專利名稱：物理氣相沉積靶構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及物理氣相沉積靶構(gòu)造。
背景技術(shù)：
物理氣相沉積(PVD)通常用于在多種基板上形成材料薄層，所述基板包括但不限于半導(dǎo)體基板。圖1圖解示出了物理氣相沉積工藝。典型的物理氣相沉積系統(tǒng)10被示出具有被設(shè)置鄰近物理氣相沉積靶14(也被稱作濺射靶)的基板12。系統(tǒng)10可使用單塊靶構(gòu)造，如圖中所示出的靶14，其中單塊表示靶由一塊材料機(jī)加工出或制成且不與靶的靶座組合在一起使用。另一種可選方式是，靶構(gòu)造可以是包括靶和靶座(下面進(jìn)一步討論)的靶組件。系統(tǒng)10不限于特定類型的系統(tǒng)或設(shè)備。靶14或另一種可選的靶/靶座組件可具有適用于將靶保持在所需濺射設(shè)備內(nèi)的多種構(gòu)型中的任何構(gòu)型。
靶14可包括任何適當(dāng)成分，且在所示應(yīng)用中包括導(dǎo)電材料。應(yīng)該理解，靶可包括用于形成所需膜的任何適當(dāng)構(gòu)造，且因此還可包括不導(dǎo)電材料，例如陶瓷材料。
靶14的暴露表面16可被稱作濺射表面。在濺射過(guò)程中，例如由射頻等離子體產(chǎn)生的高能粒子撞擊在表面16上。所述撞擊導(dǎo)致材料自靶14產(chǎn)生移置。釋放的材料由箭頭18圖解示出。所釋放的材料在基板12的上表面上形成薄膜20。
為了當(dāng)前說(shuō)明的目的，包括濺射表面16的靶14的一側(cè)可被稱作靶的前側(cè)。相似地，相對(duì)的靶表面17可被稱作位于靶14的后側(cè)上。
在濺射工藝過(guò)程中，基板12通常被安放在與安裝在濺射設(shè)備(未示出)內(nèi)的靶14的表面16相對(duì)限定距離的位置處。當(dāng)靶例如圖 1 所示的靶14，或另一種可選方式是靶/靶座組件被安裝在物理氣相沉積室內(nèi)時(shí)，靶和/或靶座的一個(gè)或多個(gè)表面的一部分可與物理氣相沉積設(shè)備的交界表面相接觸。
參見圖2，圖中示出了具有被安裝凸緣區(qū)域22圍繞的濺射表面16的單塊靶。靶14被構(gòu)造通過(guò)設(shè)置安裝孔24而進(jìn)行安裝。在一些情況下，安裝孔24上可車有螺紋以利用安裝螺栓進(jìn)行安裝。凸緣區(qū)域22可包括如圖所示的四個(gè)孔或可適當(dāng)?shù)匕ㄈ魏螖?shù)量的安裝孔以用于所使用物理氣相沉積系統(tǒng)的特定安裝構(gòu)型。另一種可選方式是，可利用不使用孔24的夾持或另一種可選構(gòu)型安裝靶14，且因此凸緣區(qū)域22可被構(gòu)造以不存在任何孔(未示出)。
參見圖3，圖中示出了沿圖2中的線3-3截取的靶14的側(cè)剖視圖。安裝孔24可自靶28的前側(cè)延伸穿過(guò)凸緣區(qū)域到達(dá)后側(cè)30。如上面討論地，安裝孔24的數(shù)量和布置可根據(jù)系統(tǒng)的靶安裝構(gòu)型而改變。因此，安裝孔24的布置與靶邊緣32的相對(duì)距離可不同于圖3所示的相對(duì)距離。
如圖2和圖3中每個(gè)圖所示，靶14具有與靶的濺射部分半徑相關(guān)聯(lián)的內(nèi)半徑R1，和從標(biāo)記為“C”的中心軸線延伸至周部表面32且包括凸緣區(qū)域22以及靶的濺射部分的總半徑R2。靶14可包括在凸緣區(qū)域22內(nèi)的O形環(huán)溝槽或槽道26。在特定安裝構(gòu)型中，O形環(huán)槽道26將被示作凸緣區(qū)域22的前側(cè)中的開口。應(yīng)該理解，本發(fā)明包括具有例如與靶邊緣32的距離不同于圖2和圖3所示布置的O形環(huán)槽道26的另一種可選布置的靶。
在安裝在濺射設(shè)備內(nèi)之后，凸緣區(qū)域22的多個(gè)部分通?？山佑|沉積設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)交界表面。參見圖4，圖中示出了濺射靶的典型凸緣區(qū)域的放大視圖。在典型安裝構(gòu)型中，凸緣區(qū)域22的前表面的至少一部分可與設(shè)置在靶與濺射設(shè)備壁部之間的陶瓷環(huán)相交界。O形環(huán)(未示出)被安放在O形環(huán)槽道26內(nèi)且在安裝時(shí)進(jìn)行安放。這種O形環(huán)接觸且優(yōu)選在凸緣區(qū)域與陶瓷環(huán)或其它接觸表面之間形成密封件。
通常，常規(guī)靶顯示出使用靶時(shí)凸緣區(qū)域22的前側(cè)上的至少一些表面產(chǎn)生摩擦的可見跡象。靶表面之間的摩擦可導(dǎo)致對(duì)靶和/或交界表面產(chǎn)生損傷且可產(chǎn)生能夠污染所得膜的粒子。
在常規(guī)靶設(shè)計(jì)例如圖4所例示的靶設(shè)計(jì)中，從內(nèi)溝槽角37朝向靶的濺射區(qū)域延伸的內(nèi)凸緣表面36相對(duì)于從O形環(huán)溝槽26的外角38朝向安裝孔24延伸的更加向外設(shè)置的表面例如表面40在某種程度上凹進(jìn)。注意到，常規(guī)靶中的平行表面36與40之間的表面凹進(jìn)或偏移量不限于特定值且可例如為約0.01英寸。在這些靶構(gòu)型中，可主要在角38處和/或表面40的多個(gè)部分上發(fā)生摩擦、創(chuàng)痕和/或劃痕。
安裝靶在陶瓷環(huán)上的摩擦可能出于多種因素。在高能粒子在濺射循環(huán)中產(chǎn)生撞擊時(shí)，一部分粒子能量消散作為熱能進(jìn)入靶材料內(nèi)。因此，靶14的溫度在濺射工藝過(guò)程中升高。一些物理氣相沉積系統(tǒng)被構(gòu)造以利用通常包括水流的冷卻回路從靶或靶/靶座組件的后側(cè)上去除一些熱能。結(jié)果是，整塊靶在沉積過(guò)程中處于高溫下，且靶面明顯比靶的后側(cè)更熱。靶中存在的溫差導(dǎo)致在整個(gè)靶內(nèi)存在變化的熱膨脹量且可導(dǎo)致產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)。在后側(cè)上使用加壓水冷且在相對(duì)的濺射表面處存在真空的系統(tǒng)中，靶的這種移動(dòng)可得以增強(qiáng)。
靶的安裝，且在某些情況下冷卻系統(tǒng)中所使用的冷卻流體的重量可能會(huì)導(dǎo)致O形環(huán)產(chǎn)生嚴(yán)重的形變，從而允許凸緣區(qū)域的表面與設(shè)備的向內(nèi)表面之間的接觸增加。所導(dǎo)致的摩擦可導(dǎo)致靶受到陶瓷材料的污染且導(dǎo)致陶瓷環(huán)以及靶受到損傷。靶的污染可進(jìn)一步導(dǎo)致沉積層受到污染由此降低所述層的質(zhì)量。在使用更大的靶或靶組件的情況下，這些負(fù)面效應(yīng)可能增強(qiáng)。
所希望的是開發(fā)出用于減少在物理氣相沉積工藝中發(fā)生的靶運(yùn)動(dòng)和摩擦的靶構(gòu)造和方法。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明包括一種靶構(gòu)造，所述靶構(gòu)造包括具有設(shè)置在所述構(gòu)造的前面上的濺射表面的濺射區(qū)域，和相對(duì)于所述濺射區(qū)域橫向向外的凸緣區(qū)域。所述凸緣區(qū)域具有從所述濺射區(qū)域延伸至所述構(gòu)造的外邊緣的前表面。在所述前表面的至少一部分上存在保護(hù)層。
一方面，本發(fā)明包括一種濺射靶構(gòu)造，所述濺射靶構(gòu)造具有相對(duì)于濺射區(qū)域橫向向外的凸緣區(qū)域。所述凸緣區(qū)域具有從所述濺射區(qū)域延伸至所述靶構(gòu)造的外邊緣的前表面。所述凸緣區(qū)域包括限定出第一升高部的所述前表面的平面部分和設(shè)置在所述前表面內(nèi)且通過(guò)至少所述平面部分與所述濺射區(qū)域分開的溝槽。所述前表面的傾斜部分相對(duì)于所述平面部分從所述溝槽橫向向外地進(jìn)行設(shè)置，所述傾斜部分相對(duì)于所述平面部分成一定角度。
一方面，本發(fā)明包括一種靶構(gòu)造，所述靶構(gòu)造具有設(shè)置在凸緣區(qū)域內(nèi)的O形環(huán)溝槽。所述0形環(huán)槽道具有底表面、孔口、從所述底表面延伸至所述孔口的第一側(cè)壁和與所述第一側(cè)壁相對(duì)的第二側(cè)壁。所述槽道內(nèi)的第一角的角度由所述第一側(cè)壁和所述底表面限定出。第二角的角度由所述第二側(cè)壁和所述底表面限定出，所述第一角的角度和所述第二角的角度不相等。


下面結(jié)合以下附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述，其中圖1是物理氣相沉積系統(tǒng)的圖解剖視圖且圖中示出了鄰近基板的物理氣相沉積靶構(gòu)造；圖2和圖3分別是典型的物理氣相沉積靶構(gòu)造的圖解視圖和剖視圖；圖4是圖3所示的物理氣相沉積靶的放大局部視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖6是根據(jù)相對(duì)于圖5的另一可選方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明一方面的保護(hù)環(huán)的圖解頂視圖；圖8是包括根據(jù)本發(fā)明一方面的保護(hù)環(huán)的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖9A和9B示出了相對(duì)于圖7所示保護(hù)環(huán)構(gòu)型的另一種可選保護(hù)環(huán)構(gòu)型的圖解局部頂視圖；圖10示出了包括根據(jù)圖9的保護(hù)環(huán)的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一可選方面的靶構(gòu)造和所包括的保護(hù)環(huán)的圖解局部剖視圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖13是根據(jù)相對(duì)于圖12所示方面的本發(fā)明的另一可選方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖14是根據(jù)相對(duì)于圖12所示方面的本發(fā)明的又一可選方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖15是根據(jù)相對(duì)于圖12所示方面的本發(fā)明的又一可選方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明一方面的物理氣相沉積靶/靶座構(gòu)造的圖解側(cè)剖視圖；
圖17是根據(jù)本發(fā)明另一方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；圖18是根據(jù)相對(duì)于圖17所示方面的本發(fā)明的另一可選方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖；和圖19是根據(jù)相對(duì)于圖17所示方面的本發(fā)明的又一可選方面的靶構(gòu)造的圖解局部剖視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的一方面是開發(fā)出一種用以克服或最小化在濺射沉積過(guò)程中可能發(fā)生的靶摩擦的方法和靶構(gòu)型。結(jié)合圖5至圖19對(duì)本發(fā)明的該方面進(jìn)行描述。首先參見圖5，圖中示出了根據(jù)本發(fā)明一方面構(gòu)造的具有凸緣區(qū)域22的靶14的側(cè)視圖。圖5所示的靶具有與結(jié)合圖2至圖4所示的單塊靶所討論的那些特征相似的特征。相似的特征與前述圖中的附圖標(biāo)記相同且變型或新特征由下標(biāo)或新指定的唯一標(biāo)識(shí)表示。
如圖5所示，保護(hù)材料涂層42可被施加到凸緣區(qū)域的前表面的一個(gè)或多個(gè)部分 36、40上。涂覆層42可優(yōu)選為包括保護(hù)材料的保護(hù)涂層，相對(duì)于未涂覆的凸緣表面，所述保護(hù)涂層可減小摩擦系數(shù)。在特定情況下，涂層42可附加地增加局部強(qiáng)度。
涂覆層42的典型涂層材料包括但不限于特氟隆(Teflon)或塑性涂層材料。另一種可選方式是，涂覆層42可包括涂覆有具有低摩擦系數(shù)的適當(dāng)潤(rùn)滑劑的金屬、陶瓷、塑料、特氟隆或其組合物的層。在特定情況下，涂覆層42可優(yōu)選包括絕緣材料。可使用的典型絕緣材料例如包括具有低摩擦系數(shù)的高性能聚合物或絕緣陶瓷，且可優(yōu)選具有與特氟隆相似的性質(zhì)。
可采用例如直接涂覆技術(shù)將涂層材料直接施加到表面40和表面36上以提供涂覆層42。另一種可選方式是，保護(hù)層42可被設(shè)置為可粘結(jié)到凸緣區(qū)域22的前表面上的獨(dú)立的特氟隆、塑料或潤(rùn)滑金屬粘附物、箔片或隔環(huán)。
涂層42不限于任何特定厚度且厚度可例如為約0.001英寸至約0.1英寸。在特定應(yīng)用情況和/或特定物理氣相沉積系統(tǒng)構(gòu)型中，涂覆層42可優(yōu)選具有約0.005英寸的厚度。然而，涂層厚度應(yīng)該小于環(huán)間隙以避免O形環(huán)密封件受到涂覆層的阻礙。
材料42可被設(shè)置以覆蓋如圖5所示的凸緣區(qū)域的整個(gè)前表面，或另一種可選方式是，所述材料可被設(shè)置以僅覆蓋如圖6所例示的凸緣區(qū)域的前表面的一部分。如圖6所示，第一表面部分36可保持未涂覆，而涂覆層42被施加在第二表面部分40上以從O形環(huán)溝槽26的外角38延伸至靶構(gòu)造的外邊緣32。另一種可選方式是，涂層42可被施加在少于整個(gè)表面40的范圍內(nèi)以延伸少于到達(dá)外邊緣32的全部距離。例如，涂層42可從角38延伸至開口24(未示出)。
涂層42可被施加以圍繞凸緣區(qū)域的整個(gè)半徑形成涂層材料的連續(xù)環(huán)或可被設(shè)置以覆蓋少于整個(gè)半徑的范圍，例如斷續(xù)部分。例如，可斷續(xù)地施加涂層42以覆蓋凸緣的交替的15度徑向部段，而居間的15度部段保持未涂覆。
所述的保護(hù)涂層可獨(dú)立使用或可與下面所述的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)變型接觸表面區(qū)域和/或體積減小的O形環(huán)槽道方面結(jié)合使用。
參見圖7，圖中示出了可用作上面討論的涂覆層的另一種可選方式的典型保護(hù)環(huán)50。如圖7所示的保護(hù)環(huán)50可被描述為保護(hù)材料的平或大體上平的環(huán)，所述環(huán)用作凸緣區(qū)域與物理氣相沉積設(shè)備的交界表面之間的隔環(huán)。環(huán)50可被構(gòu)造以與上面討論的保護(hù)涂層(包括凸緣區(qū)域的徑向斷續(xù)覆蓋)相似的方式覆蓋靶凸緣區(qū)域的前表面區(qū)域的全部或一部分。環(huán)50可具有等于如圖7和圖8所示的靶構(gòu)造外徑的外徑R2。另一種可選方式是，保護(hù)環(huán)可延伸少于到達(dá)構(gòu)造的外邊緣的整個(gè)距離且環(huán)的外徑可小于靶構(gòu)造的總直徑(未示出)。
保護(hù)環(huán)50可具有內(nèi)半徑R3，所述內(nèi)半徑可等于靶構(gòu)造的濺射區(qū)域的半徑(圖2和圖3所示的R1)。另一種可選方式，可增大R3以產(chǎn)生覆蓋少于特定凸緣區(qū)域的整個(gè)前表面的范圍的環(huán)。在特定靶構(gòu)造設(shè)有安裝孔的情況下，保護(hù)環(huán)50可被設(shè)置具有延伸通過(guò)其中的開口54。開口54的數(shù)量和間距可優(yōu)選被構(gòu)造以對(duì)應(yīng)于凸緣區(qū)域中存在的安裝孔且與其對(duì)齊。
參見圖8，圖中示出了包括例如圖7所示的保護(hù)環(huán)50的典型靶構(gòu)造凸緣區(qū)域22。如圖8所示，保護(hù)環(huán)50可被設(shè)置以至少覆蓋從O形環(huán)溝槽26的外角38延伸至靶邊緣32的表面40。開口54可與如圖所示的安裝孔24對(duì)齊。在特定應(yīng)用中，保護(hù)環(huán)50可被設(shè)置以具有與例如圖8所示的O形環(huán)溝槽26交疊的內(nèi)徑表面52。交疊距離“d”可被限定為環(huán)50的內(nèi)徑表面52與凸緣區(qū)域的外角38之間的距離。距離“d”不限于特定值且可優(yōu)選被選擇以允許將O形環(huán)插入槽道26內(nèi)且允許O形環(huán)在物理氣相沉積操作過(guò)程中發(fā)揮適當(dāng)功能。
環(huán)50不限于特定材料且可優(yōu)選例如為上面結(jié)合保護(hù)涂層42討論的任何材料?？蓮耐咕壉砻?0上除去環(huán)50，或在特定情況下，所述環(huán)可通過(guò)例如適當(dāng)?shù)恼辰Y(jié)劑材料被附到表面40上。環(huán)50不限于特定厚度且可例如為約0.001英寸至約0.1英寸厚。對(duì)于特定靶構(gòu)造例如300mm靶設(shè)計(jì)而言，環(huán)50可優(yōu)選具有約0.005英寸的厚度。
結(jié)合圖9-圖11對(duì)可用以將保護(hù)環(huán)50放置、穩(wěn)定或緊固到靶構(gòu)造上的其它可選環(huán)構(gòu)型進(jìn)行描述。
先參見圖9，圖中示出了其它可選保護(hù)環(huán)構(gòu)型50，所述保護(hù)環(huán)構(gòu)型具有從徑向位置52(對(duì)應(yīng)于圖7所示典型環(huán)的內(nèi)徑表面)延伸出來(lái)的一個(gè)或多個(gè)可插入延伸部分56。延伸部分56可以是如圖9B所示的單個(gè)連續(xù)延伸部56b，或另一種可選方式是，所述延伸部分可以是如圖9A所示的一個(gè)或多個(gè)可插入的突耳部分56a。在使用多個(gè)隔開突耳56a的情況下，所使用的突耳數(shù)量不限于特定數(shù)量。突耳56a可以是如圖9A所示的矩形或大體上矩形或可具有任何其它適當(dāng)?shù)男螤睢Ｋ褂玫耐欢叽绾烷g距可產(chǎn)生變化。
可延伸部分56a、56b可優(yōu)選被構(gòu)造以插入或至少部分插入例如如圖10所示的靶構(gòu)造的O形環(huán)溝槽內(nèi)。如圖10所示，延伸部分56可被構(gòu)造以產(chǎn)生彎曲或折疊從而允許將突耳或連續(xù)延伸區(qū)域插入O形環(huán)槽道26內(nèi)。O形環(huán)可被設(shè)置在槽道26內(nèi)以使得保護(hù)環(huán)的插入部分被設(shè)置在O形環(huán)與O形環(huán)槽道的側(cè)壁之間。延伸部分56的長(zhǎng)度不限于特定值且可優(yōu)選具有足以將環(huán)50穩(wěn)定和/或緊固在表面40上而不會(huì)阻止或明顯影響罩在開口26內(nèi)的O形環(huán)的功能的長(zhǎng)度。此外，延伸部分的厚度可沿突耳或延伸部的長(zhǎng)度漸細(xì)或要不然發(fā)生變化從而有利于插入O形環(huán)。將O形環(huán)插入(未示出)開口26內(nèi)優(yōu)選在延伸部分56上提供足夠大的力從而進(jìn)一步增加或穩(wěn)定環(huán)50在靶構(gòu)造上的作用，至少當(dāng)這種構(gòu)造被安裝在沉積設(shè)備內(nèi)時(shí)情況如此。
除上面討論的延伸部/插入部構(gòu)型以外，本發(fā)明附加地預(yù)想在孔54內(nèi)使用相似的延伸部57(連續(xù)的或突耳)，所述延伸部可被插入如圖11所示的安裝孔24內(nèi)。這種其它可選的可插入部分可獨(dú)立使用或與圖10所示的延伸部56同時(shí)使用。
除了上面討論的扁平環(huán)或板型保護(hù)環(huán)構(gòu)型以外，本發(fā)明進(jìn)一步預(yù)想了其它可選環(huán)設(shè)計(jì)。這種其它可選環(huán)或隔環(huán)構(gòu)型包括例如墊圈型或O形環(huán)型構(gòu)型。
相對(duì)于上面討論的那些構(gòu)型和方法的其它可選的適當(dāng)構(gòu)型和方法可被用以將保護(hù)環(huán)50放置、穩(wěn)定和/或緊固到除上面討論的那些靶構(gòu)造以外或相對(duì)于那些靶構(gòu)造的另一種可選的靶構(gòu)造上。這些方法可包括例如在靶表面內(nèi)機(jī)加工出或要不然制造出凹進(jìn)區(qū)域以插入保護(hù)環(huán)50。這種凹部可優(yōu)選被構(gòu)造以允許保護(hù)環(huán)使靶表面與交界的設(shè)備表面有效地間隔開從而使靶的有害接觸和摩擦減至最小程度。還可單獨(dú)地或與上面討論的構(gòu)型結(jié)合使用多種保持器和/或放置裝置。例如，可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)銷、柱螺栓或其它緊固件裝配保護(hù)環(huán)。適當(dāng)?shù)慕邮湛卓杀辉O(shè)置在凸緣區(qū)域內(nèi)以接收相應(yīng)的緊固裝置。
除了上面討論的構(gòu)型以外，本發(fā)明預(yù)想將保護(hù)環(huán)放置和/或粘結(jié)在要不然將與靶構(gòu)造交界的表面的一部分或全部上。例如，保護(hù)環(huán)可覆蓋和/或被附接到(上面討論的)陶瓷環(huán)的交界表面上，所述陶瓷環(huán)當(dāng)被安裝在物理氣相沉積設(shè)備(未示出)內(nèi)時(shí)與靶構(gòu)造交界?？刹捎玫牡湫头€(wěn)定和/或緊固技術(shù)包括上面結(jié)合施加到靶構(gòu)造上的保護(hù)環(huán)描述的那些技術(shù)。
接下來(lái)參見圖12，圖中示出了用于最小化或克服靶摩擦的本發(fā)明的另一可選方面，所述方面可獨(dú)立使用或與上面討論的本發(fā)明的涂層或環(huán)/隔環(huán)方面同時(shí)使用。
如圖12所示，凸緣區(qū)域22已經(jīng)變型以使得表面40具有相對(duì)于表面部分36傾斜(不平行)的第一部分40a。傾斜表面部分40a可相對(duì)于表面36和以虛線示出的假想表面40成一定角度。表面40a與假想平面40之間的所得角度不限于特定值且可例如為約0.5度至約5.0度。在特定情況中，該角度可例如為約1.5度。
從槽道26的外角38處的第一點(diǎn)至與安裝孔24相交處的第二點(diǎn)測(cè)得的假想平面40的典型長(zhǎng)度可為約0.08英寸至約0.12英寸。表面40a可優(yōu)選傾斜以使得與安裝孔24a的相交處的測(cè)量結(jié)果為如圖所示的Xa，且該測(cè)量結(jié)果對(duì)應(yīng)于傾斜表面40a相對(duì)于假想平面40的最大升高程度。在特定情況下，升高程度Xa可為約0.01英寸。圖12所示的靶凸緣區(qū)域可被描述為在第二點(diǎn)處(表面40a與安裝孔24的相交處)相對(duì)于在第一點(diǎn)(角38)處的厚度更薄達(dá)Xa。在特定情況下，凸緣區(qū)域22可在第二點(diǎn)處比包括表面36的凸緣徑向區(qū)域更薄。
如圖12所示，角38與安裝孔之間的整個(gè)表面40a可以是傾斜的。應(yīng)該理解，本發(fā)明包括其中所述表面的一個(gè)或多個(gè)部分相對(duì)于表面36保持平行的構(gòu)型，和其中角38與安裝孔24之間的表面的多個(gè)部分包括相對(duì)于彼此的不同傾斜度(未示出)的構(gòu)型。盡管傾斜表面40a被示作平面的，但在一些情況下，表面40a或其多個(gè)部分可以是彎曲或成型的(未示出)。
例如可通過(guò)在靶制造過(guò)程中或靶制造過(guò)程后對(duì)靶14進(jìn)行機(jī)加工而形成傾斜表面40a。
提供傾斜表面例如圖12所示的表面40a可有利地使凸緣區(qū)域22與交界的設(shè)備表面和/或居間陶瓷環(huán)的表面之間的接觸減少或最小化。這種接觸的減少可由此使靶的摩擦和/或靶污染減至最小程度。
參見圖13，圖中示出了凸緣區(qū)域22的另一種可選變型，其中表面40的第一部分40b1保持常規(guī)靶中的原始位置，且第二部分40b2相對(duì)于部分40b1凹進(jìn)。應(yīng)該理解圖13所示的部分40b1和40b2的相對(duì)表面積是示例性的且本發(fā)明預(yù)想了部分40b1與部分40b2的表面積之間的任何比率。
以另一種可選方式進(jìn)行描述，圖13所示的構(gòu)型具有在O形環(huán)表面角38與開口24之間部分延伸的凹進(jìn)或槽道區(qū)域。這些槽道的深度不限于特定值且可優(yōu)選例如小于或等于約0.01英寸。本發(fā)明進(jìn)一步預(yù)想了其中使用三個(gè)或多個(gè)階梯部(未示出)而不是由部分40b1與部分40b2表示的兩個(gè)階梯表面的構(gòu)型。此外，本發(fā)明包括其中僅一部分表面40b2相對(duì)于表面40b1凹進(jìn)的構(gòu)型(未示出)。
圖14示出了被設(shè)計(jì)以使凸緣區(qū)域22內(nèi)的摩擦減少或最小化的另一種可選靶構(gòu)型。如圖所示，可使用傾斜表面40c，所述傾斜表面相對(duì)于假想平面40向上傾斜遠(yuǎn)離與安裝孔24的相交點(diǎn)。表面40c相對(duì)于平面40的傾斜度不限于任何特定值。此外，表面40c的一個(gè)或多個(gè)部分可相對(duì)于其它部分進(jìn)行不同程度的傾斜(未示出)。
圖15示出了用于使凸緣區(qū)域22內(nèi)的摩擦減少或最小化的附加的另一種構(gòu)型。如圖所示，一系列槽道41可被設(shè)置在表面區(qū)域40d內(nèi)。槽道41的數(shù)量可例如為如圖所示的四條，或另一種可選方式是，所述數(shù)量可少于或多于四條(未示出)。槽道41的深度、寬度、間距和縱橫比不限于任何特定值。槽道41的典型深度可例如小于或等于0.01英寸。
結(jié)合圖16對(duì)根據(jù)本發(fā)明的減少的靶摩擦的附加方面進(jìn)行描述。圖16示出了根據(jù)本發(fā)明的包括靶/靶座組件60的典型靶構(gòu)造。組件60可包括靶部分15和靶座部分100。組件60具有與結(jié)合上述單塊靶討論的那些特征相似的特征。相似的特征具有相似的附圖標(biāo)記，且圖16所示的靶座中出現(xiàn)的特征標(biāo)記相對(duì)于前圖中所示的單塊靶的特征的附圖數(shù)字標(biāo)識(shí)增加了100。
如圖16所示，靶15可在界面線117處與靶座100產(chǎn)生物理接觸。靶15可通過(guò)例如擴(kuò)散連結(jié)被連結(jié)到靶座100上。另一種可選方式是，可在界面117處存在連結(jié)材料(未示出)，所述連結(jié)材料將靶15物理地聯(lián)接到靶座100上。本發(fā)明還預(yù)想了其它可選靶構(gòu)造，其中靶15采用其它可選方法被保持在靶座100上。
圖16所示的靶組件60示出了靶座100中存在的凸緣區(qū)域122，所述凸緣區(qū)域可被用于將組件安裝在沉積設(shè)備內(nèi)。O形環(huán)槽道126和安裝孔124的存在或不存在和/或放置可如同上面結(jié)合多種所述單塊靶所描述的情況。圖16所示的靶座100的凸緣區(qū)域122包括傾斜表面區(qū)域140a。這種傾斜區(qū)域可根據(jù)結(jié)合圖12所述的單塊靶的方面。
盡管未具體示出，但應(yīng)該理解，本發(fā)明包括這樣的實(shí)施例，其中靶座100具有與上面討論的用于圖13、圖14和圖15所示的上述單塊靶的那些凸緣表面變型相似的凸緣表面變型。進(jìn)一步地，無(wú)論凸緣區(qū)域122的表面變型是否存在，上面結(jié)合單塊靶所討論的保護(hù)環(huán)/隔環(huán)方面和/或保護(hù)涂層方面還可與例如圖16所示的靶組件或與圖16所示相似的靶組件結(jié)合使用。本發(fā)明的附加方面還可獨(dú)立地或與表面變型和/或凸緣區(qū)域內(nèi)的保護(hù)材料同時(shí)被包括在靶/靶座組件內(nèi)，所述附加方面將在下面結(jié)合單塊靶進(jìn)行描述。
參見圖17，圖中示出了本發(fā)明的明顯不同的方面。參見圖4可注意到，常規(guī)靶的O形環(huán)槽道26可具有開放底表面27，所述開放底表面大體上平行于凸緣表面區(qū)域36和/或40，且可平行于后表面17。圖4所示的O形環(huán)槽道還具有在槽道底部處存在的內(nèi)角，所述內(nèi)角具有相等角度以使得兩個(gè)底角彼此成鏡像。再次轉(zhuǎn)到圖17，凸緣區(qū)域22被示出具有根據(jù)本發(fā)明得到改進(jìn)的O形環(huán)槽道。O形環(huán)槽道26具有第一側(cè)壁表面70、相對(duì)的第二側(cè)壁表面72和在第一側(cè)壁表面與第二側(cè)壁表面之間延伸的底表面74。槽道的孔口76被設(shè)置在凸緣表面36與40之間?？卓趯挾葁1被限定為第一外角38與第二外角37之間的橫向距離。通常，w1可對(duì)應(yīng)于槽道26的最小寬度。在特定情況下，槽道26可在開口的底部處或接近開口底部處具有最大寬度w2，如圖所示。
如圖17所示，在底表面74與第一側(cè)壁表面70之間的相交處存在的第一底角或內(nèi)角71不是在底表面74與第二側(cè)壁表面72之間的相交處存在的第二底角或內(nèi)角73的鏡像。以另一種可選方式進(jìn)行描述，第一內(nèi)角的角度α由底表面和對(duì)應(yīng)于第一側(cè)壁表面70的平面限定．第二內(nèi)角的角度β相似地由底表面和第二側(cè)壁表面72限定。角度α和β為相對(duì)于彼此不相等的角度。第一角71優(yōu)選具有大于相對(duì)角度β的角度α。兩個(gè)角度之間優(yōu)選產(chǎn)生差異以便相對(duì)于圖4所示的構(gòu)型減少尤其在第一角的區(qū)域中的O形環(huán)槽道的體積。
盡管角度α和β的相對(duì)測(cè)量結(jié)果不限于特定值，但角71的區(qū)域中的體積可優(yōu)選充分小以允許在將靶安裝在物理氣相沉積設(shè)備中時(shí)增加O形環(huán)上的壓力或擠壓作用。有利地，例如可相對(duì)于常規(guī)槽道減少槽道26的體積從而增加密封件擠壓作用且由此使金屬凸緣表面與由濺射設(shè)備包括的交界表面或居間陶瓷環(huán)之間的接觸最小化。
盡管圖17示出了大體上平面的側(cè)壁和大體上平面的底表面74，但本發(fā)明預(yù)想了與其它可選O形環(huán)溝槽構(gòu)型一起使用的角度變型方面的調(diào)整情況。例如，一個(gè)或兩個(gè)槽道側(cè)壁或其部分可以是非平面的、成型的或要不然相對(duì)于所示側(cè)壁產(chǎn)生變型。相似地，可使用相對(duì)于圖17所示的大體上平滑的圓角的其它可選角度成形或成型。
根據(jù)本發(fā)明的用以獲得減少的體積和增加的密封件擠壓作用的其它可選O形環(huán)槽道構(gòu)型如圖18和圖19所示。如圖18所示，根據(jù)本發(fā)明的槽道26的底表面74可以是非平面的。換句話說(shuō)，表面74的一部分可相對(duì)于表面74的其它部分增高或升高。在優(yōu)選方面中，表面74的非平面性可被構(gòu)造以相對(duì)于例如圖4所示的平的或平面表面減少O形環(huán)槽道26的體積。如圖18所示，底表面74可包括兩個(gè)相對(duì)的傾斜部分。在特定情況下，槽道26可在底表面74的中點(diǎn)(與角71和73中的每個(gè)角大約等距)處或接近所述中點(diǎn)處具有最小深度“h”，且相對(duì)于由凸緣表面36限定出的升高部確定該深度。
圖19示出了O形環(huán)溝槽26的另一種可選形狀。如圖中所示，底表面74可被成型或呈圓形以減少O形環(huán)溝槽內(nèi)的體積。與圖18所示的槽道構(gòu)型相似地，圖19所示的槽道構(gòu)型在兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁之間的中點(diǎn)處或接近所述中點(diǎn)處具有最小深度。應(yīng)該理解，本發(fā)明預(yù)想了底表面74的其它可選構(gòu)型。例如，表面74可包括設(shè)置在最小高度處的平面部分，所述平面部分從中點(diǎn)朝向一個(gè)或兩個(gè)角71和73橫向延伸(未示出)。在不偏離本發(fā)明的精神的情況下，可包括多種附加和/或其它可選的O形環(huán)槽道形狀變型用以減少O形環(huán)體積。
除了上面討論的凸緣區(qū)域構(gòu)型以外，本發(fā)明預(yù)想利用本發(fā)明特征的組合。例如，凸緣區(qū)域可被構(gòu)造以具有體積減少的O形環(huán)槽道例如結(jié)合圖17-圖19所述的槽道且可附加地包括傾斜、階梯狀或槽道狀接觸表面區(qū)域，例如上面結(jié)合圖12-圖15所述的那些接觸表面區(qū)域中的任何接觸表面區(qū)域。保護(hù)涂層和/或保護(hù)環(huán)可與上面討論的任何表面變型和O形環(huán)體積結(jié)合使用。
盡管結(jié)合平面圓形靶對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本發(fā)明的理念可等同地應(yīng)用于其它的靶幾何形狀。所述的發(fā)明靶特征可有利地減少靶或靶組件與交界的設(shè)備表面之間發(fā)生的接觸摩擦。本發(fā)明的靶構(gòu)型和表面保護(hù)方法可減少或消除摩擦所致的粒子產(chǎn)生。使用根據(jù)本發(fā)明的靶可保護(hù)昂貴的陶瓷O形環(huán)和/或設(shè)備表面、減少或防止靶污染且可導(dǎo)致提高的膜質(zhì)量和可再現(xiàn)性。
權(quán)利要求
1.一種靶構(gòu)造，所述靶構(gòu)造包括包括設(shè)置在所述構(gòu)造的前面上的濺射表面的濺射區(qū)域；和相對(duì)于所述濺射區(qū)域橫向向外且具有從所述濺射區(qū)域延伸至所述構(gòu)造的外邊緣的前表面的凸緣區(qū)域；和在所述前表面的至少一部分上的保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，其中所述保護(hù)層是材料環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，其中所述保護(hù)層是可拆卸的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靶構(gòu)造，其中所述材料環(huán)被附到所述前表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，其中所述保護(hù)層包括特氟隆。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，進(jìn)一步包括所述前表面內(nèi)的O形環(huán)溝槽且其中所述保護(hù)層從所述O形環(huán)溝槽朝向所述靶構(gòu)造的外邊緣橫向向外延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靶構(gòu)造，其中所述保護(hù)層延伸至所述外邊緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靶構(gòu)造，其中所述保護(hù)層是材料環(huán)，所述材料環(huán)的至少一部分延伸進(jìn)入所述O形環(huán)溝槽內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靶構(gòu)造，其中所述保護(hù)層是材料環(huán)，所述材料環(huán)的至少一部分與所述O形環(huán)溝槽交疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靶構(gòu)造，其中所述保護(hù)層包括具有內(nèi)徑和外徑的材料環(huán)；和自所述內(nèi)徑延伸出來(lái)的至少一個(gè)突耳。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靶構(gòu)造，進(jìn)一步包括延伸通過(guò)所述凸緣區(qū)域的開口，所述開口被設(shè)置在所述O形環(huán)溝槽與所述外邊緣之間，且其中所述保護(hù)層包括與所述開口對(duì)齊的孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，進(jìn)一步包括延伸通過(guò)所述凸緣區(qū)域的至少一個(gè)開口，其中所述保護(hù)層包括具有可插入到所述至少一個(gè)開口內(nèi)的至少一個(gè)突耳的材料環(huán)。
13.一種濺射靶構(gòu)造，所述濺射靶構(gòu)造包括包括設(shè)置在所述靶構(gòu)造的前面上的濺射表面的濺射區(qū)域；和相對(duì)于所述濺射區(qū)域橫向向外且具有從所述濺射區(qū)域延伸至所述靶構(gòu)造的外邊緣的前表面的凸緣區(qū)域，所述凸緣區(qū)域包括限定出第一升高部的所述前表面的平面部分；設(shè)置在所述前表面內(nèi)且通過(guò)至少所述平面部分與所述濺射區(qū)域分開的溝槽；和相對(duì)于所述平面部分從所述溝槽橫向向外地設(shè)置的所述前表面的傾斜部分，所述傾斜部分相對(duì)于所述平面部分成一定角度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，其中所述傾斜部分是平面的且從沿所述前表面設(shè)置在第二升高部處的第一點(diǎn)向外延伸至設(shè)置在第三升高部處的第二點(diǎn)，所述第二點(diǎn)相對(duì)于所述構(gòu)造的所述外邊緣橫向向內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靶構(gòu)造，其中所述凸緣區(qū)域在所述第二點(diǎn)處比在所述第一點(diǎn)處更薄。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靶構(gòu)造，其中所述凸緣區(qū)域在所述第二點(diǎn)處比在所述第一點(diǎn)處更厚。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靶構(gòu)造，其中所述凸緣區(qū)域在所述第二點(diǎn)處比包括所述平面表面的一部分所述凸緣區(qū)域更薄。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靶構(gòu)造，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述前表面的所述傾斜部分上的材料層，所述材料層包括以下材料組中的至少一種成分，所述材料組包括特氟隆、陶瓷、塑料、金屬、涂覆潤(rùn)滑劑的特氟隆、涂覆潤(rùn)滑劑的塑料、涂覆潤(rùn)滑劑的陶瓷、涂覆潤(rùn)滑劑的金屬及其組合物。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，進(jìn)一步包括延伸通過(guò)所述凸緣區(qū)域的開口。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的靶構(gòu)造，其中所述傾斜部分從所述溝槽延伸至所述開口。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的靶構(gòu)造，其中所述平面區(qū)域是第一平面區(qū)域且其中所述前表面進(jìn)一步包括相對(duì)于所述第一平面部分大體上平行的第二平面部分，所述第二平面部分從所述開口朝向所述外邊緣向外延伸。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，其中所述靶構(gòu)造是單塊的。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶構(gòu)造，其中所述靶構(gòu)造包括靶和靶座，且其中所述凸緣區(qū)域被所述靶座所包括。
24.一種濺射靶構(gòu)造，所述濺射靶構(gòu)造包括包括設(shè)置在所述靶構(gòu)造的前面上的濺射表面的濺射區(qū)域；相對(duì)于所述濺射區(qū)域橫向向外的凸緣區(qū)域；所述凸緣區(qū)域具有設(shè)置在所述構(gòu)造的所述前面上的前表面和與所述前表面相對(duì)的后表面；設(shè)置在所述前表面上的所述凸緣區(qū)域中且相對(duì)于所述構(gòu)造的外邊緣間隔第一距離的O形環(huán)溝槽；和所述凸緣區(qū)域內(nèi)的子區(qū)域，所述子區(qū)域從所述O形環(huán)溝槽朝向所述外邊緣延伸至相對(duì)于所述外邊緣間隔第二距離的位置，所述凸緣區(qū)域在所述子區(qū)域上具有不均勻的厚度。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的靶構(gòu)造，其中所述子區(qū)域包括設(shè)置在所述前表面內(nèi)的至少一條槽道。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的靶構(gòu)造，其中所述至少一條槽道是多條槽道。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的靶構(gòu)造，其中所述至少一條槽道具有小于或等于約0.01英寸的槽道深度。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的靶構(gòu)造，其中所述至少一條槽道是具有相對(duì)于所述后表面大體上平行的底表面的單條槽道。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的靶構(gòu)造，其中所述前表面包括第一部分且包括延伸穿過(guò)所述子區(qū)域的第二部分；且其中所述第二部分的至少一部分相對(duì)于所述第一部分是非共面的。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的靶構(gòu)造，其中所述第二部分是平面的且相對(duì)于所述第一部分是傾斜的。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的靶構(gòu)造，其中所述第二部分的至少一部分是平面的且相對(duì)于所述第一部分大體上平行。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的靶構(gòu)造，其中所述第一部分從所述濺射區(qū)域延伸至所述O形環(huán)溝槽。
33.根據(jù)權(quán)利要求24所述的靶構(gòu)造，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第二點(diǎn)與所述外邊緣之間的穿過(guò)所述凸緣區(qū)域的開口。
34.根據(jù)權(quán)利要求24所述的靶構(gòu)造，其中所述O形環(huán)溝槽包括底表面和一對(duì)側(cè)壁表面，其中所述底表面的至少一部分相對(duì)于所述后表面是不平行的。
35.根據(jù)權(quán)利要求24所述的靶構(gòu)造，其中所述O形環(huán)溝槽包括底表面、一對(duì)側(cè)壁表面和設(shè)置在所述前表面處的孔口，其中所述底表面在其整體范圍內(nèi)不是平面的。
36.一種靶構(gòu)造，所述靶構(gòu)造包括濺射區(qū)域；從所述濺射區(qū)域向外延伸至所述構(gòu)造的外邊緣的凸緣區(qū)域；和所述凸緣區(qū)域內(nèi)的槽道，所述槽道包括底表面；孔口；從所述底表面延伸至所述孔口的第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁包括第一平面表面，所述底表面和所述第一平面表面限定出所述槽道內(nèi)的第一角的角度；和與所述第一側(cè)壁相對(duì)且從所述底表面延伸至所述孔口的第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁包括第二平面表面，所述底表面和所述第二平面表面限定出所述槽道內(nèi)的第二角的角度，所述第一角的角度和所述第二角的角度相對(duì)于彼此不相等。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的靶構(gòu)造，進(jìn)一步包括從所述孔口延伸至所述濺射區(qū)域的平面凸緣表面，所述平面凸緣表面與所述第一側(cè)壁相交，其中所述第一角的角度大于所述第二角的角度。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的靶構(gòu)造，其中所述靶構(gòu)造是單塊的。
39.根據(jù)權(quán)利要求36所述的靶構(gòu)造，包括靶座且其中所述開口被設(shè)置在所述靶座內(nèi)。
40.一種靶構(gòu)造，所述靶構(gòu)造包括濺射區(qū)域；從所述濺射區(qū)域向外延伸至所述構(gòu)造的外邊緣的凸緣區(qū)域；所述凸緣區(qū)域內(nèi)的O形環(huán)槽道，所述槽道包括底表面；孔口；從所述底表面延伸至所述孔口的第一側(cè)壁；和與所述第一側(cè)壁相對(duì)且從所述底表面延伸至所述孔口的第二側(cè)壁；和從所述濺射區(qū)域延伸至所述孔口的平面凸緣表面，所述底表面的至少一部分與所述平面凸緣表面不平行。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的靶構(gòu)造，其中所述平面凸緣表面限定出第一升高部，其中所述O形環(huán)槽道包括在所述孔口處的第一寬度和在所述底表面處的第二寬度，所述第二寬度大于所述第一寬度，且其中所述O形環(huán)槽道在沿所述底表面的中點(diǎn)處具有相對(duì)于所述第一升高部的最小深度。
42.一種物理氣相沉積系統(tǒng)保護(hù)環(huán)，所述物理氣相沉積系統(tǒng)保護(hù)環(huán)包括被構(gòu)造以覆蓋靶構(gòu)造的凸緣區(qū)域的至少一部分的保護(hù)材料層，所述保護(hù)材料包括以下材料組中的至少一種成分，所述材料組包括特氟隆、陶瓷、塑料、金屬、涂覆潤(rùn)滑劑的特氟隆、涂覆潤(rùn)滑劑的塑料、涂覆潤(rùn)滑劑的陶瓷、涂覆潤(rùn)滑劑的金屬及其組合物。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的保護(hù)環(huán)，其中所述保護(hù)環(huán)包括內(nèi)部徑向表面和從所述內(nèi)部徑向表面延伸出來(lái)的至少一個(gè)延伸部，其中所述至少一個(gè)延伸部被構(gòu)造以插入靶構(gòu)造的凸緣區(qū)域中存在的O形環(huán)槽道內(nèi)。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的保護(hù)環(huán)，其中所述保護(hù)環(huán)包括穿過(guò)所述保護(hù)材料層的至少一個(gè)開口，所述至少一個(gè)開口被構(gòu)造以與所述凸緣區(qū)域中存在的相應(yīng)安裝孔對(duì)齊。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的保護(hù)環(huán)，其中所述保護(hù)材料層包括所述至少一個(gè)開口內(nèi)的至少一個(gè)延伸部，所述至少一個(gè)延伸部被構(gòu)造以插入所述相應(yīng)安裝孔內(nèi)。
46.根據(jù)權(quán)利要求42所述的保護(hù)環(huán)，其中所述保護(hù)環(huán)被構(gòu)造以覆蓋從O形環(huán)槽道延伸至所述凸緣區(qū)域中存在的安裝螺栓開口的所述凸緣的整個(gè)徑向表面區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明包括一種具有濺射區(qū)域和凸緣區(qū)域的靶構(gòu)造。所述凸緣區(qū)域具有在前表面的至少一部分上存在的保護(hù)層。本發(fā)明包括一種具有凸緣區(qū)域的濺射靶構(gòu)造，其中所述凸緣區(qū)域的前表面具有平面部分。溝槽被設(shè)置在所述前表面內(nèi)且所述前表面的傾斜部分相對(duì)于所述平面部分從所述溝槽橫向向外地進(jìn)行設(shè)置，所述傾斜部分相對(duì)于所述平面部分成一定角度。本發(fā)明包括一種具有設(shè)置在凸緣區(qū)域內(nèi)的O形環(huán)溝槽的靶構(gòu)造。所述O形環(huán)槽道具有底表面、孔口、從所述底表面延伸至所述孔口的第一側(cè)壁和與所述第一側(cè)壁相對(duì)的第二側(cè)壁。所述槽道內(nèi)的第一角的角度和第二角的角度不相等。
文檔編號(hào)C23C14/32GK1910304SQ200580002299
公開日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2005年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月3日
發(fā)明者S·費(fèi)拉斯, F·阿爾福德, 金在衍, S·I·格拉布梅爾, S·D·斯特羅瑟爾斯, A·N·A·雷格, R·M·普拉特, W·H·霍爾特, M·D·佩頓 申請(qǐng)人:霍尼韋爾國(guó)際公司