐件對面的(可移動的)磁性陰極。
基底可以對準(zhǔn)以使基底的邊緣設(shè)置在傾斜部分的對面。
靶可以包括多個分開的具有不同厚度的部分。
提供了使用至少一個磁性陰極在液晶顯示基底上濺射沉積導(dǎo)電層的方法，該方法包括安裝濺射靶，該濺射靶包括中心部分，圍繞中心部分并且具有比中心部分更大厚度的邊緣部分，和位于中心部分與邊緣部分之間的傾斜部分，傾斜部分與垂直于邊緣部分頂表面的方向成一個大約30°-70°的角度；面對靶安裝基底；和將靶濺射到基底上。
可以將可移動磁性陰極相對于靶設(shè)置在基底的對面。
優(yōu)選的是，將基底設(shè)置成基底的邊緣位于傾斜部分處。
靶可以包括多個分開的具有不同厚度的部分。


通過結(jié)合附圖詳細描述具體實施方式
，本發(fā)明將會變得更加顯而易見圖1A是根據(jù)本發(fā)明實施例的在濺射室內(nèi)的導(dǎo)體靶和板的截面圖；圖1B是圖1所示的導(dǎo)體靶的平面圖；和圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的采用導(dǎo)體靶的濺射工藝中所用的濺射室。
具體實施例方式
以下將結(jié)合附圖更全面地描述本發(fā)明，圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選具體實施方式
。但是，本發(fā)明可以用許多不同的方式實施并且不應(yīng)限制在以下所闡述的實施例中。
附圖中，為了清楚，將層、膜和區(qū)域的厚度放大。附圖標(biāo)記始終代表相同的元件。應(yīng)該理解的是，提及當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底這樣的元件在另一種元件之“上”時，它可以是直接在另一種元件上或可存在有插入二者之間的元件。相反，當(dāng)提及元件“直接形成在”另一種元件“上”時，不存在有插入二者之間的元件。
現(xiàn)在，將結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例的濺射靶。
圖1A是根據(jù)本發(fā)明實施例的在濺射室中的導(dǎo)體靶和板的截面圖，圖1B是如圖1所示的導(dǎo)體靶平面圖。
通過濺射沉積導(dǎo)電層所用的導(dǎo)體靶10，如圖1A所示，包括中心部分10b，比中心部分10b更厚的多個邊緣部分10a，和位于邊緣部分10a與中心部分10b之間并且具有變化的厚度的多個傾斜部分10c。每個傾斜部分10c具有沿邊緣部分10a的頂表面向中心部分10b的頂表面延伸的傾斜表面，傾斜表面與垂直于邊緣部分10a頂表面的方向成一個圓滑的傾角θ。優(yōu)選的是，傾角θ大于約10°，更優(yōu)選的是，傾角變化范圍為大約30°至大約70°。
如圖1A所示，濺射裝置包括安裝導(dǎo)體靶10的板20，以及用于感應(yīng)轟擊粒子而相對于板20與導(dǎo)體靶10相對安裝的磁性陰極30。磁性陰極30(如箭頭所示)在導(dǎo)體靶10的邊緣部分10a之間移動。設(shè)置了其上沉積有濺射粒子的基底(未示出)，使基底的邊緣位于傾斜部分10c處。
參照圖1B，傾斜部分10c垂直于磁性陰極30的移動方向而延伸。
盡管作為磁性陰極30轉(zhuǎn)向部分的導(dǎo)體靶10的邊緣部分10a與其它部分相比腐蝕更嚴(yán)重，由于邊緣部分10a比其它部分厚，因而導(dǎo)體靶10也可使用較長時間。
由于導(dǎo)體靶10的傾斜部分10c的傾角是圓滑的30°-70°，可以避免在邊緣部分10a與濺射靶10的傾斜部分10c之間的邊緣上濺射粒子的再沉積。尤其是，濺射粒子的再沉積導(dǎo)致在待濺射以形成用于液晶顯示器(LCD)透明電極的氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)靶上的黑點生長(black growths)，而這可通過使用具有上述結(jié)構(gòu)的濺射靶10而避免。
雖然圖1A和1B所示的濺射靶10的部分10a，10b和10c結(jié)合為一體，但為簡化制造工藝，它們也可以單獨地制造和單獨地安裝在板20上。
當(dāng)基底(特別是用于LCD的基底)大時，例如，用于LCD的基底具有比大約680mm×880mm更大的面積，可以利用多個磁性陰極30，并且如果需要，磁性陰極30的數(shù)目可以變化。
用于導(dǎo)體靶10的代表性材料是鋁，鋁合金，鉻，鉻合金，鉬，鉬合金，銅，銅合金以及上述ITO和IZO。
導(dǎo)體靶10的邊緣部分10a的厚度大約為10mm，而中心部分10b的厚度大約為5mm。當(dāng)中心部分10b和傾斜部分10c的腐蝕厚度大約為1-2mm且邊緣部分10b的腐蝕厚度大約為7-8mm時，可以調(diào)換靶10。
現(xiàn)在，參照圖2詳細描述根據(jù)本發(fā)明實施例的濺射室。
圖2說明了根據(jù)本發(fā)明實施例的使用導(dǎo)體靶的濺射工藝中所用的濺射室。圖2中所示的濺射室可以用于LCD用帶有可移動磁性陰極的掃描類型濺射工藝中。
根據(jù)本發(fā)明實施例的濺射裝置包括傳送室(未示出)，用于在真空狀態(tài)下運送LCD用基底通過負載封閉(load-lock)室(未示出)；和濺射室，用于在從傳送室運送的基底上濺射沉積導(dǎo)電層。
如圖2所示，排空濺射室1以使等離子放電，并且經(jīng)過氣體管線5提供Ar氣。在濺射室1中設(shè)置有用于支撐基底3的包括多個銷釘7的支撐件9；和用于安裝導(dǎo)體靶10的板20。
支撐件9的邊緣繞鉸鏈軸17鉸接以使支撐件9接收以水平狀態(tài)進入設(shè)置在濺射室1的門15中的基底3，并且將基底3旋轉(zhuǎn)到垂直狀態(tài)以使基底平行于導(dǎo)體靶10。
板20固定在濺射室1的側(cè)壁上，以使在支撐件9處于垂直狀態(tài)時，安裝在板20上的導(dǎo)體靶10與支撐件9的基底3平行。磁性陰極30相對于靶10和板20安裝在基底3的對面，并沿與鉸鏈軸17平行的方向運動。
如圖1A所示，當(dāng)向板20提供動力并且磁性陰極30運動時，通過放置在導(dǎo)體靶10和基底3之間的等離子體，由于磁性陰極30產(chǎn)生的磁感應(yīng)，導(dǎo)電粒子從導(dǎo)體靶10中釋放出并且沉積到基底3上。
如上所述，濺射靶10的厚邊緣部分10a改善了導(dǎo)體靶10的效率，并且平滑傾斜的部分10c防止了濺射粒子在靶上的再沉積也防止了黑點生長。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例為參考詳細地進行了描述，但本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員在不偏離權(quán)利要求中的本發(fā)明的精神和范圍的前提下可以進行各種修改和替換。
權(quán)利要求
1.一種用于濺射沉積而安裝在濺射室上的濺射導(dǎo)體靶，該靶包括中心部分；圍繞中心部分并且具有比中心部分更大厚度的邊緣部分；和位于中心部分和邊緣部分之間的傾斜部分，并且傾斜部分與垂直于邊緣部分頂表面的方向成大約30°-70°的角度。
2.如權(quán)利要求1所述的靶，其中濺射室包括具有可移動磁性陰極的掃描類型掃描室。
3.一種用于液晶顯示基底的濺射裝置，該裝置包括用于支撐基底的支撐件；用于安裝導(dǎo)體靶的板，所述導(dǎo)體靶包括中心部分，圍繞中心部分并且具有比中心部分更大厚度的邊緣部分，和位于中心部分與邊緣部分之間的傾斜部分，并且傾斜部分與垂直于邊緣部分頂表面的方向成大約30°-70°的角度；和相對于板位于支撐件對面的磁性陰極，用于控制帶電粒子。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中磁性陰極是可移動的。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中基底對準(zhǔn)以使基底的邊緣位于傾斜部分的對面。
6.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中靶包括多個分開的具有不同厚度的部分。
7.一種使用至少一個磁性陰極在液晶顯示基底上濺射沉積導(dǎo)電層的方法，該方法包括安裝濺射靶，所述濺射靶包括中心部分，圍繞中心部分并且具有比中心部分更大厚度的邊緣部分，和安裝在中心部分與邊緣部分之間的傾斜部分，并且傾斜部分與垂直于邊緣部分頂表面的方向成大約30°-70°的角度；將基底設(shè)置在靶的對面；和將靶濺射到基底上。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括相對于所述靶將可移動磁性陰極設(shè)置在基底的對面。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述基底設(shè)置成基底邊緣位于傾斜部分處。
10.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述靶包括多個分開的具有不同厚度的部分。
全文摘要
本發(fā)明公開了濺射用靶、濺射裝置及濺射方法，濺射導(dǎo)體靶包括中心部分；圍繞中心部分并且比中心部分厚的邊緣部分；以及位于中心部分和邊緣部分之間的傾斜部分，傾斜部分與垂直于邊緣部分頂表面的方向形成大約30°－70°的角。
文檔編號C23C14/34GK1514038SQ200310114708
公開日2004年7月21日 申請日期2003年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月26日
發(fā)明者趙寬英, 樸大燁, 孫相好 申請人:三星電子株式會社